專(zhuān)利名稱(chēng)：嵌入式pecvd載片器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種載片器，具體地說(shuō)是一種嵌入式PECVD載片器，屬于太陽(yáng)能電池鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
我國(guó)對(duì)太陽(yáng)能電池的研究開(kāi)發(fā)工作一向高度重視，早在七五期間，非晶硅半導(dǎo)體的研究工作已經(jīng)列入國(guó)家重大課題；八五和九五期間，我國(guó)把研究開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)放在大面積太陽(yáng)能電池等方面。2003年10月，國(guó)家發(fā)改委、科技部制定出未來(lái)5年太陽(yáng)能資源開(kāi)發(fā)計(jì)劃，發(fā)改委“光明工程”將籌資100億元用于推進(jìn)太陽(yáng)能發(fā)電技術(shù)的應(yīng)用，計(jì)劃到2015年全國(guó)太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)總裝機(jī)容量達(dá)到300兆瓦。我國(guó)已成為全球光伏產(chǎn)品最大制造國(guó)，我國(guó)即將出臺(tái)的《新能源振興規(guī)劃》，我國(guó)光伏發(fā)電的裝機(jī)容量規(guī)劃為2020年達(dá)到20GW，是原來(lái) 《可再生能源中長(zhǎng)期規(guī)劃》中1. 8GW的10多倍。目前國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能硅生產(chǎn)企業(yè)主要有洛陽(yáng)單晶硅廠、河北寧晉單晶硅基地和四川峨眉半導(dǎo)體材料廠等廠商，其中河北寧晉單晶硅基地是世界最大的太陽(yáng)能單晶硅生產(chǎn)基地， 占世界太陽(yáng)能單晶硅市場(chǎng)份額的25%左右。隨著光伏行業(yè)的迅猛發(fā)展，人們對(duì)太陽(yáng)能電池片的質(zhì)量提出了越來(lái)越高的要求， 其中硅片的表面質(zhì)量、是否殘留污染等不僅影響電池片的外觀而且也影響太陽(yáng)能電池片的轉(zhuǎn)換效率，下鍍膜板式PECVD目前采用4組掛鉤支撐硅片，4組檔片擋住硅片的方式進(jìn)行鍍膜，則此時(shí)在鍍膜時(shí)，由于掛鉤與硅片的接觸使得被掛鉤鉤尖覆蓋區(qū)域的硅片無(wú)法鍍膜而使太陽(yáng)能電池產(chǎn)生表面瑕疵，這樣既影響了電池片的外觀也影響了電池片的轉(zhuǎn)化率。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足之處，提供一種嵌入式PECVD載片器，使硅片在鍍膜時(shí)免受因下鍍膜方式掛鉤對(duì)工藝氣體阻擋而在硅片上形成的瑕疵，改善了電池片的外觀也提高了電池片的轉(zhuǎn)化效率；另外也省去了下鍍膜掛鉤的安裝，降低了載片器的維護(hù)成本按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，嵌入式PECVD載片器，包括正方形的框體，所述框體的邊長(zhǎng)與第一種規(guī)格的硅片載體器的邊長(zhǎng)相等，框體一面為第一正方形，另一面為第二正方形，兩者在高度上形成臺(tái)階；且第一正方形大于第二正方形。所述第一正方形尺寸大于待加工硅片尺寸，且其四個(gè)角均加工成工藝圓角。所述第二正方形為鏤空正方形。本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)T省去了下鍍膜方式需在載片器上面安裝的掛鉤；S采用上鍍膜方式，工藝氣體直接在硅片的上表面產(chǎn)生沉積物，所以不會(huì)形成像下鍍膜方式中掛鉤對(duì)硅片遮擋而形成的鍍膜瑕疵、改善了硅片的外觀，提高了硅片的轉(zhuǎn)化效率；[0012]③涉及的嵌入式載片器加工性好，便于維護(hù)，對(duì)用戶(hù)而言也降低了產(chǎn)品的維護(hù)成本。

圖1本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)剖面圖。
具體實(shí)施方式
如圖1-2所示，嵌入式PECVD載片器，包括正方形的框體1，所述框體1的邊長(zhǎng)與第一種規(guī)格的硅片載體器的邊長(zhǎng)相等，框體1 一面為第一正方形2，另一面為第二正方形3，兩者在高度上形成臺(tái)階；且第一正方形2大于第二正方形3。所述第一正方形2的尺寸大于待加工硅片尺寸，且其四個(gè)角均加工成工藝圓角。所述第二正方形3為鏤空正方形。目前的載片器由于采用4個(gè)掛鉤承載待鍍膜的硅片，由4個(gè)檔片限制載片器運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的載片器震動(dòng)，防止硅片滑落。由于硅片與掛鉤的接觸，則掛鉤鉤尖會(huì)對(duì)硅片形成覆蓋而使共工藝氣體無(wú)法到達(dá)該被覆蓋的區(qū)域，因此電池片會(huì)形成瑕疵、影響外觀和轉(zhuǎn)化率。本實(shí)用新型嵌入式PECVD載片器，采用上鍍膜方式對(duì)硅片進(jìn)行鍍膜，鍍膜時(shí)，只需將待加工的硅片放入該臺(tái)階槽中，工藝氣體直接對(duì)硅片上表面進(jìn)行沉積，避免了下鍍膜載片器中掛鉤對(duì)硅片遮蓋而產(chǎn)生的瑕疵。
權(quán)利要求1.嵌入式PECVD載片器，包括正方形的框體(1)，其特征是所述框體(1)的邊長(zhǎng)與第一種規(guī)格的硅片載體器的邊長(zhǎng)相等，框體(1) 一面為第一正方形(2)，另一面為第二正方形 (3)，兩者在高度上形成臺(tái)階；且第一正方形(2)大于第二正方形(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述嵌入式PECVD載片器，其特征是所述第一正方形(2)的尺寸大于待加工的硅片尺寸，且其四個(gè)角均加工成工藝圓角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述嵌入式PECVD載片器，其特征是所述第二正方形(3)為鏤空正方形。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種載片器，具體地說(shuō)是一種嵌入式PECVD載片器，屬于太陽(yáng)能電池鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。其包括正方形的框體，所述框體的邊長(zhǎng)與第一種規(guī)格的硅片載體器的邊長(zhǎng)相等，框體一面為第一正方形，另一面為第二正方形，兩者在高度上形成臺(tái)階。所述第一正方形尺寸大于待加工硅片尺寸，且其四個(gè)角均加工成工藝圓角。所述第二正方形為鏤空正方形。本實(shí)用新型省去了下鍍膜方式需在載片器上面安裝的掛鉤；采用上鍍膜方式，工藝氣體直接在硅片的上表面產(chǎn)生沉積物，所以不會(huì)形成像下鍍膜方式中掛鉤對(duì)硅片遮擋而形成的鍍膜瑕疵、改善了硅片的外觀，提高了硅片的轉(zhuǎn)化效率；涉及的嵌入式載片器加工性好，便于維護(hù)，對(duì)用戶(hù)而言也降低了產(chǎn)品的維護(hù)成本。
文檔編號(hào)C23C16/44GK202297766SQ201120425579
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者代寧, 尤耀明, 李文虎 申請(qǐng)人:無(wú)錫綠波新能源設(shè)備有限公司