專利名稱：一種復(fù)合掩模板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子印刷領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合掩模板。
背景技術(shù)：
由于有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,0LED)由于同時(shí)具備自發(fā)光，不需背光源、對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異之特性，被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。OLED生產(chǎn)過程中最重要的一環(huán)節(jié)是將有機(jī)層按照驅(qū)動(dòng)矩陣的要求敷涂到基層上，形成關(guān)鍵的發(fā)光顯示單元。OLED是一種固體材料，其高精度涂覆技術(shù)的發(fā)展是制約OLED產(chǎn)品化的關(guān)鍵。目前完成這一工作，主要采用真空沉積或真空熱蒸發(fā)(VTE)的方法，其是將位于真空腔體內(nèi)的有機(jī)物分子輕微加熱(蒸發(fā))，使得這些分子以薄膜的形式凝聚在溫度較低的基層上。在這一過程中需要與OLED發(fā)光顯示單元精度相適應(yīng)的高精密掩模板作為媒介。圖1所不是一種用于OLED蒸鍍用掩模板的結(jié)構(gòu)不意圖，其由具有掩模圖案10的掩模主體11與固定掩模主體11用的外框12構(gòu)成，其中掩模主體11、外框12均為金屬材料。圖2所示為圖1中A-A所示的截面放大示意圖,20為掩模部,21為有機(jī)材料蒸鍍時(shí)在基板上形成薄膜的通道，由于掩模主體11 一般是金屬薄片通過蝕刻等工藝制得，構(gòu)成其掩模圖案(10)的掩模部(20)、通道(21)的尺寸(如:兩通道的中心間距尺寸dl)會(huì)受到金屬薄片本身厚度h和工藝的限制，從而限制最終OLED產(chǎn)品的分辨率。另外，若制作大尺寸掩模板，其金屬型的掩模主體11會(huì)具有較大的質(zhì)量，從而會(huì)導(dǎo)致掩模主體11板面產(chǎn)生下垂(即板面下凹)，這對(duì)精度要求較高的掩模蒸鍍過程是不利的。鑒于此，業(yè)內(nèi)亟需一種能夠解決此問題的方案。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，需要克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷中的至少一個(gè)。本發(fā)明提供了一種復(fù)合掩模板。所述復(fù)合掩模板，包括掩模層和支撐層，其中，所述掩模層包括有開口，所述開口構(gòu)成掩模板圖案區(qū)；所述支撐層包括有與所述掩模層開口相對(duì)應(yīng)的支撐條，所述支撐層與所述掩模層緊密結(jié)合，起到對(duì)所述掩模層支撐作用，且所述支撐層不會(huì)對(duì)所述開口形成遮擋。根據(jù)本專利背景技術(shù)中對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所述，若制作大尺寸掩模板，其金屬型的掩模主體會(huì)具有較大的質(zhì)量，從而會(huì)導(dǎo)致掩模主體板面產(chǎn)生下垂，而根據(jù)本發(fā)明提供的復(fù)合掩模板，可以對(duì)下垂的掩模主體提供一定的支撐力，降低或彌補(bǔ)掩模主體板面產(chǎn)生下垂的情況，改善廣品的精度、質(zhì)量，并提聞良品率。另外，根據(jù)本發(fā)明公開的復(fù)合掩模板的還具有如下附加技術(shù)特征:根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述復(fù)合掩模板至少有一個(gè)掩模圖案區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述復(fù)合掩模板上任一所述掩模層開口置于所述支撐層中相鄰的兩個(gè)所述支撐條之間，相鄰的所述支撐條的間距是所述掩模層開口間距的η倍，所述η大于等于I且為正整數(shù)。所述掩模板開口以矩陣方式分布在掩模圖案區(qū)域上，支撐層的支撐條以一定的間距d2分布在所述掩模板開口的掩模部上，兩相鄰的所述支撐條間的間距為d3，d2、d3有如下關(guān)系:d3=nXd2 (η 為 1、2、3、4......)。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，η=2或3或4或5或6。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層采用具有磁性能的合金材料結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述支撐層采用因瓦合金材料結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層采用耐磨、耐高溫、耐酸堿且與所述支撐層之間有良好附著力的材料結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述掩模層采用性能穩(wěn)定的聚合高分子材料結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層厚度hi大于等于2 μ m,小于等于20 μ m。優(yōu)選地，所述掩模層厚度hi為2μπι或6μπι或10或14μπι或18μπι或20μπι。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層厚度h2大于等于20 μ m,小于等于60 μ m。優(yōu)選地，所述支撐層厚度h2為20 μ m或30 μ m或40 μ m或50 μ m或60 μ m。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí) 施例，hl=6 μ m, h2=30 μ m。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層開口通過鐳射工藝刻制。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層通過蝕刻或電鑄或激光切割工藝制備。優(yōu)選地，所述支撐層可以是通過蝕刻工藝制備。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模板開口邊緣可以是垂直直角或是倒角或是過渡曲線。其中，所述掩模板開口邊緣為倒角或是過渡曲線可以更大限度的避免對(duì)蒸鍍過程中蒸鍍材料揮發(fā)過程的影響。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模板的支撐層還可以由橫向與縱向相互交叉的支撐條構(gòu)成。相對(duì)于傳統(tǒng)掩模板，本發(fā)明提供的復(fù)合掩模板可以制作更高PPI (即Pixels perinch所表示的是每英寸所擁有的像素(pixel)數(shù)目)的OLED顯示屏(復(fù)合掩模板上每英寸所擁有的開口數(shù)量與OLED顯示屏的PPI相對(duì)應(yīng))。例如:傳統(tǒng)掩模板的開口中心間距dl為144 4 111，其對(duì)應(yīng)的？？1=2.54cm/144ym ^ 176 ;而當(dāng)本發(fā)明中兩條構(gòu)成掩模板支撐條310的中心間距d2為144 μ m時(shí)(如圖3)，復(fù)合掩模板的實(shí)際PPI為PPI=2.54cm/d3=2.54cm/72 μ m ^ 352，由此制得的OLED屏亦未352PPI，如此超越人眼所能看到的極限300PPI。傳統(tǒng)掩模板的構(gòu)成材質(zhì)為金屬合金，本發(fā)明中將金屬合金材料作為支撐層，其上與掩模圖案對(duì)應(yīng)的區(qū)域與傳統(tǒng)掩模板相比，內(nèi)部金屬材料大量減少，雖然增加有機(jī)材料構(gòu)成的掩模層，但其質(zhì)量相對(duì)較輕，從而使得復(fù)合掩模板的總體質(zhì)量減少。在以相同的張力將復(fù)合掩模板固定在外框上時(shí)，復(fù)合掩模板的內(nèi)部下垂量也將會(huì)弱化。本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從
以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:圖1所不是一種用于OLED蒸鍍用掩模板的結(jié)構(gòu)不意圖；圖2所示為圖1中A-A所示的截面放大示意圖；圖3為本發(fā)明一種復(fù)合掩模板的結(jié)構(gòu)不意圖；圖4是圖3所示復(fù)合掩模板的整體仰視圖；圖5是圖4中42部分的放大示意圖；圖6所示是將掩模板固定在真空腔內(nèi)進(jìn)行蒸鍍的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，圖1中，10——掩模圖案，11——掩模主體，12——外框，A-A——待剖區(qū)域；圖2中，20——掩模部，21——有機(jī)材料蒸鍍時(shí)在基板上形成薄膜的通道，dl——相鄰開口中心間距尺寸，h—掩模厚度；圖3中，31——支撐層，310——支撐條，32——掩模層，320——掩模層開口，321—掩模圖案區(qū)掩模部，d2—相鄰兩支撐條310的中心間距，d3—相鄰兩開口通道中心間距，hi—支撐層的厚度尺寸，h2—掩模層的厚度尺寸；圖4中，41——對(duì)應(yīng)于掩模層32的掩模圖案區(qū)，42——待放大區(qū)域；圖6中，33——掩?？蚣?，30——由支撐層31、掩模層32以及掩?？蚣?3構(gòu)成的蒸鍍用掩模整體，61為基板，62為固定蒸鍍用掩模整體30的基臺(tái)，63為蒸發(fā)源。
具體實(shí)施方式
下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“底”、“頂”、“前”、“后”、“內(nèi)”、“外”、“橫”、“豎”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“聯(lián)接”、“連通”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，一體地連接，也可以是可拆卸連接；可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思如下，由于現(xiàn)有掩?？嚲W(wǎng)技術(shù)中在生產(chǎn)大尺寸面板會(huì)出現(xiàn)大尺寸掩模板下垂的問題，當(dāng)尺寸越大，對(duì)產(chǎn)品的精度、質(zhì)量都會(huì)造成很大影響，同時(shí)降低良品率。本發(fā)明提供的復(fù)合掩模板通過對(duì)復(fù)合掩模板中的掩模層加設(shè)支撐層以增加復(fù)合掩模板的整體剛度，同時(shí)將掩模層和支撐層的材料使用整體更加輕便的材料，使其整體重量減輕，也減緩了復(fù)合掩模板可能的下垂量，從而使制造更大尺寸面板更加容易實(shí)現(xiàn)。下面將參照附圖來描述本發(fā)明的掩?？蚣芗捌鋵?duì)應(yīng)的掩模組件，其中圖1所示是一種用于OLED蒸鍍用掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明一種復(fù)合掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3所示復(fù)合掩模板的整體仰視圖；圖6所示是將掩模板固定在真空腔內(nèi)進(jìn)行蒸鍍的結(jié)構(gòu)示意圖。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種復(fù)合掩模板，如圖3-圖6所示，所述復(fù)合掩模板，包括掩模層32和支撐層31，其中，所述掩模層包括有掩模層開口 320，所述掩模層開口 320構(gòu)成掩模板圖案區(qū)41 ;所述支撐層31包括有與所述掩模層開口 320相對(duì)應(yīng)的支撐條310，所述支撐層31與所述掩模層32緊密結(jié)合，起到對(duì)所述掩模層32支撐作用，且所述支撐層31不會(huì)對(duì)所述掩模層開口 320形成遮擋。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述復(fù)合掩模板至少有一個(gè)掩模圖案區(qū)41。圖4是圖3所示復(fù)合掩模板的整體仰視圖，41部分即對(duì)應(yīng)于掩模層32的掩模圖案區(qū)，圖5是圖4中42部分的放大示意圖，其與圖3所示結(jié)構(gòu)相適應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，如圖4所示，所述掩模板上任一所述掩模層開口 320置于所述支撐層31中相鄰的兩個(gè)所述支撐條310之間，相鄰的所述支撐條310的間距是所述掩模層開口 320間距的η倍，所述η大于等于I且為正整數(shù)。所述掩模板開口 320以矩陣方式分布在掩模圖案區(qū)域41上，支撐層的支撐條310以一定的間距d2分布在所述掩模板開口的掩模部上，兩相鄰的所述支撐條間的間距為d3，d2、d3 有如下關(guān)系:d3=nXd2 (η 為 1、2、3、4......)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，η=2或3或4或5或6。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層31采用具有磁性能的合金材料結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述支撐層31采用因瓦合金材料結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層32采用耐磨、耐高溫、耐酸堿且與所述支撐層31之間有良好附著力的材料結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述掩模層32采用性能穩(wěn)定的聚合高分子材料結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層厚度h2大于等于2 μ m,小于等于20 μ m。優(yōu)選地，所述掩模層厚度h2為2μπι或6μπι或10或14μπι或18μπι或20μπι。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層厚度hi大于等于20 μ m,小于等于60 μ m。優(yōu)選地，所述支撐層厚度hi為20 μ m或30 μ m或40 μ m或50 μ m或60 μ m。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，h2=6 μ m, hl=30 μ m。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模層開口 320通過鐳射工藝刻制。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述支撐層31通過蝕刻或電鑄或激光切割工藝制備。優(yōu)選地，所述支撐層31可以是通過蝕刻工藝制備。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述掩模板開口 320邊緣可以是垂直直角或是倒角或是過渡曲線。其中，所述掩模板開口 320邊緣為倒角或是過渡曲線可以更大限度的避免對(duì)蒸鍍過程中蒸鍍材料揮發(fā)過程的影響。將本發(fā)明提供的復(fù)合掩模板固定在外框上，其整體外觀結(jié)構(gòu)如圖1所示，圖6所示是將掩模板固定在真空腔內(nèi)進(jìn)行蒸鍍的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中30是由支撐層31、掩模層32以及掩模框架33構(gòu)成的蒸鍍用掩模整體，61為基板、62為固定蒸鍍用掩模整體30的基臺(tái)、63為蒸發(fā)源。有機(jī)材料(構(gòu)成OLED三原色的R、G、B材料)由蒸發(fā)源63蒸發(fā)，蒸汽通過復(fù)合掩模板的開口通道320在基板61上形成與開口通道320相適應(yīng)的圖案。附圖中所示僅為結(jié)構(gòu)示意圖，圖中所展示的并不能完全真實(shí)的反映各種尺寸關(guān)系以及開口圖形的外貌，其中復(fù)合掩模板上的開口處的棱邊并非絕對(duì)垂直，而是存在一定倒角的。任何提及“ 一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示意性實(shí)施例”等意指結(jié)合該實(shí)施例描述的具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說明書各處的該示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例。而且，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)時(shí)，所主張的是，結(jié)合其他的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這樣的構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)均落在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍之內(nèi)。盡管參照本發(fā)明的多個(gè)示意性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出多種其他的改進(jìn)和實(shí)施例，這些改進(jìn)和實(shí)施例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進(jìn)，而不會(huì)脫離本發(fā)明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進(jìn)，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求1.一種復(fù)合掩模板，包括掩模層和支撐層，其特征在于，所述掩模層包括有開口，所述開口構(gòu)成掩模板圖案區(qū)；所述支撐層包括有與所述掩模層開口相對(duì)應(yīng)的支撐條，所述支撐層與所述掩模層緊密結(jié)合，起到對(duì)所述掩模層支撐作用，且所述支撐層不會(huì)對(duì)所述開口形成遮擋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述復(fù)合掩模板至少有一個(gè)掩模圖案區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述復(fù)合掩模板上任一所述掩模層開口置于所述支撐層中相鄰的兩個(gè)所述支撐條之間，相鄰的所述支撐條的間距是所述掩模層開口間距的η倍，所述η大于等于I且為正整數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述支撐層采用具有磁性能的合金材料結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述支撐層采用因瓦合金材料結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述掩模層采用具有耐磨、耐高溫、耐酸堿且與所述支撐層之間有良好附著力的材料結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述掩模層采用性能穩(wěn)定的聚合高分子材料結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述掩模層厚度大于等于2μ m,小于等于20 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述掩模層厚度為2μ m或6 μ m或10 14 μ m 18 μ m 20 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述支撐層厚度大于等于20μ m,小于等于60 μ m。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述支撐層厚度為20μ m或30 μ m $ 40 μ m $ 50 μ m $ 60 μ m。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述掩模層開口為通過鐳射工藝刻制的開口結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述支撐層為通過蝕刻或電鑄或激光切割工藝形成的板材。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板，其特征在于，所述掩模板開口邊緣可以是垂直直角或是倒角或是過渡曲線。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種復(fù)合掩模板，所述復(fù)合掩模板，包括掩模層和支撐層，其中，所述掩模層包括有開口，所述開口構(gòu)成掩模板圖案區(qū)；所述支撐層包括有與所述掩模層開口相對(duì)應(yīng)的支撐條，所述支撐層與所述掩模層緊密結(jié)合，起到對(duì)所述掩模層支撐作用，且所述支撐層不會(huì)對(duì)所述開口形成遮擋?，F(xiàn)有技術(shù)在制作大尺寸掩模板，其金屬型的掩模主體會(huì)具有較大的質(zhì)量，從而會(huì)導(dǎo)致掩模主體板面產(chǎn)生下垂，而根據(jù)本實(shí)用新型提供的復(fù)合掩模板，可以對(duì)下垂的掩模主體提供一定的支撐力，降低或彌補(bǔ)掩模主體板面產(chǎn)生下垂的情況，改善產(chǎn)品的精度、質(zhì)量，并提高良品率。
文檔編號(hào)C23C14/04GK202913046SQ20122045449
公開日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月7日
發(fā)明者魏志凌, 高小平, 張煒平 申請(qǐng)人:昆山允升吉光電科技有限公司