專利名稱：多工藝腔雙面鍍膜pecvd裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種對(duì)太陽(yáng)能電池片表面進(jìn)行鍍膜處理的多工藝腔雙面鍍膜PECVD裝置。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池片在印刷電極前，表面需進(jìn)行鍍膜工藝處理，通常都是鍍氮化硅薄膜，以實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)光的減反射以及對(duì)電池片的鈍化。現(xiàn)有的真空鍍膜設(shè)備一般都只能進(jìn)行單面的單層或雙層鍍膜制備，但對(duì)于雙面的多層薄膜而言，在制備過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)工序復(fù)雜，污染嚴(yán)重，設(shè)備交替更換頻繁等一系列的問(wèn)題，給深入工藝研究，設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)到·來(lái)較大的不便。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)中之不足，提供一種與現(xiàn)有工藝兼容性好、靈活組合、操作方便的多工藝腔雙面鍍膜PECVD裝置。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種多工藝腔雙面鍍膜PECVD裝置，用于對(duì)太陽(yáng)能電池片表面進(jìn)行鍍膜處理，具有鍍膜腔，所述鍍膜腔至少包括連續(xù)排列的第一工藝腔、第二工藝腔以及尾端工藝腔，第一工藝腔前端設(shè)有上料腔，尾端工藝腔后端設(shè)有下料腔，第一工藝腔和尾端工藝腔內(nèi)分別設(shè)有鍍膜方向相反的等離子發(fā)生器，第二工藝腔內(nèi)近第一工藝腔一側(cè)設(shè)有與第一工藝腔鍍膜方向相同的等離子發(fā)生器，第二工藝腔內(nèi)近尾端工藝腔一側(cè)設(shè)有與尾端工藝腔鍍膜方向相同的等離子發(fā)生器。進(jìn)一步地，該裝置還包括可調(diào)節(jié)所述鍍膜腔之間氣壓的氣壓平衡裝置，所述氣壓平衡裝置具有氣體加熱裝置。所述的上料腔內(nèi)設(shè)有紅外線加熱裝置，所述的第一工藝腔內(nèi)位于等離子發(fā)生器前端具有對(duì)電池片表面進(jìn)行加熱的加熱區(qū)，尾端工藝腔內(nèi)位于等離子發(fā)生器后端具有冷卻區(qū)。所述的等離子發(fā)生器相對(duì)面的位置設(shè)有工藝腔加熱器。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型采用多工藝腔模塊化組合的方式，實(shí)現(xiàn)了多層雙面鍍膜工藝，可對(duì)太陽(yáng)能電池片進(jìn)行上下面多層薄膜的一次性連續(xù)沉積，避免了不同工藝之間的交叉污染，有利于鍍膜技術(shù)的量產(chǎn)化作業(yè)，各工藝腔采用模塊化組合，可根據(jù)制作工藝需要靈活增加或減少。
以下結(jié)合附圖
和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。圖I是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中I.第一工藝腔 2.第二工藝腔 3.尾端工藝腔 4.上料腔 5.下料腔
6.等離子發(fā)生器 7.氣壓平衡裝置 8.氣體加熱裝置9.紅外線加熱裝置10.加熱區(qū)11.冷卻區(qū)12.工藝腔加熱器具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。如圖I所示的一種多工藝腔雙面鍍膜PECVD裝置，具有上料腔4、下料腔5和位于上料腔4與下料腔5之間的鍍膜腔，所述鍍膜腔至少包括連續(xù)排列的第一工藝腔I、第二工藝腔2以及尾端工藝腔3，上料腔4連接于第一工藝腔I的前端，下料腔5連接于尾端工藝腔3的后端，上料腔4內(nèi)設(shè)有紅外線加熱裝置9，可對(duì)電池片進(jìn)行預(yù)加熱，下料腔5在下料的同時(shí)，還起到隔離系統(tǒng)與外界環(huán)境的作用，并可對(duì)已鍍膜好的電池片表面溫度進(jìn)一步冷卻。本裝置還包括可調(diào)節(jié)所述鍍膜腔之間氣壓的氣壓平衡裝置7，所述氣壓平衡裝置7具有氣體加熱裝置8，可對(duì)進(jìn)入鍍膜腔的氣壓平衡氣體進(jìn)行快速加熱，減少鍍膜腔內(nèi)的溫度波動(dòng)。 第一工藝腔I，具有兩個(gè)區(qū)域，近上料腔4 一側(cè)為加熱區(qū)10，采用電熱絲加熱方式，該加熱區(qū)10對(duì)預(yù)熱過(guò)的電池片進(jìn)一步加熱，使電池片表面溫度達(dá)到工藝要求的溫度范圍，加熱區(qū)10后為等離子發(fā)生區(qū)，設(shè)有對(duì)電池片上表面進(jìn)行鍍膜的等離子發(fā)生器6，沉積薄膜在電池片的上表面(對(duì)應(yīng)為上鍍膜方式)。第二工藝腔2內(nèi)只有等離子發(fā)生區(qū)，近第一工藝腔I 一側(cè)設(shè)有與第一工藝腔I鍍膜方向相同、對(duì)電池片上表面進(jìn)行鍍膜的等離子發(fā)生器6，第二工藝腔2內(nèi)近尾端工藝腔3一側(cè)設(shè)有對(duì)電池片下表面進(jìn)行鍍膜的等離子發(fā)生器6，沉積薄膜在電池片的上表面(對(duì)應(yīng)為下鍍膜方式)。尾端工藝腔3，具有兩個(gè)區(qū)域，近第二工藝腔2—側(cè)為等離子發(fā)生區(qū)，設(shè)有對(duì)電池片下表面進(jìn)行鍍膜的等離子發(fā)生器6，位于等離子發(fā)生器6后端近下料腔5 —側(cè)為冷卻區(qū)11，對(duì)鍍膜完成的電池片進(jìn)行冷卻。上述等離子發(fā)生器6的等離子產(chǎn)生方式為微波激發(fā)方法，在各個(gè)等離子發(fā)生器6相對(duì)面的位置均設(shè)有工藝腔加熱器12，以對(duì)所述各工藝腔進(jìn)行加熱保溫。本實(shí)用新型可根據(jù)需求增減工藝腔數(shù)量，各工藝腔室采用模塊化組合，有獨(dú)立的真空泵系統(tǒng)和氣體管路系統(tǒng)，增加或減少工藝腔對(duì)系統(tǒng)整體沒有影響，其中第一工藝腔I和最后一個(gè)尾端工藝腔3在整個(gè)系統(tǒng)中為固定配置。在第二工藝腔2與尾端工藝腔3之間，可根據(jù)工藝要求，依次設(shè)置第三、第四工藝腔乃至更多的工藝腔，排列時(shí)，鍍膜方式相同的腔室布置在一起。排列在前的工藝腔采用上鍍膜方式或下鍍膜方式鍍膜，后段的工藝腔采用與前段工藝腔相反的鍍膜方式鍍膜；各工藝腔之間采用氣動(dòng)蝶閥門進(jìn)行隔離封閉，并在腔室傳輸門周圍設(shè)置有密封墊，增加隔離密閉效果。電池片放置在石墨框中，并采用細(xì)掛鉤進(jìn)行固定。上鍍膜方式中，氣體出氣管路布置在工藝腔的腔蓋上面，石英管位置高于傳輸輥高度；下鍍膜方式中，氣體出氣管，石英管布置在傳輸輥下方。設(shè)備整體高度會(huì)高于單面鍍膜設(shè)備0. 3m左右。本裝置中的工藝溫度可達(dá)到450°C，真空度可達(dá)到e_3mbar，設(shè)備高度達(dá)到I. 8m左右。[0022]本實(shí)用新型采用多工藝腔模塊化組合的方式，實(shí)現(xiàn)了多層雙面鍍膜工藝，可對(duì)太陽(yáng)能電池片進(jìn)行上下面多層薄膜的一次性連續(xù)沉積，避免了不同工藝之間的交叉污染，有利于鍍膜技術(shù)的量產(chǎn)化作業(yè)，各工藝腔采用模塊化組合，可根據(jù)制作工藝需要靈活增加或減少。上述實(shí)施方式只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并加以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾， 都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種多工藝腔雙面鍍膜PECVD裝置，用于對(duì)太陽(yáng)能電池片表面進(jìn)行鍍膜處理，具有鍍膜腔，所述鍍膜腔至少包括連續(xù)排列的第一工藝腔(I)、第二工藝腔(2)以及尾端工藝腔(3)，第一工藝腔(I)前端設(shè)有上料腔(4)，尾端工藝腔(3)后端設(shè)有下料腔(5)，其特征是第一工藝腔(I)和尾端工藝腔(3)內(nèi)分別設(shè)有鍍膜方向相反的等離子發(fā)生器￠)，第二工藝腔(2)內(nèi)近第一工藝腔(I) 一側(cè)設(shè)有與第一工藝腔(I)鍍膜方向相同的等離子發(fā)生器(6)，第二工藝腔(2)內(nèi)近尾端工藝腔(3) —側(cè)設(shè)有與尾端工藝腔(3)鍍膜方向相同的等離子發(fā)生器(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多工藝腔雙面鍍膜PECVD裝置，其特征是還包括可調(diào)節(jié)所述鍍膜腔之間氣壓的氣壓平衡裝置(7)，所述氣壓平衡裝置(7)具有氣體加熱裝置(8)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多工藝腔雙面鍍膜PECVD裝置，其特征是所述的上料腔(4)內(nèi)設(shè)有紅外線加熱裝置(9)，所述的第一工藝腔(I)內(nèi)位于等離子發(fā)生器(6)前端具有對(duì)電池片表面進(jìn)行加熱的加熱區(qū)(10)，尾端工藝腔(3)內(nèi)位于等離子發(fā)生器(6)后端具有冷卻區(qū)(11)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多工藝腔雙面鍍膜PECVD裝置，其特征是所述的等離子發(fā)生器(6)相對(duì)面的位置設(shè)有工藝腔加熱器(12)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種多工藝腔雙面鍍膜PECVD裝置，用于對(duì)太陽(yáng)能電池片表面進(jìn)行鍍膜處理，具有鍍膜腔，所述鍍膜腔至少包括連續(xù)排列的第一工藝腔、第二工藝腔以及尾端工藝腔，第一工藝腔和尾端工藝腔內(nèi)分別設(shè)有鍍膜方向相反的等離子發(fā)生器，第二工藝腔內(nèi)近第一工藝腔一側(cè)設(shè)有與第一工藝腔鍍膜方向相同的等離子發(fā)生器，第二工藝腔內(nèi)近尾端工藝腔一側(cè)設(shè)有與尾端工藝腔鍍膜方向相同的等離子發(fā)生器。本實(shí)用新型采用工藝腔模塊化組合的方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)能電池片多層雙面一次性連續(xù)沉積鍍膜，避免了不同工藝之間的交叉污染，有利于鍍膜技術(shù)的量產(chǎn)化作業(yè)，可根據(jù)制作工藝需要靈活增加或減少工藝腔的數(shù)量。
文檔編號(hào)C23C16/52GK202492573SQ20122006226
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月24日
發(fā)明者祁宏山, 肖新民 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司