專利名稱：基板處理設(shè)備的放電組件、腔室裝置和pecvd設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板處理設(shè)備的放電組件，具有該放電組件的腔室裝置，和具有該腔室裝置的PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著等離子體技術(shù)的不斷發(fā)展，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于制造集成電路(IC)或光伏(PV)產(chǎn)品的工藝中。在各種PECVD設(shè)備中，由于平行板電容稱合等離子體(Capacitively Coupled Plasma,簡(jiǎn)稱CCP)以及遠(yuǎn)程微波激發(fā)等離子體(ECR)可以產(chǎn)生大面積均勻等離子體，且可以滿足鏈?zhǔn)降纳a(chǎn)方式，在太陽(yáng)能電池制造工藝中得到了大規(guī)模的應(yīng)用。傳統(tǒng)PECVD設(shè)備采用的典型CCP裝置，工藝氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入勻流室。在勻流室內(nèi)，工藝氣體的流場(chǎng)、流速被均勻化，之后均勻的通過(guò)上電極噴淋板的氣孔，進(jìn)入到腔室里面。上電極接射頻電源，下電極放置在加熱器上保持一定的工藝溫度并接地。需沉積薄膜的基板放置在下電極上。根據(jù)工藝氣體的不同，沉積的薄膜成分也不盡相同。一般PV行業(yè)工藝氣體為SiH4和NH3，得到的是薄膜是SiNx。傳統(tǒng)的CCP裝置，工作氣壓范圍比較窄，一般為幾十帕到上百帕，從而對(duì)于設(shè)備的真空系統(tǒng)配置要求比較高。另外，目前工業(yè)上追求大產(chǎn)能，為了提高產(chǎn)生等離子體的密度，驅(qū)動(dòng)電源也逐漸從幾十千赫到兆赫發(fā)展，但是由于驅(qū)動(dòng)電源頻率的增加，等離子體中駐波效應(yīng)逐漸明顯，從而限制了設(shè)備向更大產(chǎn)能的發(fā)展。從工藝角度考慮，因?yàn)樗璩练e的基板位于下電極上，所以在成膜的過(guò)程中，還會(huì)引起等離子體轟擊導(dǎo)致薄膜受損、以及顆粒控制等問(wèn)題。目前，太陽(yáng)能電池制造業(yè)常用的設(shè)置是遠(yuǎn)程微波激發(fā)等離子體(ECR)裝置。首先，工藝氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入腔室，在2.45G微波的激勵(lì)下，產(chǎn)生等離子體，并由直流線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)，促進(jìn)帶電粒子回旋共振激發(fā)，等離子體中具有化學(xué)活性的氣體在等離子中進(jìn)行反應(yīng)，并在基板上沉積上所需的功能薄膜。工藝之后產(chǎn)生的廢氣通過(guò)抽氣排走。與CCP裝置相比，ECR裝置在產(chǎn)能上具有優(yōu)勢(shì)，但是微波源的控制十分復(fù)雜，且成本昂貴，限制了它的應(yīng)用和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決上述技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種基板處理設(shè)備的放電組件，該放電組件采用介質(zhì)阻擋放電(DBD)，具有高的放電電壓，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于控制。本發(fā)明的另一目的在于提出一種具有上述放電組件的腔室裝置。本發(fā)明的再一目的在于提出一種具有上述腔室裝置的PECVD設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明第一方面實(shí)施例的基板處理設(shè)備的放電組件，包括:驅(qū)動(dòng)電源，所述驅(qū)動(dòng)電源具有第一端和第二端；絕緣阻擋件，所述絕緣阻擋件具有沿其厚度方向貫通的通氣孔；多個(gè)第一電極，所述第一電極與所述驅(qū)動(dòng)電源的第一端相連且分別設(shè)在所述絕緣阻擋件的下表面上；和多個(gè)第二電極，所述第二電極與所述驅(qū)動(dòng)電源的第二端相連且分別設(shè)在所述絕緣阻擋件的上表面上且與所述多個(gè)第一電極成對(duì)設(shè)置；其中每個(gè)電極對(duì)中的所述第一電極和第二電極在所述絕緣阻擋件的厚度方向上錯(cuò)開(kāi)，以使所述第一電極和第二電極產(chǎn)生的等離子體放電區(qū)域位于所述絕緣阻擋件下方。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的放電組件，采用在第一和第二電極之間設(shè)置絕緣阻擋件的介質(zhì)阻擋(DBD)放電，可以有效地提高第一電極和第二電極之間的放電電壓。驅(qū)動(dòng)電源可以采用更高頻率。絕緣阻擋件可以避免放電過(guò)程中第一電極和第二電極之間產(chǎn)生弧光。另外，驅(qū)動(dòng)電源在第一和第二電極間施加電壓，可在絕緣阻擋件下方產(chǎn)生等離子體放電區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例的放電組件具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于控制以及驅(qū)動(dòng)電源選用范圍廣泛，克服了傳統(tǒng)電極結(jié)構(gòu)的限制，無(wú)需將電極作為放置基板的平臺(tái)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣阻擋件的上表面上設(shè)有多個(gè)凹槽，所述多個(gè)第二電極分別 對(duì)應(yīng)地設(shè)在所述凹槽內(nèi)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述通氣孔分為多組，所述多組通氣孔沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，所述第一電極沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，所述第二電極沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，在彼此相鄰的所述第一電極和所述第二電極之間分別設(shè)有一組所述通氣孔，每組通氣孔包括多個(gè)通氣孔。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多組通氣孔沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置，所述第一電極沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置，所述第二電極沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置。由此，通氣孔相對(duì)均勻地分布在絕緣阻擋件的整個(gè)面積上，提高工藝氣體的均勻性。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣阻擋件為矩形絕緣板，所述第一電極和所述第二電極均為條狀，所述第一電極在所述矩形絕緣板的下表面上分別沿所述矩形絕緣板的縱向延伸，所述第二電極在所述矩形絕緣板的上表面上分別沿所述矩形絕緣板的縱向延伸。由此，進(jìn)一步增加第一電極和第二電極之間放電的面積，提高等離子體的均勻性。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣阻擋件由陶瓷、石英或聚四氟乙烯制成。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)電源為低頻電源、高頻電源、射頻電源和甚高頻電源之一。因此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的放電組件的驅(qū)動(dòng)電源選用范圍廣，當(dāng)選用高頻率的驅(qū)動(dòng)電源時(shí)，此種多電極的放電結(jié)構(gòu)可以有效避免放電時(shí)等離子體中的駐波效應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明第二方面實(shí)施例的腔室裝置，包括:腔室本體，所述腔室本體內(nèi)具有工藝腔室，所述腔室本體具有進(jìn)氣口和出氣口以及基板進(jìn)口和基板出口 ；加熱保溫裝置，所述加熱保溫裝置設(shè)在所述工藝腔室內(nèi)；勻流室體，所述勻流室體內(nèi)具有勻流室，所述勻流室體設(shè)在所述工藝腔室內(nèi)且位于所述加熱保溫裝置上方，所述勻流室體設(shè)有與所述加熱保溫裝置相對(duì)的開(kāi)口，所述勻流室體通過(guò)所述腔室本體的進(jìn)氣口與外界連通；傳輸裝置，所述傳輸裝置設(shè)在所述工藝腔室內(nèi)且位于所述勻流室體與所述加熱保溫裝置之間用于將基板傳入和傳出所述工藝腔室；和放電組件，所述放電組件為上述第一方面實(shí)施例的基板處理設(shè)備的放電組件，其中所述放電組件的絕緣阻擋件設(shè)在所述勻流室體的開(kāi)口處以封閉所述開(kāi)口且所述勻流室通過(guò)所述通氣孔與所述工藝腔室連通。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置，放電組件采用DBD放電，驅(qū)動(dòng)電源可以在第一和第二電極之間施加更高頻率，產(chǎn)生大量等離子體，放電組件的絕緣阻擋件有效避免在等離子體中產(chǎn)生駐波效應(yīng)，從而提高工藝氣體的利用率，增加產(chǎn)能。并且基板處于放電組件的下方，避免等離子體對(duì)基板成膜的傷害，提高基板成膜質(zhì)量。此外，在低氣壓情況下，絕緣阻擋件還可以防止在放電組件的第一電極和第二電極之間產(chǎn)生弧光，進(jìn)而防止腔室裝置受到損害，提高腔室裝置的使用壽命。本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置還可以通過(guò)傳輸裝置提高基板的傳輸效率，提高腔室裝置的使用效率。另外，該腔室裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述放電組件的驅(qū)動(dòng)電源設(shè)在所述腔室本體的外面。這樣便于控制驅(qū)動(dòng)電源對(duì)第一電極和第二電極之間施加的頻率。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述基板進(jìn)口處設(shè)有用于打開(kāi)和關(guān)閉所述基板進(jìn)口的進(jìn)口閥，所述基板出口處設(shè)有用于打開(kāi)和關(guān)閉所述基板出口的出口閥。方便基板的傳入與傳出。在工藝過(guò)程中，進(jìn)口和出口均關(guān)閉，防止空氣進(jìn)入工藝腔室中。工藝過(guò)程結(jié)束后，進(jìn)口和出口均打開(kāi)，方便基板的傳入和傳出。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述傳輸裝置包括沿腔室本體的橫向彼此間隔設(shè)置的多個(gè)傳動(dòng)齒輪。根據(jù)本發(fā)明第三方面實(shí)施例的PECVD設(shè)備，包括上述實(shí)施例的腔室裝置。本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板處理設(shè)備的放電組件的示意圖；圖2為圖1所示放電組件的平面示意圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的放電組件的變型的示意圖；以及圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說(shuō)明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。以下結(jié)合附圖首先描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板處理設(shè)備的放電組件。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板處理設(shè)備的放電組件100包括驅(qū)動(dòng)電源110、第一電極120、第二電極130和絕緣阻擋件140。驅(qū)動(dòng)電源110具有第一端(圖1中的左端)和第二端(圖1中的右端)。第一電極120與驅(qū)動(dòng)電源110的第一端相連且設(shè)在絕緣阻擋件140的下表面上。第二電極130與驅(qū)動(dòng)電源110的第二端相連且設(shè)在絕緣阻擋件140的上表面上且與第一電極120成對(duì)設(shè)置。絕緣阻擋件140具有沿其厚度方向(圖中的上下方向)貫通的通氣孔141。每個(gè)電極對(duì)中的第一電極120和第二電極130在絕緣阻擋件140的厚度方向(圖1中的豎直方向)上錯(cuò)開(kāi)，以使第一電極120和第二電極130產(chǎn)生的等離子體放電區(qū)域位于絕緣阻擋件140下方。驅(qū)動(dòng)電源110在第一電極120和第二電極130之間施加電壓，在絕緣阻擋件140下方產(chǎn)生等離子體區(qū)域，通氣孔141用于工藝氣體的流通。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的放電組件100，在第一電極120和第二電極130之間設(shè)置絕緣阻擋件140，可以采用DBD放電，可以提高驅(qū)動(dòng)電源110在第一電極120和第二電極130之間施加的放電電壓，從而可以在絕緣阻擋件140下方的等離子體放電區(qū)域產(chǎn)生大量等離子體。絕緣阻擋件140可以防止放電過(guò)程中在第一電極120和第二電極130之間產(chǎn)生弧光，避免放電組件100受到損害。另外，上述放電組件100具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于控制的優(yōu)點(diǎn)。此夕卜，驅(qū)動(dòng)電源110可以在第一電極120和第二電極130之間施加更高的頻率，驅(qū)動(dòng)電源110的選用范圍更廣，可以根據(jù)需要產(chǎn)生所需密度的等離子體，從而提高適用性。擺脫了傳統(tǒng)電極結(jié)構(gòu)的限制，無(wú)需將電極作為放置基板的平臺(tái)。進(jìn)一步地，參考圖1，絕緣阻擋件140的上表面143上設(shè)有多個(gè)凹槽144，多個(gè)第二電極130分別 對(duì)應(yīng)地設(shè)在凹槽144內(nèi)，在圖1中,第二電極130的一部分從凹槽144內(nèi)向上伸出。如圖1-3所示，第一電極120和第二電極130中的每一個(gè)均為多個(gè)且沿絕緣阻擋件140的橫向(圖1和2中的左右方向)間隔布置。在本發(fā)明的一個(gè)示例中，如圖2所示，第一電極120和第二電極130均為6個(gè)，且分布在絕緣阻擋件140的整個(gè)面積上。由此，提高驅(qū)動(dòng)電源140在第一電極120和第二電極130之間放電的面積，從而擴(kuò)大等離子體區(qū)域的面積。此外,通過(guò)改變第一電極120和第二電極130的數(shù)量，可以方便地改變放電面積，從而提高適用性。結(jié)合圖2，在本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例中，多個(gè)第一電極120和多個(gè)第二電極130在絕緣阻擋件140的橫向上交替設(shè)置。即在絕緣阻擋件140的橫向上，每個(gè)第一電極120分別與兩個(gè)第二電極130相鄰、每個(gè)第二電極130分別與兩個(gè)第一電極120相鄰。由此使絕緣阻擋件140上表面143和下表面142之間的壓差更加均衡，從而當(dāng)對(duì)第一電極120和第二電極130施加電壓后，可以在相鄰的第一電極120和第二電極130之間產(chǎn)生等離子體，由此保證了等離子體的分布更加均勻。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，所述通氣孔141分為多組，所述多組通氣孔沿絕緣阻擋件140的橫向間隔布置，第一電極120沿絕緣阻擋件140的橫向間隔布置，第二電極130沿絕緣阻擋件140的橫向間隔布置，且在彼此相鄰的第一電極120和第二電極130之間分別設(shè)有一組所述通氣孔，每組通氣孔包括多個(gè)通氣孔。這樣，通氣孔141可以相對(duì)均勻地分布在絕緣阻擋件140的整個(gè)面積上，提高工藝氣體排出的均勻性。進(jìn)一步地，多組通氣孔141沿絕緣阻擋件140的橫向等間隔布置，第一電極120沿絕緣阻擋件140的橫向等間隔布置，第二電極130沿絕緣阻擋件140的橫向等間隔布置。進(jìn)一步提升工藝氣體的均勻性，且提升了第一電極120和第二電極130之間產(chǎn)生的等離子體的均勻性。如圖2，絕緣阻擋件140為矩形絕緣板140，第一電極120和第二電極130均為條狀，第一電極120沿矩形絕緣板140的縱向(圖2的豎直方向)設(shè)在矩形絕緣板140的下表面142上(參見(jiàn)圖1)，第二電極130沿矩形絕緣板140的縱向設(shè)在矩形絕緣板140的上表面143上。由此，進(jìn)一步增加驅(qū)動(dòng)電源110在第一電極120和第二電極130之間放電的面積，等離子體分布在第一電極120和第二電極130的整個(gè)長(zhǎng)度上，增加驅(qū)動(dòng)電源110在第一電極120和第二電極130之間放電的面積，提高等離子體的均勻性。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，絕緣阻擋件140可以由陶瓷、石英或聚四氟乙烯制成。具有成本低，易于加工的優(yōu)點(diǎn)。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電源110可以為低頻電源、高頻電源、射頻電源和甚高頻電源之一。隨著驅(qū)動(dòng)電源施加頻率的提高，此種放電結(jié)構(gòu)可有效避免放電時(shí)等離子體中的駐波效應(yīng)，進(jìn)而提高工藝氣體的利用率，增加產(chǎn)能。圖3為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的放電組件的變型的示意圖。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以對(duì)放電組件100進(jìn)行多種變換，如增加第一電極120和第二電極130對(duì)的數(shù)量，電極對(duì)的數(shù)量可以根據(jù)需要具體設(shè)定，如圖3中，電極對(duì)1、電極對(duì)2、電極對(duì)3等。這樣，通過(guò)增加或者減少電極對(duì)的數(shù)量，可以改變等離子體區(qū)域的面積，適用范圍更廣，適用于多種腔室裝置?？梢岳斫獾氖?，絕緣阻擋件140的厚度、驅(qū)動(dòng)電源110的頻率、放電電壓、氣壓、以及放電氣體等參數(shù)可以用于控制等離子體的密度等參數(shù)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的放電組件100采用介質(zhì)阻擋放電(DBD)，具有高的放電電壓，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于控制，并且可以避免放電時(shí)電極之間產(chǎn)生弧光。在用于基板處理設(shè)備，例如PECVD設(shè)備的腔室裝置時(shí)，無(wú)需將放置基板的平臺(tái)作為下電極。如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置包括腔室本體101、加熱保溫裝置116、勻流室體109、傳輸裝置115和放電組件100。腔室本體101內(nèi)具有工藝腔室1011，腔室本體101具有進(jìn)氣口 102和出氣口 103以及基板進(jìn)口 105和基板出口 106。加熱保溫裝置116設(shè)在所述工藝腔室1011內(nèi)。所述勻流室體109內(nèi)具有勻流室1091，所述勻流室體109設(shè)在所述工藝腔室1011內(nèi)且位于所述加熱保溫裝置116上方，所述勻流室體109設(shè)有與所述加熱保溫裝置116相對(duì)的開(kāi)口，所述勻流室體109通過(guò)所述腔室本體101的進(jìn)氣口 102與外界連通。所述傳輸裝置115設(shè)在所述工藝腔室1011內(nèi)且位于所述勻流室體109與所述加熱保溫裝置116之間用于將基板104傳入和傳出所述工藝腔室1011。放電組件可以為上述第一方面實(shí)施例的基板處理設(shè)備的放電組件100，其中所述放電組件100的絕緣阻擋件140設(shè)在所述勻流室體109的開(kāi)口處以封閉所述開(kāi)口，且所述勻流室109通過(guò)所述通氣孔141與所述工藝腔室1011連通。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置，對(duì)放電組件100的第一電極120和第二電極130之間施加驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)生大量等離子體，且在由每一電極對(duì)之間產(chǎn)生等離子體(圖4中虛線所示)，從而保證了等離子體分布均勻，并且可以施加更高頻率的驅(qū)動(dòng)電源，此時(shí)絕緣阻擋件140可以避免在等離子體中產(chǎn)生駐波效應(yīng)，從而提高工藝氣體的利用率，增加產(chǎn)能?；?04處于放電組件100的下方，避免等離子體對(duì)基板104成膜的傷害，提高基板104成膜質(zhì)量。此外，絕緣阻擋件140還可以防止在放電組件100的第一電極120和第二電極130之間產(chǎn)生弧光，防止腔室裝置受到損壞，提高腔室裝置的使用壽命。本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置還可以通過(guò)傳輸裝置115實(shí)現(xiàn)基板104的傳輸效率，提高腔室裝置的使用效率。另外，該腔室裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。而且，擺脫了傳統(tǒng)電極結(jié)構(gòu)的限制，在處理基板過(guò)程中，基板可以連續(xù)傳輸，實(shí)現(xiàn)真正的鏈?zhǔn)缴a(chǎn)，提高了效率，并且提高了拓展性，例如可以通過(guò)增加電極對(duì)數(shù)目，改變基板104的傳動(dòng)速度，從而可以成膜速度。如圖4所示，放電組件100的驅(qū)動(dòng)電源110設(shè)在所述腔室本體101的外面。這樣便于控制驅(qū)動(dòng)電源Iio對(duì)第一電極120和第二電極130之間施加的電源頻率。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述基板104進(jìn)口 105處設(shè)有用于打開(kāi)和關(guān)閉所述基板104的進(jìn)口 105的進(jìn)口閥107，所述基板104的出口 106處設(shè)有用于打開(kāi)和關(guān)閉所述基板出口的出口閥108。在工藝過(guò)程中，進(jìn)口 105和出口 106關(guān)閉，避免外界空氣進(jìn)入工藝腔室1011，工藝過(guò)程結(jié)束后，進(jìn)口 105和出口 106打開(kāi)，方便基板104的傳入與傳出。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述傳輸裝置115包括沿腔室本體的左右方向彼此間隔設(shè)置的多個(gè)傳動(dòng)齒輪。保證基板104更加平穩(wěn)且快速地傳入與傳出工藝腔室1011。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置，可以根據(jù)需要施加不同頻率的驅(qū)動(dòng)電源從而產(chǎn)生不同密度且分布均勻的等離子體，提高了適用性。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例PECVD設(shè)備，包括根據(jù)上述實(shí)施例描述的腔室裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PECVD設(shè)備的其他構(gòu)成以及操作對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言都是已知的，這里不再詳細(xì)描述。在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解:在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種基板處理設(shè)備的放電組件，其特征在于，包括: 驅(qū)動(dòng)電源，所述驅(qū)動(dòng)電源具有第一端和第二端； 絕緣阻 擋件，所述絕緣阻擋件具有沿其厚度方向貫通的通氣孔； 多個(gè)第一電極，所述第一電極與所述驅(qū)動(dòng)電源的第一端相連且分別設(shè)在所述絕緣阻擋件的下表面上；和 多個(gè)第二電極，所述第二電極與所述驅(qū)動(dòng)電源的第二端相連且分別設(shè)在所述絕緣阻擋件的上表面上且與所述多個(gè)第一電極成對(duì)設(shè)置； 其中每個(gè)電極對(duì)中的所述第一電極和第二電極在所述絕緣阻擋件的厚度方向上錯(cuò)開(kāi)，以使所述第一電極和第二電極產(chǎn)生的等離子體放電區(qū)域位于所述絕緣阻擋件下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備的放電組件，其特征在于，所述絕緣阻擋件的上表面上設(shè)有多個(gè)凹槽，所述多個(gè)第二電極分別對(duì)應(yīng)地設(shè)在所述凹槽內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理設(shè)備的放電組件，其特征在于，所述通氣孔分為多組，所述多組通氣孔沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，所述第一電極沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，所述第二電極沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，在彼此相鄰的所述第一電極和所述第二電極之間分別設(shè)有一組所述通氣孔，每組通氣孔包括多個(gè)通氣孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理設(shè)備的放電組件，其特征在于，所述多組通氣孔沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置，所述第一電極沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置，所述第二電極沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備的放電組件，其特征在于，所述絕緣阻擋件為矩形絕緣板，所述第一電極和所述第二電極均為條狀，所述第一電極在所述矩形絕緣板的下表面上分別沿所述矩形絕緣板的縱向延伸，所述第二電極在所述矩形絕緣板的上表面上分別沿所述矩形絕緣板的縱向延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備的放電組件，其特征在于，所述絕緣阻擋件由陶瓷、石英或聚四氟乙烯制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備的放電組件，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電源為低頻電源、高頻電源、射頻電源和甚高頻電源之一。
8.一種腔室裝置，其特征在于，包括: 腔室本體，所述腔室本體內(nèi)具有工藝腔室，所述腔室本體具有進(jìn)氣口和出氣口以及基板進(jìn)口和基板出口； 加熱保溫裝置，所述加熱保溫裝置設(shè)在所述工藝腔室內(nèi)； 勻流室體，所述勻流室體內(nèi)具有勻流室，所述勻流室體設(shè)在所述工藝腔室內(nèi)且位于所述加熱保溫裝置上方，所述勻流室體設(shè)有與所述加熱保溫裝置相對(duì)的開(kāi)口，所述勻流室體通過(guò)所述腔室本體的進(jìn)氣口與外界連通； 傳輸裝置，所述傳輸裝置設(shè)在所述工藝腔室內(nèi)且位于所述勻流室體與所述加熱保溫裝置之間用于將基板傳入和傳出所述工藝腔室；和 放電組件，所述放電組件為根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的基板處理設(shè)備的放電組件，其中所述放電組件的絕緣阻擋件設(shè)在所述勻流室體的開(kāi)口處以封閉所述開(kāi)口且所述勻流室通過(guò)所述通氣孔與所述工藝腔室連通。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的腔室裝置，其特征在于，所述放電組件的驅(qū)動(dòng)電源設(shè)在所述腔室本體的外面。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的腔室裝置，其特征在于，所述基板進(jìn)口處設(shè)有用于打開(kāi)和關(guān)閉所述基板進(jìn)口的進(jìn)口閥，所述基板出口處設(shè)有用于打開(kāi)和關(guān)閉所述基板出口的出口閥。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的腔室裝置，其特征在于，所述傳輸裝置包括沿腔室本體的橫向彼此間隔設(shè)置的多個(gè)傳動(dòng)齒輪。
12.—種PECVD設(shè)備，其特征在于， 包括根據(jù)權(quán)利要求8-11中任一項(xiàng)所述的腔室裝置。
全文摘要
本發(fā)明提出一種基板處理設(shè)備的放電組件，包括具有第一端和第二端的驅(qū)動(dòng)電源；具有沿其厚度方向貫通的通氣孔的絕緣阻擋件；多個(gè)第一電極，第一電極與驅(qū)動(dòng)電源的第一端相連且分別設(shè)在絕緣阻擋件的下表面上；和多個(gè)第二電極，第二電極與驅(qū)動(dòng)電源的第二端相連且分別設(shè)在絕緣阻擋件的上表面上且與多個(gè)第一電極成對(duì)設(shè)置；其中每個(gè)電極對(duì)中的第一電極和第二電極在絕緣阻擋件的厚度方向上錯(cuò)開(kāi)，以使第一電極和第二電極產(chǎn)生的等離子體放電區(qū)域位于絕緣阻擋件下方。根據(jù)本發(fā)明的放電組件采用介質(zhì)阻擋放電(DBD)，具有高的放電電壓，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于控制。本發(fā)明還提出一種腔室裝置和具有該腔室裝置的PECVD設(shè)備。
文檔編號(hào)C23C16/50GK103187235SQ20111046021
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者張彥召 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司