專利名稱：一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，應(yīng)用于表面鍍膜，屬于薄膜材料與現(xiàn)代表面工程的等離子體氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
眾所周知，電弧離子鍍技術(shù)是利用冷場致弧光放電過程，使被鍍靶材蒸發(fā)、離子化，反應(yīng)沉積，形成金屬氮化物或氮碳化物等化合物涂層。電弧離子鍍技術(shù)，由于具有設(shè)備結(jié)構(gòu)較簡單，離化率高，沉積速率高，入射離子能量大，膜基結(jié)合力較高等優(yōu)點(diǎn)，作為硬質(zhì)膜涂層手段，在刀具和各種工模具上已獲得愈來愈廣泛的應(yīng)用。然而，現(xiàn)有技術(shù)的電弧離子鍍涂層中存在大顆粒污染，使涂層表面粗糙，孔隙率增加，涂層性能不穩(wěn)定，這在一定程度上制約了電弧離子鍍硬質(zhì)涂層在精密工模具和高檔零件上的應(yīng)用。為了減少涂層表面顆粒， 使涂層致密，光潔度提高，人們設(shè)計(jì)了不少對等離子體系統(tǒng)的改進(jìn)方法。其中一種常用的較有效的方法是，在陰極靶后面設(shè)置永磁體，使在靶面產(chǎn)生彎曲磁場，利用此磁場分量，以增加弧斑在靶面的移動速度。但是，這種技術(shù)的彎曲磁場也將帶電粒子約束在陰極靶表面附近，使之不能充分發(fā)射到涂層工件區(qū)域參與離化。濺射鍍膜屬于輝光放電范疇，利用陰極濺射原理進(jìn)行鍍膜。真空腔中的氬離子將靶材原子濺射下來，沉積到工件上形成所需膜層。在濺射鍍發(fā)展過程中，人們引入了磁控技術(shù)。在陰極靶表面建立跑道磁場，利用其控制二次電子運(yùn)動，延長其在靶面附近的行程，增加與氣體的碰撞幾率，從而提高等離子體的密度，這樣可以大大提高靶材的濺射速率，提高沉積速率。但是此封閉的環(huán)狀跑道磁場也同樣會將大量的帶電粒子約束在陰極靶表面附近，使中性原子無法與工藝氣體(例如氮?dú)夂秃細(xì)怏w)產(chǎn)生反應(yīng)，以獲得基于氮化物、碳化物或者碳氮化物的涂層，導(dǎo)致陰極材料的大量中性原子落到正在形成的涂層表面上，

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題，即本發(fā)明的目的，是為了克服現(xiàn)有技術(shù)電弧離子鍍涂層中存在大顆粒污染、使涂層表面粗糙、孔隙率增加、涂層性能不穩(wěn)定的缺陷，提供一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)。本發(fā)明的目的可以通過采取如下技術(shù)方案達(dá)到一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，包括真空室和真空獲得裝置，結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是在真空室的中央設(shè)有旋轉(zhuǎn)工件臺，在真空室的內(nèi)腔壁設(shè)有二個相鄰的陰極電弧靶，陰極電弧靶之一帶阻擋屏，在此陰極電弧靶的正對面設(shè)有輔助陽極裝置，陰極電弧靶之二位于陰極電弧靶之一的相鄰處；由旋轉(zhuǎn)工件臺、二個陰極電弧靶、一個輔助陽極裝置和真空室構(gòu)成旋轉(zhuǎn)式電弧離子鍍等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)。本發(fā)明的目的還可以通過采取如下技術(shù)方案達(dá)到本發(fā)明的一種實(shí)施方式是在陰極電弧靶之一的斜對面設(shè)有磁控濺射靶，由旋轉(zhuǎn)工件臺、二個陰極電弧靶、磁控濺射靶、輔助陽極裝置和真空室構(gòu)成旋轉(zhuǎn)式電弧離子鍍、磁控濺射鍍多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)。進(jìn)一步地，真空室呈筒狀，其截面可以呈六邊狀、八邊狀、十邊狀或十二邊狀，其中有相鄰的二邊各設(shè)有一個凹位，陰極電弧革巴之一內(nèi)置在凹位之一，陰極電弧革巴之二內(nèi)置在凹位之二，輔助陽極裝置設(shè)置在陰極電弧靶之一的正對面，磁控濺射靶設(shè)置在與輔助陽極裝置相鄰的下邊處；阻擋屏位于陰極電弧靶之一凹位的開口處并在該開口處留有間隙。進(jìn)一步地，真空室呈圓筒狀，真空室的截面呈圓形狀，在X軸上的內(nèi)壁處設(shè)有凹位之一，陰極電弧祀之一內(nèi)置在該凹位之一中；在凹位之一的下方設(shè)有凹位之二，陰極電弧革巴之二內(nèi)置在凹位之二中，輔助陽極裝置設(shè)置在陰極電弧靶之一的正對面，磁控濺射靶設(shè)置在與輔助陽極裝置的下邊處；阻擋屏位于電弧靶一凹位的開口處并在該開口處留有間隙。本發(fā)明的一種實(shí)施方式是真空室呈筒狀，真空室的截面可以呈六邊狀、八邊狀、
十邊狀或十二邊狀，其中有相鄰的二邊各設(shè)有一個凹位，陰極電弧靶之一內(nèi)置在凹位之一，陰極電弧源之二內(nèi)置在凹位之二，輔助陽極裝置設(shè)置在陰極電弧靶之一的正對面；阻擋屏位于凹位之一的開口處并在該開口處留有間隙。進(jìn)一步地，真空室I呈圓筒狀，真空室的截面呈圓形狀，在X軸上的內(nèi)壁處設(shè)有凹位之一，陰極電弧祀之一內(nèi)置在該凹位之一中；在凹位之一的下方設(shè)有凹位之二，陰極電弧靶之二內(nèi)置在凹位之二中，輔助陽極裝置設(shè)置在陰極電弧靶之一的正對面；阻擋屏位于凹位之一的開口處并在該開口處留有間隙。進(jìn)一步地，在真空室內(nèi)可以設(shè)置電加熱板，旋轉(zhuǎn)工作臺裝備有行星機(jī)構(gòu)和其它一些必要的輔助設(shè)施。進(jìn)一步地，真空獲得裝置由真空泵機(jī)組構(gòu)成，其連接通道設(shè)置在真空室的一個側(cè)面。本發(fā)明具有如下突出的有益效果；I、由于本發(fā)明在涂層系統(tǒng)中設(shè)置了陰極電弧源，并有輔助陽極裝置，使離子鍍或磁控濺射鍍在氣體放電與電弧放電中進(jìn)行。由于此特殊電弧源的存在，使系統(tǒng)的中性原子減少，離化率提高，對鍍膜工件的刻蝕清洗與沉積過程得到強(qiáng)化，從而提高涂層的性能，具有涂層表面精密、孔隙率低、涂層性能穩(wěn)定的有益效果。2、本發(fā)明由于采用帶阻擋屏的陰極電弧靶，在真空室內(nèi)產(chǎn)生氣體等離子體，完全替代了造價昂貴、功率小、操作控制困難的氣體離子源輔助設(shè)備，因此，具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉的有益效果。由于原子(離子)阻擋屏隔住了質(zhì)量較大金屬原子、離子以及弧斑微熔池噴射出來的液滴，而質(zhì)量很小的電子則可繞過阻擋屏，在屏后形成電子云作為虛擬陰極，因此，可增加了腔體內(nèi)的等離子體密度。


圖I是本發(fā)明具體實(shí)施例I的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式具體實(shí)施例I :參照圖I，本實(shí)施例包括真空室I和真空獲得裝置，在真空室I的中央設(shè)有旋轉(zhuǎn)工件臺12，在真空室I的內(nèi)腔壁設(shè)有二個相鄰的陰極電弧靶(2，4)，陰極電弧靶2帶阻擋屏3，在陰極電弧靶2的正對面設(shè)有輔助陽極裝置11，陰極電弧靶4位于陰極電弧靶2的相鄰處；在陰極電弧靶2的斜對面設(shè)有磁控濺射靶10 ;由旋轉(zhuǎn)工件臺12、陰極電弧靶2、陰極電弧靶
4、磁控濺射靶10、輔助陽極裝置11和真空室I構(gòu)成旋轉(zhuǎn)式電弧離子鍍、磁控濺射鍍多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)。本實(shí)施例中，真空室I呈筒狀，真空室I的截面呈八邊狀，其中有相鄰的二邊各設(shè)有一個凹位，陰極電弧靶2內(nèi)置在凹位之一，陰極電弧靶4內(nèi)置在凹位之二，輔助陽極裝置11設(shè)置在陰極電弧靶2的正對面，磁控濺射靶10設(shè)置在與輔助陽極裝置11相鄰的下邊處；阻擋屏3位于凹位之一的開口處并在該開口處留有間隙。在真空室I內(nèi)可以設(shè)置電加熱板，帶有行星機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)工作臺12和其它一些必要的輔助設(shè)施。真空獲得裝置的接口設(shè)置在真空室的一個側(cè)面。本實(shí)施例的工作原理如下參照圖1，在真空室I內(nèi)有金屬離子源，例如常見的陰極電弧靶4和磁控濺射靶 10，在真空室I內(nèi)裝備了一個配置有原子(離子)阻擋屏3的陰極電弧靶2和與它相搭配的輔助陽極裝置11，同時配備相應(yīng)的弧電源5、6、9和磁控濺射電源8，旋轉(zhuǎn)工作臺12與偏壓電源7相連接，工件或試樣安裝在旋轉(zhuǎn)工作臺12上面，真空腔內(nèi)還可以設(shè)置電加熱板、旋轉(zhuǎn)工作臺的行星機(jī)構(gòu)和其它一些必要的輔助設(shè)施。由帶原子(離子)阻擋屏3的陰極電弧靶2，在真空腔體內(nèi)產(chǎn)生氣體等離子體，完全替代了造價昂貴、功率小，操作控制困難的氣體離子源輔助設(shè)備。工作過程中，該陰極靶起弧后，由于原子(離子)阻擋屏3隔住了質(zhì)量較大金屬原子、離子以及弧斑微熔池噴射出來的液滴，而質(zhì)量很小的電子則可繞過阻擋屏，在屏后形成電子云作為虛擬陰極。這時如果在其對面的輔助陽極上加上正電壓，則電子在電場力的作用下發(fā)生遷徙，從而電離了兩極之間的氣體分子，極大地增加了腔體內(nèi)的等離子體密度。此時若在工件上加負(fù)偏壓，則有利于促進(jìn)涂層沉積過程。同時，上述機(jī)構(gòu)的應(yīng)用也有助于減少涂層表面上的陰極材料中的中性金屬原子，使涂層質(zhì)量得以提高。實(shí)驗(yàn)表明，通過調(diào)節(jié)弧電源9，可以改變輔助陽極11的電流，即可改變落在涂覆工件上的金屬及氣體中性原子與離子的比例，從而改變涂層的硬度。例如，當(dāng)輔助陽極電流為零時，TiN涂層的硬度在20-25GPa，而輔助陽極電流調(diào)至最大時，硬度可達(dá)到35_40GPa ;相應(yīng)的，對TiAlN涂層，其顯微硬度從25-30GPa到40_50GPa之間變化。在整個沉積周期內(nèi)，通過調(diào)整輔助陽極電流，可以獲得沉積涂層厚度所需要的顯微硬度分布，并且改變其它性能，例如涂層的耐磨性。本實(shí)施例構(gòu)成的多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，是在傳統(tǒng)物理氣相沉積(PVD)技術(shù)的基礎(chǔ)上，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，而開發(fā)出的一種增強(qiáng)涂層系統(tǒng)。它可以結(jié)合電弧離子鍍、濺射鍍膜和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等技術(shù)，使所制備的硬質(zhì)涂層得到增強(qiáng)，膜層更加致密，硬度和韌性更高，結(jié)合力更好。應(yīng)用實(shí)例一，電弧離子鍍氮化鈦涂層參照圖1，在真空室I中安裝被加工工件。真空室I在抽真空后的氣壓不應(yīng)低于
O.005Pa。在涂鍍時，向真空室I中通入惰性氣體氬氣，達(dá)到O. 05-0. 5Pa的氣壓。之后啟動陰極電弧靶(鈦靶)2，通過弧電源5調(diào)整其工作電流。根據(jù)裝載工件的重量不同，工作電流可以在30A-300A范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，工具的重量越大，電流越大。陰極電弧靶2借助弧電源5和弧電源9，平穩(wěn)增加通過輔助陽極11的電流，工件通過偏壓電源7增加偏壓(從O到最大值)，直到工件上的溫度達(dá)到所要求的溫度(150-600° C)。為了均勻加熱工件，工件放置在旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)12上，并繞真空室中心轉(zhuǎn)動，必要時采用行星機(jī)構(gòu)。在沉積開始時，弧電源5和弧電源9電流可以減少到最低，偏壓調(diào)整到150-300V。然后，啟動陰極電弧靶(鈦靶)4，并平穩(wěn)改變氣體混合物中的氮含量到需要的濃度。當(dāng)真空室中的壓力穩(wěn)定后，可以調(diào)整弧電源5和弧電源9，通過陰極電弧靶2和輔助陽極11，改變氣體混合物的離子化程度。相應(yīng)地，可改變落在工件上的金屬及氣體的中性原子與離子之間的比例?；诘乀iN的涂層的顯微硬度在輔助陽極11電流為零時在20-25GPa之間，而當(dāng)輔助陽極11電流為最大時涂層的顯微硬度在35-40GPa之間。若是鍍TiAIN，基于TiAlN涂層的顯微硬度，可從25_30GPa到40_50GPa之間變化。這樣，在整個沉積周期內(nèi)通過調(diào)整輔助陽極電流可以獲得沿涂層厚度需要的顯微硬度分布，并且改變其他性能，例如，涂層的耐磨性。應(yīng)用實(shí)例二，磁控濺射鍍氮化鈦涂層參照圖1，在真空室I中安裝被加工工件。真空室在抽真空后的氣壓不應(yīng)低于
O.005Pa。在涂鍍時，向真空室I中通入惰性氣體氬氣，達(dá)到O. 05-0. 5Pa的氣壓。之后啟動陰極電弧靶(鈦靶)2，通過弧電源5調(diào)整其工作電流。根據(jù)裝載工件的重量不同，工作電流可以在30A-300A范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，工具的重量越大，電流越大。陰極電弧靶2借助弧電源5和弧電源9，平穩(wěn)增加通過輔助陽極11的電流，工件通過偏壓電源7增加偏壓(從O到最大值)，直到工件上的溫度達(dá)到所要求的溫度(150-600° C)。為了均勻加熱工件，工件放置在旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)[12]上，并繞真空室中心轉(zhuǎn)動，必要時采用行星機(jī)構(gòu)。在沉積開始時，弧電源5和弧電源9電流可以減少到最低，偏壓調(diào)整到150-300V。然后，啟動磁控濺射電源8，使磁控濺射靶10表面產(chǎn)生輝光放電，平穩(wěn)改變氣體混合物中的氮含量到需要的濃度。當(dāng)真空室中的壓力穩(wěn)定后，可以調(diào)整弧電源5和弧電源9，通過陰極電弧靶2和輔助陽極11，改變氣體混合物的離子化程度。相應(yīng)地，可改變落在工件上的金屬及氣體的中性原子與離子之間的比例?；诘乀iN的涂層的顯微硬度在輔助陽極11電流為零時在25-30GPa之間，而當(dāng)輔助陽極11電流為最大時涂層的顯微硬度在40_45GPa之間。若是鍍TiAIN，基于TiAlN涂層的顯微硬度，可從3540GPa到45_55GPa之間變化。這樣，在整個沉積周期內(nèi)通過調(diào)整輔助陽極電流可以獲得沿涂層厚度需要的顯微硬度分布，并且改變其他性能，例如，涂層的耐磨性。具體實(shí)施例2 本實(shí)施例的特點(diǎn)是真空室I呈筒狀，真空室I的截面可以呈六邊狀、八邊狀、十邊狀或十二邊狀，其中有相鄰的二邊各設(shè)有一個凹位，陰極電弧靶2內(nèi)置在凹位之一，輔助陽極裝置11設(shè)置在陰極電弧靶2的正對面，磁控濺射靶10設(shè)置在與輔助陽極裝置11相鄰的下邊處；阻擋屏3位于凹位之一的開口處并在該開口處留有間隙。其余結(jié)構(gòu)組成、工作原理和應(yīng)用實(shí)例同具體實(shí)施例I所述。具體實(shí)施例3 本實(shí)施例的特點(diǎn)是在具體實(shí)施例I的基礎(chǔ)上刪除磁控濺射靶10，即由旋轉(zhuǎn)工件臺12、陰極電弧靶2、陰極電弧靶4、輔助陽極裝置11和真空室I構(gòu)成旋轉(zhuǎn)式電弧離子鍍等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)。本實(shí)施例中，真空室I呈筒狀，該真空室I的截面呈六邊狀、八邊狀、十邊狀或十二邊狀，其中有相鄰的二邊各設(shè)有一個凹位，陰極電弧靶2內(nèi)置在凹位之一，陰極電弧源4內(nèi)置在凹位之二，輔助陽極裝置11設(shè)置在陰極電弧靶2的正對面；阻擋屏3位于凹位之一的開口處并在該開口處留有間隙。其余結(jié)構(gòu)組成、工作原理和應(yīng)用實(shí)例同具體實(shí)施例I所述。具體實(shí)施例4 本實(shí)施例的特點(diǎn)是真空室I呈圓筒狀，真空室I的截面呈圓形狀，在X軸上的內(nèi)壁處設(shè)有凹位之一，陰極電弧祀2內(nèi)置在該凹位之一中；在凹位之一的下方設(shè)有凹位之二，陰極電弧靶4內(nèi)置在凹位之二中，輔助陽極裝置11設(shè)置在陰極電弧靶2的正對面；阻擋屏3位于凹位之一的開口處并在該開口處留有間隙。其余同具體實(shí)施例3。通過上述具體實(shí)施例可知，在涂層設(shè)備中，可以只有離子鍍涂層功能，也可以只帶磁控濺射鍍膜功能，或者兩種功能兼而有之。同理，也可以應(yīng)用在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)中。本發(fā)明是為了克服電弧離子鍍與磁控濺射鍍中，陰極靶表面上帶電粒子被過多·約束，使之不能充分發(fā)射到涂層工件區(qū)域參與離化，影響涂鍍過程和涂層質(zhì)量。
權(quán)利要求
1.一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，包括真空室(I)和真空獲得裝置，其特征在于在真空室(I)的中央設(shè)有旋轉(zhuǎn)工件臺(12)，在真空室(I)的內(nèi)腔壁設(shè)有二個相鄰的陰極電弧靶(2，4)，陰極電弧靶之一帶阻擋屏(3)，在此陰極電弧靶(2)的正對面設(shè)有輔助陽極裝置(11)，陰極電弧靶之二位于陰極電弧靶之一的相鄰處，由旋轉(zhuǎn)工件臺(12)、二個陰極電弧靶和真空室(I )、輔助陽極裝置(11)和真空室(I)構(gòu)成旋轉(zhuǎn)式電弧離子鍍等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，其特征在于在陰極電弧靶之一的斜對面設(shè)有磁控濺射靶(10)，由旋轉(zhuǎn)工件臺(12)、二個陰極電弧靶、磁控濺射靶(10)、輔助陽極裝置11和真空室(I)構(gòu)成旋轉(zhuǎn)式電弧離子鍍、磁控濺射鍍多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，其特征在于真空室(I)呈筒狀，其截面呈六邊狀、八邊狀、十邊狀或十二邊狀，其中有相鄰的二邊各設(shè)有一個凹位，陰極電弧靶之一內(nèi)置在凹位之一，陰極電弧靶之二內(nèi)置在凹位之二，輔助陽極裝置(11)設(shè)置在陰極電弧靶之一的正對面，磁控濺射靶(10)設(shè)置在與輔助陽極裝置(11)相鄰的下邊處；阻擋屏(3)位于陰極電弧靶之一凹位的開口處并在該開口處留有間隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，其特征在于真空室(I)呈圓筒狀，真空室(I)的截面呈圓形狀，在X軸上的內(nèi)壁處設(shè)有凹位之一，陰極電弧靶之一內(nèi)置在該凹位之一中；在凹位之一的下方設(shè)有凹位之二，陰極電弧靶之二內(nèi)置在凹位之二中，輔助陽極裝置(11)設(shè)置在陰極電弧靶之一的正對面，磁控濺射靶(10)設(shè)置在與輔助陽極裝置(11)的下邊處；阻擋屏(3)位于電弧靶一凹位的開口處并在該開口處留有間隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，其特征在于真空室(I)呈筒狀，真空室(I)的截面呈六邊狀、八邊狀、十邊狀或十二邊狀，其中有相鄰的二邊各設(shè)有一個凹位，陰極電弧靶之一內(nèi)置在凹位之一，陰極電弧源之二內(nèi)置在凹位之二，輔助陽極裝置(11)設(shè)置在陰極電弧靶之一的正對面；阻擋屏(3)位于凹位之一的開口處并在該開口處留有間隙。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，其特征在于真空室(I)呈圓筒狀，真空室(I)的截面呈圓形狀，在X軸上的內(nèi)壁處設(shè)有凹位之一，陰極電弧靶之一內(nèi)置在該凹位之一中；在凹位之一的下方設(shè)有凹位之二，陰極電弧源之二內(nèi)置在凹位之二中，輔助陽極裝置(11)設(shè)置在陰極電弧靶之一的正對面；阻擋屏(3)位于凹位之一的開口處并在該開口處留有間隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，其特征在于在真空室(I)內(nèi)設(shè)置電加熱板，旋轉(zhuǎn)工作臺(12 )裝備有行星機(jī)構(gòu)和輔助設(shè)施。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，其特征在于真空獲得裝置由真空泵機(jī)組構(gòu)成，其連接通道設(shè)置在真空室的一個側(cè)面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種多功能等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)，包括真空室(1)和真空獲得裝置，其特征在于在真空室(1)的中央設(shè)有旋轉(zhuǎn)工件臺(12)，在真空室(1)的內(nèi)腔壁設(shè)有二個相鄰的陰極電弧靶(2，4)，陰極電弧靶之一帶阻擋屏(3)，在此陰極電弧靶(2)的正對面設(shè)有輔助陽極裝置(11)，陰極電弧靶之二位于陰極電弧靶之一的相鄰處，由旋轉(zhuǎn)工件臺(12)、二個陰極電弧靶和真空室(1)、輔助陽極裝置(11)和真空室(1)構(gòu)成旋轉(zhuǎn)式電弧離子鍍等離子體增強(qiáng)涂層系統(tǒng)。本發(fā)明具有涂層表面精密、孔隙率低、涂層性能穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)簡單和成本低廉的有益效果。
文檔編號C23C14/22GK102943240SQ201210452328
公開日2013年2月27日 申請日期2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月12日
發(fā)明者董小虹, 張中弦, 梁航, 黃拿燦, 亞歷山大·哥羅沃依 申請人:廣東世創(chuàng)金屬科技有限公司