專利名稱：蒸鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成蒸鍍膜的裝置，特別涉及為了在熔融狀態(tài)下使蒸發(fā)材料蒸發(fā)而在基板上形成薄膜的有效的蒸鍍裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，活躍地開發(fā)著有機(jī)EL元件。期待將有機(jī)EL顯示器(有機(jī)EL顯示裝置)作為替代液晶、等離子顯示器等的下一代薄膜顯示器?，F(xiàn)在，有機(jī)EL顯示器也正用于便攜電話等攜帶設(shè)備、汽車音響。另外，有機(jī)EL照明追趕已經(jīng)被產(chǎn)品化的LED照明之后地進(jìn)行開發(fā)。特別是LED照明由于幾乎為點(diǎn)發(fā)光，因此即使向著小型化發(fā)展也需要在發(fā)熱的制約、光的擴(kuò)散方面進(jìn)行鉆研。另一方面可認(rèn)為，有機(jī)EL照明具有為面發(fā)光、對(duì)形狀沒有制約、是透明的等特色，今后有可能向生活領(lǐng)域(住々分K )進(jìn)展或進(jìn)一步超越LED并普及。 在有機(jī)EL顯示裝置、照明裝置中使用的有機(jī)EL元件是用陰極和陽極夾著有機(jī)層的夾心狀結(jié)構(gòu)形成在玻璃板、塑料板等基板上的元件。通過對(duì)該陰極和陽極施加電壓，來自各自的電子和空穴被注入到有機(jī)層，它們再結(jié)合而產(chǎn)生激子(激發(fā)子)，由此發(fā)光。該有機(jī)層成為包含電子注入層、電子輸送層、發(fā)光層、空穴輸送層、空穴注入層的多層膜的結(jié)構(gòu)。在該有機(jī)層中使用的有機(jī)材料具有高分子和低分子。其中的低分子材料使用蒸鍍裝置成膜。一般，在電極中，作為陰極使用金屬材料，作為陽極使用透明導(dǎo)電材料。陰極為了將電子注入到有機(jī)層，功函數(shù)小是有利的，陽極為了將空穴注入到空穴注入層、空穴輸送層等有機(jī)層，功函數(shù)大是必須的。具體地說，陽極使用銦錫氧化物(ITO)、氧化錫(SnO2)等。陰極使用MgAg(比率為9 I)合金、Al等。很多時(shí)候這些陰極材料使用蒸鍍裝置成膜。使用將“專利文獻(xiàn)I”的附圖簡略化了的圖18說明以往的蒸鍍裝置中使用的蒸發(fā)源的例子。蒸發(fā)材料5被收容在由坩堝主體I和噴嘴(結(jié)構(gòu)物)2構(gòu)成的坩堝中，通過加熱器3將該坩堝加熱，通過反射器4將散失的熱量返回到坩堝、加熱器3使熱效率提高而加熱蒸發(fā)材料5。被加熱了的蒸發(fā)材料5通過升華或氣化而蒸發(fā)，從噴嘴(結(jié)構(gòu)物)2的開口部9噴出，蒸發(fā)材料5被蒸鍍在未圖示的基板上。特別是在蒸發(fā)材料5為Al時(shí)，Al由于在熔點(diǎn)以下蒸氣壓低，因此將溫度設(shè)置在熔點(diǎn)(660°C)以上在熔融狀態(tài)下蒸鍍。此時(shí)，已知產(chǎn)生熔融了的Al沿著坩堝的內(nèi)壁面上升，從坩堝溢出，也就是所謂的向上蠕動(dòng)現(xiàn)象。有時(shí)熔融了的Al在圖17的坩堝(主體)1的內(nèi)壁向上蠕動(dòng)，根據(jù)溫度等條件從噴嘴2的開口部9在噴嘴(結(jié)構(gòu)物)2上面向上蠕動(dòng)，繞回到由配置有加熱器3的坩堝(主體)I和噴嘴2和反射器4包圍的加熱室10。即使在未向上蠕動(dòng)到噴嘴2上表面時(shí)，很多時(shí)候熔融Al在坩堝(主體)I和噴嘴2的間隙向上蠕動(dòng)，從坩堝(主體)I和噴嘴2的間隙作為Al蒸氣繞回到加熱室10。若Al進(jìn)入到加熱室10，則存在以下問題附著反應(yīng)于加熱器3、反射器4，使加熱器3劣化成為斷線的原因，或在支承加熱器3的未圖示的絕緣體(絶緑礙子)堆積而具有導(dǎo)電性，在反射器4堆積，經(jīng)由具有表面導(dǎo)電性的絕緣體，成為加熱器3和反射器4(此時(shí)被接地)電短路等、蒸鍍裝置的蒸發(fā)源故障的原因。另外，在“專利文獻(xiàn)2”中公開了使用了坩堝主體和噴嘴為一體結(jié)構(gòu)的坩堝的蒸鍍裝置。但是，存在以下問題，這樣的開口部比坩堝底面小的結(jié)構(gòu)，制作困難，即使能夠制作也為高成本。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2008-024998號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2 :日本特開2007-046100號(hào)公報(bào)在蒸發(fā)源的Al被熔融了時(shí)可知產(chǎn)生如下的現(xiàn)象，S卩，熔融了的Al沿著坩堝的內(nèi)壁面上升，從坩堝溢出的向上蠕動(dòng)的現(xiàn)象。存在以下問題，即，由于該Al的向上蠕動(dòng)或由于Al蒸氣浸入，Al附著到加熱用加熱器、或支撐加熱器并應(yīng)具有電絕緣性的絕緣體上而產(chǎn)生電短路，成為蒸發(fā)源故障、破損的原因。另外，在坩堝主體和噴嘴為一體的坩堝中，有制作困難成本高的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為以低成本提供一種具有防止Al的向上蠕動(dòng)或Al蒸氣浸入而難以引起破損的蒸發(fā)源的蒸鍍裝置。在本說明書公開的發(fā)明之中，若說明代表性的蒸鍍裝置的概要，則如下所述。發(fā)明人通過實(shí)驗(yàn)和通過反復(fù)的實(shí)驗(yàn)而得出的經(jīng)驗(yàn)，得到了有關(guān)鋁的向上蠕動(dòng)、或Al蒸氣浸入的以下的見解。圖17與圖18同樣，有時(shí)熔融Al在由具有坩堝凸緣8的坩堝主體I和噴嘴2以及圓筒狀的固定件7包圍的路徑(間隙)向上蠕動(dòng)，或從坩堝主體I和噴嘴2的間隙作為Al蒸氣進(jìn)入到加熱室。實(shí)際上，即使在短期內(nèi)以1400°C以上蒸鍍Al后進(jìn)行觀察，則Al浸入到坩堝凸緣8和噴嘴2的間隙，繞回到加熱室。另外，即使在1400°C以下未明顯地看到向上蠕動(dòng)時(shí)，在長時(shí)間使用后，也看到了加熱器3的變質(zhì)、Al向反射器4的上部附著、反射物質(zhì)的變質(zhì)、變形。這可認(rèn)為是因?yàn)檑釄逯黧wI內(nèi)的Al蒸氣，由坩堝凸緣8和噴嘴2以及圓筒狀的固定件7形成由箭頭和虛線表示了那樣的路徑11，Al蒸氣沿著該路徑浸入到加熱室10。若為了保持這樣的狀態(tài)進(jìn)行Al蒸鍍而加熱到高溫，則加熱室10內(nèi)的Al蒸發(fā)而堆積在坩堝凸緣背側(cè)，或Al堆積在支承加熱器3并與反射器接觸的未圖示的絕緣體表面，從而使得加熱器3容易短路。另外，加熱線變質(zhì)而變得容易斷線。如上所述，在圖17那樣的結(jié)構(gòu)中，形成Al向上蠕動(dòng)、Al蒸氣容易向加熱室浸入的路徑11，因此蒸發(fā)源容易產(chǎn)生故障、破壞。另一方面，在圖17的噴嘴2的上表面未看到Al的向上蠕動(dòng)，Al的上表面和圓筒狀固定件7的間隙也從噴嘴2的開口部9分離，因此，難以產(chǎn)生Al蒸氣向加熱室10的侵入。未看到Al向噴嘴2的上表面的向上蠕動(dòng)可認(rèn)為是因?yàn)锳l的上表面向真空開放，熱輻射大，與開口部9相比，溫度降低大的緣故。根據(jù)以上內(nèi)容可認(rèn)為，若設(shè)置成不形成來自坩堝I內(nèi)的Al蒸氣向加熱器3容易浸入的路徑的結(jié)構(gòu)，則Al的向上蠕動(dòng)變難，另外Al蒸氣進(jìn)入加熱室變難，蒸發(fā)源難以故障、破壞。因此，設(shè)計(jì)了圖I所示的結(jié)構(gòu)的蒸發(fā)源。與圖17的不同點(diǎn)為噴嘴2和坩堝主體I之間的關(guān)系。在圖I中由于噴嘴2配置在坩堝主體I的內(nèi)側(cè)，因此對(duì)于圖17那樣的路徑11設(shè)有切口 12。在此，所謂的切口 12是指在噴嘴的開口部附近不存在將蒸氣導(dǎo)入到加熱室那樣的路徑的構(gòu)成。通過存在該切口 12，即使通過坩堝凸緣8和噴嘴2以及圓筒狀的固定件7也不形成Al蒸氣浸入的路徑。另外，由于Al在高溫下與金屬反應(yīng)而成為合金，因此坩堝用陶瓷等絕緣體進(jìn)行制作。例如PBN(Pyrolytic Boron Nitride,熱解氮化硼)為通過氣相成長法(CVD法)而制造了的氮化硼(BN)。由此，坩堝主體I和噴嘴2成為一體的伸出結(jié)構(gòu)在制造時(shí)花費(fèi)時(shí)間成本變高。坩堝主體不是伸出結(jié)構(gòu)，即成為開口部比底部變寬的結(jié)構(gòu)。從而，分別單獨(dú)地進(jìn)行制作并組裝，成本變低，另外，根據(jù)條件，噴嘴的開口直徑也能夠變化，也變得使用方便。另外，如圖5所示，使噴嘴(結(jié)構(gòu)物)2從坩堝主體I露出。據(jù)此，噴嘴開口部的溫度降低，能夠防止Al向上蠕動(dòng)。綜上所述，具體的主要的手段如下。(I)蒸鍍裝置的特征在于其是如下的結(jié)構(gòu)至少由固定件、噴嘴結(jié)構(gòu)物、坩堝和加熱部(加熱器)構(gòu)成，噴嘴構(gòu)造物設(shè)置在上述坩堝開口部，上述噴嘴結(jié)構(gòu)物不和由除其以外的蒸發(fā)源部件形成的路徑存在加熱部的空間(加熱室)相連接。 另外，蒸鍍裝置的特征在于其是如下的結(jié)構(gòu)至少由固定件、噴嘴結(jié)構(gòu)物、坩堝和加熱部(加熱器)構(gòu)成，噴嘴構(gòu)造物設(shè)置在上述坩堝開口部，在上述噴嘴結(jié)構(gòu)物和由除其以外的蒸發(fā)源部件形成的路徑存在加熱部的空間(加熱室)之間的路徑上具有切口。(2)進(jìn)而，蒸鍍裝置的特征在于，其是上述噴嘴結(jié)構(gòu)物向坩堝外部露出的結(jié)構(gòu)。發(fā)明效果由于是在噴嘴結(jié)構(gòu)物和由除其以外的蒸發(fā)源部件形成的路徑存在加熱部的空間(加熱室)之間具有切口的結(jié)構(gòu)，因此，Al蒸氣難以進(jìn)入加熱室，也很難產(chǎn)生Al向加熱室的繞回、向上蠕動(dòng)。另外，由于上述噴嘴結(jié)構(gòu)物是從固定件向坩堝外部露出的結(jié)構(gòu)，通過坩堝使得溫度降低，難以產(chǎn)生Al的向上蠕動(dòng)。進(jìn)而，由于開口部比底部變寬的結(jié)構(gòu)的坩堝制作容易，因此低成本。據(jù)此，能夠低價(jià)地提供具有能夠防止Al蒸氣的繞回、鋁的向上蠕動(dòng)從而難以引起故障、破損的蒸發(fā)源的蒸鍍裝置。


圖I是實(shí)施例I的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。圖2是實(shí)施例I的蒸鍍裝置的坩堝的說明圖。圖3是使用了實(shí)施例I的蒸鍍源的蒸鍍裝置的概略構(gòu)成圖。圖4是表不了有機(jī)EL顯不器生廣工序的一例的工序圖。圖5是實(shí)施例2的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。圖6是實(shí)施例2的蒸鍍裝置的概略構(gòu)成圖。圖7是實(shí)施例3的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。圖8是實(shí)施例3的蒸鍍裝置的概略構(gòu)成圖。圖9是實(shí)施例4的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。圖10是實(shí)施例4的蒸鍍裝置的概略構(gòu)成圖。圖11是實(shí)施例5的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。圖12是實(shí)施例5的其他的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。
圖13是實(shí)施例6的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。圖14是實(shí)施例6的蒸鍍裝置的其他的蒸發(fā)源的概略剖視圖。圖15是實(shí)施例7的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視(側(cè)視)圖。圖16是實(shí)施例7的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視(俯視)圖。圖17是用于與實(shí)施例I進(jìn)行比較的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。圖18是表示以往技術(shù)的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。 附圖標(biāo)記的說明I...坩堝(主體)；2.噴嘴(結(jié)構(gòu)物)；3.加熱器(加熱器件)；4.反射器；5...蒸發(fā)材料；6...外筒；7...固定件；8...坩堝凸緣；9...開口部；10...加熱室；
11...路徑；12...切口；13...支撐結(jié)構(gòu)；14...真空腔室；15...基板；16...有機(jī)薄膜；
17...金屬掩模；18...蒸發(fā)源；19...膜厚監(jiān)測器；20...水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)；21...蒸發(fā)源導(dǎo)軌；22...膜厚控制器；23...電源；24...水平驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)控制器；25...控制器；26...蒸鍍源單元；27...輔助加熱器；28...加熱器嵌入式坩堝；29...坩堝外延部；30...固定件側(cè)面端部；31...坩堝外延部端部；32...冷卻機(jī)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式下面，使用實(shí)施例詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式。再有，在用于說明實(shí)施方式的全部附圖中，對(duì)具有相同功能的部件標(biāo)注相同附圖標(biāo)記，并省略對(duì)其重復(fù)的說明。實(shí)施例I從圖I到圖4及圖17是說明該實(shí)施例的圖。圖I是該實(shí)施例的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。圖17是用于與實(shí)施例I進(jìn)行比較的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。圖2是實(shí)施例I的蒸鍍裝置的坩堝的說明圖。圖3是使用了實(shí)施例I的蒸鍍源的蒸鍍裝置的概略構(gòu)成圖。圖4是表不了有機(jī)EL顯不器生產(chǎn)工序的一例的工序圖。首先，為了與實(shí)施例I進(jìn)行比較，對(duì)圖17的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源進(jìn)行說明。圖17的蒸發(fā)源由具有坩堝凸緣8的坩堝(主體)I、加熱器(加熱器件)3、反射器4、蒸發(fā)材料5、外筒6、具有開口部9的噴嘴(結(jié)構(gòu)物)2以及固定件7構(gòu)成。將被外筒6和坩堝I包圍、存在加熱器3的區(qū)域稱為加熱室10。在圖17中，通過由來自未圖示的電源的電力而成為了高溫的加熱器3將進(jìn)入到坩堝主體I的蒸發(fā)材料5即Al加熱到熔點(diǎn)660°C以上而成為熔融狀態(tài)。通過反射器4使來自加熱器3的輻射熱量反射，返回到加熱器3或坩堝1，使產(chǎn)生了的熱量盡量不浪費(fèi)地用于加熱Al。它們?nèi)菁{在外筒6之中，坩堝I在坩堝凸緣8被外筒6支撐。在坩堝凸緣8上配置具有開口部9的噴嘴(結(jié)構(gòu)體)2，坩堝I和噴嘴(結(jié)構(gòu)體)2通過固定件7被固定在外筒6。它們被設(shè)置在維持為高真空的未圖示的真空腔室之中。外筒6通過未圖示的水冷等冷卻機(jī)構(gòu)被冷卻，抑制向真空腔室內(nèi)的多余的排出氣體或抑制真空腔室自身的高溫化。從熔融狀態(tài)的Al產(chǎn)生Al蒸氣，充滿到坩堝I內(nèi)，從噴嘴2的開口部9噴出Al蒸氣。該噴出了的Al蒸氣被噴到與未圖示的噴嘴2的開口部9相對(duì)應(yīng)地配置的基板上，進(jìn)行蒸鍍。在熔融了該蒸發(fā)源的Al的情況下，可知產(chǎn)生熔融了的Al沿著坩堝I的內(nèi)壁面上升，從坩堝溢出的向上蠕動(dòng)現(xiàn)象。在圖17中，熔融Al沿著由具有坩堝凸緣8的坩堝主體I和噴嘴2、以及圓筒狀的固定件7包圍了的路徑(間隙)向上蠕動(dòng)，或者從坩堝主體I和噴嘴2的間隙作為Al蒸氣進(jìn)入到加熱室。實(shí)際上，若在短期間內(nèi)以1400°C以上蒸鍍Al后進(jìn)行觀察，則Al浸入到坩堝凸緣8和噴嘴2的間隙，繞回到加熱室。另外，即使在1400°C以下未明顯地看到向上蠕動(dòng)時(shí)，在長時(shí)間使用后，也看到加熱器3的變質(zhì)、Al向反射器4的上部附著、反射物質(zhì)的變質(zhì)、變形。
這可認(rèn)為是因?yàn)閺嫩釄逯黧wI內(nèi)產(chǎn)生了的Al蒸氣沿著由坩堝凸緣8和噴嘴2以及圓筒狀的固定件7形成了的、用箭頭和虛線表示那樣的路徑11，浸入到加熱室10的緣故。若保持這樣的狀態(tài)，為了進(jìn)行Al蒸鍍而對(duì)加熱器進(jìn)行加熱，則從加熱室10內(nèi)的上述路徑11進(jìn)入堆積了的Al再次蒸發(fā)而堆積在坩堝凸緣背側(cè)，或Al堆積在支承加熱器3并與反射器4接觸的未圖示的絕緣體表面，從而使得加熱器3變得容易短路。另外，加熱線變質(zhì)而變得容易斷線。如上所述，在圖17那樣的結(jié)構(gòu)中，形成Al向上蠕動(dòng)、Al蒸氣容易向加熱室浸入的路徑11，因此蒸發(fā)源容易破壞、產(chǎn)生故障。但是，在圖17的噴嘴2的上表面未看到Al的向上蠕動(dòng)，Al的上表面和圓筒狀固定件7的間隙也從噴嘴2的開口部9分離，因此，難以產(chǎn)生Al蒸氣向加熱室10的侵入?？烧J(rèn)為未看到Al向噴嘴2的上表面的向上蠕動(dòng)是因?yàn)锳l的上表面向真空開放，熱輻射大，t匕開口部9大，溫度降低的緣故。根據(jù)以上內(nèi)容可認(rèn)為，若設(shè)置成不形成來自坩堝I內(nèi)的Al蒸氣向加熱器3容易浸入的路徑的結(jié)構(gòu)，或在Al蒸氣從噴嘴向加熱器的路徑上具有切口或間隔，則Al的向上蠕動(dòng)、Al蒸氣向加熱室繞回變難，蒸發(fā)源難以破壞、產(chǎn)生故障。圖I是表示本發(fā)明的實(shí)施例I的蒸發(fā)源的構(gòu)成的剖視圖。與圖17的不同點(diǎn)為噴嘴2和坩堝主體I之間的關(guān)系。在圖I中由于噴嘴2配置在坩堝主體I的內(nèi)側(cè)，因此不形成圖17那樣的Al的蒸氣等的路徑。即，設(shè)有與路徑11相對(duì)的切口 12。在此，所謂的切口12是指在噴嘴的開口附近不存在將蒸氣導(dǎo)入到加熱室那樣的路徑的構(gòu)成。S卩，在圖I中，所謂的切口 12是指用虛線表示那樣地，在噴嘴的開口部附近，不形成在固定件7和噴嘴2或坩堝凸緣8之間將蒸氣導(dǎo)入到加熱室10那樣的路徑，蒸氣僅朝向上方、外側(cè)被排出。由于存在該切口 12，即使通過坩堝凸緣8和噴嘴2、以及圓筒狀的固定件7也不形成Al蒸氣浸入的路徑。將圖I的整體稱為蒸鍍源單元26。在圖I、圖17中，描繪成坩堝凸緣8和固定件7、坩堝凸緣8和外筒6、固定件7和外筒6較大地分離，但是這是為了容易地說明“路徑”而有意地分離地描繪。實(shí)際上，它們接觸地設(shè)置，但若從微觀來看，則是夸張地描繪了產(chǎn)生附圖中那樣的間隙的情況。下面的同樣的附圖也是相同的。另外，由于Al在高溫下與金屬反應(yīng)而產(chǎn)生合金，因此坩堝用陶瓷等絕緣體進(jìn)行制作。例如PBN(Pyrolytic Boron Nitride,熱解氮化硼)為通過氣相成長法(CVD法)而制造的氮化硼(BN)。此時(shí)，若減小坩堝的開口部，則坩堝主體成為伸出結(jié)構(gòu)。但是，坩堝主體I和噴嘴2成為一體的伸出結(jié)構(gòu)花費(fèi)時(shí)間成本變高。即，為了通過氣相成長形成坩堝，在模型的周圍堆積PBN，但在伸出結(jié)構(gòu)中，不能夠拔出模型，必須熔化模型。從而，坩堝的制作時(shí)間以及材料成本增大。在本發(fā)明中，分別地做成坩堝主體I和噴嘴2。從而，本發(fā)明中的坩堝主體I不需要成為伸出結(jié)構(gòu)。即，能夠成為底部和開口部為相同的直徑，或開口部比底部擴(kuò)大的結(jié)構(gòu)。換言之，不需要熔化用于通過氣相成長形成坩堝主體I的模型，就能夠抽出模型。從而，能夠抑制坩堝I的制作費(fèi)用。換言之，在本發(fā)明中，分別地制作噴嘴2和坩堝I并組裝，其成本能夠抑制為比做成伸出結(jié)構(gòu)的坩堝低。另外，噴嘴的開口直徑也能夠容易地變化，使用也變得方便。圖2(A)、⑶是實(shí)施例I的蒸鍍裝置的坩堝的說明圖。在圖2(A)、⑶中，記載了在圖I中為了簡單而省略了的支承噴嘴2的坩堝I的支撐結(jié)構(gòu)13。即使坩堝I具有支撐結(jié)構(gòu)13，從坩堝I的底朝向開口部截面也不變窄。在圖2(A)、(B)中，雖然坩堝I的底和開口部為相同直徑，但是開口部的直徑大更好。這樣，本發(fā)明的坩堝I朝向開口部不是伸出的結(jié)構(gòu)，是底部和開口部的直徑相同或不如為朝向開口截面變寬的結(jié)構(gòu)。通過這樣的結(jié)構(gòu)，由CVB所形成的制作過程變簡單，與制作伸出的結(jié)構(gòu)相比成本變低。再有，在下面的實(shí)施例的附圖中，只要未特別地事先說明，為了簡單省略記入支承噴嘴2的坩堝I的支撐結(jié)構(gòu)13。這樣，在實(shí)施例I的蒸鍍裝置的蒸鍍源中，如圖I所示，由于是在噴嘴結(jié)構(gòu)物和由除噴嘴結(jié)構(gòu)物以外的蒸發(fā)源部件形成的路徑存在加熱器(加熱部)3的空間(加熱室)之間具有切口 12的結(jié)構(gòu)，因此Al蒸氣難以進(jìn)入加熱室，也很難產(chǎn)生Al向加熱室繞回、向上蠕 動(dòng)。再有，由于容易制作開口部比底部變寬的結(jié)構(gòu)的坩堝，因此為低成本。據(jù)此，能夠防止Al蒸氣的繞回、Al的向上蠕動(dòng)，能夠低價(jià)地提供具有難以引起故障、破損的蒸發(fā)源的
蒸鍍裝置。圖3是使用了實(shí)施例I的蒸鍍源的蒸鍍裝置的概略構(gòu)成圖。在維持為高真空的真空腔室14之中，配置有基板15、在基板上成膜的有機(jī)薄膜16、和用于保持基板的未圖示的基板保持部。另外，設(shè)有用于在基板上形成圖案的金屬掩模17、排列了多個(gè)圖I的蒸發(fā)源單元的蒸發(fā)源18、對(duì)基板15的成膜率進(jìn)行監(jiān)測的固定在蒸發(fā)源上的膜厚監(jiān)測器19以及使蒸發(fā)源18移動(dòng)的水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)20。通過該水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)20，蒸發(fā)源18沿著蒸發(fā)源導(dǎo)軌21在真空腔室14內(nèi)水平移動(dòng)。具備接收來自膜厚監(jiān)測器19的信號(hào)并將膜厚信息反饋到電源23的膜厚控制器22、為了將蒸發(fā)源18所具備的未圖示的坩堝加熱并從蒸發(fā)源18產(chǎn)生蒸發(fā)粒子26而控制蒸發(fā)源18的溫度的電源23、通過水平驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)20使蒸發(fā)源18水平地移動(dòng)的水平驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)控制器24、控制上述電源23和上述膜厚控制器22以及水平驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)控制器24的控制器25。在基板15成膜了的有機(jī)薄膜的下一層，作為界面層形成堿金屬、堿土類金屬的氧化物、氟化物，例如LiF等的極薄膜( 0. 5nm)。之后,形成Al薄膜( 150nm)。有時(shí)在將該Al薄膜全部蒸鍍地形成時(shí)、在將更薄的Al薄膜蒸鍍地形成之后，從真空腔室18移動(dòng)到其他的真空腔室并通過濺射W'”、形成剩余的Al薄膜。Al的蒸鍍?nèi)缦碌剡M(jìn)行。通過控制器25控制膜厚控制器22、電源23、水平驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)控制器24。通過電源23分別加熱收容有作為蒸發(fā)材料的Al的多個(gè)蒸發(fā)源單元的各加熱器，從由這些蒸發(fā)源單元構(gòu)成的蒸發(fā)源18的向上的各噴嘴開口，蒸發(fā)粒子26此時(shí)為Al粒子(蒸氣)朝向基板15噴射。膜厚控制器22，接收來自對(duì)噴出了的Al粒子的一部分進(jìn)行檢測的膜厚監(jiān)測器19的信號(hào)并將膜厚信息反饋到電源23，為了將蒸發(fā)源18所具備的未圖示的坩堝加熱并從蒸發(fā)源18產(chǎn)生蒸發(fā)粒子26而控制蒸發(fā)源18的溫度，將對(duì)基板的Al蒸鍍速度維持一定。在蒸發(fā)源18的蒸發(fā)源單元具備分別檢測出坩堝I的溫度的未圖示的溫度檢測器，對(duì)各蒸發(fā)源單元的坩堝溫度進(jìn)行監(jiān)測，維持在大致1400°C，在此基礎(chǔ)上，通過使用膜厚監(jiān)測器19正確地控制蒸鍍膜厚。在圖3中僅描繪一個(gè)膜厚監(jiān)測器19，但是期望針對(duì)蒸發(fā)源18的各蒸發(fā)源單元各設(shè)置一個(gè)而分別地控制蒸鍍速度。蒸發(fā)源18通過用水平驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)控制器24進(jìn)行控制的水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)20沿著蒸發(fā)源導(dǎo)軌21在真空腔室14內(nèi)水平移動(dòng)。蒸發(fā)源18在單程或往復(fù)水平方向進(jìn)行掃描，穿過金屬掩模17，在形成于基板15上的有機(jī)薄膜16、LiF薄膜上進(jìn)行蒸鍍，形成Al薄膜。圖4是表不了有機(jī)EL顯不器生產(chǎn)工序的一例的工序圖。在圖4中，分別形成有TFT基板和密封基板，在密封工序中進(jìn)行組裝，該TFT基板形成有有機(jī)層和控制流到有機(jī)層的電流的薄膜晶體管(TFT)，該密封基板用于保護(hù)有機(jī)層不受到外部的濕氣的影響。在圖4的TFT基板的制造工序中，對(duì)被濕清洗了的基板進(jìn)行干清洗。有時(shí)干清洗包括由紫外線照射而進(jìn)行的清洗。在被干清洗后的TFT基板首先形成TFT。在TFT之上形 成鈍化膜及平坦化膜，在其上形成有機(jī)EL層的下部電極。下部電極與TFT的漏極電極連接。將下部電極作為正極時(shí)，例如使用IT0(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)膜。在下部電極之上形成有機(jī)EL層。有機(jī)EL層由多個(gè)層構(gòu)成。下部電極為正極時(shí)，從下起例如為孔注入層、孔輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層。通過蒸鍍形成這樣的有機(jī)EL層。在有機(jī)EL層之上，按各像素共同的方式由固體膜形成上部電極。在有機(jī)EL顯示裝置為頂部發(fā)光時(shí)，在上部電極使用IZO等透明電極，或Ag、MgAg等金屬或合金，在有機(jī)EL顯示裝置為底部發(fā)光時(shí)，使用Ag、Mg、Al等金屬膜。以上說明了的上述的Al蒸鍍等的例子相當(dāng)于在本工序中的上部電極的蒸鍍。在圖4的密封基板工序中，對(duì)進(jìn)行了濕清洗以及干清洗的密封基板配置去濕劑(干燥劑)。若有機(jī)EL層有水分則劣化，因此為了除去內(nèi)部的水分而使用去濕劑。雖然去濕劑可以使用各種的材料，但有機(jī)EL顯示裝置根據(jù)是頂部發(fā)光還是底部發(fā)光，去濕劑的配置方法不同。這樣，分別制造的TFT基板和密封基板在密封工序中被組裝。用于密封TFT基板和密封基板的密封材形成在密封基板。組裝了密封基板和TFT基板之后，將紫外線照射在密封部，使密封部硬化，使密封完結(jié)。對(duì)這樣形成了的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行點(diǎn)亮檢查。在點(diǎn)亮檢查中，對(duì)于即使在產(chǎn)生了黑點(diǎn)、白點(diǎn)等缺陷時(shí)也能夠修正缺陷的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行修正，完成有機(jī)EL顯示裝置。再有，關(guān)于不存在密封基板的、所謂的固體密封的有機(jī)EL顯示裝置的制造，當(dāng)然也能夠使用本發(fā)明的蒸鍍裝置。實(shí)施例2圖5是實(shí)施例2的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。在圖I中所示的反射器4為了簡單而被省略。在以下的附圖中，也在不需要進(jìn)行特別地說明的限度內(nèi)進(jìn)行省略。僅對(duì)與實(shí)施例I的圖I不同的部分進(jìn)行說明。在實(shí)施例3以后的實(shí)施例中也同樣。該實(shí)施例的特征為，具有噴嘴的結(jié)構(gòu)物2是從固定件7向外側(cè)，換言之，是相對(duì)于包括坩堝凸緣8的平面向垂直方向外側(cè)露出的結(jié)構(gòu)。另外，具有噴嘴的結(jié)構(gòu)物2的開口向上。由于具有噴嘴的結(jié)構(gòu)物2是從固定件7向外側(cè)，換言之，是相對(duì)于包括坩堝凸緣8的平面向垂直方向外側(cè)露出的結(jié)構(gòu)，因此，通過坩堝I溫度降低，難以產(chǎn)生Al的向上蠕動(dòng)。由于在Al蒸氣從噴嘴向加熱室的路徑上具有切口 12，因此難以產(chǎn)生Al蒸氣向加熱室10的繞回。在圖5中，相對(duì)于包括坩堝凸緣8的平面向垂直方向外側(cè)突出了的圓筒狀的噴嘴2的下端，被安裝在坩堝I的內(nèi)壁。噴嘴的開口部形成在噴嘴2的前端的平面部。而且，在包括噴嘴2的開口部的平面的外側(cè)，不存在相向的部件。從而， 不形成蒸發(fā)源的蒸氣侵入到加熱室10的路徑。再有，噴嘴結(jié)構(gòu)物9也與坩堝I同樣地由PBN做成，但不是以噴嘴結(jié)構(gòu)物2的開口部9為基準(zhǔn)，朝向圖5的下方，截面積變窄的情況，因此，制作容易為低成本。圖6是實(shí)施例2的蒸鍍裝置的概略構(gòu)成圖。由與放倒成水平的基板15的一邊平行地配置的多個(gè)蒸鍍源單元26構(gòu)成的蒸發(fā)源18，對(duì)于水平地配置的基板15，通過與實(shí)施例I同樣的機(jī)構(gòu)水平地進(jìn)行掃描，Al蒸鍍到基板15，形成薄膜。這樣，即使在該實(shí)施例中，也很難產(chǎn)生Al的向上蠕動(dòng)，Al蒸氣向加熱室10的繞回也很難產(chǎn)生，制作也容易，因此，能夠低價(jià)地提供難以故障、破損的蒸發(fā)源。實(shí)施例3圖7是實(shí)施例3的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。該實(shí)施例的特征為，具有噴嘴的結(jié)構(gòu)物2是從固定件7向坩堝I以及坩堝凸緣8外部露出的結(jié)構(gòu)，噴嘴結(jié)構(gòu)物2的開口部9朝向水平方向。在該實(shí)施例中，噴嘴結(jié)構(gòu)物2也是從固定件7向坩堝I以及坩堝凸緣8外部露出的結(jié)構(gòu)，因此，通過坩堝I溫度降低，難以產(chǎn)生Al的向上蠕動(dòng)。由于在Al蒸氣從噴嘴向加熱室的路徑上具有切口 12，因此，Al蒸氣也很難向加熱室10繞回。圖8是實(shí)施例3的蒸鍍裝置的概略構(gòu)成圖。由與豎直地立起的基板15的一邊平行地配置的多個(gè)縱置的蒸鍍源單元26構(gòu)成的蒸發(fā)源18，對(duì)于豎直地配置的基板15，通過與實(shí)施例I同樣的機(jī)構(gòu)沿上下方向進(jìn)行掃描，將Al蒸鍍到基板15，形成薄膜。這樣，很難產(chǎn)生Al的向上蠕動(dòng)，Al的蒸氣也很難向加熱室10繞回，能夠提供難以故障、破損的蒸發(fā)源。另外，在對(duì)于豎直地立起的基板，進(jìn)行由多個(gè)蒸發(fā)源單元構(gòu)成的蒸鍍源的上下方向的掃描時(shí)，也具有能夠?qū)⒄舭l(fā)源單元縱置并將蒸發(fā)粒子向水平方向噴出的效果。實(shí)施例4圖9是實(shí)施例4的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。該實(shí)施例的特征為，噴嘴結(jié)構(gòu)物2是從固定件7向坩堝I以及坩堝凸緣8外部露出的結(jié)構(gòu)，坩堝為傾斜方向，但噴嘴結(jié)構(gòu)物2的開口 9朝向水平方向。在該實(shí)施例中，噴嘴結(jié)構(gòu)物2也是從固定件7向坩堝I以及坩堝凸緣8外部露出的結(jié)構(gòu)，因此，通過坩堝I溫度降低，難以產(chǎn)生Al的向上蠕動(dòng)。由于在Al蒸氣從噴嘴向加熱室的路徑上具有切口 12，因此，也很難產(chǎn)生Al蒸氣向加熱室10的繞回。另外，噴嘴結(jié)構(gòu)物9也與坩堝I同樣地由PBN做成，但不是以噴嘴結(jié)構(gòu)物2的圖9的開口部9的某個(gè)左上部為基準(zhǔn)，朝向圖5的下方，截面積變窄的情況，因此，制作容易為低成本。圖10是實(shí)施例4的蒸鍍裝置的概略構(gòu)成圖。由與豎直地立起的基板15的一邊平行地在縱向配置的多個(gè)斜置的蒸鍍源單元26構(gòu)成的蒸發(fā)源18，對(duì)于豎直地配置了的基板15，通過與實(shí)施例I同樣的機(jī)構(gòu)沿水平方向進(jìn)行掃描，對(duì)基板15蒸鍍Al，形成薄膜。噴嘴結(jié)構(gòu)物2的開口朝向水平，因此蒸發(fā)粒子以水平方向?yàn)橹行膰姵?。從而，相比于通過使蒸發(fā)粒子向傾斜方向噴出并蒸鍍到豎直地配置的基板，形成均勻性更好的蒸鍍?；蚰軌蛱岣哒舭l(fā)材料的利用效率。由于蒸發(fā)源單元的軸是傾斜的因此能夠縱向地排列，能夠水平掃描。相比于開口傾斜時(shí)，蒸鍍分布變廣，用少的蒸發(fā)源能夠形成均勻的膜。如上所述，很難產(chǎn)生Al的向上蠕動(dòng)，也很難產(chǎn)生Al蒸氣向加熱室10的繞回，制作也容易，因此，能夠低價(jià)地提供難以故障、破損的蒸發(fā)源。另外，也具有以下效果對(duì)于豎直地配置的基板，能夠進(jìn)行由多個(gè)蒸發(fā)源單元構(gòu)成的蒸發(fā)源的水平方向的掃描，能夠?qū)⒄舭l(fā)源單元斜置并使蒸發(fā)粒子向水平方向噴出，能夠均勻性良好地形成蒸發(fā)材料利用率好的成膜。實(shí)施例5
圖11是實(shí)施例5的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。該實(shí)施例的特征為，噴嘴結(jié)構(gòu)物2是從固定件7向坩堝I以及坩堝凸緣8外部露出的結(jié)構(gòu)，在噴嘴結(jié)構(gòu)物2上附帶輔助加熱器27，所述噴嘴結(jié)構(gòu)物2被維持在熔點(diǎn)以上。在噴嘴結(jié)構(gòu)物2是從固定件7向坩堝I以及坩堝凸緣8外部露出的結(jié)構(gòu)中，有時(shí)溫度降得過低而達(dá)到蒸發(fā)材料的熔點(diǎn)以下。此時(shí)，在噴嘴結(jié)構(gòu)物2的開口部，蒸發(fā)材料堆積而產(chǎn)生噴嘴堵塞。在這樣的情況下，成為有效的實(shí)施例。通過輔助加熱器27將噴嘴結(jié)構(gòu)物維持在熔點(diǎn)以上。據(jù)此，能夠防止噴嘴堵塞。圖12是實(shí)施例5的其他的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。與圖11的不同點(diǎn)為，上述輔助加熱器是嵌入到了坩堝內(nèi)的結(jié)構(gòu)，是加熱器嵌入式坩堝28。加熱器嵌入式坩堝28的具體例是例如PBN-PG-PBN。PG是導(dǎo)電性的加熱器。通過這樣的結(jié)構(gòu)，上述噴嘴結(jié)構(gòu)物2+輔助加熱器27的結(jié)構(gòu)變得精簡。另外，有加熱器的熱效率變好，能夠?qū)崿F(xiàn)低消耗電力化的效果。實(shí)施例6圖13是實(shí)施例6的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。該實(shí)施例的特征為，具有坩堝I的坩堝凸緣8延伸到外筒6的側(cè)面的外部的坩堝外延部29，并且，坩堝外延部端部31從固定件側(cè)面端部30延伸。此時(shí)，由于也是從固定件7起與坩堝外延部29之間具有距離的、或具有切口 12的結(jié)構(gòu)，因此，利用固定件側(cè)面端部30和坩堝外延部端部31之間的坩堝外延部29使得溫度降低，因此難以產(chǎn)生Al的向上蠕動(dòng)。另外，由于在Al蒸氣從噴嘴向加熱室10的路徑上具有切口 12，因此，也很難產(chǎn)生Al蒸氣向加熱室10的繞回，因此能夠提供難以故障、破損的蒸發(fā)源。圖14是實(shí)施例6的其他的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的概略剖視圖。與圖13的不同點(diǎn)為，具有上述坩堝外延部29的蒸發(fā)源單元26在外筒6的外部具有用于冷卻外筒6的冷卻機(jī)構(gòu)32?；蛘咴谕馔?自身之中具有該冷卻機(jī)構(gòu)，換言之，冷卻機(jī)構(gòu)也可以是外筒的一部分。在圖14中明確地表示了反射器4。通過這樣的結(jié)構(gòu)，外筒6通過冷卻機(jī)構(gòu)被冷卻，因此，進(jìn)一步地冷卻坩堝外延部29，因此，不產(chǎn)生鋁的向上蠕動(dòng)，在路徑上具有切口 12，因此，Al蒸氣難以向加熱室10繞回，因此，具有能夠提供難以故障、破損的蒸發(fā)源的效果。
實(shí)施例7圖15是實(shí)施例7的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的側(cè)視圖以及剖視圖。圖16(A)以及(B)是實(shí)施例7的蒸鍍裝置的蒸發(fā)源的俯視圖。該實(shí)施例的特征為，坩堝凸緣8的直徑比外筒6的直徑大，噴嘴2和坩堝I的坩堝凸緣8由線狀的固定件7固定于外筒6。線狀的固定件7是在噴嘴2之上和外筒6周圍具有環(huán)形狀的線，用線將它們連接了的結(jié)構(gòu)。據(jù)此，坩堝I和噴嘴2被固定于外筒6。此時(shí)，沿著連結(jié)固定件7的環(huán)的線形成Al蒸氣向加熱室10的路徑，但非常微小，對(duì)于其他的大半部分，由于相'禍凸緣8的直徑比外筒6的直徑大，因此,在Al蒸氣從噴嘴向加熱室10的路徑上具有切口 12，S卩，具有固定件7和外筒6的間隔，因此，很難產(chǎn)生Al蒸氣向加熱室10的繞回，在坩堝凸緣端部溫度降低，因此，難以產(chǎn)生Al的向上蠕動(dòng)，能夠提供難以故障、破損的蒸發(fā)源。噴嘴上的固定件7的線在上述內(nèi)容中為圖16(A)的環(huán)形狀，但也可以如圖16(B)所示那樣地為三角形狀，在三個(gè)部位與外筒6周圍的固定件7的線連接。
本發(fā)明只是并不局限于上述方式，還包括在上述內(nèi)容中說明的各種各樣的組合。另外，以制造使用于有機(jī)EL顯示裝置、照明裝置中的有機(jī)EL元件的工序?yàn)槔M(jìn)行了說明，但是當(dāng)然也可以適用于全部的包括磁帶等其他領(lǐng)域的蒸鍍工序的工序。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的蒸鍍裝置，是在噴嘴結(jié)構(gòu)物和由除噴嘴結(jié)構(gòu)物以外的蒸發(fā)源部件形成的路徑存在加熱器3的空間，即，和加熱室10之間具有切口的結(jié)構(gòu)，因此，Al蒸氣很難進(jìn)入加熱室，也很難產(chǎn)生Al向加熱室10的繞回、向上蠕動(dòng)。另外，上述噴嘴結(jié)構(gòu)物是從上蓋向坩堝外部露出的結(jié)構(gòu)，因此通過坩堝溫度降低，難以產(chǎn)生鋁的向上蠕動(dòng)。再有，本發(fā)明的坩堝是開口部比底部變寬的結(jié)構(gòu)，因此，易于制作，為低成本。這樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠防止Al蒸氣的繞回、鋁的向上蠕動(dòng)，能夠低價(jià)地提供具有難以故障、破損的蒸發(fā)源的蒸鍍裝置。在以上的實(shí)施例中，以Al為例進(jìn)行了說明，當(dāng)然也可以適用于使用了在熔融狀態(tài)下蒸發(fā)的其他蒸發(fā)材料的蒸鍍裝置。在以上說明了的構(gòu)成中，是相對(duì)于基板蒸發(fā)源向規(guī)定的方向移動(dòng)并對(duì)基板進(jìn)行蒸鍍的構(gòu)成。但是，本發(fā)明也能夠適用于蒸發(fā)源固定而基板向規(guī)定的方向移動(dòng)的構(gòu)成的蒸鍍裝置。即，為了在基板上形成均勻的蒸鍍膜，只要使基板和蒸發(fā)源相對(duì)地移動(dòng)即可。另外，在上述的各實(shí)施方式的諸個(gè)組合中，當(dāng)然全部可能的實(shí)施方式也可以作為本發(fā)明進(jìn)行實(shí)施。以上，根據(jù)上述諸個(gè)實(shí)施方式，進(jìn)行了具體地說明，但本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)能進(jìn)行各種變更是不言而喻的。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明涉及蒸鍍裝置，特別是能夠用到具有難以引起故障、破損的蒸發(fā)源的蒸鍍
>J-U裝直。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍裝置，其在真空腔室內(nèi)具有蒸鍍源單元，其特征在于， 上述蒸鍍源單元具有收容蒸發(fā)材料的坩堝、安裝于上述坩堝的開口部的噴嘴、包圍上述坩堝并收容加熱器的加熱室、和固定件， 在上述坩堝的內(nèi)壁和上述加熱室之間具有切口，該切口阻止在上述坩堝中熔融了的上述蒸發(fā)材料或上述蒸發(fā)材料的蒸氣侵入到上述加熱室。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蒸鍍裝置，其特征在于，上述噴嘴是向上述固定件的上方露出的結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，上述噴嘴的開口是橫向的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，上述蒸發(fā)源單元的軸傾斜地配置， 上述噴嘴的開口是橫向的。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，在上述噴嘴具備輔助加熱器， 上述噴嘴加熱到上述蒸發(fā)源的熔點(diǎn)以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，上述輔助加熱器為嵌入到了坩堝內(nèi)的結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，上述加熱室形成于上述坩堝和包圍上述坩堝的外筒之間的空間，上述坩堝的凸緣具有延伸到上述外筒的外部側(cè)面的坩堝外延部，并且，坩堝外延部端部從上述固定件側(cè)面端部延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸鍍裝置，其特征在于，具有上述坩堝外延部的蒸發(fā)源，在上述外筒的外部具有用于冷卻上述外筒的冷卻機(jī)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸鍍裝置，其特征在于，具有上述坩堝外延部的蒸發(fā)源，在外筒自身的內(nèi)部具有用于冷卻上述外筒的冷卻機(jī)構(gòu)。
10.一種蒸鍍裝置，其在真空腔室內(nèi)具有蒸鍍源單元，其特征在于， 上述蒸鍍源單元具有收容蒸發(fā)材料的坩堝、安裝于上述坩堝的開口部的噴嘴、包圍上述坩堝并收容加熱器的加熱室、和固定件， 上述坩堝具有凸緣，與上述坩堝的凸緣的上方相向地存在固定件， 與上述坩堝的內(nèi)端相比，上述固定件的內(nèi)端更靠外側(cè)地存在。
11.一種蒸鍍裝置，其在真空腔室內(nèi)具有蒸鍍源單元，其特征在于， 上述蒸鍍源單元具有收容蒸發(fā)材料的坩堝、安裝于上述坩堝的開口部的噴嘴、包圍上述坩堝并收容加熱器的加熱室、和固定件， 上述坩堝具有凸緣， 上述噴嘴安裝于上述坩堝，在包括上述噴嘴的開口部的平面不存在相向的部件。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的蒸鍍裝置，其特征在于，上述噴嘴相對(duì)于包括上述坩堝的凸緣的平面向垂直方向外側(cè)突出地形成。
13.一種蒸鍍裝置，其在真空腔室內(nèi)具有蒸鍍源單元，其特征在于， 上述蒸鍍源單元具有收容蒸發(fā)材料的坩堝、安裝于上述坩堝的開口部的噴嘴、包圍上述坩堝并收容加熱器的加熱室、和固定件， 上述坩堝具有凸緣， 上述噴嘴的下端存在于上述坩堝的內(nèi)壁， 上述噴嘴是平板，在上述噴嘴的外側(cè)相向部分不存在其他的部件。
14.一種蒸鍍裝置，其在真空腔室內(nèi)具有蒸鍍源單元，其特征在于， 上述蒸鍍源單元具有收容蒸發(fā)材料的坩堝、安裝于上述坩堝的開口部安裝的噴嘴、包圍上述坩堝并收容加熱器的加熱室、和固定件， 上述坩堝具有凸緣， 上述噴嘴的下端存在于上述坩堝的內(nèi)壁， 上述噴嘴是筒狀，相對(duì)于包括上述坩堝的凸緣的平面向垂直方向外側(cè)突出， 上述噴嘴的前端部為平面，在上述平面形成開口。
全文摘要
本發(fā)明以低成本提供一種具有防止Al的向上蠕動(dòng)或Al蒸氣浸入而難以引起破損的蒸發(fā)源的蒸鍍裝置。該蒸鍍裝置在真空腔室內(nèi)具有蒸鍍源單元(26)，其中，上述蒸鍍源單元(26)具有收容蒸發(fā)材料(5)的坩堝(1)、安裝于上述坩堝(1)的開口部的噴嘴(2)、包圍上述坩堝(1)并收容加熱器(3)的加熱室(10)、和固定件(7)，在上述坩堝(1)的內(nèi)壁和上述加熱室(10)之間具有切口(12)，該切口(12)阻止在上述坩堝(1)中熔融了的上述蒸發(fā)材料(5)或上述蒸發(fā)材料(5)的蒸氣侵入到上述加熱室(10)。
文檔編號(hào)C23C14/24GK102732837SQ20121002361
公開日2012年10月17日 申請日期2012年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月31日
發(fā)明者三宅龍也, 尾方智彥, 山本健一, 峰川英明, 松浦宏育, 楠敏明, 玉腰武司, 矢崎秋夫 申請人:株式會(huì)社日立高新技術(shù)