專(zhuān)利名稱(chēng)：一種成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種成膜裝置，尤其是一種利用磁控濺射進(jìn)行半導(dǎo)體基板表面成膜的裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制備領(lǐng)域中，半導(dǎo)體上集成元件的相互連接通常是通過(guò)具有優(yōu)異傳導(dǎo)性、能夠迅速準(zhǔn)確傳達(dá)電信號(hào)的鋁膜等金屬膜完成的。而這些金屬膜的形成方法主要有沉積法和濺射法等。其中，濺射法與沉積法相比，形成的膜厚更為均勻，因此得到了廣泛的應(yīng)用。但是隨著半導(dǎo)體部件的集成度越來(lái)越高，要求金屬膜越來(lái)越細(xì)微的同時(shí)，還要求其表面凹凸更為明顯，這使得濺射形成金屬膜時(shí)，在階梯處的涂布性效果不好，信號(hào)傳導(dǎo)準(zhǔn)確性大為降低。為了改善上述問(wèn)題，采用將階梯縱橫比大的部位用金屬膜全部封孔的方法， 但這種方法在濺射成膜時(shí)往往需要在電極間加大功率(通常是12kW以上)，這導(dǎo)致了濺射靶在成膜過(guò)程中溫度急劇上升，濺射靶中大的金屬粒子也從表面逸出，而這些大顆粒金屬粒子往往對(duì)半導(dǎo)體基板表面造成污染。因此，為了防止上述問(wèn)題的出現(xiàn)，通常為濺射靶添加冷卻管路，通入冷卻介質(zhì)以減少靶材溫升?，F(xiàn)有技術(shù)中常見(jiàn)的濺射裝置如圖1所示，其具有一個(gè)處理室1，處理室具有一個(gè)用于密封的蓋2，蓋2的中部設(shè)有中心開(kāi)孔3以容納磁控槍4，中心開(kāi)孔3兩側(cè)設(shè)有進(jìn)水孔5和出水孔6，用以導(dǎo)入、導(dǎo)出冷卻介質(zhì)，蓋2的下側(cè)表面固定有圓筒狀濺射靶7，濺射靶 7的側(cè)壁8以及底壁9圍繞磁控槍4并與磁控槍4留有間隙，以作為冷卻介質(zhì)的流通通道， 處理室底部設(shè)有承載半導(dǎo)體基板10的載物臺(tái)11。然而，上述冷卻方法對(duì)于12kW以上的大功率濺射而言冷卻效果還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述各處理方法的不足，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種具有優(yōu)異濺射靶冷卻效果的磁控濺射裝置，以適用于大功率的濺射成膜處理。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的具體技術(shù)方案是一種具有優(yōu)異濺射靶冷卻效果的磁控濺射裝置，其具有一個(gè)處理室1，處理室具有一個(gè)用于密封的蓋2，蓋2的中部設(shè)有中心開(kāi)孔3以容納磁控槍4，中心開(kāi)孔3兩側(cè)設(shè)有進(jìn)水孔5和出水孔6，用以導(dǎo)入、導(dǎo)出冷卻介質(zhì)，蓋2的下側(cè)表面固定有圓筒狀濺射靶7，濺射靶7的側(cè)壁8以及底壁9圍繞磁控槍 4并與磁控槍4留有間隙，以作為冷卻介質(zhì)的流通通道，處理室底部設(shè)有承載半導(dǎo)體基板10 的載物臺(tái)11，其特征是濺射靶的側(cè)壁8以及底壁9具有波浪狀的凹凸表面。本實(shí)用新型的有益效果是，由于濺射靶的側(cè)壁及底壁具有波浪狀的凹凸表面，不但能夠增大其與冷卻介質(zhì)的接觸面積，還能通過(guò)其柔和曲線減小冷卻介質(zhì)的流動(dòng)阻力，因此大大提高了冷卻效果，從而防止由于濺射靶過(guò)熱逸出大顆粒金屬粒子造成的基板污染。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中濺射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型中濺射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。1.處理室；2.蓋；3.中心開(kāi)孔；4.磁控槍?zhuān)?.進(jìn)水控；6.出水孔；7.濺射靶；8.側(cè)壁；9.底壁；10.基板；11.載物臺(tái)。
具體實(shí)施方式
如圖2所示，一種具有優(yōu)異濺射靶冷卻效果的磁控濺射裝置，其具有一個(gè)處理室 1，處理室具有一個(gè)用于密封的蓋2，蓋2的中部設(shè)有中心開(kāi)孔3以容納磁控槍4，中心開(kāi)孔 3兩側(cè)設(shè)有進(jìn)水孔5和出水孔6，用以導(dǎo)入、導(dǎo)出冷卻介質(zhì)，蓋2的下側(cè)表面固定有圓筒狀濺射靶7，濺射靶7的側(cè)壁8以及底壁9圍繞磁控槍4并與磁控槍4留有間隙，以作為冷卻介質(zhì)的流通通道，處理室底部設(shè)有承載半導(dǎo)體基板10的載物臺(tái)11，其特征是濺射靶的側(cè)壁8 以及底壁9具有波浪狀的凹凸表面。
權(quán)利要求1. 一種成膜裝置，其具有一個(gè)處理室(1)，處理室具有一個(gè)用于密封的蓋(2)，蓋(2)的中部設(shè)有中心開(kāi)孔⑶以容納磁控槍⑷，中心開(kāi)孔⑶兩側(cè)設(shè)有進(jìn)水孔(5)和出水孔(6)， 用以導(dǎo)入、導(dǎo)出冷卻介質(zhì)，蓋(2)的下側(cè)表面固定有圓筒狀濺射靶(7)，濺射靶(7)的側(cè)壁(8)以及底壁(9)圍繞磁控槍⑷并與磁控槍⑷留有間隙，以作為冷卻介質(zhì)的流通通道， 處理室底部設(shè)有承載半導(dǎo)體基板(10)的載物臺(tái)(11)，其特征是濺射靶的側(cè)壁(8)以及底壁(9)具有波浪狀的凹凸表面。
專(zhuān)利摘要一種利用磁控濺射進(jìn)行半導(dǎo)體基板表面成膜的裝置，由于其濺射靶的側(cè)壁及底壁具有波浪狀的凹凸表面，不但能夠增大其與冷卻介質(zhì)的接觸面積，還能通過(guò)其柔和曲線減小冷卻介質(zhì)的流動(dòng)阻力，因此大大提高了冷卻效果，從而防止由于濺射靶過(guò)熱逸出大顆粒金屬粒子造成的基板污染。
文檔編號(hào)C23C14/35GK202099381SQ20112006256
公開(kāi)日2012年1月4日 申請(qǐng)日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者倪楊, 鄭順奇, 齊偉光 申請(qǐng)人:寧波表面工程研究中心