技術(shù)編號：3336228
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)機(jī)械拋光組合物及其使用方法。更具體來說，本發(fā)明涉及用來對包含鍺-銻-碲相變合金的基片進(jìn)行拋光的化學(xué)機(jī)械拋光組合物。背景技術(shù)使用相變材料的相變隨機(jī)存取存儲器(PRAM)設(shè)備已經(jīng)成為下一代存儲器設(shè)備的首選，其中的相變材料可以在通常為非晶態(tài)的絕緣材料和通常為晶態(tài)的導(dǎo)電材料之間發(fā)生電轉(zhuǎn)變。所述下一代PRAM設(shè)備可以代替常規(guī)的固態(tài)存儲設(shè)備，例如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器-DRAM-設(shè)備；靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器一SRAM-設(shè)備，可擦可編程只讀存儲器一EPR0M-設(shè)備...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。