專利名稱：：蝕刻硅基材料的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：中是有利的。在經(jīng)此引用并入本文的US-7033936中描述了一種這樣的方法。根據(jù)該文獻(xiàn)，在硅襯底表面上沉積氯化銫的半球形島，用薄膜覆蓋包括島的襯底表面，并從表面上除去半球形結(jié)構(gòu)(包括覆蓋它們的薄膜)以形成曾經(jīng)具有半球體的棵露區(qū)域的掩膜，通過這樣產(chǎn)生掩膜來構(gòu)造柱體。然后利用反應(yīng)性離子蝕刻在棵露區(qū)域中蝕刻襯底，并通過例如物理濺射除去抗蝕劑從而在未蝕刻區(qū)域中，即在半球體位置之間的區(qū)域中留下硅柱陣列。在PengK-Q，Yan，Y-J，GaoS-P和ZhuJ.，Adv.Materials(材料)，14(2002)，1164-1167，Adv.FunctionalMaterials(功能材料)，(2003)，13，No2二月，127-132和Adv.Materials(先進(jìn)材料)，16(2004)，73-76中描述了另一化學(xué)方法。Peng等人已經(jīng)展示了通過化學(xué)方法在硅上產(chǎn)生納米柱的一種方式。根據(jù)該方法，使用下列溶液在50*€下蝕刻硅片，該硅片可以是n或p-型并具有暴露在溶液中的(lll)面5MHF和20mMAgN03。以大約20微米/小時(shí)形成柱體，并報(bào)道了最多24微米的柱體高度。除高度外，沒有給出其它尺寸數(shù)據(jù)，例如平均柱體直徑、堆積密度或表面均勻性。該方法僅在大約1平方厘米小片上進(jìn)行。這些論文中假定的機(jī)理為，在初始階段中在a面上無電沉積分離的銀納米簇。在第二階段中，銀納米簇和它們周圍的硅區(qū)域充當(dāng)局部電極，在銀納米蔟周圍的區(qū)域中造成硅電解氧化形成SiF6陽離子，所述SiF6陽離子從蝕刻位置擴(kuò)散開，在銀納米簇之下留下柱體形式的硅。據(jù)建議，可以使用銀以外的金屬，例如Ni、Fe、Co、Cr和Mg，尤其是硝酸鹽形式，以形成珪柱。K.Peng爭(zhēng)乂，Angew.Chem.Int.Ed.(德國應(yīng)用化學(xué))，44(2005)，2737-2742;和K.Peng爭(zhēng)入，Adv.Funct.Mater.(先進(jìn)的功能材料)，16(2006)，387-394涉及與/Vwg爭(zhēng)人較早的論文中所述的類似的蝕刻方法，但成核/4艮納米粒子沉積步驟和蝕刻步驟在不同溶液中進(jìn)行。在第一(成核)步驟中，將硅片在4.6MHF和0.01MAgN03的溶液中放置1分鐘。然后第二(蝕刻)步驟在不同的溶液，即4.6MHF和0.135MFe(N03)3中進(jìn)行30或50分鐘。這兩個(gè)步驟均在50匸下進(jìn)行。報(bào)道了分別大約6和4微米高和大約20和20至40納米直徑的柱體。柱體在{111}平面上在{111}方向上生長。沒有公開柱體堆積密度(表面均勻性)，也沒有公開所用硅片的尺寸。硅晶片可以是n或p-型。在這些論文中，與之前的論文相比，對(duì)蝕刻步驟提出了不同機(jī)理，即除去銀(Ag)納米粒子之下的硅且納米粒子逐漸下沉到硅體中，在銀納米粒子正下方以外的區(qū)域中留下硅柱。需要更高的柱體，提高的柱體密度和改進(jìn)的柱體分布均勻性。此外，最好提高柱體形成(蝕刻)速度。此夕卜，因?yàn)锳wg描述的那些方法局限于U11)面，因此它們的適用性有限。
發(fā)明內(nèi)容權(quán)利要求描述了本發(fā)明。根據(jù)現(xiàn)在描述的方法，提供了在硅基襯底上產(chǎn)生硅柱的改進(jìn)的化學(xué)方法。由從標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體材料中的硅晶片上獲取的片(其可以為大約1至15平方厘米)開始，將所述片的一面拋光，同時(shí)做舊(,化)另一面。晶片平面相當(dāng)于硅的{100}或{110}晶面。珪可以摻雜以按需要—吏珪為n-型或p-型，例如使用任何常規(guī)摻雜劑。硅片的典型電阻率為1ohmcm乘10的+或-2次冪。例如在n-型硅的情況下，電阻率通常大致為lohmcm，并且要指出，摻雜水平在本文所述的實(shí)施方案中并不關(guān)鍵。在經(jīng)受本發(fā)明的方法之前，可以使用RCA-1蝕刻(即水88氨濃過氧化氫，體積比為l:l:l)均勻地使表面清潔且親水。在下一制備階段中，硅片可以在其背面(較粗糙面)上被薄Au/Cr涂層(例如10Au/lCr，大約200納米厚的膜)保護(hù)。該蝕刻方法包括兩個(gè)階段。第一階段是成核，其中在a面上形成離散的金屬沉積物，第二階段是村底的實(shí)際蝕刻。根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行這兩個(gè)階段產(chǎn)生在密度和高度上都更均勻的柱體陣列。第一成核階段在硅表面上形成離散的金屬沉積物。在一個(gè)實(shí)施方案中，成核階段中所用的水溶液的化學(xué)組成為-l至40。/。v/v的醇，例如乙醇；溶液的典型醇含量基于整個(gè)水溶液總體積為5至40%,例如15至40%,任選大約5或6。/。v/v;畫1.5至10摩爾(M)氬氟酸，例如5至7.5M，例如大約6.8M(典型濃度的實(shí)例為4.5-9M，例如6.8至7.9M;應(yīng)該指出，HF或氟鹽的4.5M、6.8M、7.9M和9M溶液分別相當(dāng)于在溶液內(nèi)包含20。/。、30%、35%和40體積％的濃(40%)HF);-5至100mM,例如10至65mM的在氟離子存在下無電沉積在珪襯底上的離散區(qū)域中的金屬鹽，該鹽任選為銀鹽，例如硝酸4艮；鹽的濃度可以為12.6至24mM，例如24mM。(應(yīng)該指出，12.6至22.1mM溶液相當(dāng)于含40至70%的31.5mM銀溶液的溶液，且24mM溶液相當(dāng)于含40%的0.06M(60mM)銀溶液的溶液)。進(jìn)行成核反應(yīng)的溫度可以為0至30X:，例如室溫(20匸)。成核反應(yīng)迅速發(fā)生，例如在10秒內(nèi)，但襯底可以與襯底接觸最多大約15分鐘，例如大約10分鐘。醇，例如乙醇的加入和在相對(duì)低溫，例如室溫下i^f亍成核階段的作法具有減緩化學(xué)過程的作用。因此實(shí)現(xiàn)金屬沉積物，例如4艮的更均勻分布，并1^獲得更均勻間隔的柱體。第二階段是蝕刻，在此期間形成硅柱。蝕刻階段中所用的溶液可以與成核階段中所用的相同或不同。如果使用相同溶液，則第二(蝕刻)階段可以無中斷地在第一(成核)階段之后，且第一和第二階段的總持續(xù)時(shí)間通常為5至50分鐘。如果使用不同溶液，第一成核階段通?？梢詾?至IO分鐘。蝕刻階段中所用的溶液可以為誦氫氟酸(HF);氟離子的濃度可以為4至15M，例如4.5至8M;-可以在氟離子存在下氧化硅的金屬鹽；該鹽任選為銀鹽或鐵鹽；并優(yōu)選為硝酸銀或硝酸鐵鹽。鹽的濃度可以為10至40mM，例如20至30mM，例如大約25mM。醇在蝕刻階段中不是必要的。蝕刻階段根據(jù)摻雜密度任選在高于成核階段的溫度下進(jìn)行；兩個(gè)階段之間的溫度升高可以為至少20。C,例如至少35"C;蝕刻階段可以在30至80X:，例如45至75匸，例如60至75'C的溫度下進(jìn)行；在大約45分鐘內(nèi)，可以實(shí)現(xiàn)具有大約70至75微米一致高度和0.2微米直徑的柱體。蝕刻階段可以進(jìn)4亍較短時(shí)間，但柱體則較短。附帶著珪柱的所得硅基襯底可以用作可再充電鋰離子電池的陽極，因?yàn)楸景l(fā)明A^目信，硅柱可以可逆地與鋰離子反應(yīng)而不會(huì)分解或破壞，由此提供經(jīng)過大量充/放電周期的良好電容保持。或者，所述柱體可以從尚未蝕刻的襯底部分上剪切以形成硅纖維。本發(fā)明的襯底特別可用在鋰離子電池的電極中。柱體表面密度(覆蓋率)可以用下列比率F描述F=P/[R+P]其中P是以柱體存在的硅的量，且R是除去的硅的量。對(duì)于固定的柱體高度，F(xiàn)的值越大，每單位面積的可逆鋰離子容量越高，且因此電極的電容越高。此外，F(xiàn)的值越高，可以割下以制造硅纖維的硅材料的量更大。成核階段使柱體堆積密度F最大化，且申請(qǐng)人已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了高達(dá)40%的覆蓋率。在上述方法中，F(xiàn)通常為大約15至20%。在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明提供了蝕刻珪襯底的方法，包括使硅襯底與蝕刻氟酸或氟鹽、銀鹽和醇的溶液接觸。銀鹽是水溶性的，例如硝酸銀。溶液的硝酸銀含量可以為40至70%,基于31.5mM硝酸4艮溶液，這相當(dāng)于最終溶液中的硝酸銀濃度為12.6至22.1mM硝酸4艮。氟酸可包括氟化氬，其在溶液中的含量為30體積％至40體積％，基于濃(40%或22.6M)HF，這相當(dāng)于最終溶液中的HF濃度為6.8至9M)，例如35至40%(最終溶液中的HF濃度為7.9至9M)，例如40。/。(最終溶液中的HF濃度為9M)。醇可以為乙醇，其在最終溶液中的含量可以為15至40%。該溶液也可以包括10至30%，例如20%的水。該方法可以包括使襯底在10至30X:，例如20*€的溶液中放置5至50分鐘，例如10分鐘的階段。該方法可以進(jìn)一步包括將溶液溫度提高至20至75"C達(dá)40至45分鐘，例如45分鐘。該方法可以包括隨后加入另外的銀或硝酸銀，例如另外的5至10%的銀或硝酸銀，例如6%。當(dāng)如前段中提到的那樣升高溫度時(shí)，可以在升高溫度時(shí)加入銀，并可以分別在隨后的10和20分鐘添加另外兩份。該蝕刻可以在{100}或{110}平面上進(jìn)行。本發(fā)明還提供了通過上述方法制成的蝕刻硅襯底。下列兩個(gè)實(shí)施例例證了要求保護(hù)的方法實(shí)施例1將清潔的硅樣品(大約1平方厘米，2-5ohmcmn-型材料，已經(jīng)如上所述背部涂布)面朝上({100}面)放在含有50亳升蝕刻溶液的聚丙烯燒杯中。蝕刻溶液的組成為12.5毫升HF(40%);2.5毫升乙醇；35毫升31.5mMAgN03。其相當(dāng)于這樣的水溶液，其含有5.7M的HF;5%v/v乙醇；22mM的AgN03。將樣品在室溫(大約20t!)下放置10分鐘以獲得在樣品面上的均勻銀成核。如下所述，乙醇(或其它醇)在其對(duì)HF化學(xué)的改性中是重要的。在成核階段進(jìn)行蝕刻階段。在蝕刻階段中，將浸沒在上述溶液中的珪襯底在恒溫浴中在例如75'C下放置45分鐘；換言之，蝕刻階段中所用的溶液與成核階段中所用的溶液相同。根據(jù)確切條件，尤其是該方法的持續(xù)時(shí)間，該處理蝕刻硅并產(chǎn)生20至100微米高，通常60至100微米高的柱體。實(shí)施例2根據(jù)另一方法，以如下構(gòu)成的母溶液為原料-20毫升0.06MAgN03(最終溶液中24mM);隱17.5毫升濃HF(最終溶液中7.0M);-2.5毫升EtOH(最終溶液中5%v/v);和-10毫升1120(總共50毫升)。然后進(jìn)行下列程序(a)至(c)之一(a)將清潔的珪樣品(大約1平方厘米，2-5ohmcmn-型材料，已經(jīng)如上所述背部涂布)面朝上({100}面)在含有50亳升上述母溶液的聚丙烯燒杯中在20"C下放置10分鐘。緊隨此后，將溫度升至53。C，并同時(shí)加入另外的銀鹽，在這種情況下通過添加3亳升0.6MAgN03溶液來加入。在45分鐘后，取出并漂洗所述片。所得柱體為85微米高，這比不二次添加3毫升0.6MAgN03溶液時(shí)獲得的高50%。(b)將清潔的珪樣品(大約1平方厘米，2-5ohmcmn-型材料，已經(jīng)如上所述背部涂布)面朝上({100}面)在含有50毫升上述母溶液的聚丙烯燒杯中在20t;下放置10分鐘。緊隨在此階段后，對(duì)蝕刻階段，將溫度升至53X:,并同時(shí)加入1毫升0.6MAgN03溶液。在10分鐘后，再加入1毫升0.6MAgN03溶液，并再在10分鐘后，加入另外1毫升0.6MAgN03溶液。在53"C下的總時(shí)間為45分鐘，產(chǎn)生高85至100微米和平均直徑0.2微米的均勻柱體。硝酸銀溶液的這種額外添加可以在蝕刻階段過程中進(jìn)行，例如在反應(yīng)的第15、25和35分鐘，例如在反應(yīng)的第10和20分鐘。在此方法中，覆蓋率F經(jīng)計(jì)算為15至20%。(c)將清潔的珪樣品(大約1平方厘米，10ohmcmn畫型材料，已經(jīng)如上所述背部涂布)面朝上({100}面)在含有50毫升上述母溶液的聚丙烯燒杯中在20C下放置10分鐘，然后轉(zhuǎn)移到用于蝕刻階段的新溶液中，該溶液可以例如如下構(gòu)成20毫升水；12.5毫升60mMFe(N03)3(aq);和17.5亳升40%HF。在45分鐘內(nèi)獲得高40微米的均勻柱體。使用SEM分析測(cè)量F，大約為30%。Fe(N03)3濃度變化造成柱體直徑變化，在大約0.2至0.6微米。Fe(N03)3和/或AgN03溶液在蝕刻過程中的連續(xù)或逐步添加同時(shí)導(dǎo)致改進(jìn)的均勻性和提高的柱體高度。據(jù)發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的方法獲得了為之前獲得的高度的大約5倍的增加的柱體高度，并在若干平方厘米上顯著改進(jìn)了柱體均勻性。因此，可以在IO至15厘米直徑的晶片上以均勻的高度和堆積密度構(gòu)造硅基電極。或者，可以使柱體生長以便隨后脫離，或"收割"，例如以便制造電池陽極，如更詳細(xì)地描述在也待審的名稱為"Amethodoffabricatingfibrescomposedofsiliconorasilicon-basedmaterialandtheiruseinlithiumrechargeablebatteries(由硅或珪基材料構(gòu)成的纖維的構(gòu)造方法及其在可再充電鋰電池中的用途)"的專利申請(qǐng)UK0601319.7(其與本專利共同轉(zhuǎn)讓并經(jīng)此引用并入本文)中。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，醇(例如Cw鏈烷醇，如乙醇)在成核步驟中的引入，提供了許多優(yōu)點(diǎn)。首先，在成核作用方面，乙醇添加在第一關(guān)鍵時(shí)期(大約10秒持續(xù)時(shí)間)中導(dǎo)致更均勻的4艮沉積。這造成柱體的更均勻空間分布。在考慮組成的影響時(shí)，可以進(jìn)一步理解乙醇i^加的作用。特別地，改變乙醇濃度(通過改變水/醇比率但保持50毫升的總體積)對(duì)柱體高度具有重要影響，這被認(rèn)為在成核階段中發(fā)生。因此，如果濃度提高超過5%v/v(即在50亳升總?cè)芤毫恐?.5亳升乙醇)，趨勢(shì)是降低柱體高度。在下表中列出進(jìn)一步數(shù)據(jù)<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>在溫度影響方面，成核非常迅速發(fā)生，<10秒。室溫成核的柱體高于在更高成核溫度下獲得的那些，因此本發(fā)明A^目信，對(duì)成核階段使用室溫時(shí)對(duì)該方法具有更好的控制。如果對(duì)于10ohmcmn-型硅晶片，溫度在室溫下(20至25X:)保持10分鐘以便成核，然后提高至50"C達(dá)45分鐘以進(jìn)行蝕刻階段，則柱體高度為~30微米。在70'C和75t:之間，柱體高度為60孩i米。高度在75微米范圍內(nèi)的柱體可以在45分鐘內(nèi)獲得。也已經(jīng)獲得高達(dá)120樣i米高的柱體。利用該方法觀察到提高的高度的原因是在Fe(N03)3蝕刻溶液中包含了少量AgN03(l亳升，在50毫升中加入60mM)。如果蝕刻階段在80"C下進(jìn)行相同時(shí)間，則盡管在最初形成柱體，但其被破壞。但是，如果在80X:下進(jìn)行的蝕刻階段的蝕刻時(shí)間減少，則柱體可見。最后這種結(jié)果的出現(xiàn)可能是因?yàn)橐欢ǖ臋M向蝕刻，這種橫向蝕刻會(huì)造成錐形的柱體結(jié)構(gòu)，且橫向與豎直蝕刻速率的比率隨溫度而提高。但是，在柳'C下在柱體形成中的沉淀物坍塌更可能解釋為{110}平面上保護(hù)性被吸附物的損失。據(jù)發(fā)現(xiàn)，0.1ohmcm至1,000ohmcm范圍內(nèi)的電阻摻雜水平?jīng)]有影響。此外，該方法對(duì)n-和p-型硅均適用。發(fā)現(xiàn)，在1至10ohmcm范圍內(nèi)，p-型珪比n-型硅略快地蝕刻。此外，柱體生長不限于{100}平面。在{110}平面上也觀察到珪結(jié)構(gòu)的生長，包括與表面傾角為大約45。的柱體和片體。在{100}平面上的蝕刻產(chǎn)生與晶片表面呈直角的柱體。在{110}平面上，制成與晶片表面呈45。角的柱體。此外，可以在{111}上生長豎直柱體，而在(110)面上具有保護(hù)性被吸附物。蝕刻速率為{100}>{111}{110}。通常使用超聲進(jìn)行硅纖維的收割，因?yàn)槭褂玫妒崭顣?huì)在纖維材料之外還產(chǎn)生大量微粒硅。蝕刻方法也可以在極大規(guī)模集成(VLSI)電子級(jí)單晶片或其不合格樣品上進(jìn)行。作為更J更宜的替代物，也可以使用光電級(jí)多晶材料?？捎玫母阋瞬牧鲜墙Y(jié)晶金屬M(fèi)。會(huì)認(rèn)識(shí)到，通過上述方法制成的柱體結(jié)構(gòu)可用在任何適當(dāng)?shù)膶?shí)施中，包括可再充電鋰離子電池中所用的硅陽極。盡管本文所述的結(jié)構(gòu)^皮稱作"柱體"，但要認(rèn)識(shí)到，包括任何適當(dāng)?shù)闹鶢?、纖維狀或毛狀結(jié)構(gòu)。要進(jìn)一步認(rèn)識(shí)到，上文列出的參數(shù)可以適當(dāng)改變，且所述材料可以由具有適當(dāng)摻雜的純硅基材料擴(kuò)展到例如硅鍺混合物。本文提到的硅基材料包括純硅或摻雜硅或其它硅基材料，例如硅-鍺混合物，或任何其它合適的混合物。制造柱體用的襯底可以是100至0.001Ohmcm的n-或p-型，或其可以是珪的合適合金，例如SixGei_x?？梢允褂闷渌即嬉掖?，并且可以使用其它蝕刻劑，例如氟鹽，例如氟化銨。蝕刻和成核都是電流交換反應(yīng)，例如<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>可以使用其它可溶銀鹽代替硝酸銀，并且可以以可溶鹽，尤其是硝酸鹽形式采用其它金屬以提供電流交換反應(yīng)，例如電正性接近或低于銀的金屬。成核需M屬鹽，而蝕刻可以使用金屬離子或非金屬離子，例如氫離子或硝酸根離子(或兩者)，只要它們的還原電勢(shì)在正常氫標(biāo)度下在0至0.8V范圍內(nèi)或與之接近。上文提到的Peng等人的文章提到了可代射M吏用的其它金屬。可以使用具有+0.8V至O.OV的電勢(shì)的金屬離子(vs標(biāo)準(zhǔn)氫電極(SHE))，例如Cu2+離子(+0.34V(vsSHE))代彰艮離子。權(quán)利要求1.蝕刻硅襯底的方法，包括使硅襯底與下列物質(zhì)的水溶液接觸■氟酸或氟鹽，■能夠在氟離子存在下在硅上無電沉積金屬的金屬鹽，和■醇。2.如權(quán)利要求l所述的方法，其中金屬鹽是銀鹽，任選硝酸銀。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中溶液的硝酸銀含量為0.2至16重量%，例如0.75至0.7重量％。4.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中溶液的金屬鹽含量，例如銀或硝酸4艮含量為5至100mM，例如12.6至24mM,例如12.6至22.1mM。5.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中氟酸包括氟化氫，其含量為3至20重量％，例如8至20%，例如10至15%,例如大約12或13.6%。6.如前迷權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中蝕刻氟酸包括氟化氬，其含量為1.5至10M,例如5至7.5M,例如大約6.8M。7.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述醇為乙醇。8.如前迷權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中醇含量為最多40體積％，例如3%至40%，例如5至40%,例如15至30%。9.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括使襯底放置在0'C至3i)"，例如20"C的溶液中的階段。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述放置步驟持續(xù)5至50分鐘，例如大約10分鐘。11.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括將溶液溫度升至4ox:至75x:。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中使村底在所述升高的溫度下在溶液中放置30至100分4t，例如大約45分4中。13.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括在該方法過程中加入另外的銀鹽，例如硝酸銀，或鐵鹽，例如硝酸鐵。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中加入的銀鹽或鐵鹽的量為0.1至2重量％，例如大約1重量％。15.如權(quán)利要求13或14所述的方法，其中另外的銀鹽或鐵鹽的加入量使溶液的銀或鐵濃度提高2mM至6mM，例如2.85mM至5.45mM。16.如權(quán)利要求13至15任一項(xiàng)所述的方法，當(dāng)從屬于權(quán)利要求11或12時(shí)，在該方法中在升高溫度時(shí)加入所述另外的4艮鹽或鐵鹽。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中在升高溫度時(shí)加入第一份4艮鹽或名失鹽，然后加入另外的至少一份，例如在隨后的10和20分鐘加入。18.如權(quán)利要求l至ll任一項(xiàng)所述的蝕刻硅襯底的方法，其中所述接觸步驟構(gòu)成使用第一溶液的第一階段，且該方法進(jìn)一步包括第二階段，包括使硅村底與包含氟酸和鐵鹽，例如Fe(NO;j)3的第二溶液接觸。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中使襯底在第一溶液中放置最多15分鐘，例如大約IO分鐘。20.如權(quán)利要求18或19所述的方法，其中笫二階段在比第一階段高的溫度進(jìn)行，例如30至80t:，例如45至75。C，例如60至75X:。21.如權(quán)利要求18至20任一項(xiàng)所述的方法，其中第二階段進(jìn)行40至50分鐘，例如大約45分鐘。22.如權(quán)利要求18至21任一項(xiàng)所述的方法，其中第二溶液包括銀鹽，例如最多60mM的量。23.如權(quán)利要求18至22任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括在該方法的過程中向溶液中，尤其是在第二階段過程中向笫二溶液中，加入銀鹽或鐵鹽，例如Fe(N03)3和/或AgN03。24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中加入的另外的銀鹽或鐵鹽的量是使溶液的銀或鐵濃度提高最多10mM，例如2mM至6mM的量。25.如權(quán)利要求23或24所述的方法，其中兩次或更多次向第二溶液中加入銀或鐵鹽。26.如權(quán)利要求18至25任一項(xiàng)所述的方法，其中使襯底在第二溶液中放置40至50分鐘，例如45分鐘。27.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中蝕刻在{100}平面或{110}平面或{111}平面上進(jìn)行。28.通過如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法制成的蝕刻珪襯底。29.可再充電鋰電池，其陽極包含如權(quán)利要求28所述的蝕刻硅襯底。全文摘要描述了在小的局部區(qū)域中選擇性蝕刻硅襯底以在蝕刻表面中形成柱或柱體的方法。將硅襯底放在氟化氫、銀鹽和醇的蝕刻溶液中。醇的引入提供了更高的硅柱堆積密度。文檔編號(hào)H01L21/306GK101390198SQ200780006328公開日2009年3月18日申請(qǐng)日期2007年1月23日優(yōu)先權(quán)日2006年1月23日發(fā)明者M(jìn)·格林,劉峰明申請(qǐng)人:奈克松有限公司