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用于srp系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具的制作方法

文檔序號(hào):3382236閱讀:532來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):用于srp系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種擴(kuò)展電阻探針測(cè)試設(shè)備,具體涉及一種用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具。
背景技術(shù)
擴(kuò)展電阻探針(Spreading Resistance ftOber,SRP)是半導(dǎo)體工藝中常用的監(jiān)控和失效分析設(shè)備,它可以用于測(cè)量電阻率和載流子濃度,以確定注入擴(kuò)展?fàn)顩r、結(jié)深狀況。 它通過(guò)兩根針在磨出斜面的樣品上接觸,測(cè)出兩針間的電阻值,該電阻值經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)曲線轉(zhuǎn)換為電阻率和載流子濃度,而針?biāo)幍奈恢?,通過(guò)角度及距離換算,得到針對(duì)應(yīng)位置的深度值,以上數(shù)據(jù)綜合,就可得到樣品的電阻率或載流子濃度的深度分布曲線。SSM Nano SRP2000是目前較新型的SRP系統(tǒng),它配備的樣品制備設(shè)備的型號(hào)為 J90研磨機(jī)。SRP系統(tǒng)的樣品制備方法是,將樣品粘附到底座,再將底座固定在夾具上,將樣品磨出指定的角度。當(dāng)樣品磨到一定程度時(shí),常常需要取下帶有樣品的底座,然后查看樣品的表面粗糙度和斜面長(zhǎng)度情況。如果這兩個(gè)指標(biāo)不符合要求,必須將帶有樣品的底座重新裝回夾具再繼續(xù)研磨。將底座裝回夾具時(shí),兩者間的相對(duì)位置完全一致時(shí),后續(xù)的研磨將在原斜面的基礎(chǔ)上繼續(xù)進(jìn)行,但實(shí)際情況是二者的相對(duì)位置只能靠目測(cè)來(lái)判斷,往往會(huì)出現(xiàn)偏差,這導(dǎo)致后續(xù)的研磨并不在原斜面上繼續(xù)進(jìn)行,而是產(chǎn)生新的斜面,相當(dāng)于制樣過(guò)程從頭開(kāi)始,嚴(yán)重影響了分析速度。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,它可以保證對(duì)同一樣品的多次研磨都在同一個(gè)斜面進(jìn)行,極大地加快樣品的制備速度。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具的技術(shù)解決方案為包括套筒、研磨座、螺釘、研磨頭;研磨座設(shè)置于套筒內(nèi),研磨座底部設(shè)置研磨頭, 研磨頭通過(guò)螺釘與研磨座固定連接;所述研磨頭包括圓柱形基座,基座上設(shè)置有三個(gè)突出的鋸齒,鋸齒的高度方向延伸至基座的底面;所述研磨座的底面設(shè)置有凹槽,凹槽的形狀與所述研磨頭的底面相配合。所述研磨座的凹槽與所述研磨頭之間設(shè)有間隙。所述基座的頂端為兩個(gè)相交的斜面。所述三個(gè)鋸齒相對(duì)于研磨頭的旋轉(zhuǎn)中心均勻分布。 所述三個(gè)鋸齒與基座為一體成型。所述圓柱形基座的直徑為2. 2厘米,高度為0. 6厘米。所述鋸齒的底面長(zhǎng)為0. 5厘米,底面寬為0. 5厘米,高度為0. 3厘米。所述研磨座的外徑為3. 4厘米。
3[0015]所述研磨座的凹槽深度為0. 3厘米。本實(shí)用新型可以達(dá)到的技術(shù)效果是本實(shí)用新型能夠確保對(duì)同一樣品進(jìn)行多次研磨制樣時(shí),都能得到同一個(gè)研磨斜面,從而提高分析速度和效率。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明


圖1是本實(shí)用新型用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具的示意圖;圖2是本實(shí)用新型的研磨頭的示意圖;圖3是圖2的俯視圖;圖4是圖2的仰視圖;圖5是本實(shí)用新型的研磨座的底面示意圖。圖中附圖標(biāo)記說(shuō)明1為套筒,2為研磨座,3為螺釘,4為研磨頭,10為樣品,41為基座,411、412為斜面, 42為鋸齒。
具體實(shí)施方式

圖1所示,本實(shí)用新型用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,包括套筒1、研磨座2、 螺釘3、研磨頭4 ;研磨座2設(shè)置于套筒1內(nèi),研磨座2底部設(shè)置研磨頭4,研磨頭4通過(guò)螺釘3與研磨座2固定連接;如圖2、圖3、圖4所示,研磨頭4包括圓柱形基座41,基座41的頂端為兩個(gè)相交的斜面411、412 ;基座41上設(shè)置有三個(gè)突出的鋸齒42,三個(gè)鋸齒42相對(duì)于研磨頭4的旋轉(zhuǎn)中心均勻分布,即三個(gè)鋸齒42的相隔角度為120度;鋸齒42的高度方向延伸至基座41的底面;三個(gè)鋸齒42與基座41為一體成型;圓柱形基座41的直徑為2. 2厘米,高度為0. 6厘米;鋸齒42的底面長(zhǎng)為0. 5厘米,底面寬為0. 5厘米,高度為0. 3厘米。如圖5所示,研磨座2的底面設(shè)置有凹槽,凹槽的形狀與研磨頭4的底面相配合;研磨座2的外徑為3. 4厘米;研磨座2的凹槽深度為0. 3厘米;凹槽的尺寸比研磨頭4的底面大0. 05厘米。如凹槽上容納鋸齒42部分的長(zhǎng)為0. 55厘米,寬為0. 55厘米;本實(shí)用新型的研磨座2上設(shè)置有與研磨頭4相配合的凹槽,能夠?qū)崿F(xiàn)再制樣時(shí)的
均一重疊表面處理。本實(shí)用新型的研磨頭4上設(shè)置有三個(gè)用于定位和固定的鋸齒42,研磨頭4嵌套入研磨座2,能夠保證樣品仍位于夾具的初次研磨位置(包括角度);從而確保新的研磨仍在原有的斜面上進(jìn)行,從而加快了樣品的制備速度。本實(shí)用新型能夠制備SRP (擴(kuò)展電阻探針測(cè)試)中所需的樣品,用于半導(dǎo)體電阻率的測(cè)試,所制備的樣品能夠獲得均一重疊的表面。[0039] 采用本實(shí)用新型進(jìn)行多次研磨處理仍可得到均一的斜面,這可以提升后續(xù)電阻率測(cè)試的速度和效率,為相關(guān)工藝調(diào)整的開(kāi)展、問(wèn)題的解決盡早提供依據(jù)。
權(quán)利要求1.一種用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,包括套筒、研磨座、螺釘、研磨頭;研磨座設(shè)置于套筒內(nèi),研磨座底部設(shè)置研磨頭,研磨頭通過(guò)螺釘與研磨座固定連接;其特征在于所述研磨頭包括圓柱形基座,基座上設(shè)置有三個(gè)突出的鋸齒,鋸齒的高度方向延伸至基座的底面;所述研磨座的底面設(shè)置有凹槽,凹槽的形狀與所述研磨頭的底面相配合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,其特征在于所述研磨座的凹槽與所述研磨頭之間設(shè)有間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,其特征在于所述基座的頂端為兩個(gè)相交的斜面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,其特征在于所述三個(gè)鋸齒相對(duì)于研磨頭的旋轉(zhuǎn)中心均勻分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,其特征在于所述三個(gè)鋸齒與基座為一體成型。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,其特征在于所述圓柱形基座的直徑為2. 2厘米,高度為0. 6厘米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,其特征在于所述鋸齒的底面長(zhǎng)為0. 5厘米,底面寬為0. 5厘米,高度為0. 3厘米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,其特征在于所述研磨座的外徑為3. 4厘米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,其特征在于所述研磨座的凹槽深度為0. 3厘米。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于SRP系統(tǒng)研磨機(jī)的研磨夾具,包括套筒、研磨座、螺釘、研磨頭;研磨座設(shè)置于套筒內(nèi),研磨座底部設(shè)置研磨頭,研磨頭通過(guò)螺釘與研磨座固定連接;所述研磨頭包括圓柱形基座,基座上設(shè)置有三個(gè)突出的鋸齒,鋸齒的高度方向延伸至基座的底面;所述研磨座的底面設(shè)置有凹槽,凹槽的形狀與所述研磨頭的底面相配合。所述研磨座的凹槽與所述研磨頭之間設(shè)有間隙。本實(shí)用新型能夠確保對(duì)同一樣品進(jìn)行多次研磨制樣時(shí),都能得到同一個(gè)研磨斜面,從而提高分析速度和效率。
文檔編號(hào)B24B37/27GK202192537SQ20112024621
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月13日
發(fā)明者孟超, 時(shí)俊亮, 賴(lài)華平 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司
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