專利名稱：一種鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及ー種鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法。
背景技術(shù)：
鎢在集成電路制造中經(jīng)常被用來作為高傳導(dǎo)性的互連金屬或者是鋁和硅之間的隔離結(jié)構(gòu)。在實際エ藝中，鎢的形成方法大多采用濺射エ藝或者化學(xué)氣相沉積(CVD)エ藝，而由于化學(xué)氣相沉積エ藝所形成的鎢薄膜具有較高的物理性質(zhì)，采用鎢化學(xué)氣相沉積(WCVD)已成為首選。現(xiàn)有的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)能夠很好的實現(xiàn)WCVDエ藝，然而在WCVDエ藝中所必須的清洗過程是很頻繁的，通常一個很短的間隔，比如加工6片硅片就要采用等離子體NF3(氟化氮)來對反應(yīng)腔進行清洗，這不可避免的會給其內(nèi)部的加熱器帶來顯著的損耗，使得加熱器表面狀況變差，從而設(shè)備工程師就需要進行更頻繁的定期維護(PM)，對加熱器表面 進行磨光處理，乃至極大的減少了使用壽命，縮短了更換加熱器的周期。這將耗費較大的人カ財力，并且浪費時間，不利于高效生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供ー種鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，減少清洗過程中對加熱器的損耗，提高生產(chǎn)效率。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供ー種鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，包括在反應(yīng)腔中載入硅片到加熱器上；清洗反應(yīng)腔。進ー步的，對于所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，所述硅片上具有鎢薄膜層。進ー步的，對于所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，所述硅片為循環(huán)多次使用的硅片。進ー步的，對于所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，所述硅片的數(shù)量與鎢化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔數(shù)量一致。進ー步的，對于所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，利用等離子體エ藝清洗反應(yīng)腔。進ー步的，對于所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，所述等離子體エ藝的反應(yīng)物包括氟的無機化合物和鎢。進ー步的，對于所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，在清洗反應(yīng)腔步驟之后，還包括如下步驟腔內(nèi)鎢沉積；載出所述硅片到冷卻腔中。進ー步的，對于所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，每加工6片產(chǎn)品后進行反應(yīng)腔的清洗。本發(fā)明提供的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，通過使用硅片達到保護加熱器的目的，使得在等離子體清洗吋，減少了對加熱器的損耗，延長了加熱器的使用壽命，并節(jié)省了原有方法由于打磨或更換加熱器后需要對儀器進行調(diào)整所需的時間，從而的節(jié)省了人力財力，大大提聞了生廣效率。


圖I為本發(fā)明實施例的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明實施例的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2中結(jié)構(gòu)5的示意圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法作進ー步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。請參考圖1，本發(fā)明的目的是減少對加熱器的損耗，故圖I僅示出加熱器及其上的硅片的示意圖。如圖I所示，所述鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法包括如下步驟步驟SlOl，在反應(yīng)腔中載入一片硅片2到加熱器I上，所述硅片2上具有鎢薄膜層3 ；步驟S102，清洗反應(yīng)腔，所述清洗方法為等離子體清洗，具體的，可以涉及以下反應(yīng)W+NF3 — WF，由圖中可見，清洗過后硅片2上方鎢薄膜層被去除，需要說明的是，由于反應(yīng)腔內(nèi)沉積的鎢厚度不可能相同，在完全清洗后，不能保證硅片2上的鎢薄膜層恰好反應(yīng)，故硅片2可能會受到損傷，而這也正是本發(fā)明為了防止加熱器I損耗采取的替代方法，只需一定時期更換硅片2即可；為了達到較優(yōu)的清洗目的，并提高生產(chǎn)效率，還包括如下步驟步驟S103，腔內(nèi)鎢沉積，如圖I所示，硅片2上形成ー層鎢薄膜層3，腔內(nèi)鎢沉積是為了減少清洗反應(yīng)腔后的微粒(particle)，以使得后續(xù)產(chǎn)品的質(zhì)量不會由于反應(yīng)腔的清洗而反受影響；步驟S104，載出所述硅片到冷卻腔(未示出)中。在實際生產(chǎn)中，可采取每個反應(yīng)腔加工指定片數(shù)的產(chǎn)品就進行反應(yīng)腔的清洗，t匕如4片，6片或者根據(jù)實際需要間隔不同的產(chǎn)品數(shù)量。接著，請參考圖2，本實施例以AMAT WCVD CENTURA系統(tǒng)(應(yīng)用材料公司研發(fā)的鎢化學(xué)氣相沉積設(shè)備)為例，其他WCVD系統(tǒng)亦可采用。AMAT WCVD CENTURA系統(tǒng)具有4個鎢化學(xué)氣相沉積腔4，每個鎢化學(xué)氣相沉積腔4都可采用上述方法進行清洗，所述硅片的數(shù)量與鎢化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔數(shù)量一致，則共需要4片硅片，我們將這4片硅片存放于冷卻腔5中，便于自動化操作和減少污染。具體的，請參考圖3，冷卻腔5具有8個槽(slot)，用于對加工過的產(chǎn)品進行冷卻，而通常8個槽是不會都具有硅片，故本實施例將4片硅片2存放于冷卻腔5的第f 4槽內(nèi)，在進行清洗過程時，從冷卻腔5內(nèi)載出對應(yīng)的硅片2到反應(yīng)腔內(nèi)，清洗過后將所述硅片2載入冷卻腔5即可，經(jīng)證實，硅片2存放在冷卻腔5中不會對進入其中冷卻的產(chǎn)品產(chǎn)生影響，也不會影響設(shè)備的生產(chǎn)效率，并且充分利用了冷卻腔5內(nèi)的多余空間。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，通過使用硅片達到保護加熱器的目的，使得在等離子體清洗時，減少了對加熱器的損耗，延長了加熱器的使用壽命，并節(jié)省了原有方法由于打磨或更換加熱器后需要對儀器進行調(diào)整所需的時間，從而的節(jié)省了人力財力，大大提高了生產(chǎn)效率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神 和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包括這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，其特征在于，包括 在反應(yīng)腔中載入硅片到加熱器上； 清洗反應(yīng)腔。
2.如權(quán)利要求I所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，其特征在于，所述硅片上具有鎢薄膜層。
3.如權(quán)利要求2所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，其特征在于，所述硅片為循環(huán)多次使用的硅片。
4.如權(quán)利要求3所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，其特征在于，所述硅片的數(shù)量與鎢化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔數(shù)量一致。
5.如權(quán)利要求I所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，其特征在于，利用等離子體エ藝清洗反應(yīng)腔。
6.如權(quán)利要求5所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，其特征在于，所述等離子體エ藝的反應(yīng)物包括氟的無機化合物和鎢。
7.如權(quán)利要求I所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，其特征在于，在清洗反應(yīng)腔步驟之后，還包括如下步驟 腔內(nèi)鎢沉積； 載出所述硅片到冷卻腔中。
8.如權(quán)利要求I所述的鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，其特征在干，每加工6片產(chǎn)品后進行反應(yīng)腔的清洗。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鎢化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的清洗方法，通過使用硅片達到保護加熱器的目的，使得在等離子體清洗時，減少了對加熱器的損耗，延長了加熱器的使用壽命，并節(jié)省了原有方法由于打磨或更換加熱器后需要對儀器進行調(diào)整所需的時間，從而的節(jié)省了人力財力，大大提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號C23C16/44GK102691050SQ20121019141
公開日2012年9月26日 申請日期2012年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月11日
發(fā)明者姜國偉, 梁海林, 牟善勇, 羅杰 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司