提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法，包括：步驟1、將晶片送入除水工藝腔去除吸附水及易揮發(fā)物處理；步驟2、將晶片送入搬運(yùn)腔等待，其中等待時(shí)間范圍為5-40秒，搬運(yùn)腔內(nèi)的溫度為0-50攝氏度，搬運(yùn)腔中的壓力大于2.2托。步驟3、等待時(shí)間結(jié)束后，將晶片送入濺射工藝腔進(jìn)行物理濺射成膜。步驟4、成膜結(jié)束后，成膜完的晶片將會(huì)送入冷卻腔進(jìn)行冷卻，整個(gè)成膜工藝結(jié)束。通過(guò)本發(fā)明所提供的提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法所得到的成膜晶片的成膜顆粒小，且穩(wěn)定性良好，避免了成膜晶片直接進(jìn)入工藝腔而造成的成膜顆粒明顯偏大的現(xiàn)象，并且基本不影響真?zhèn)€工藝流程的總時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低了工藝成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]物理濺射成膜工藝過(guò)程中，尤其是在半導(dǎo)體領(lǐng)域，濺射工藝直接影響半導(dǎo)體器件的電阻以及其他物理特性?，F(xiàn)有物理濺射成膜工藝主要是成膜晶片先除去表面的物理吸附水以及其他容易揮發(fā)的吸附物，然后經(jīng)搬送腔直接進(jìn)入到成膜工藝腔內(nèi)進(jìn)行濺射。當(dāng)成膜晶片直接從去除水分以及其他容易揮發(fā)的吸附物的工藝腔經(jīng)搬送腔直接進(jìn)入到成膜工藝腔內(nèi)濺射成膜，如圖1所示，將導(dǎo)致成膜晶粒2偏大，成膜后晶片薄膜I圖形模糊，影響后續(xù)工藝處理，從而導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低，增加工藝成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法，能在不影響整個(gè)濺射成膜工藝的效率的情況下，提高物理濺射成膜質(zhì)量及成膜穩(wěn)定性，解決薄膜晶粒偏大的問(wèn)題。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的一種提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法，包括:
[0005]步驟1、將晶片送入除水工藝腔去除吸附水及易揮發(fā)物處理；
[0006]步驟2、將晶片送入搬運(yùn)腔等待；
[0007]步驟3、等待時(shí)間結(jié)束后，將晶片送入濺射工藝腔進(jìn)行物理濺射成膜；
[0008]步驟4、成膜結(jié)束后，成膜完的晶片將會(huì)送入冷卻腔進(jìn)行冷卻，整個(gè)成膜工藝結(jié)束。
[0009]進(jìn)一步的，步驟I之前還包括晶片準(zhǔn)備步驟。
[0010]進(jìn)一步的，所示將晶片送入搬運(yùn)腔等待，等待時(shí)間范圍為5-40S。
[0011]進(jìn)一步的，所述搬運(yùn)腔中的溫度為0-50攝氏度。
[0012]進(jìn)一步的，所述搬運(yùn)腔中的壓力大于1.2托。
[0013]進(jìn)一步的，所述搬運(yùn)腔中的壓力為2.5托。
[0014]通過(guò)本發(fā)明所提供的提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法所得到的成膜晶片的成膜顆粒小，且穩(wěn)定性良好，避免了成膜晶片直接進(jìn)入工藝腔而造成的成膜顆粒明顯偏大的現(xiàn)象，并且基本不影響真?zhèn)€工藝流程的總時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低了工藝成本。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明:
[0016]圖1是現(xiàn)有的工藝成膜圖形；
[0017]圖2是本發(fā)明提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法流程圖；
[0018]圖3是本發(fā)明晶片在不同溫度的搬送腔中等候不同時(shí)間的成膜對(duì)比圖；
[0019]圖4是相同數(shù)量成膜晶片在現(xiàn)有工藝和本發(fā)明工藝流程下所用時(shí)間對(duì)比圖。[0020]主要元件符號(hào)說(shuō)明如下:
[0021]晶片薄膜I成膜晶粒2
【具體實(shí)施方式】
[0022]為使貴審查員對(duì)本發(fā)明的目的、特征及功效能夠有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí)，以下配合附圖詳述如后。
[0023]如圖2所示，本發(fā)明提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法，包括:
[0024]步驟1、按本領(lǐng)域常規(guī)的方法進(jìn)行晶片準(zhǔn)備201。
[0025]步驟2、將晶片送入除水工藝腔去除吸附水及易揮發(fā)物處理202。
[0026]步驟3、將晶片送入搬運(yùn)腔等待203，其中等待時(shí)間范圍為540秒，搬運(yùn)腔內(nèi)的溫度為0-50攝氏度，搬送腔內(nèi)壓力大于2.2托(Tor)。
[0027]步驟4、等待時(shí)間結(jié)束后，將晶片送入濺射工藝腔進(jìn)行物理濺射成膜204。
[0028]步驟5、成膜結(jié)束后，成膜完的晶片將會(huì)送入冷卻腔進(jìn)行冷卻，整個(gè)成膜工藝結(jié)束205。
[0029]如圖3所示，為 晶片在搬送腔內(nèi)壓力為2.5托(Tor)，搬運(yùn)腔內(nèi)溫度分別為O攝氏度、25攝氏度及50攝氏度時(shí)，等候O秒，5秒、10秒、20秒及40秒后晶片成膜對(duì)比圖?？梢钥闯鲈诓煌瑴囟认拢S著晶片在搬運(yùn)腔中等候的時(shí)間的延長(zhǎng)，成膜晶粒隨著減小，整個(gè)晶片表面的粗糙度也隨著減小，并且等待時(shí)間相同時(shí)，各成膜晶片顆粒變化不大，穩(wěn)定性良好。
[0030]如圖4所示，設(shè)定搬送腔內(nèi)壓力為2.5托(Tor)，搬運(yùn)腔內(nèi)溫度為20攝氏度，成膜晶片在搬運(yùn)腔內(nèi)的等候時(shí)間為20S時(shí)，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明工藝流程處理相同數(shù)量成膜晶片所有時(shí)間的對(duì)比，從圖中可知，隨著成膜晶片數(shù)量的增加，本發(fā)明成膜晶片完成成膜工藝所用的時(shí)間與現(xiàn)有成膜工藝所用的時(shí)間趨于相同，即本發(fā)明所提供的工藝方法對(duì)成膜工藝的效率基本沒(méi)有影響。
[0031]以上通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法，包括: 步驟1、將晶片送入除水工藝腔去除吸附水及易揮發(fā)物處理； 步驟2、將晶片送入搬運(yùn)腔等待； 步驟3、等待時(shí)間結(jié)束后，將晶片送入濺射工藝腔進(jìn)行物理濺射成膜； 步驟4、成膜結(jié)束后，成膜完的晶片將會(huì)送入冷卻腔進(jìn)行冷卻，整個(gè)成膜工藝結(jié)束。
2.如權(quán)利要求1所述提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法，其特征在于:步驟I之前還包括晶片準(zhǔn)備步驟。
3.如權(quán)利要求1所述提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法，其特征在于:步驟2中所述將晶片送入搬運(yùn)腔等待，等待時(shí)間范圍為5-40秒。
4.如權(quán)利要求1所述提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法，其特征在于:步驟2中所述搬運(yùn)腔中的溫度為0-50攝氏度。
5.如權(quán)利要求1所述提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法，其特征在于:步驟2中所述搬運(yùn)腔中的壓力大于2.2托。
6.如權(quán)利要求 5所述提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法，其特征在于:步驟2中所述搬運(yùn)腔中的壓力為2.5托。
【文檔編號(hào)】C23C14/34GK103540902SQ201210246238
【公開(kāi)日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2012年7月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月16日
【發(fā)明者】劉善善, 費(fèi)強(qiáng), 李曉遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司