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反應(yīng)氣體供給裝置的制作方法

文檔序號:3273286閱讀:157來源:國知局
專利名稱:反應(yīng)氣體供給裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種與等離子體處理設(shè)備配合使用的反應(yīng)氣體供給是的裝置。
背景技術(shù)
在等離子體處理工藝中,將多種反應(yīng)氣體混合后通過氣體噴淋單元導(dǎo)入反應(yīng)腔室中,對半導(dǎo)體待加工件進行等離子體處理工藝。氣體噴淋單元包括多個氣體腔,每個氣體腔連通一個氣體導(dǎo)入通道,氣體導(dǎo)入通道與一個反應(yīng)氣體混合裝置連通,以導(dǎo)入混合后的反應(yīng)氣體。通常,相同時間內(nèi)各氣體導(dǎo)入通道中的反應(yīng)氣體流量不均勻且不易精確控制,從而反應(yīng)腔室各區(qū)域的反應(yīng)氣體密度也不均勻且處于一種未知的分布狀態(tài),而給等離子體處理工藝帶來不確定性。例如,當(dāng)反應(yīng)腔室中央部分的反應(yīng)氣體密度明顯高于邊緣部分的反應(yīng)氣體密度時,會造成待加工晶片組的中央部分晶片和邊緣部分晶片的厚度不一、反應(yīng)程度不同?!がF(xiàn)有技術(shù)中,采用了調(diào)節(jié)閥和截流管等裝置來控制各氣體導(dǎo)入通道中反應(yīng)氣體流量,但仍不能對反應(yīng)氣體流量實現(xiàn)精確控制,也不能對反應(yīng)腔室中不同區(qū)域的反應(yīng)氣體分布進行調(diào)控。因此,研發(fā)人員期望得到一種可精確控制各氣體導(dǎo)入通道中反應(yīng)氣體流量,從而調(diào)控反應(yīng)腔室中反應(yīng)氣體分布的反應(yīng)氣體供給裝置。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種可精確控制各氣體導(dǎo)入通道中反應(yīng)氣體流量的反應(yīng)氣體供給裝置。為實現(xiàn)上述目的,本實用新型的技術(shù)方案如下—種反應(yīng)氣體供給裝置,與等離子體處理設(shè)備配合使用,等離子體處理設(shè)備至少包括反應(yīng)腔室和氣體噴淋單元,反應(yīng)氣體自氣體噴淋單元導(dǎo)入反應(yīng)腔室,反應(yīng)氣體供給裝置控制通入反應(yīng)腔室的反應(yīng)氣體流量,該供給裝置包括至少一個氣體導(dǎo)入通道,與氣體噴淋單元連接,反應(yīng)氣體自氣體導(dǎo)入通道導(dǎo)入氣體噴淋單元;至少一個調(diào)節(jié)閥,與氣體導(dǎo)入通道配合使用,調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)氣體導(dǎo)入通道中反應(yīng)氣體的流量;其中,供給裝置還包括一脈寬調(diào)制單元,脈寬調(diào)制單元發(fā)出至少一種脈寬信號控制調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)導(dǎo)入氣體噴淋單元的反應(yīng)氣體的流量。優(yōu)選地,氣體噴淋單元至少包括第一氣體腔和第二氣體腔,氣體導(dǎo)入通道至少包括第一通道和第二通道,分別與第一氣體腔和第二氣體腔相連通,調(diào)節(jié)閥至少包括第一調(diào)節(jié)閥和第二調(diào)節(jié)閥,第一調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)通過第一通道導(dǎo)入第一氣體腔的反應(yīng)氣體流量,第二調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)通過第二通道導(dǎo)入第二氣體腔的反應(yīng)氣體流量。優(yōu)選地,相同時間內(nèi)第一通道中的反應(yīng)氣體流量大于第二通道中的反應(yīng)氣體流量。優(yōu)選地,脈寬信號包括第一脈寬信號和第二脈寬信號,脈寬調(diào)制單兀發(fā)出第一脈寬信號控制第一調(diào)節(jié)閥,脈寬調(diào)制單元發(fā)出第二脈寬信號控制第二調(diào)節(jié)閥,第一脈寬信號的占空比大于第二脈寬信號的占空比。優(yōu)選地,調(diào)節(jié)閥還包括第三調(diào)節(jié)閥,脈寬信號還包括第三脈寬信號,第三調(diào)節(jié)閥根據(jù)第三脈寬信號穩(wěn)定第一通道和第二通道中的反應(yīng)氣體的氣壓。本實用新型還公開了一種等離子體處理設(shè)備,至少包括反應(yīng)腔室、氣體噴淋單元和反應(yīng)氣體供給裝置,反應(yīng)氣體供給裝置通過氣體噴淋單元向反應(yīng)腔室供給反應(yīng)氣體以進行等離子體處理工藝。本實用新型提供的反應(yīng)氣體供給裝置設(shè)有一脈寬調(diào)制單元,其發(fā)出脈寬信號來控制調(diào)節(jié)閥的動作,實現(xiàn)了對各氣體導(dǎo)入通道中反應(yīng)氣體流量的精確控制,從而使反應(yīng)腔室中反應(yīng)氣體分布處于一種可控狀態(tài),實現(xiàn)了對等離子體處理工藝的過程控制。其實施開銷少,結(jié)構(gòu)簡單。

圖1示出本實用新型第一實施例的反應(yīng)氣體供給裝置結(jié)構(gòu)示意圖;圖2示出本實用新型第二實施例的反應(yīng)氣體供給裝置結(jié)構(gòu)示意圖;圖3示出本實用新型第三實施例的反應(yīng)氣體供給裝置結(jié)構(gòu)示意圖;圖4示出本實用新型第四實施例的反應(yīng)氣體供給裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖,對本實用新型的具體實施方式
作進一步的詳細(xì)說明。如圖1所示,本實用新型第一實施例提供了一種反應(yīng)氣體供給裝置,其與等離子體處理設(shè)備配合使用,等離子體處理設(shè)備包括反應(yīng)腔室和氣體噴淋單元,反應(yīng)氣體供給裝置將反應(yīng)氣體通過氣體噴淋頭導(dǎo)入反應(yīng)腔室中,再向反應(yīng)腔室施加射頻功率作用于反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體,對放置于反應(yīng)腔室中的待加工半導(dǎo)體工件進行等離子體處理工藝。其中,氣體噴淋單元包括2個氣體腔21、22,用于向反應(yīng)腔室的不同區(qū)域?qū)敕磻?yīng)氣體。該反應(yīng)氣體供給裝置包括2條氣體導(dǎo)入通道,分別為第一通道111、第二通道112,以及2個調(diào)節(jié)閥,分別為第一調(diào)節(jié)閥121、第二調(diào)節(jié)閥122,以及一脈寬調(diào)制單元13。第一調(diào)節(jié)閥121接入第一通道111,以調(diào)節(jié)第一通道111中反應(yīng)氣體的流量。第一通道111與氣體噴淋單元的第一氣體腔21連通,以使反應(yīng)氣體通過第一氣體腔21導(dǎo)入反
應(yīng)腔室中。第二調(diào)節(jié)閥122接入第二通道112,以調(diào)節(jié)第二通道112中反應(yīng)氣體的流量。第二通道112與氣體噴淋單元的第二氣體腔22連通,以使反應(yīng)氣體通過第二氣體腔22導(dǎo)入反
應(yīng)腔室中。第一、第二通道111、112另一端均與同一個反應(yīng)氣體混合裝置或混合腔室連通(附圖未示出),以導(dǎo)入混合后的反應(yīng)氣體。脈寬調(diào)制單元13發(fā)出2種脈寬信號,分別為第一脈寬信號和第二脈寬信號,分別用于控制第一調(diào)節(jié)閥121和第二調(diào)節(jié)閥122。具體地,當(dāng)?shù)谝幻}寬信號為高電平時,第一調(diào)節(jié)閥121完全打開,反應(yīng)氣體無阻礙地自第一通道111通入第一氣體腔21中;當(dāng)?shù)谝幻}寬信號為低電平時,第一調(diào)節(jié)閥121關(guān)閉,第一通道111被隔斷。當(dāng)?shù)谝幻}寬信號具有一定的頻率時,通過控制第一調(diào)節(jié)閥121,第一通道111的通或斷的狀態(tài)會很快地進行切換,即第一調(diào)節(jié)閥121以較高的頻率開或關(guān),第一調(diào)節(jié)閥121打開或關(guān)閉的頻率對應(yīng)于第一脈寬信號的頻率,從而根據(jù)第一脈寬信號的占空比以及頻率可調(diào)節(jié)第一通道111中的反應(yīng)氣體流量?;蛘?,調(diào)節(jié)閥并不處于完全打開或關(guān)閉的狀態(tài),而是為部分打開的狀態(tài),例如,當(dāng)?shù)谝幻}寬信號為高電平時,第一調(diào)節(jié)閥121控制反應(yīng)氣體以第一流速流經(jīng)第一通道111 ;當(dāng)?shù)谝幻}寬信號為低電平時,第一調(diào)節(jié)閥121控制反應(yīng)氣體以第二流速流經(jīng)第一通道111,其中,第一流速大于第二流速。第一調(diào)節(jié)閥121在上述兩種狀態(tài)間切換的頻率對應(yīng)于第一脈寬信號的頻率。類似地,第二脈寬信號以同樣的原理控制第二調(diào)節(jié)閥122,根據(jù)第二脈寬信號的占空比以及頻率調(diào)節(jié)第二通道112中的反應(yīng)氣體流量。進一步地,相同時間內(nèi)第一通道111中的反應(yīng)氣體流量大于第二通道112中的反應(yīng)氣體流量,以使反應(yīng)腔室中央?yún)^(qū)域的反應(yīng)氣體密度高于邊緣區(qū)域的反應(yīng)氣體密度,以滿足等離子體處理工藝對反應(yīng)氣體分布的要求。進一步地,第一脈寬信號的占空比大于第二脈寬信號的占空比。進一步地,脈寬調(diào)制單元13包括一脈寬調(diào)制控制器和一參數(shù)設(shè)置平臺,用戶通過該參數(shù)設(shè)置平臺可設(shè)置第一、第二脈寬信號的占空比以及頻率等參數(shù),脈寬調(diào)制控制器根據(jù)這些參數(shù)發(fā)出第一、第二脈寬信號。進一步地,脈寬調(diào)制控制器發(fā)出的第一、第二脈寬信號頻率均大于50HZ。圖2示出根據(jù)本實用新型第二實施例的反應(yīng)氣體供給裝置。和第一實施例的反應(yīng)氣體供給裝置相比,其還包括第三通道113和第三調(diào)節(jié)閥123,其中第三通道113 —端與第一通道111、第二通道112分別連通,另一端與一個反應(yīng)氣體混合裝置或混合腔室連通(附圖未示出),反應(yīng)氣體自第三通道113分別導(dǎo)入第一通道111、第二通道112中,再導(dǎo)向氣體噴淋單元。第三調(diào)節(jié)閥123接入第三通道113中,用于穩(wěn)定第一通道111、第二通道112中的反應(yīng)氣體的氣壓,另一方面,第三調(diào)節(jié)閥123可以同時調(diào)節(jié)第一通道111、第二通道112中的反應(yīng)氣體流量。具體地,脈寬調(diào)制單元13發(fā)出第三脈寬信號,根據(jù)其占空比以及頻率控制第三調(diào)節(jié)閥123的調(diào)節(jié)動作。當(dāng)?shù)谌}寬信號為高電平時,第三調(diào)節(jié)閥123完全打開,反應(yīng)氣體無阻礙地流過第三通道113,從而進入第一通道111、第二通道112,當(dāng)?shù)谌}寬信號為低電平時,第三調(diào)節(jié)閥123關(guān)閉,第三通道113被關(guān)閉。第三調(diào)節(jié)閥123打開或關(guān)閉的頻率對應(yīng)于第三脈寬信號的頻率。或者,第三調(diào)節(jié)閥123并不處于完全打開或關(guān)閉的狀態(tài),而是為部分打開的狀態(tài),例如,當(dāng)?shù)谌}寬信號為高電平時,第三調(diào)節(jié)閥123控制反應(yīng)氣體以較高流速流經(jīng)第三通道113 ;當(dāng)?shù)谌}寬信號為低電平時,第三調(diào)節(jié)閥123控制反應(yīng)氣體以較低流速流經(jīng)第三通道113。第三調(diào)節(jié)閥123在上述兩種狀態(tài)間 切換的頻率對應(yīng)于第三脈寬信號的頻率。脈寬調(diào)制單元13還發(fā)出第一脈寬信號和第二脈寬信號,分別用于控制第一調(diào)節(jié)閥121和第二調(diào)節(jié)閥122。當(dāng)?shù)谝幻}寬信號為高電平時,第一調(diào)節(jié)閥121完全打開,反應(yīng)氣體無阻礙地自第一通道111通入第一氣體腔21中;當(dāng)?shù)谝幻}寬信號為低電平時,第一調(diào)節(jié)閥121關(guān)閉,第一通道111被隔斷?;蛘?,調(diào)節(jié)閥并不處于完全打開或關(guān)閉的狀態(tài),而是為部分打開的狀態(tài),高、低電平分別對應(yīng)于反應(yīng)氣體不同的流速。即第一脈寬信號根據(jù)其占空比以及頻率來調(diào)節(jié)第一通道111中的反應(yīng)氣體流量,第二脈寬信號以同樣的原理控制第二調(diào)節(jié)閥122,根據(jù)第二脈寬信號的占空比以及頻率調(diào)節(jié)第二通道112中的反應(yīng)氣體流量。進一步地,相同時間內(nèi)第一通道111中的反應(yīng)氣體流量大于第二通道112中的反
應(yīng)氣體流量。·[0040]進一步地,第一脈寬信號的占空比大于第二脈寬信號的占空比。進一步地,脈寬調(diào)制單元13包括一脈寬調(diào)制控制器和一參數(shù)設(shè)置平臺,用戶通過該參數(shù)設(shè)置平臺可設(shè)置第一、第二、第三脈寬信號的占空比以及頻率等參數(shù),脈寬調(diào)制控制器根據(jù)這些參數(shù)發(fā)出第一、第二和第三脈寬信號。進一步地,第一、第二、第三脈寬信號頻率均大于50HZ。進一步地,第一、第二和第三調(diào)節(jié)閥121、122、123為氣動調(diào)節(jié)閥。圖3示出根據(jù)本實用新型第三實施例的反應(yīng)氣體供給裝置。和第二實施例的反應(yīng)氣體供給裝置相比,其還包括第一截流管141和第二截流管142。第一截流管141接入第一通道111中,并根據(jù)該第一截流管141兩端的反應(yīng)氣體壓力差,使第一通道111中的反應(yīng)氣體流量保持恒定。第二截流管142接入第二通道112中,并根據(jù)該第二截流管142兩端的反應(yīng)氣體壓力差,使第二通道112中的反應(yīng)氣體流量保持恒定。進一步地,相同時間內(nèi)第一通道111中的反應(yīng)氣體流量大于第二通道112中的反
應(yīng)氣體流量。進一步地,第一脈寬信號的占空比大于第二脈寬信號的占空比。進一步地,第一、第二、第三脈寬信號頻率均大于50HZ。圖4示出根據(jù)本實用新型第四實施例的反應(yīng)氣體供給裝置。和第三實施例的反應(yīng)氣體供給裝置相比,其還包括一反應(yīng)氣體混合腔室15,混合腔室15還設(shè)有多個反應(yīng)氣體導(dǎo)入口(附圖未示出),反應(yīng)氣體在該混合腔室15中進行充分地、均勻地混合,再依次通過氣體導(dǎo)入通道、氣體噴淋單元進入到反應(yīng)腔室中與半導(dǎo)體待加工件進行等離子體處理工藝。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解,本實用新型提供的反應(yīng)氣體供給裝置可以包括一個或多個氣體導(dǎo)入通道,以及一個或多個調(diào)節(jié)閥,只要調(diào)節(jié)閥能受到脈寬調(diào)制單元的控制,來相應(yīng)地調(diào)節(jié)氣體導(dǎo)入通道中的反應(yīng)氣體流量,均應(yīng)落入本實用新型的保護范圍。本實用新型第五實施例提供一種等離子體處理設(shè)備(附圖未示出),包括反應(yīng)腔室、氣體噴淋單元和反應(yīng)氣體供給裝置,反應(yīng)氣體供給裝置通過氣體噴淋單元向反應(yīng)腔室供給反應(yīng)氣體,再由射頻電源向反應(yīng)腔室施加射頻功率作用于反應(yīng)氣體后產(chǎn)生等離子體,對放置于反應(yīng)腔室中的待加工半導(dǎo)體工件進行等離子體處理工藝。其中,反應(yīng)氣體供給裝置可以采用如本實用新型第一、第二、第三或第四中的任一種結(jié)構(gòu),均可實施本實用新型,并達成類同的技術(shù)效果。以上所述的僅為本實用新型的優(yōu)選實施例,所述實施例并非用以限制本實用新型的專利保護范圍,因此凡是運用本實用新型的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化,同理均應(yīng)包含在本實用新型的 保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種反應(yīng)氣體供給裝置,與等離子體處理設(shè)備配合使用,所述等離子體處理設(shè)備至少包括反應(yīng)腔室和氣體噴淋單元,所述反應(yīng)氣體自所述氣體噴淋單元導(dǎo)入所述反應(yīng)腔室,所述反應(yīng)氣體供給裝置控制通入所述反應(yīng)腔室的反應(yīng)氣體流量,所述供給裝置包括 至少一個氣體導(dǎo)入通道,與所述氣體噴淋單元連接,所述反應(yīng)氣體自所述氣體導(dǎo)入通道導(dǎo)入所述氣體噴淋單元; 至少一個調(diào)節(jié)閥,與所述氣體導(dǎo)入通道配合使用,所述調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)所述氣體導(dǎo)入通道中所述反應(yīng)氣體的流量; 其特征在于,所述供給裝置還包括一脈寬調(diào)制單元,所述脈寬調(diào)制單元發(fā)出至少一種脈寬信號控制所述調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)導(dǎo)入所述氣體噴淋單元的反應(yīng)氣體的流量。
2.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)氣體供給裝置,其特征在于,所述氣體噴淋單元至少包括第一氣體腔和第二氣體腔,所述氣體導(dǎo)入通道至少包括第一通道和第二通道,分別與所述第一氣體腔和第二氣體腔相連通,所述調(diào)節(jié)閥至少包括第一調(diào)節(jié)閥和第二調(diào)節(jié)閥,所述第一調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)通過所述第一通道導(dǎo)入所述第一氣體腔的反應(yīng)氣體流量,所述第二調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)通過所述第二通道導(dǎo)入所述第二氣體腔的反應(yīng)氣體流量。
3.如權(quán)利要求2所述的反應(yīng)氣體供給裝置,其特征在于,相同時間內(nèi)所述第一通道中的反應(yīng)氣體流量大于所述第二通道中的反應(yīng)氣體流量。
4.如權(quán)利要求3所述的反應(yīng)氣體供給裝置,其特征在于,所述脈寬信號包括第一脈寬信號和第二脈寬信號,所述脈寬調(diào)制單元發(fā)出所述第一脈寬信號控制所述第一調(diào)節(jié)閥,所述脈寬調(diào)制單元發(fā)出所述第二脈寬信號控制所述第二調(diào)節(jié)閥,所述第一脈寬信號的占空比大于所述第二脈寬信號的占空比。
5.如權(quán)利要求4所述的反應(yīng)氣體供給裝置,其特征在于,所述調(diào)節(jié)閥還包括第三調(diào)節(jié)閥,所述脈寬信號還包括第三脈寬信號,所述第三調(diào)節(jié)閥根據(jù)所述第三脈寬信號穩(wěn)定所述第一通道和第二通道中的反應(yīng)氣體的氣壓。
6.如權(quán)利要求5所述的反應(yīng)氣體供給裝置,其特征在于,所述供給裝置還包括第一截流管和第二截流管,所述第一截流管接入所述第一通道,所述第一截流管根據(jù)其兩端的氣體壓力差恒定所述第一通道中的反應(yīng)氣體流量;所述第二截流管接入所述第二通道,所述第二截流管根據(jù)其兩端的氣體壓力差恒定所述第二通道中的反應(yīng)氣體流量。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的反應(yīng)氣體供給裝置,其特征在于,所述脈寬調(diào)制單元至少包括一脈寬調(diào)制控制器和一參數(shù)設(shè)置平臺,所述脈寬調(diào)制控制器接收通過所述參數(shù)設(shè)置平臺設(shè)置的所述脈寬信號的占空比及頻率參數(shù),并根據(jù)所述參數(shù)發(fā)出所述脈寬信號。
8.如權(quán)利要求7所述的反應(yīng)氣體供給裝置,其特征在于,所述供給裝置還包括一反應(yīng)氣體混合腔室,其將多種原料氣體混合成所述反應(yīng)氣體,所述反應(yīng)氣體混合腔室與所述氣體導(dǎo)入通道連通。
9.如權(quán)利要求7所述的反應(yīng)氣體供給裝置,其特征在于,所述脈寬調(diào)制控制器發(fā)出的脈寬信號的頻率大于50HZ。
10.一種等離子體處理設(shè)備,至少包括反應(yīng)腔室、氣體噴淋單元和權(quán)利要求1至6中任一項所述的反應(yīng)氣體供給裝置,所述反應(yīng)氣體供給裝置通過所述氣體噴淋單元向所述反應(yīng)腔室供給反應(yīng)氣體以進行等離子體處理工藝。
專利摘要本實用新型涉及一種反應(yīng)氣體供給裝置,與等離子體處理設(shè)備配合使用,反應(yīng)氣體供給裝置控制通入反應(yīng)腔室的反應(yīng)氣體流量,該供給裝置包括至少一個氣體導(dǎo)入通道,與氣體噴淋單元連接,反應(yīng)氣體自氣體導(dǎo)入通道導(dǎo)入氣體噴淋單元;至少一個調(diào)節(jié)閥,與氣體導(dǎo)入通道配合使用,調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)氣體導(dǎo)入通道中反應(yīng)氣體的流量;其中,供給裝置還包括一脈寬調(diào)制單元,脈寬調(diào)制單元發(fā)出至少一種脈寬信號控制調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)導(dǎo)入氣體噴淋單元的反應(yīng)氣體的流量。該裝置實現(xiàn)了對氣體導(dǎo)入通道中反應(yīng)氣體流量的精確控制,從而使反應(yīng)腔室中反應(yīng)氣體分布處于一種可控狀態(tài),實現(xiàn)了對等離子體處理工藝的過程控制。其實施開銷少,結(jié)構(gòu)簡單。
文檔編號C23C16/455GK202830168SQ201220445219
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月3日
發(fā)明者李菁, 魏強 申請人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司
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