專利名稱：用來對鍺-銻-碲合金進(jìn)行拋光的化學(xué)機(jī)械拋光組合物和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化學(xué)機(jī)械拋光組合物及其使用方法。更具體來說，本發(fā)明涉及用來對包含鍺-銻-碲相變合金的基片進(jìn)行拋光的化學(xué)機(jī)械拋光組合物。
背景技術(shù)：
使用相變材料的相變隨機(jī)存取存儲器(PRAM)設(shè)備已經(jīng)成為下一代存儲器設(shè)備的首選，其中的相變材料可以在通常為非晶態(tài)的絕緣材料和通常為晶態(tài)的導(dǎo)電材料之間發(fā)生電轉(zhuǎn)變。所述下一代PRAM設(shè)備可以代替常規(guī)的固態(tài)存儲設(shè)備，例如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器-DRAM-設(shè)備；靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器一SRAM-設(shè)備，可擦可編程只讀存儲器一EPR0M-設(shè)備，以及電可擦可編程只讀存儲器一EEPR0M-設(shè)備，它們?yōu)槊總€存儲位使用微電子電路元 件。這些常規(guī)的固態(tài)存儲器設(shè)備占用了大量的芯片空間來存儲信息，從而限制了芯片密度；而且編程也相對較慢?？捎糜赑RAM設(shè)備的相變材料包括硫?qū)倩锊牧?，例如鍺-碲(Ge-Te)和鍺-銻-碲(Ge-Sb-Te)相變合金。PRAM設(shè)備的制造包括化學(xué)機(jī)械拋光步驟，在此步驟中，選擇性地除去硫?qū)倩锵嘧儾牧?，并使設(shè)備表面平面化。在硫?qū)倩锵嘧兒辖鹉ぶ校趦A向于具有較高的移動性。在CMP條件下，碲可能在平面化過程中傾向于遷移并聚集在晶片表面上。這會導(dǎo)致在晶片上不同的位置，膜具有不均勻的組成和表面特性。Dysard等在美國專利申請公開第20070178700號中揭示了一種用來對包含硫?qū)倩锵嘧儾牧系幕M(jìn)行拋光的拋光組合物。Dysard等揭示了一種用來對包含相變合金的基片進(jìn)行拋光的化學(xué)機(jī)械拋光組合物，該組合物包含(a)含量不大于約3重量％的顆粒磨料；(b)能夠與所述相變合金、相變合金的組分、或者由所述相變合金在化學(xué)機(jī)械拋光過程中形成的物質(zhì)螯合的至少一種螯合劑；(C)用于該組合物的水性載劑。人們?nèi)匀灰恢毙枰_發(fā)具有以下性質(zhì)的新的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)組合物該組合物能夠以高去除速率選擇性除去相變材料，同時還能夠提供減少的總?cè)毕莺蚑e殘余缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用來對基片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的方法，該方法包括提供基片，所述基片包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物主要由以下作為初始組分的物質(zhì)組成水；0. 1-5重量％的磨料；0. 001-5重量％的選自乙二胺四乙酸及其鹽的材料；0. 001-3重量％的氧化劑，所述氧化劑是過氧化氫；其中，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物的PH值為7. 1-12 ;提供化學(xué)機(jī)械拋光墊；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處形成動態(tài)接觸；在化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處或者界面附近，將所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物分配到所述化學(xué)機(jī)械拋光墊上；將至少一部分所述鍺-銻-碲相變合金從所述基片除去。
本發(fā)明還提供了一種用來對基片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的方法，該方法包括提供基片，所述基片包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物主要由以下作為初始組分的物質(zhì)組成水；0. 1-5重量％的磨料；0. 001-5重量％的乙二胺四乙酸或其鹽；0. 001-3重量％的氧化劑，所述氧化劑是過氧化氫；其中，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物的PH值為7. 1-12 ;提供化學(xué)機(jī)械拋光墊；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和所述基片之間的界面處形成動態(tài)接觸；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片的界面處或者界面附近，將所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物分配到所述化學(xué)機(jī)械拋光墊上；將至少一部分所述鍺-銻-碲相變合金從所述基片除去；所述磨料是平均粒度為110-130納米的膠態(tài)二氧化硅磨料；在200毫米的拋光機(jī)上在以下條件下，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金去除速率>1，000A/分鐘:臺板轉(zhuǎn)速60轉(zhuǎn)/分鐘，支架轉(zhuǎn)速55轉(zhuǎn)/分鐘，化學(xué)機(jī)械拋光組合物的流速為200毫升/分鐘，標(biāo)稱向下壓力為8. 27千帕(I. 2磅/平方英寸)，所述化學(xué)機(jī)械拋光墊包括含有聚合空心微粒的聚氨酯拋光層以及聚氨酯浸潰的無紡織物子墊。本發(fā)明還提供了用來對基片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的方法，該方法包括提供基片，所述基片包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物主要由以下作為初始組分的物質(zhì)組成水；0. 1-5重量％的磨料；0. 001-5重量％的乙二胺四 乙酸或其鹽；0. 001-3重量％的氧化劑，所述氧化劑是過氧化氫；其中；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物的PH值為7. 1-12 ;提供化學(xué)機(jī)械拋光墊；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處形成動態(tài)接觸；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處或者界面附近，將所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物分配到所述化學(xué)機(jī)械拋光墊上；將至少一部分所述鍺-銻-碲相變合金從所述基片除去；所述磨料是平均粒度為110-130納米的膠態(tài)二氧化硅磨料；在200毫米的拋光機(jī)上在以下條件下，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金去除速率之1，000A/分鐘:臺板轉(zhuǎn)速60轉(zhuǎn)/分鐘，支架轉(zhuǎn)速55轉(zhuǎn)/分鐘，化學(xué)機(jī)械拋光組合物的流速為200毫升/分鐘，標(biāo)稱向下壓力為8. 27千帕(I. 2磅/平方英寸)，所述化學(xué)機(jī)械拋光墊包括含有聚合空心微粒的聚氨酯拋光層以及聚氨酯浸潰的無紡織物子墊；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物促進(jìn)獲得鍺-銻-碲相變合金去除速率之1,000 A/分鐘，并且拋光后的SPl缺陷計數(shù)(> O. 16微米)(300。本發(fā)明還提供了用來對基片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的方法，該方法包括提供基片，所述基片包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物主要由以下作為初始組分的物質(zhì)組成水；0. 1-5重量％的磨料；0. 001-5重量％的乙二胺四乙酸或其鹽；O. 001-3重量％的氧化劑，所述氧化劑是過氧化氫；其中，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物的PH值為7. 1-12 ;提供化學(xué)機(jī)械拋光墊；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處形成動態(tài)接觸；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處或者界面附近，將所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物分配到所述化學(xué)機(jī)械拋光墊上；將至少一部分所述鍺-銻-碲相變合金從所述基片除去；所述磨料是平均粒度為110-130納米的膠態(tài)二氧化硅磨料；在200毫米的拋光機(jī)上在以下條件下，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金去除速率&1，000Α/分鐘:臺板轉(zhuǎn)速60轉(zhuǎn)/分鐘，支架轉(zhuǎn)速55轉(zhuǎn)/分鐘，化學(xué)機(jī)械拋光組合物的流速為200毫升/分鐘，標(biāo)稱向下壓力為8. 27千帕(I. 2磅/平方英寸)，所述化學(xué)機(jī)械拋光墊包括含有聚合空心微粒的聚氨酯拋光層以及聚氨酯浸潰的無紡織物子墊；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物便于獲得鍺-銻-碲相變合金去除速率,000 A/分鐘，并且拋光后的SPl缺陷計數(shù)(> O. 16微米)(300 ;其中< 200個拋光后SPl缺陷是碲殘余缺陷。本發(fā)明還提供了用來對基片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的方法，該方法包括提供基片，所述基片包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物主要由以下作為初始組分的物質(zhì)組成水；0. 1-5重量％的磨料；0. 001-5重量％的乙二胺四乙酸或其鹽；O. 001-3重量％的氧化劑，所述氧化劑是過氧化氫；其中，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物的PH值為7. 1-12 ;提供化學(xué)機(jī)械拋光墊；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處形成動態(tài)接觸；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處或者界面附近，將所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物分配到所述化學(xué)機(jī)械拋光墊上；將至少一部分所述鍺-銻-碲相變合金從所述基片除去；所述磨料是平均粒度為110-130納米的膠態(tài)二氧化硅磨料；在200毫米的拋光機(jī)上在以下條件下，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金去除速率^l,000A/分鐘:臺板轉(zhuǎn)速60轉(zhuǎn)/分鐘，支架轉(zhuǎn)速55轉(zhuǎn)/分鐘，化學(xué)機(jī)械拋光組合物的流速為200毫升/分鐘，標(biāo)稱向下壓力為8. 27千帕(I. 2磅/平方英寸)，所述化學(xué)機(jī)械拋光墊包括含有聚合空心微粒的聚氨酯拋光層以及聚氨酯浸潰的無紡織物子墊；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物便于獲得鍺-銻-碲相變合金去除速率之1,000 A/分鐘，并且拋光后的SPI缺陷計數(shù)(> O. 16微米)(300 ;其中< 200個拋光后SPl缺陷是碲殘余缺陷；所述基片還包 含Si3N4 ;將至少一部分Si3N4從所述基片除去；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/Si3N4去除速率選擇性彡15 I。本發(fā)明還提供了用來對基片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的方法，該方法包括提供基片，所述基片包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物主要由以下作為初始組分的物質(zhì)組成水；0. 1-5重量％的磨料；0. 001-5重量％的乙二胺四乙酸或其鹽；O. 001-3重量％的氧化劑，所述氧化劑是過氧化氫；其中，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物的PH值為7. 1-12 ;提供化學(xué)機(jī)械拋光墊；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處形成動態(tài)接觸；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處或者界面附近，將所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物分配到所述化學(xué)機(jī)械拋光墊上；將至少一部分所述鍺-銻-碲相變合金從所述基片除去；所述磨料是平均粒度為110-130納米的膠態(tài)二氧化硅磨料；在200毫米的拋光機(jī)上在以下條件下，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金去除速率>1,000A/分鐘:臺板轉(zhuǎn)速60轉(zhuǎn)/分鐘,支架轉(zhuǎn)速55轉(zhuǎn)/分鐘,化學(xué)機(jī)械拋光組合物的流速為200毫升/分鐘，標(biāo)稱向下壓力為8. 27千帕(I. 2磅/平方英寸)，所述化學(xué)機(jī)械拋光墊包括含有聚合空心微粒的聚氨酯拋光層以及聚氨酯浸潰的無紡織物子墊；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物便于獲得鍺-銻-碲相變合金去除速率,000 A/分鐘，并且拋光后的SPI缺陷計數(shù)(> O. 16微米)< 300 ;其中< 200個拋光后SPl缺陷是碲殘余缺陷；所述基片還包含原硅酸四乙酯(TEOS);將至少一部分TEOS從所述基片除去；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/TEOS去除速率選擇性> 15 I。
具體實施例方式本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光法可以用來對包含硫?qū)倩锵嘧兒辖鸬幕M(jìn)行拋光。用于本發(fā)明方法的化學(xué)機(jī)械拋光組合物能夠以優(yōu)于基片上其他材料的選擇性以及低的總?cè)毕莺偷偷捻跉堄嗳毕萏峁└叩牧驅(qū)倩锵嘧兒辖鹑コ俾?。適合用于本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光的方法的基片包含鍺-銻-碲(GST)相變合金。
適合用于本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光法的基片任選還包含選自下組的另外的材料磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼-磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)、旋涂玻璃(SOG)、原硅酸四乙酯(TEOS)、等離子體增強(qiáng)的TEOS(PETEOS)、可流動氧化物(FOx)、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)氧化物、以及氮化硅(例如Si3N4)。較佳的是，所述基片還包含選自Si3N4和TEOS的另外的材料。適合用于本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光方法的化學(xué)機(jī)械拋光組合物的磨料包括例如無機(jī)氧化物、無機(jī)氫氧化物、無機(jī)氫氧氧化物(inorganic hydroxide oxide)、金屬硼化物、金屬碳化物、金屬氮化物、聚合物顆粒、以及包含至少一種上述物質(zhì)的混合物。合適的無機(jī)氧化物包括例如二氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈰(CeO2)、氧化錳(MnO2)、氧化鈦(TiO2),或者包含至少一種上述氧化物的組合。如果需要，也可使用這些無機(jī)氧化物的改性形式，例如有機(jī)聚合物涂覆的無機(jī)氧化物顆粒和無機(jī)物涂覆的顆粒。合適的金屬碳化物、硼化物和氮化物包括例如碳化娃、氮化娃、碳氮化娃(SiCN)、碳化硼、碳化鎢、碳化鋯、硼化鋁、碳化鉭、碳化鈦、或包含上述金屬碳化物、硼化物和氮化物中的至少一種的組合。較佳的是，所用的磨料是膠態(tài)二氧化硅磨料。更佳的是，所用的磨料是平均粒度為1-200納米(更優(yōu)選100-150納米，最優(yōu)選110-130納米)的膠態(tài)二氧化硅，所述平均粒 度通過眾所周知的激光散射技術(shù)測定。用于本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光法的化學(xué)機(jī)械拋光組合物優(yōu)選包含以下含量的磨料作為初始組分0. 1-5重量％，更優(yōu)選O. 5-4重量更優(yōu)選1-4重量％,更加優(yōu)選3-4重量％。較佳的是，所述磨料是膠態(tài)二氧化硅磨料。最佳的是，本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光組合物包含3-4重量％的平均粒度為110-130納米的膠態(tài)二氧化硅磨料作為初始組分。較佳的是，用于本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光法的化學(xué)機(jī)械拋光組合物包含O. 001-5重量％ (更優(yōu)選O. 01-5重量％，最優(yōu)選O. 15-0. 25重量％)的選自乙二胺四乙酸及其鹽(例如二水合乙二胺四乙酸二鉀鹽)的材料作為初始組分。較佳的是，用于本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光法的化學(xué)機(jī)械拋光組合物包含以下含量的 氧化劑作為初始組分0. 001-3重量％，更優(yōu)選O. 01-3重量％，更加優(yōu)選O. 05-1重量％，最優(yōu)選O. 25-0. 75重量％。較佳的是，氧化劑是過氧化氫。最優(yōu)選的是，用于本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光方法的化學(xué)機(jī)械拋光組合物包含O. 25-0. 75重量％的過氧化氫作為初始組分。較佳的是，本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光法中使用的化學(xué)機(jī)械拋光組合物中包含的水是去離子水和蒸餾水中的至少一種，以限制附帶的雜質(zhì)。用于本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光法的化學(xué)機(jī)械拋光組合物任選還包含選自pH調(diào)節(jié)劑、分散劑、表面活性劑、緩沖劑和殺生物劑的另外的添加劑。用于本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光法的化學(xué)機(jī)械拋光組合物的pH值為7. 1-12，優(yōu)選為7. 5-10，更優(yōu)選7. 5-9，最優(yōu)選為7. 5-8. 5。適用于調(diào)節(jié)本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光組合物的pH值的酸包括例如硝酸、硫酸和鹽酸。適用于調(diào)節(jié)本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光組合物的pH值的堿包括例如氫氧化銨、氫氧化鉀、氫氧化四甲基銨和四甲基碳酸氫銨，優(yōu)選氫氧化四甲基銨。任選地，在本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光法中，所述基片還包含Si3N4 ;將至少一部分Si3N4從所述基片除去；所使用的化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/Si3N4去除速率選擇性彡10 I (更優(yōu)選彡15 I ;最優(yōu)選彡18 I)。
任選地，在本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光法中，所述基片還包含原硅酸四乙酯(TEOS)；將至少一部分TEOS從所述基片除去；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/TEOS去除速率選擇性彡10 I (優(yōu)選彡15 I)。較佳的是，本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光法包括提供基片，所述基片包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物主要由以下作為初始組分的物質(zhì)組成水；0. 1-5重量％ (優(yōu)選O. 5-4重量更優(yōu)選1-4重量最優(yōu)選3-4重量％ )的磨料(較佳的是，所述磨料是平均粒度為1-200納米，更優(yōu)選100-150納米，最優(yōu)選110-130納米的膠態(tài)二氧化硅磨料)；0· 001-5重量％ (優(yōu)選O. 01-5重量％，更優(yōu)選O. 15-0. 25重量％ )的選自乙二胺四乙酸及其鹽的材料；以及O. 001-3重量％ (優(yōu)選O. 01-3重量％，更優(yōu)選O. 05-1重量％，最優(yōu)選O. 25-0. 75重量％ )的氧化劑，所述氧化劑是過氧化氫；其中，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物的PH值為7. 1-12(優(yōu)選7. 5-10，更優(yōu) 選7. 5-9,最優(yōu)選7. 5-8. 5);提供化學(xué)機(jī)械拋光墊；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處形成動態(tài)接觸；在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處或者界面附近，將化學(xué)機(jī)械拋光組合物分配到所述化學(xué)機(jī)械拋光墊上；將至少一部分所述鍺-銻-碲相變合金從所述基片除去；在200毫米的拋光機(jī)上在以下條件下，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金去除速率^l,000A/分鐘(優(yōu)選之1,200A/分鐘):臺板轉(zhuǎn)速60轉(zhuǎn)/分鐘，支架轉(zhuǎn)速55轉(zhuǎn)/分鐘，化學(xué)機(jī)械拋光組合物流速200毫升/分鐘，標(biāo)稱向下壓力為8. 27千帕(I. 2磅/平方英寸)，所述化學(xué)機(jī)械拋光墊包括含有聚合空心微粒的聚氨酯拋光層以及聚氨酯浸潰的無紡織物子墊；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物便于獲得所述鍺-銻-碲相變合金去除速率^l,000A/分鐘(優(yōu)選^1,200 A/分鐘)，并且拋光后的SPl缺陷計數(shù)(>
O.16微米)< 300 (更優(yōu)選0-300，最優(yōu)選0-270);其中< 200個(更優(yōu)選0-200，最優(yōu)選0-185)拋光后SPl缺陷是碲殘留缺陷；任選地，所述基片還包含Si3N4，將至少一部分Si3N4從基片除去，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/Si3N4去除速率選擇性^ 15 1(優(yōu)選彡18 I);任選地，所述基片還包含原硅酸四乙酯(TEOS)，將至少一部分TEOS從所述基片除去，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/TEOS去除速率選擇性彡15 I0現(xiàn)在將在以下實施例中詳細(xì)描述本發(fā)明的一些實施方式。實施例化學(xué)機(jī)械拋光組合物測試的化學(xué)機(jī)械拋光組合物(CMPC)如表I所述。所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物A-D是比較配方，不包括在要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍之內(nèi)。激權(quán)利要求
1.ー種用來對基片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的方法，該方法包括 提供基片，所述基片包含鍺-銻-碲相變合金； 提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物主要由以下作為初始組分的物質(zhì)組成 水； 0.1-5重量％的磨料； 0.001-5重量％的選自こニ胺四こ酸及其鹽的材料； 0.001-3重量％的氧化劑，所述氧化劑是過氧化氫； 其中，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物的PH值為7. 1-12 ； 提供化學(xué)機(jī)械拋光墊； 在化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處形成動態(tài)接觸； 在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和基片之間的界面處或界面附近，將所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物分配到所述化學(xué)機(jī)械拋光墊上； 將至少一部分所述鍺-銻-碲相變合金從所述基片除去。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述基片還包含Si3N4;所述磨料是平均粒度為110-130納米的膠態(tài)ニ氧化硅磨料；將至少一部分所述Si3N4從基片除去；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/Si3N4去除速率選擇性> 10 I。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述基片還包含原硅酸四こ酷，即TEOS;所述磨料是平均粒度為110-130納米的膠態(tài)ニ氧化硅磨料；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/TEOS去除速率選擇性> 10 I0
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述磨料是平均粒度為110-130納米的膠態(tài)ニ氧化硅磨料，在200毫米的拋光機(jī)上在以下條件下，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金去除速率と1，000A/分鐘:臺板轉(zhuǎn)速60轉(zhuǎn)/分鐘，支架轉(zhuǎn)速55轉(zhuǎn)/分鐘，化學(xué)機(jī)械拋光組合物的流速200毫升/分鐘，標(biāo)稱向下壓カ為8. 27千帕，即I. 2磅/平方英寸，所述化學(xué)機(jī)械拋光墊包括含有聚合物空心微粒的聚氨酯拋光層以及聚氨酯浸潰的無紡織物子墊。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在干，所述基片還包含Si3N4;將至少一部分所述Si3N4從所述基片除去；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/Si3N4去除速率選擇性彡15 I0
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述基片還包含原硅酸四こ酷，即TEOS;將至少一部分所述TEOS從所述基片除去；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/TEOS去除速率選擇性彡15 I。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物促進(jìn)獲得鍺-銻-碲相變合金去除速率と1,000 A/分鐘，并且拋光后的SPl缺陷計數(shù)(>0.16微米)(300。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在干，小于或等于200個的所述拋光后SPl缺陷是碲殘留缺陷。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在干，所述基片還包含Si3N4;將至少一部分所述Si3N4從所述基片除去；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/Si3N4去除速率選擇性彡15 I0
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述基片還包含原硅酸四こ酷，即TEOS ;將至少一部分所述TEOS從所述基片除去；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物顯示出鍺-銻-碲相變合金/TEOS去除速率選擇性彡15 I。
全文摘要
一種用來對包含鍺-銻-碲硫?qū)倩锵嘧兒辖?GST)的基片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的方法，該方法使用化學(xué)機(jī)械拋光組合物，所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物主要由以下作為初始組分的物質(zhì)組成水；磨料；選自乙二胺四乙酸及其鹽的材料；氧化劑；所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物促進(jìn)獲得高的GST去除速率，并且缺陷率低。
文檔編號B24B37/00GK102756326SQ20121013913
公開日2012年10月31日 申請日期2012年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月28日
發(fā)明者K-A·K·雷迪, 張廣云, 李在錫, 郭毅 申請人:羅門哈斯電子材料Cmp控股股份有限公司