專利名稱：一種光學(xué)干涉薄片的制備設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及到特種光學(xué)干涉顏料領(lǐng)域，尤其是一種光學(xué)干涉薄片及其制備設(shè)備。
背景技術(shù)：
光學(xué)干涉顏料自上世紀(jì)八十年代問世以來，在印刷行業(yè)被廣泛應(yīng)用于貨幣、簽證、各種有價(jià)證券、香煙、酒標(biāo)的防偽。在國內(nèi)如100元、50元人民幣上都用上了該光干涉顏料隨視角變色的一線防偽技術(shù)。然而，目前的光學(xué)干涉顏料存在著生產(chǎn)成本高、產(chǎn)出少的缺陷；而且，目前，制備該類產(chǎn)品的生產(chǎn)方法和設(shè)備還不能達(dá)到完全連續(xù)生產(chǎn)?！?br/>實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，有必要針對背景技術(shù)中提到的問題，提供一種可成本低、產(chǎn)出高、可持續(xù)不斷生產(chǎn)光干涉顏料的方法和制造設(shè)備。本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種光學(xué)干涉薄片制備設(shè)備，其特征在于包括—光學(xué)鍍膜機(jī)，其內(nèi)腔抽真空，其二相對的側(cè)面分別設(shè)有一真空封輥，所述真空內(nèi)腔內(nèi)設(shè)有用于噴射鍍膜所需粒子的粒子蒸發(fā)源；第一卷繞機(jī)構(gòu)及第二卷繞機(jī)構(gòu)，其分別設(shè)置于與所述二真空封輥相鄰的位置，使得安裝于第一或第二卷繞機(jī)構(gòu)上的柔性基底材料可順序通過一真空封輥、真空內(nèi)腔及另一真空封輥，從而卷繞于第二或第一所述卷繞機(jī)構(gòu)上；第一卷繞電機(jī)及第二卷繞電機(jī)，其分別與所述第一、第二卷繞機(jī)構(gòu)連接，正向和/或反向驅(qū)動其所對應(yīng)的卷繞機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)動。所述制備設(shè)備還包括一用于控制所述二卷繞電機(jī)的控制單元，其與所述而卷繞電機(jī)信號連接。所述二卷繞電機(jī)內(nèi)設(shè)減速器，卷繞電機(jī)的卷繞速度為1CM/S 100M/S范圍內(nèi)可調(diào)，優(yōu)選所述真空內(nèi)腔內(nèi)設(shè)有用于增加制成的光學(xué)干涉薄片的致密度的離子輔助設(shè)備。所述真空內(nèi)腔內(nèi)設(shè)有低溫捕集器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具備如下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型可連續(xù)生產(chǎn)光學(xué)干涉薄片，降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率。
圖I是本實(shí)用新型的設(shè)備結(jié)構(gòu)剖視圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)施例提供一種光學(xué)干涉薄片制備設(shè)備，如圖I所示，包括[0018]一光學(xué)鍍膜機(jī)，其內(nèi)腔10抽真空，其二相對的側(cè)面分別設(shè)有一真空封輥20，所述真空內(nèi)腔10內(nèi)設(shè)有用于噴射鍍膜所需粒子的粒子蒸發(fā)源11 ；第一卷繞機(jī)構(gòu)30及第二卷繞機(jī)構(gòu)30，其分別設(shè)置于與所述二真空封輥20相鄰的位置，使得安裝于第一或第二卷繞機(jī)構(gòu)30上的柔性基底材料可順序通過一真空封輥20、真空內(nèi)腔10及另一真空封輥20，從而卷繞于第二或第一所述卷繞機(jī)構(gòu)30上；第一卷繞電機(jī)40及第二卷繞電機(jī)40，其分別與所述第一、第二卷繞機(jī)構(gòu)30連接，正向和/或反向驅(qū)動其所對應(yīng)的卷繞機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)動。所述制備設(shè)備還包括一控制 單元(圖中未示出)，其與所述二卷繞電機(jī)40信號連接，用于分別通過控制該二卷繞電機(jī)40來控制所述二卷繞機(jī)構(gòu)30的開啟、關(guān)閉、轉(zhuǎn)動速度、轉(zhuǎn)動方向等。所述二卷繞電機(jī)內(nèi)設(shè)有減速器，卷繞電機(jī)的卷繞速度為1CM/S 100M/S，優(yōu)選ICM/S 100M/S。所述真空內(nèi)腔內(nèi)還設(shè)有用于增加制成的光學(xué)干涉薄片的致密度的離子輔助設(shè)備12。所述真空內(nèi)腔內(nèi)還可設(shè)置低溫捕集器(圖中未示出)。所述控制單元還可以與所述真空內(nèi)腔10內(nèi)的粒子蒸發(fā)源11、離子輔助設(shè)備12、低溫捕集器等信號連接，控制其工作。
權(quán)利要求1.一種光學(xué)干涉薄片制備設(shè)備，其特征在于包括 一光學(xué)鍍膜機(jī)，其內(nèi)腔抽真空，其二相對的側(cè)面分別設(shè)有一真空封輥，所述真空內(nèi)腔內(nèi)設(shè)有用于噴射鍍膜所需粒子的粒子蒸發(fā)源； 第一卷繞機(jī)構(gòu)及第二卷繞機(jī)構(gòu)，其分別設(shè)置于與所述二真空封輥相鄰的位置，使得安裝于第一或第二卷繞機(jī)構(gòu)上的柔性基底材料可順序通過一真空封輥、真空內(nèi)腔及另一真空封輥，從而卷繞于第二或第一所述卷繞機(jī)構(gòu)上； 第一卷繞電機(jī)及第二卷繞電機(jī)，其分別與所述第一、第二卷繞機(jī)構(gòu)連接，正向和/或反向驅(qū)動其所對應(yīng)的卷繞機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備設(shè)備，其特征在于，還包括一用于控制所述二卷繞電機(jī)的控制單元，其與所述而卷繞電機(jī)信號連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備設(shè)備，其特征在于，所述二卷繞電機(jī)內(nèi)設(shè)減速器，卷繞電機(jī)的卷繞速度為1CM/S 100M/S可調(diào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備設(shè)備，其特征在于，所述二卷繞電機(jī)的卷繞速度為IOCM/S 10M/S可調(diào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一所述的制備設(shè)備，其特征在于，所述真空內(nèi)腔內(nèi)設(shè)有用于增加制成的光學(xué)干涉薄片的致密度的離子輔助設(shè)備。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種光學(xué)干涉薄片制備方法及其設(shè)備，所述制備方法包括在第一卷繞機(jī)構(gòu)上安裝柔性基底材料載體，所述柔性基底材料表面預(yù)先涂印有一層可溶性材料；控制所述第一卷繞機(jī)構(gòu)正向轉(zhuǎn)動，使所述柔性基底材料由該第一卷繞機(jī)構(gòu)通過與其相鄰的真空封輥、真空腔、另一真空封輥向第二卷繞機(jī)構(gòu)傳送卷繞，柔性基底材料通過所述真空內(nèi)腔時(shí)，在其表面鍍制第一層薄膜；控制所述第二卷繞機(jī)構(gòu)反向轉(zhuǎn)動，使已鍍制第一層薄膜的柔性基底材料順序通過真空封輥、真空腔、真空封輥向所述第一卷繞機(jī)構(gòu)傳送卷繞，柔性基底材料通過所述真空內(nèi)腔時(shí)，在其表面鍍制第二層薄膜；依次鍍制多層薄膜。本實(shí)用新型可連續(xù)生產(chǎn)光學(xué)干涉薄片，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。
文檔編號C23C14/24GK202766613SQ20122039519
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月10日
發(fā)明者張彬賢 申請人:珠海樂通新材料科技有限公司