專利名稱：一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用氣體霧化熔液制造超細粉體所用的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器。
背景技術：
氣體霧化法，又稱為噴霧法，它是利用氣體霧化介質的動能克服金屬液體原子間的鍵合力而使之分散成粉粒的制粉方法，它適用于多種粉體的生產(chǎn)，如鋁、錫、鉛、銅、銀、鎳等多種金屬粉末以及黃銅、青銅、不銹鋼、合金鋼、鐵基、鎳基、鈷基等合金粉末。氣體霧化法制取的金屬或合金粉末通常為球形或橢球形，由于氣體霧化具有高的冷卻速度和過冷度， 因此氣體霧化可有效地減少合金成分的偏折，獲得微觀組織細小、成分均勻、含氧量低的合金粉體。因此不僅為粉末冶金エ業(yè)提供優(yōu)質的原料，也為粉末的其它相關行業(yè)，如噴涂、噴焊、焊料等行業(yè)提供優(yōu)質的金屬及合金粉末。此外，通過控制冷凝速率，可以獲得具有非晶、 準晶、微晶或過飽和固溶體等非平衡組織的粉體，因此氣體霧化已經(jīng)廣泛地應用于高性能金屬、特種合金、復合材料等高技術領域。霧化的全過程極其復雜，霧化效果受多種因素影響，霧化技術的核心是如何將氣體的動能高效地轉化成霧化粉末的表面能。霧化中金屬液體流的粉碎程度，關鍵取決于氣流的動能。根據(jù)動能與質量、速度的關系可知，増大流量和速度，均可使動能增加。動能與速度的平方成正比，因此，提高氣流的速度，其效果會更為明顯。通常的氣體霧化大多數(shù)都為亞音速氣體霧化，在亞音速氣體霧化情況下，粉末的粒度分布很寬，而超音速氣體霧化技術使更小粒徑和更窄粒度分布粉體顆粒的獲得成為可能。霧化器是氣體霧化技術的核心，噴嘴控制氣流對金屬液流的作用過程，使氣流的動能轉化為新生粉末的表面能，因此霧化器尤其是噴嘴決定了霧化粉末的性能和霧化效卓?，F(xiàn)有技術中霧化器的結構形式多種多祥，按照噴嘴結構分為環(huán)孔型霧化器和環(huán)縫型霧化器，無論是環(huán)縫型還是環(huán)孔型結構的霧化器，在使用過程中經(jīng)常發(fā)生噴嘴和導流管堵塞的現(xiàn)象，這至少由以下幾方面原因造成的一是金屬液在流動過程中因為溫度降低出現(xiàn)凝固；二是噴嘴射出的氣流或多或少地會噴射到導流管端ロ產(chǎn)生強烈地冷卻，使液流凝固堵死導流管和噴嘴；三是導流管下方的負壓紊流區(qū)，使金屬液滴濺到噴嘴ロ造成堵死； 四是由于金屬液滴在霧化過程中出現(xiàn)反濺，即霧化的液滴向氣流霧化噴嘴的方向飛行，反濺的金屬液滴粘附到氣流霧化噴嘴的下端，并且不斷凝固積累，最終導致氣流霧化噴嘴和導流管堵塞而使霧化過程中斷；五是氣體霧化法制備合金粉末時經(jīng)常處于氧化氣氛中，勢必使合金粉末表面發(fā)生氧化；即使處于保護氣氛下，但由于保護氣體并非完全純凈，因此也不可避免使合金粉末表面發(fā)生一定程度氧化，在粉末表面形成薄層氧化膜，一旦氧化膜形成一定的厚度層，液滴表面張カ完全失效，影響粉末的成球率。隨著化合物量的增多，會將噴嘴和導流管堵塞。一旦噴嘴和導流管堵塞，生產(chǎn)將無法繼續(xù)進行。尤其對于由于化合物堵塞的情況，常規(guī)的將霧化器拆下疏通的辦法常常也不能解決問題，這主要是由于化合物的熔點普遍較高的緣故，在這種情況下，只有更換整個霧化器，這大大増加了生產(chǎn)成本，而且也影響制備效率及產(chǎn)品質量。目前，對霧化器進行改進更新的技術有很多，相關專利也有很多，但這些技術大多是有關如何控制金屬粉末粒度及如何提高生產(chǎn)效率等方面，本發(fā)明人在發(fā)明名稱為ー種防止高熔點物質堵塞的噴霧器，專利號為201110452116. 5在專利申請中提到了ー種解決霧化器堵塞問題，但依然存在因噴嘴出口與霧化點之間距離過長從而影響霧化粉體達到理想粉碎效果的技術問題，但是縮短噴嘴出口與霧化點之間的距離則容易引起噴嘴和導流管阻塞。而該技術問題正是本發(fā)明要解決的技術問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述的技術問題而提供一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器。本發(fā)明的技術方案
本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，即提供的用于防止金屬或合金堵塞尤其是金屬或合金氧化物等化合物堵塞問題的霧化器，它是通過改變霧化器的結構，在導流管與金屬外套之間留有的間隙及噴嘴的出氣管的間隙內(nèi)都分別安裝發(fā)熱體。同吋，在經(jīng)常發(fā)生氧化物等化合物粘附的導流管出口處和噴嘴的出氣管的出氣ロ處的端部分別安裝一個可更換的陶瓷圓環(huán)和金屬圓環(huán)，陶瓷圓環(huán)的內(nèi)表面放置或噴涂上與金屬或合金熔液及其氧化物或化合物難以粘附的物質，從而達到防止堵塞、解決堵塞的目的。所述的ー種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，包括導流管、噴嘴，金屬外套、陶瓷圓環(huán)、金屬圓環(huán)和金屬密封環(huán)，另外還包括墊圈；
所述的噴嘴上設有兩個進氣管和兩個出氣管；特別是所述的噴嘴的兩個出氣管采用Laval結構，噴嘴的兩個Iaval結構的出氣管的中軸線之間的夾角在20
ο ~ 75 ο之間；
其中每個Iaval結構的出氣管的外圍IOmnTlOOmm處都設置間隙，間隙內(nèi)都安裝發(fā)熱體 B，且每個Laval結構的出氣管的間隙的端部都采用金屬密封環(huán)螺紋連接密封，金屬密封環(huán)下端部凸出于噴嘴出氣管下端部；
進一歩，噴嘴的每個Iaval結構的出氣管的出氣ロ處的端部分別與金屬圓環(huán)連接，所述的金屬圓環(huán)內(nèi)徑按照Iaval結構的出氣管，金屬圓環(huán)外徑處與出氣管的端部采用螺紋連接；
所述的金屬外套的上端中心部分開有與導流管外徑相適應的孔，用以安裝導流管，金屬外套的下端敞ロ，金屬外套安裝時導流管與金屬外套同心；
所述的導流管的上端部的下緣和金屬外套的上端部在靠近內(nèi)徑的邊緣相應的位置上設有對應的凹入部分的槽，槽里面放置起定位作用的墊圈，最終保證導流管的下端部與金屬外套的下端部平齊；
導流管與金屬外套之間設有IOmnTlOOmm的間隙，間隙內(nèi)安裝發(fā)熱體A ；導流管與金屬外套不直接接觸，一方面可防止發(fā)熱體A與金屬外套之間的導電，另一方面可大大降低導流管熱量的散失；
所述的發(fā)熱體A及發(fā)熱體B上均設有外接電源接ロ并與外界電源連接，以防在本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器使用中發(fā)生金屬或低熔點物質堵塞的情況下，可通過發(fā)熱體A及發(fā)熱體B同時通電，對堵塞物加熱使其升溫熔化，達到解決金屬或合金堵塞的目的；
另外，優(yōu)選在金屬外套靠近發(fā)熱體A的內(nèi)表面設有金屬反射膜或噴涂而成一層白色反射涂層，是用來反射發(fā)熱體輻射的能量，從而達到減少能量損耗節(jié)能的效果； 所述的白色反射涂層所用的涂料優(yōu)選為氧化錫；
所述的陶瓷圓環(huán)與導流管等內(nèi)徑，陶瓷圓環(huán)的外徑小于金屬外套下端部內(nèi)徑，陶瓷圓環(huán)靠內(nèi)徑的邊緣上有一凸臺，該凸臺結構與導流管下端部的凹入部分相配合；
陶瓷圓環(huán)安裝到導流管的下端部并嵌入到金屬外套內(nèi)，陶瓷圓環(huán)的凸臺嵌入到導流管下端部的凹入部分上，陶瓷圓環(huán)與金屬外套采用螺紋連接，安裝完后，保證陶瓷圓環(huán)上與有凸臺一面對應的另一面要凸出于金屬外套的下端面；
陶瓷圓環(huán)的內(nèi)表面噴涂上與經(jīng)常發(fā)生堵塞的物質，如金屬、合金熔液、金屬氧化物或金屬化合物難以粘附的物質，用來防止氧化物或其它化合物在圓環(huán)狀物體表面的凝固積累， 從而達到防止堵塞、解決堵塞的目的；內(nèi)表面噴涂物質的選擇，將根據(jù)不同霧化金屬，采用潤濕角等方法來確定；
所述的金屬外套、導流管、陶瓷圓環(huán)、金屬圓環(huán)和金屬密封環(huán)可以根據(jù)霧化金屬或合金粉末不同，選擇不同的材料；
所述的金屬外套、金屬圓環(huán)和金屬密封環(huán)可選擇強度高、易于加工、價廉的材料，如碳鋼或不銹鋼；
所述的導流管、陶瓷圓環(huán)可選擇耐高溫、隔熱性好、惰性的、易于加工或即使難于加工但可制成簡單形狀的材料，如氧化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化硼陶瓷、氧化鋯陶瓷、碳化硅陶瓷及其它耐高溫陶瓷；
所述的發(fā)熱體A及發(fā)熱體B根據(jù)霧化金屬或合金粉末不同，可選用電爐絲、硅炭棒發(fā)熱體。上述的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器的組裝過程如下
首先在噴嘴的兩個Iaval結構的出氣管的間隙內(nèi)都安裝發(fā)熱體B，之后在噴嘴的兩個 aval結構的出氣管的間隙的端部都安裝金屬密封環(huán)，隨后在噴嘴的兩個Iaval結構的出氣管的出氣口處的端部都安裝金屬圓環(huán)，所述的金屬圓環(huán)內(nèi)徑按照Iaval結構的出氣管，金屬圓環(huán)外徑處與Iaval結構的出氣管的端部采用螺紋連接； 接著在金屬外套里面安裝發(fā)熱體A ；
隨后在發(fā)熱體A內(nèi)側放入導流管，導流管的中心與金屬外套的中心重合，最后在導流管下端部出口處放置陶瓷圓環(huán)，從而完成一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器安裝。利用上述的一種防止噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器來霧化制備金屬或合金超微粉末，即將上述的霧化器的金屬外套與熔體爐上的管道連接后即可進行生產(chǎn)，生產(chǎn)過程中萬一發(fā)生金屬或合金等低熔點物質阻塞的情況，接通電源通過發(fā)熱體A及發(fā)熱體 B進行加熱或更換導流管即可。本發(fā)明的有益效果
本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，通過改變霧化器的結構，在導流管和金屬外套之間安裝發(fā)熱體A的同時，還在噴嘴出氣管引入Laval結構的間隙內(nèi)都安裝發(fā)熱體B，通過同時加熱，可有效地消除金屬或合金形成的低熔點堵塞物，還能夠預熱霧化氣體和對金屬熔液起到保溫作用，能夠有效地防止金屬熔液因天氣變化等原因造成的流動過程中產(chǎn)生的冷卻凝固，從而避免噴嘴和導流管下端部堵塞使霧化無法繼續(xù)的現(xiàn)象發(fā)生。此外，發(fā)熱體的采用，可消除低熔點堵塞物的干擾，因此有利于縮短氣流與液流的撞擊點到導流管下端部的距離及保持氣流的速度，這對于獲得更小粒徑和更窄粒度分布粉體顆粒非常有利。本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，通過噴嘴的兩個 Iaval結構的出氣管的出氣口處的端部和導流管下端部出口處分別安裝的可更換的金屬圓環(huán)和陶瓷圓環(huán)，可以在氧化物或其它化合物發(fā)生堵塞的情況，通過更換它們，達到保護霧化器其它組件的作用，節(jié)約了材料，降低了生產(chǎn)成本。本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器中大部分材料采用金屬材料，不僅價格低廉、加工方便，可重復使用，而且可防止導流管下端部與高速冷氣流接觸，受熱狀態(tài)顯著改善，抗熱震性能提高，不易炸裂。由于金屬外套的保護，導流管安全性能提高，不易發(fā)生折斷或損壞。Laval結構的使用，可使高壓氣流通過霧化器被加速到超音速水平，有利于獲得更小粒徑和更窄粒度分布粉體顆粒。本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，在導流管與金屬外套之間有間隙隔熱，金屬外套不與導流管接觸，散熱面積減小，噴嘴的兩個出氣管引入Laval 結構，通過Laval結構的出氣管的間隙內(nèi)分別安裝發(fā)熱體B同時預熱霧化氣體，使導流管不直接接觸高速冷氣流，這些措施可大幅度保持熔體的溫度，減少熔體霧化過熱度和減少堵塞的危險；發(fā)熱體的使用，也為降低霧化過熱度提供了保障。熔體過熱度的降低，可有效減弱熔體與導流管之間的反應，減輕成分污染，提高粉末的質量。另外，本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，結構簡單，使用方便，成本低，可以多次重復使用，可以快速地將堵塞疏通而不損壞霧化器，因此解決堵塞、 疏通堵塞效果好，可以大大節(jié)省為疏通或更換噴嘴和導流管的工作，提高了生產(chǎn)效率，降低了勞動強度。


圖1、本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器的結構示意圖，圖中1為導流管，2為墊圈，3為金屬外套，4為發(fā)熱體A，5為導流管與金屬外套之間的間隙， 6為反射涂層，7為陶瓷圓環(huán)，8為噴嘴，91和92為噴嘴的進氣管，101和102為噴嘴的兩個 Laval結構的出氣管的間隙，111和112為噴嘴的兩個Laval結構的出氣管，121和122為發(fā)熱體B，131和132為金屬密封環(huán)，141和142為金屬圓環(huán)；
圖2、本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器中噴嘴的右側Laval 結構的出氣管111、發(fā)熱體B121、金屬密封環(huán)131和金屬圓環(huán)141的結構示意放大圖，其中 101為噴嘴的出氣管的間隙，111為噴嘴的Laval結構的出氣管，121為發(fā)熱體B，131為金屬密封環(huán)，141為金屬圓環(huán)。
具體實施例方式下面通過實施例并結合附圖對本發(fā)明作進一步闡述，但并不限制本發(fā)明。實施例1
一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，其結構示意圖如圖1所示，它包括1 為導流管，2為墊圈，3為金屬外套，4為發(fā)熱體A，5為導流管與金屬外套之間的間隙，6為反射涂層，7為陶瓷圓環(huán)，8為噴嘴，91和92為噴嘴的進氣管，101和102為噴嘴的兩個Iaval 結構的出氣管的間隙，111和112為噴嘴的兩個Laval結構的出氣管，121和122為發(fā)熱體 B，131和132為金屬密封環(huán)，141和142為金屬圓環(huán)；
所述的噴嘴8上設有噴嘴的兩個進氣管91和92及兩個Laval結構的出氣管111和
112 ；
所述的噴嘴8的兩個Laval結構的出氣管111和112的中軸線之間的夾角在20。
75 °之間，兩個Iaval結構的出氣管111和112的外圍IOmnTlOOmm處設置間隙101和102，
間隙101和102內(nèi)安裝發(fā)熱體B121和122，噴嘴8的兩個Laval結構的出氣管111和112 的出氣口處的端部安裝金屬圓環(huán)141和142，金屬圓環(huán)141和142的內(nèi)徑按照Iaval結構的出氣管111和112，金屬圓環(huán)141和142的外徑處與兩個Iaval結構的出氣管111和112 的端部采用螺紋連接，噴嘴8的兩個Laval結構的出氣管111和112的間隙101和102的端部采用金屬密封環(huán)131和132螺紋密封連接；
所述的金屬外套3為圓筒狀，采用碳鋼或不銹鋼材料，金屬外套3的上端中心部分開有與導流管1外徑相適應的孔，用以安裝導流管1，金屬外套3的下端敞口 ；
所述的導流管1采用氧化鋁陶瓷，安裝時使導流管1與金屬外套3同心，導流管1的上端部的下緣和金屬外套3上端部在靠近內(nèi)徑的邊緣相應的位置上設有對應的凹入部分的槽，槽里面放置的墊圈2起定位作用，以保證導流管1與金屬外套3下端部平齊；
導流管1與金屬外套3之間設有IOmnTlOOmm的間隙5，在間隙5里安裝發(fā)熱體A4，發(fā)熱體A4及上述的發(fā)熱體B121和122上均設有外接電源接口并與外界電源連接，在本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器發(fā)生金屬或低熔點物質堵塞的情況下， 可通過發(fā)熱體A4和發(fā)熱體B121和122通電，對堵塞物加熱使其升溫熔化，達到防止金屬或合金堵塞的目的；
在金屬外套3靠近發(fā)熱體A4的內(nèi)表面噴涂一層氧化錫而成白色反射涂層6，當發(fā)熱體 A4工作時，白色反射涂層6對發(fā)熱體A4輻射的熱量起反射作用，防止熱量的消耗；
所述的陶瓷圓環(huán)7采用氧化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化硼陶瓷、氧化鋯陶瓷或碳化硅陶瓷材料，陶瓷圓環(huán)7與導流管1等內(nèi)徑，陶瓷圓環(huán)7的外徑小于金屬外套3下端部內(nèi)徑，陶瓷圓環(huán)7靠內(nèi)徑的邊緣上有一凸臺，該凸臺結構與導流管下端部的凹入部分相配合；
陶瓷圓環(huán)7安裝到導流管1的下端部并嵌入到金屬外套3內(nèi)，陶瓷圓環(huán)7的凸臺嵌入到導流管1下端部的凹入部分上，陶瓷圓環(huán)7與金屬外套3采用螺紋連接，安裝完后，保證陶瓷圓環(huán)7上與有凸臺一面對應的另一面要凸出于金屬外套3的下端面；
陶瓷圓環(huán)7的內(nèi)表面噴涂上與金屬或合金熔液及其氧化物或化合物難以粘附的物質； 當本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器發(fā)生高熔點物質堵塞的情況下，可通過更換陶瓷圓環(huán)7或者金屬圓環(huán)141和142。當霧化器的陶瓷圓環(huán)7或金屬圓環(huán)141和142拆卸以后，其上的粘附物可采用硬質合金、立方氮化硼或金剛石刀具等切割工具除去。應用實施例1
實施例1所述的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器在金屬或合金超微粉末制備過程中的應用，方法如下 霧化器的組裝
首先在Laval結構的噴嘴的兩個出氣管111和112處設置的間隙101和102內(nèi)都安裝發(fā)熱體B121和122，之后在噴嘴的兩個出氣管111和112的間隙101和102的端部螺紋安裝金屬密封環(huán)131和132，隨后在噴嘴的兩個出氣管111和112的出氣口處的端部安裝金屬圓環(huán)141及142，所述的金屬圓環(huán)141及142內(nèi)徑按照出氣管的Iaval結構，金屬圓環(huán)141 和142的外徑處與出氣管111和112的端部采用螺紋連接，具體見圖2以一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器中噴嘴的右側Laval結構的出氣管111、發(fā)熱體B121、金屬密封環(huán)131和金屬圓環(huán)141的結構示意放大圖為例進行說明，其中101為噴嘴的出氣管的間隙，111為噴嘴的Laval結構的出氣管，121為發(fā)熱體B，131為金屬密封環(huán)，141為金屬圓環(huán)；
接著在金屬外套3里面安裝發(fā)熱體A4 ；隨后在發(fā)熱體A4內(nèi)側放入導流管1 ；最后在導流管1的下端部出口處放置陶瓷圓環(huán)7，從而完成防止高熔點物質堵塞的霧化器的安裝；
利用上述的一種防止金屬或合金堵塞型的霧化器來霧化制備金屬或合金細粉，即將上述的霧化器的導流管1與熔體爐上的管道連接后即可進行生產(chǎn)，生產(chǎn)過程中陶瓷圓環(huán)7或金屬圓環(huán)14處萬一發(fā)生金屬或合金阻塞的情況，接通電源加熱使發(fā)熱體A4或發(fā)熱體B121 和122起作用或更換陶瓷圓環(huán)7及金屬圓環(huán)141和142，可繼續(xù)生產(chǎn)，從而提高了生產(chǎn)效率。通過使用結果表明，與現(xiàn)有霧化器相比，本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器在金屬或合金粉體制備中的使用可防止金屬或合金的阻塞問題從而降低了物料的損耗，即節(jié)約了材料，降低了生產(chǎn)成本，也提高了產(chǎn)品的質量。上述內(nèi)容僅為本發(fā)明構思下的基本說明，而依據(jù)本發(fā)明的技術方案所作的任何等效變換，均應屬于本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，包括導流管、噴嘴、金屬外套、 陶瓷圓環(huán)和發(fā)熱體A，所述的金屬外套的上端中心部分開有與導流管外徑相適應的孔，用以安裝導流管，金屬外套的下端敞ロ；所述的導流管的上端部的下緣和金屬外套的上端部在靠近內(nèi)徑的邊緣設有對應的凹入部分的槽，且金屬外套安裝時導流管與金屬外套同心；導流管與金屬外套之間設有IOmnTlOOmm的間隙，間隙內(nèi)安裝發(fā)熱體A ；所述的陶瓷圓環(huán)與導流管等內(nèi)徑，陶瓷圓環(huán)的外徑小于金屬外套下端部內(nèi)徑，陶瓷圓環(huán)靠內(nèi)徑的邊緣上有ー凸臺，該凸臺結構與導流管下端部的凹入部分相配合；陶瓷圓環(huán)安裝到導流管的下端部并嵌入到金屬外套內(nèi)，陶瓷圓環(huán)的凸臺嵌入到導流管下端部的凹入部分上，陶瓷圓環(huán)與金屬外套采用螺紋連接，安裝完后，保證陶瓷圓環(huán)上與有凸臺一面對應的另一面要凸出于金屬外套的下端面；陶瓷圓環(huán)的內(nèi)表面噴涂上與金屬、合金熔液、金屬氧化物或金屬化合物難以粘附的物質；其特征在于還包括一個墊圈，所述的墊圈安放在上述的導流管的上端部的下緣和金屬外套的上端部在靠近內(nèi)徑的邊緣設有對應的凹入部分的槽內(nèi)；且所述的噴嘴設有兩個進氣管和兩個Laval結構的出氣管，其中每個Iaval結構的出氣管的外圍IOmnTlOOmm處都設置間隙，間隙內(nèi)都安裝發(fā)熱體B，且每個Laval結構的出氣管的間隙的端部都采用金屬密封環(huán)螺紋連接密封，金屬密封環(huán)下端部凸出于噴嘴出氣管的下端部；每個Iaval結構的出氣管的出氣ロ處的端部分別與金屬圓環(huán)連接，所述的金屬圓環(huán)內(nèi)徑按照Iaval結構的出氣管，金屬圓環(huán)外徑處與出氣管的端部采用螺紋連接；所述的發(fā)熱體A及發(fā)熱體B上分別設有外接電源接ロ并與外界電源連接。
2.如權利要求1所述的ー種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，其特征在于在金屬外套靠近發(fā)熱體A的內(nèi)表面設有金屬反射膜或噴涂而成的白色反射涂層。
3.如權利要求2所述的ー種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，其特征在于所述的白色反射涂層所用的涂料選用氧化錫。
4.如權利要求3所述的ー種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，其特征在于所述的陶瓷圓環(huán)選用氧化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化硼陶瓷、氧化鋯陶瓷或碳化硅陶瓷。
5.如權利要求4所述的ー種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，其特征在于所述的金屬外套、金屬圓環(huán)和金屬密封環(huán)選用碳鋼或不銹鋼。
6.如權利要求5所述的ー種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，其特征在于所述的墊圈采用塑料或金屬墊圈。
7.如權利要求6所述的ー種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，其特征在于所述的發(fā)熱體A或發(fā)熱體B選用電爐絲或硅炭棒。
8.如權利要求廣7任ー權利要求所述的ー種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，其特征在于所述的導流管選用氧化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化硼陶瓷、氧化鋯陶瓷或碳化硅陶瓷。
9.利用權利要求廣8任ー權利要求所述的ー種防止噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器來霧化制備金屬或合金超微粉末。
全文摘要
本發(fā)明公開一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，由導流管、噴嘴、金屬外套、陶瓷圓環(huán)、金屬密封環(huán)、金屬圓環(huán)、發(fā)熱體A及墊圈等組成，導流管與金屬外套之間留有的間隙安裝發(fā)熱體A,噴嘴的兩個laval結構的出氣管的間隙內(nèi)都安裝發(fā)熱體B。金屬外套內(nèi)表面設有金屬反射膜或噴涂而成的白色反射涂層，金屬外套與導流管兩者的下端部平齊，且與陶瓷圓環(huán)采用螺紋連接。噴嘴的兩個laval結構的出氣管的出氣口處的端部都安裝金屬圓環(huán)，出氣管的間隙的端部都采用金屬密封環(huán)螺紋連接密封。本發(fā)明的一種解決噴嘴和導流管高熔點物質堵塞的霧化器，可有效解決高熔點物質堵塞問題，且具有結構簡單、安裝方便、節(jié)省材料等優(yōu)點。
文檔編號B22F9/08GK102528061SQ20121004894
公開日2012年7月4日 申請日期2012年2月29日 優(yōu)先權日2012年2月29日
發(fā)明者徐家躍, 江國健 申請人:上海應用技術學院