非揮發(fā)性嵌入存儲器抗干擾的改善方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種非揮發(fā)性嵌入存儲器抗干擾的改善方法，包括：1）利用光刻膠，通過光罩定義公用源層次圖形；2）注入公用源；3）去除公用源層次光刻膠；4）在950℃以上的溫度下進行快速熱處理，其中，熱處理的時間5秒以上。本發(fā)明能有效地改善非揮發(fā)性存儲器寫入操作過程中的抗干擾能力。
【專利說明】非揮發(fā)性嵌入存儲器抗干擾的改善方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體領(lǐng)域中的存儲器抗干擾的改善方法，特別是涉及一種非揮發(fā)性嵌入存儲器抗干擾的改善方法。

【背景技術(shù)】
[0002]非揮發(fā)性存儲器在系統(tǒng)關(guān)閉或無電源供應(yīng)時，仍能繼續(xù)保持數(shù)據(jù)信息，其中，該非揮發(fā)性存儲器可分為兩類:電荷阱型存儲器和浮柵型存儲器。在浮柵型的非揮發(fā)性存儲器中，電荷被存儲在浮柵中，它們在無電源供應(yīng)的情況下仍然可以保持。
[0003]然而，一般的非揮發(fā)性存儲器的寫入操作是通過在存儲器的公用源端加高壓實現(xiàn)的，原有的工藝(如圖1所示)是通過在公用源區(qū)的注入工藝來形成公用源端的，其中，單個存儲單元結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示。在寫的過程中被選中單元公用源端加高壓，對應(yīng)的字線和位線也加適當電壓，原有工藝下被執(zhí)行寫操作單元鄰近的單元也易被寫，這就是非揮發(fā)性存儲器的干擾過程，如圖3所示。
[0004]因此，對于非揮發(fā)性存儲器的寫入操作的原有工藝，有必要進行進一步的改善干擾研究。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種非揮發(fā)性嵌入存儲器抗干擾的改善方法。通過該方法，能有效地改善非揮發(fā)性存儲器寫入過程中的干擾。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的非揮發(fā)性嵌入存儲器抗干擾的改善方法，包括步驟:
[0007]I)利用光刻膠，通過光罩定義公用源層次圖形；
[0008]2)注入公用源；
[0009]3)去除公用源層次光刻膠；
[0010]4)在950°C以上的溫度下進行快速熱處理，其中，熱處理的時間5秒以上。
[0011]所述步驟2)中，注入公用源中，一般利用N型雜質(zhì)、注入濃度約為I X 114CnT2進行公用源注入。
[0012]所述步驟3)中，去除公用源層次光刻膠的方法，包括:采用灰化和濕法去膠的方式去除公用源層次光刻膠。
[0013]本發(fā)明中，在原有的公用源端的制造流程后，增加一步溫度高于950°C、時間超過5秒的快速熱處理，從而能改善非揮發(fā)性存儲器寫入操作過程中的抗干擾能力。
[0014]另外，對于浮柵型的嵌入式非揮發(fā)性存儲器來說，在寫入操作時的干擾是影響芯片正常工作的主要原因，而通過本發(fā)明的方法，在制造工藝中增加一步快速熱處理，就能改善存儲器寫入操作過程中的干擾。其中，干擾從機理上說是存在一定的漏電路徑，通過快速熱處理可以掐斷這些漏電路徑，從而改善非揮發(fā)性存儲器寫入操作過程中的抗干擾能力。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]下面結(jié)合附圖與【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
[0016]圖1是原有的非揮發(fā)性存儲器的寫入操作的制作工藝流程示意圖；
[0017]圖2是單個存儲單元示意圖；
[0018]圖3是一個字節(jié)的示意圖；
[0019]圖4是本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲器的寫入操作的制作工藝流程示意圖；
[0020]圖5是本發(fā)明的一個良率測試程序中的干擾測試結(jié)果；
[0021]圖6是本發(fā)明的另一個良率測試程序中的干擾測試結(jié)果。
[0022]其中，圖2-3中的附圖標記說明如下:
[0023]I 為公用源(Common source), 2 為浮柵(Floating gate), 3 為字線(Word line),4為位線(Bit line), a為被選擇單元，b與c為鄰近單元。

【具體實施方式】
[0024]本發(fā)明的非揮發(fā)性嵌入存儲器抗干擾的改善方法(如圖4所示)，包括步驟:
[0025]I)利用光刻膠，通過光罩定義公用源層次圖形；
[0026]2)注入公用源；該步驟中，一般利用N型雜質(zhì)、注入濃度約為I X 114CnT2進行公用源注入；
[0027]3)采用常規(guī)的灰化和濕法去膠，去除公用源層次光刻膠；
[0028]4)在950°C以上的溫度下進行快速熱處理，其中，熱處理的時間5秒以上。
[0029]其中，步驟1-3)中，可按照原有的非揮發(fā)性存儲器的寫入操作的制作工藝進行。
[0030]根據(jù)上述步驟的工藝流程，與原有的非揮發(fā)性存儲器的寫入操作的制作工藝經(jīng)試驗比較發(fā)現(xiàn):在生產(chǎn)線上的分片試驗及后續(xù)的良率測試結(jié)果可以看到，增加一步快速熱過程的處理確實可以改善非揮發(fā)性存儲器寫入操作時的抗干擾能力(如圖5-6所示)。其中，圖5-6為兩種不同的抗干擾測試，并且圖中所顯示的數(shù)值越大，說明抗干擾能力越弱。
【權(quán)利要求】
1.一種非揮發(fā)性嵌入存儲器抗干擾的改善方法，其特征在于，包括步驟: 1)利用光刻膠，通過光罩定義公用源層次圖形； 2)注入公用源； 3)去除公用源層次光刻膠； 4)在950°C以上的溫度下進行快速熱處理，其中，熱處理的時間5秒以上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟2)的注入公用源中，利用N型雜質(zhì)、注入濃度為I X 114CnT2進行公用源注入。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟3)中，去除公用源層次光刻膠的方法，包括:采用灰化和濕法去膠的方式去除公用源層次光刻膠。
【文檔編號】H01L21/324GK104241290SQ201310250223
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月21日
【發(fā)明者】陸涵蔚, 曹俊 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司