專利名稱：用于化學(xué)氣相沉積工藝的噴淋頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及用于化學(xué)氣相沉積工藝的噴淋頭。
背景技術(shù)：
MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延沉積工藝。它以III族、II族元素的有機(jī)化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)的源材料，以熱分解反應(yīng)方式在基座上進(jìn)行沉積工藝，生長(zhǎng)各種II1-V族、I1-VI族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。下面對(duì)現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積工藝的原理進(jìn)行說(shuō)明。具體地，以MOCVD為例，請(qǐng)參考圖1所示的現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。手套箱10內(nèi)形成有相對(duì)設(shè)置的噴淋頭11和基座12。所述噴淋頭11內(nèi)可以設(shè)置多個(gè)噴淋頭通孔，所述噴淋頭1 1用于提供源氣體。所述基座12上通常放置多片襯底121，所述襯底121的材質(zhì)通常為藍(lán)寶石、S1、SiC、GaAs或InP。所述基座12的下方還形成有加熱單元13，所述加熱單元13對(duì)所述襯底121進(jìn)行加熱，使得所述襯底121表面的溫度達(dá)到化學(xué)氣相沉積工藝需要的溫度。所述噴淋頭11內(nèi)通常設(shè)置有冷卻單元，在加熱單元13對(duì)襯底121加熱時(shí)，該冷卻單元持續(xù)工作，使得所述噴淋頭11的溫度小于200攝氏度。在進(jìn)行MOCVD工藝時(shí) ，源氣體自噴淋頭11的噴淋頭通孔進(jìn)入基座12上方的反應(yīng)區(qū)域(靠近襯底121的表面的位置)，所述襯底121由于加熱單元13的熱輻射作用而具有一定的溫度，從而該溫度使得源氣體之間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，從而在襯底121表面沉積外延材料層。在實(shí)際中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積工藝形成的外延材料層的質(zhì)量不高，化學(xué)氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能和效率也無(wú)法滿足應(yīng)用的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例解決的問(wèn)題是提供了一種新的噴淋頭，提高了化學(xué)氣相沉積工藝形成的外延材料層的質(zhì)量，也提高了化學(xué)氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能和效率。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種用于在襯底上進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的噴淋頭，包括:金屬主體層，在進(jìn)行化學(xué)沉積工藝時(shí)的溫度低于300攝氏度；外表面層，位于所述金屬主體層的靠近襯底一側(cè)的表面，所述外表面層在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝時(shí)的溫度高于所述金屬主體層的溫度。可選地，所述金屬主體層中具有冷卻介質(zhì)流動(dòng)，該冷卻介質(zhì)用于對(duì)所述金屬主體層進(jìn)行冷卻，使得所述金屬主體層的溫度低于300攝氏度?？蛇x地，所述外表面層上設(shè)置有溫控裝置，用于控制外表面層的溫度，使得所述外表面層的靠近襯底一側(cè)的溫度范圍為300 800攝氏度?？蛇x地，所述外表面層的厚度范圍為10微米到5毫米?？蛇x地，所述外表面層材料為耐熱材質(zhì)?？蛇x地，所述外表面層的材質(zhì)為石墨、碳化硅、硅、氮化硼、碳纖維、石英中的一種或其中的組合?？蛇x地，所述外表面層通過(guò)機(jī)械方式與所述金屬主體層結(jié)合，使得所述外表面層可以從所述金屬主體層上移除?？蛇x地，所述外表面層的靠近襯底一側(cè)的表面為粗糙表面?？蛇x地，所述外表面層的靠近襯底一側(cè)的表面的粗糙度范圍為200納米 100微米。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明提供的噴淋頭包括金屬主體層和位于所述金屬主體層的靠近襯底一側(cè)的表面的外表面層，在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝時(shí)的溫度高于金屬主體層的溫度，這樣在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積時(shí)，外表面層的靠近襯底一側(cè)的表面形成的沉積層較為致密，減少了化學(xué)氣相沉積工藝過(guò)程中沉積在外表面上材料脫落的可能性和脫落的量，減少了由此產(chǎn)生的對(duì)襯底上形成的外延材料層的沾污，提高了化學(xué)氣相沉積工藝的質(zhì)量，并減少了對(duì)噴淋頭的清洗和維護(hù)，提高了化學(xué)氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能和效率，由于外表面層的溫度高于金屬主體層的溫度，從而減少了噴淋頭與襯底之間的溫度差，減輕噴淋頭與襯底之間的渦流，提高襯底上形成的外延材料層的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述外表面層通過(guò)機(jī)械方式與所述噴淋頭主體結(jié)合，使得外表面層可以從所述金屬主體層上移 除，從而該外表面層可以作為常用備件(spare parts)，在使用一段時(shí)間后，可以靈活更換，無(wú)需多余的維護(hù)工作；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述外表面層的溫度范圍為300 800攝氏度之間，該溫度范圍能保證在外表面層上形成的沉積層結(jié)構(gòu)致密、不易脫落，并有利于改善氣體分布的均勻度，同時(shí)節(jié)省源氣體的用量；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述外表面層的靠近襯底一側(cè)的表面為粗糙的表面，從而在化學(xué)氣相沉積工藝過(guò)程中在所述外表面層的靠近襯底一側(cè)的表面形成的的沉積層不容易脫落，從而進(jìn)一步減少了對(duì)襯底上形成的外延材料層的沾污，提高了化學(xué)氣相沉積工藝的質(zhì)量。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的噴淋頭的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的噴淋頭的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例的噴淋頭的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有的噴淋頭通常是由不銹鋼制作的，并且噴淋頭的靠近襯底一側(cè)的表面的溫度通常低于200攝氏度。在化學(xué)氣相沉積工藝的過(guò)程中，噴淋頭的靠近襯底一側(cè)的表面上也會(huì)形成沉積層，但是由于噴淋頭的靠近襯底一側(cè)的表面材質(zhì)為不銹鋼，再加上該表面的溫度很低，導(dǎo)致在該表面上形成的沉積層的質(zhì)地較為稀疏和松散，在化學(xué)氣相沉積工藝過(guò)程中，噴淋頭的靠近襯底一側(cè)的表面的形成的沉積層容易從該表面脫落，形成粉塵顆粒，對(duì)在襯底上生長(zhǎng)的外延材料層造成污染，產(chǎn)生雜質(zhì)缺陷。因此，在每一爐化學(xué)氣相沉積工藝完成后，都要進(jìn)行大量的清理、清潔工作。這樣做不僅會(huì)影響化學(xué)氣相沉積工藝的質(zhì)量，還會(huì)影響化學(xué)氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能和效率。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種用于在襯底上進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的噴淋頭，所述噴淋頭包括金屬主體層和位于所述金屬主體層的靠近襯底一側(cè)的外表面層，在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝時(shí)，所述金屬主體層的溫度不超過(guò)300攝氏度，所述外表面層的溫度大于所述金屬主體層的溫度，通過(guò)提高所述外表面層靠近襯底一側(cè)的表面溫度，使得在所述外表面層的靠近襯底一側(cè)的表面形成的沉積層變得較為致密，不易脫落，因此能夠減少在化學(xué)氣相沉積工藝過(guò)程中的噴淋頭的表面的沉積層的脫落，從而減少對(duì)襯底上形成的外延材料層的污染，提高化學(xué)氣相沉積工藝的質(zhì)量，減少對(duì)噴淋頭的清洗維護(hù)工作，因而提高了化學(xué)氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能和良率，并且由于提高了外表面層的溫度，也使得襯底與噴淋頭之間的溫差減小，有利于消除襯底和噴淋頭之間的渦流，使得襯底上的源氣體的分布更為均勻，提高襯底上的外延材料層的均勻度。下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。為了更好地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，請(qǐng)參考圖2所示的本發(fā)明第一實(shí)施例的噴淋頭的結(jié)構(gòu)示意圖。所述噴淋頭包括金屬主體層100和外表面層102,所述外表面層102位于所述金屬主體層100的靠近襯底的一側(cè)。所述金屬主體層100的材質(zhì)通常為金屬，比如，所述金屬主體層100的材質(zhì)可以為不銹鋼，也可以為鋁。本實(shí)施例中，所述金屬主體層100的材質(zhì)為不銹鋼。所述金屬主體層100作為噴淋頭的主體，其內(nèi)部可以有冷卻介質(zhì)流動(dòng)，這樣可以對(duì)金屬主體層100進(jìn)行冷卻，防止金屬主體層100的溫度過(guò)高。所述金屬主體層100內(nèi)形成有金屬主體層通孔101，用于使得源氣體均勻分散通過(guò)。以化學(xué)氣相沉積工藝為例，所述金屬層主體通孔101可以包括交叉排布的第一通孔和第二通孔，其中第一通孔用于流過(guò)II`I族氣體，第二通孔用于流過(guò)V族氣體。本發(fā)明實(shí)施例所述的外表面層102位于所述金屬主體層100的靠近襯底(未圖不)和基座(未圖不)的表面。如在圖2所不,所述外表面層102位于金屬主體層100下方，襯底和基座位于外表面層102下方，加熱單元(未圖示)位于襯底和基座下方。作為一個(gè)實(shí)施例，所述外表面層102與金屬主體層100的表面直接接觸(兩者之間沒(méi)有間隔層、間隔物等)。所述外表面層102可以通過(guò)多種方式與金屬主體層100結(jié)合。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述外表面層102可以通過(guò)粘接方式與金屬主體層100的表面結(jié)合，該外表面層102中不設(shè)置任何的冷卻單元，而金屬主體層100中設(shè)置有冷卻單元。所述金屬主體層100中的冷卻單元中有冷卻介質(zhì)流動(dòng)，所述冷卻介質(zhì)用于對(duì)所述金屬主體層100進(jìn)行冷卻，使得所述金屬主體層100的溫度低于300攝氏度，比如所述金屬主體曾100的溫度可以為250攝氏度、200攝氏度、150攝氏度、100攝氏度等等。所述冷卻接介質(zhì)可以為冷卻水或冷卻氣體，通過(guò)在金屬主體層100內(nèi)均勻地設(shè)置管道，使得冷卻水或冷卻氣體在金屬主體層100內(nèi)流動(dòng)，對(duì)金屬主體層100進(jìn)行冷卻。在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，所述外表面層102可以通過(guò)機(jī)械方式與所述金屬主體層100結(jié)合。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明所述的機(jī)械方式是指，所述外表面層102可以通過(guò)設(shè)置在外表面層102和金屬主體層100之間設(shè)置一組或多組螺栓螺母相連接，也可以通過(guò)外表面層102與金屬主體層100之間設(shè)置多個(gè)定位銷相連接，還可以為外表面層102與金屬主體層100之間設(shè)置卡槽相連接，但是上述多種連接方式均應(yīng)滿足外表面層102可以從金屬主體層100上移除，在使用一段時(shí)間后，當(dāng)金屬主體層100表面沾污時(shí)，可以直接采用潔凈的金屬主體層替換被沾污的金屬主體層，這樣可以提高化學(xué)氣相沉積設(shè)備的利用率和產(chǎn)倉(cāng)泛。所述外表面層102的材質(zhì)應(yīng)為耐熱材質(zhì)。例如，所述外表面層102的材質(zhì)可以為石墨、碳化硅、硅、氮化硼、碳纖維、碳質(zhì)薄膜、石英中的一種或多種。所述外表面層102可以為單層結(jié)構(gòu)，也可以為多層不同的材料層堆疊(粘接為一體或機(jī)械方式連接為一體)的多層結(jié)構(gòu)。作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述外表面層102為單層結(jié)構(gòu)，其材質(zhì)為石墨；作為本發(fā)明的又一實(shí)施例，所述外表面層102為單層結(jié)構(gòu)，其材質(zhì)為石墨、氮化硅和石英中的至少兩種的混合材質(zhì)；作為本發(fā)明的再一實(shí)施例，所述外表面層102為多層結(jié)構(gòu)，其為石墨層、碳化硅層、硅層、氮化硼層、碳纖維層、碳質(zhì)薄膜、石英層中的三層的堆疊，并且通過(guò)焊接形成的一體結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，在外表面層102能夠耐受高溫的情況下，外表面層102的材質(zhì)和結(jié)構(gòu)還可以為其他的材質(zhì)或其他材質(zhì)層構(gòu)成的組合，在此不一一列舉。作為一個(gè)實(shí)施例，所述外表面層102的厚度范圍為10微米 5毫米。本發(fā)明所 述的外表面層102內(nèi)具有外表面層通孔103，所述外表面層通孔103的形狀、尺寸、位置、布局與所述金屬主體層100上的金屬主體層通孔101的形狀、尺寸、位置和布局一致，以使得源氣體能夠自金屬主體層通孔101經(jīng)過(guò)外表面層通孔103流向下方的襯底和基座。由于加熱單元在對(duì)襯底和基座進(jìn)行加熱的同時(shí)，也對(duì)外表面層102進(jìn)行加熱，而金屬主體層100中由于設(shè)置了冷卻單元其可以保持較低的溫度(低于300攝氏度)，因此，本實(shí)施例中，所述外表面層102的溫度不低于噴淋頭100的溫度。作為可選的實(shí)施例，所述外表面層102的溫度范圍為300 800攝氏度，這樣的溫度范圍不僅能夠提高在外表面層102的靠近襯底一側(cè)的表面形成的沉積層的致密度，減少?gòu)耐獗砻鎸?02脫落的顆粒，也能夠保證在減小氣體的渦流問(wèn)題的前提下減少源氣體的用量。作為優(yōu)選的實(shí)施例，為了防止外表面層102由于加熱單元的加熱而溫度過(guò)高，提高工藝的均勻度，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，還可以在外表面層102上設(shè)置溫控裝置，所述溫控裝置用于實(shí)時(shí)檢測(cè)外表面層102的溫度，并且對(duì)外表面層102的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)控制，使得外表面層102的溫度不至于過(guò)高(不超過(guò)1000攝氏度)，并且，使得不同批次的化學(xué)氣相沉積工藝時(shí)外表面層102的溫度保持一致。本實(shí)施例中，所述溫控裝置對(duì)外表面層102的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)控制，使得所述外表面層102的溫度在300 800攝氏度之間。所述溫控裝置包括多個(gè)測(cè)溫裝置(比如熱電偶或紅外測(cè)溫儀)，該測(cè)溫裝置可以沿外表面層102的一圈設(shè)置。該溫控裝置還包括信號(hào)處理單元、控制單元和冷卻單元，所述溫控裝置測(cè)試的溫度數(shù)據(jù)發(fā)送至信號(hào)處理單元，該信號(hào)處理單元對(duì)溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行處理和分析，獲得外表面層102上的溫度的分布，溫控裝置根據(jù)外表面層102上的溫度的分布，控制冷卻單元進(jìn)行工作(比如可以加大或減小冷卻單元中的冷卻氣體或冷卻液體的流速)。下面請(qǐng)參考圖3所示的本發(fā)明又一實(shí)施例的噴淋頭的結(jié)構(gòu)示意圖。與第二實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)用相同的標(biāo)號(hào)表示。作為一個(gè)實(shí)施例，金屬主體層100內(nèi)具有金屬主體層通孔101,外表面層102內(nèi)具有外表面層通孔103,金屬主體層100與外表面層層102之間設(shè)置了夾層104，所述夾層104中具有冷卻介質(zhì)流動(dòng)，所述冷卻介質(zhì)用于對(duì)所述金屬主體層100和外表面層102進(jìn)行冷卻，使得所述金屬主體層100的溫度低于200攝氏度，所述外表面層102的靠近襯底一側(cè)的表面的溫度大于300攝氏度且小于800攝氏度。所述夾層104內(nèi)設(shè)置有與所述金屬主體層通孔103和外表面層通孔對(duì)應(yīng)的夾層通孔105，以便源氣體能夠通過(guò)。所述冷卻介質(zhì)可以為水、油或氣體。本實(shí)施例中，所述冷卻介質(zhì)為冷卻水。作為本發(fā)明的又一實(shí)施例，所述夾層104內(nèi)還可以設(shè)置載體氣體通道(未圖示)，該載體氣體通道用于通入NH3氣體，作為反應(yīng)氣體的補(bǔ)充氣體。所述夾層104與所述金屬主體層100以機(jī)械方式結(jié)合，作為一個(gè)實(shí)施例，所述夾層104的直徑略大于金屬主體層100的尺寸，通過(guò)螺絲螺紋的方式，將金屬主體層100的外圈與夾層104的內(nèi)圈結(jié)合在一起，這樣所述夾層104可以靈活地與金屬主體層100分開(kāi)。當(dāng)然，所述夾層104還可以通過(guò)其他的方式與噴淋頭相連接，具體可以參考第一實(shí)施例，在此不作詳細(xì)說(shuō)明。下面請(qǐng)參考圖4所示的本發(fā)明第三實(shí)施例的噴淋頭的結(jié)構(gòu)示意圖，與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)米用相同的標(biāo)號(hào)表不。金屬主體層100和外表面層102結(jié)合為一體。以MOCVD工藝為例，本實(shí)施例與前面兩個(gè)實(shí)施例的區(qū)別在于，所述噴淋頭為套筒式，即化學(xué)氣相沉積工藝所需要的兩種反應(yīng)氣體分別通過(guò)內(nèi)管105和環(huán)形外管106。作為一個(gè)實(shí)施例，所述內(nèi)管105內(nèi)流過(guò)III族氣體，所述環(huán)形外管106內(nèi)流過(guò)V族氣體；作為本發(fā)明的又一實(shí)施例，所述內(nèi)管105內(nèi)流過(guò)V族氣體，所述環(huán)形外管106內(nèi)流過(guò)III族氣體。所述內(nèi)管105位于所述環(huán)形外管106之內(nèi)，且所述內(nèi)管105和環(huán)形外管106之間間隔有部分金屬主體層106和外表面層102。如圖4所示，所述內(nèi)管105穿過(guò)所述金屬主體層100和外表面層102，所述內(nèi)管105為環(huán)形內(nèi)管，其位于所述金屬主體層100的內(nèi)部；所述環(huán)形外管106穿過(guò)所述金屬主體層100和外表面層102。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以調(diào)整所述內(nèi)管105和外管106的尺寸調(diào)整化學(xué)氣相沉積工藝的源氣體的比例。綜上，本發(fā)明提供的噴淋頭包括金屬主體層和位于所述金屬主體層的靠近襯底一側(cè)的表面的外表面層，在進(jìn) 行化學(xué)氣相沉積工藝時(shí)的溫度高于金屬主體層的溫度，這樣在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積時(shí)，外表面層的靠近襯底一側(cè)的表面形成的沉積層較為致密，減少了化學(xué)氣相沉積工藝過(guò)程中沉積在外表面上材料脫落的可能性和脫落的沉積層的量，減少了由此產(chǎn)生的對(duì)襯底上形成的外延材料層的沾污,提高了化學(xué)氣相沉積工藝的質(zhì)量,并減少了對(duì)噴淋頭的清洗和維護(hù)，提高了化學(xué)氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能和效率，由于外表面層的溫度高于金屬主體層的溫度，從而減少了噴淋頭與襯底之間的溫度差，減輕噴淋頭與襯底之間的渦流，提高襯底上形成的外延材料層的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述外表面層通過(guò)機(jī)械方式與所述噴淋頭主體結(jié)合，使得外表面層可以從所述金屬主體層上移除，從而該外表面層可以作為常用備件(spare parts)，在使用一段時(shí)間后，可以靈活更換，無(wú)需多余的維護(hù)工作；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述外表面層的溫度范圍為300 800攝氏度之間，該溫度范圍能保證在外表面層上形成的沉積層結(jié)構(gòu)致密、不易脫落，并有利于改善氣體分布的均勻度，同時(shí)節(jié)省源氣體的用量；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述外表面層的靠近襯底一側(cè)的表面為粗糙的表面，從而在化學(xué)氣相沉積工藝過(guò)程中在所述外表面層的靠近襯底一側(cè)的表面形成的的沉積層不容易脫落，從而進(jìn)一步減少了對(duì)襯底上形成的外延材料層的沾污，提高了化學(xué)氣相沉積工藝的質(zhì)量。雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的 范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種用于化學(xué)氣相沉積工藝的噴淋頭，其特征在于，包括: 金屬主體層，在進(jìn)行化學(xué)沉積工藝時(shí)的溫度低于300攝氏度； 外表面層，位于所述金屬主體層的靠近襯底一側(cè)的表面，所述外表面層在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝時(shí)的溫度高于所述金屬主體層的溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于，所述金屬主體層中具有冷卻介質(zhì)流動(dòng)，該冷卻介質(zhì)用于對(duì)所述金屬主體層進(jìn)行冷卻，使得所述金屬主體層的溫度低于200攝氏度。
3.如權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于，所述外表面層上設(shè)置有溫控裝置，用于控制外表面層的溫度，使得所述外表面層的靠近襯底一側(cè)的溫度范圍為300 800攝氏度。
4.如權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于，所述外表面層的厚度范圍為10微米到5毫米。
5.如權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于，所述外表面層材料為耐熱材質(zhì)。
6.如權(quán)利要求5所述的噴淋頭，其特征在于，所述外表面層的材質(zhì)為石墨、碳化硅、硅、氮化硼、碳纖維、石英中的一種或其中的組合。
7.如權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于，所述外表面層通過(guò)機(jī)械方式與所述金屬主體層結(jié)合，使得所述外表面層可以從所述金屬主體層上移除。
8.如權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于，所述外表面層的靠近襯底一側(cè)的表面為粗糙表面。
9.如權(quán)利要求8所述的噴淋頭，其特征在于，所述外表面層的靠近襯底一側(cè)的表面的粗糙度范圍為200納米 100 微米。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于在襯底上進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的噴淋頭，包括金屬主體層，在進(jìn)行化學(xué)沉積工藝時(shí)的溫度低于300攝氏度；外表面層，位于所述金屬主體層的靠近襯底一側(cè)的表面，所述外表面層在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝時(shí)的溫度高于所述金屬主體層的溫度。本發(fā)明提高了化學(xué)氣相沉積工藝形成的外延材料層的質(zhì)量，也提高了化學(xué)氣相沉積設(shè)備的產(chǎn)能和效率。
文檔編號(hào)C23C16/455GK103074601SQ20121001941
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月21日
發(fā)明者梁秉文, 陳勇, 葉芷飛 申請(qǐng)人:光達(dá)光電設(shè)備科技(嘉興)有限公司