專利名稱：金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明對金屬筒內(nèi)壁的等離子真空鍍膜方法與裝置。
背景技術(shù)：
等離子真空鍍膜方法已經(jīng)比較普及--------采用磁控柱狀弧源多弧離子鍍膜，
其裝置是在鍍膜室中央安裝旋磁控柱狀弧源(管狀)。由鍍膜室、工件轉(zhuǎn)架、磁控柱狀弧源、 進(jìn)氣(鍍不同材料時需要通入不同的工作氣體)系統(tǒng)、弧源電源、工件加熱源、引弧系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、工件偏壓電源組成。柱弧源由管狀金屬材料作靶材、管內(nèi)安裝數(shù)根條形永磁體，永磁體在靶管內(nèi)(包括旋轉(zhuǎn)和往返運(yùn)動)運(yùn)動?；“叱示€狀沿柱弧靶全長分布，并沿柱弧靶面掃描。從而提供在高真空條件下的將弧源由管狀金屬材料的靶材和氣體材料以等離子方式鍍膜至工件上。如CN96218605.8提出一種旋轉(zhuǎn)磁控柱狀弧源多弧離子鍍膜機(jī)，在鍍膜室中央安裝旋轉(zhuǎn)磁控柱狀弧源。主要由鍍膜室、工件轉(zhuǎn)架、旋轉(zhuǎn)磁控柱狀弧源、進(jìn)氣系統(tǒng)、弧源電源、烘烤加熱源、引弧針系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、工件偏壓電源組成。柱弧源由管狀金屬材料作靶材、管內(nèi)安裝數(shù)根條形永磁體，永磁體在靶管內(nèi)作旋轉(zhuǎn)運(yùn)動?；“叱示€狀沿柱弧靶全長分布，并沿柱弧靶面掃描。旋轉(zhuǎn)磁控柱狀弧源多弧離子鍍膜機(jī)有立式結(jié)構(gòu)、臥式結(jié)構(gòu)、箱式結(jié)構(gòu)。金屬筒內(nèi)壁的耐磨層的涂覆施加仍不能用現(xiàn)有方法，其體積太大，無法塞進(jìn)一個合適的真空室，而且內(nèi)壁也無法接受離子束的轟擊，金屬筒內(nèi)壁的耐磨層的涂覆實(shí)際上應(yīng)用價值很高如用于球磨的大型滾筒和用于粒料輸送的金屬筒的內(nèi)壁耐磨層的制備，采用電鍍和電刷鍍的方法也難以施鍍，電鍍和電刷鍍的方法鍍上的材料結(jié)合力太差；采用表面滲碳或滲氮的方法也是離子真空鍍膜方法。然而以上方法有很多不足之處然而現(xiàn)有的多弧離子鍍膜的方法產(chǎn)生的多弧離子粒子粗，有霧滴現(xiàn)象，引弧集中于磁力環(huán)，管狀靶的刻蝕不均勻，二三天就要修正靶面，需要及時調(diào)整磁鋼與靶材的距離，靶材的利用度低，也極大影響了真空鍍的工作效率；另一不足是多弧管狀靶的離子束分散，弧光松散無規(guī)則，在靶管表面串動，靶管表面刻蝕不勻，易在靶管的兩端表面產(chǎn)生凹槽，大大影響了靶的使用壽命， 這是由于弧的牽引靠外電機(jī)牽引靶管內(nèi)的磁鋼來回運(yùn)動而運(yùn)動，磁鋼在管內(nèi)的高溫條件下易退磁，從而影響引弧作用，上述不足對離子鍍的質(zhì)量和生產(chǎn)效率均有極大影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出一種等離子真空鍍膜方法與裝置，尤其是采用非機(jī)械磁體控制方式，離子引弧能夠均勻或任意方式移動，控制靶材每處引弧的離子量，離子鍍層細(xì)膩，和工件結(jié)合層的質(zhì)量高；靶材的長度不受限制，靶材的利用率高，使用壽命長，運(yùn)行中無需調(diào)整與維修，應(yīng)用范圍廣的等離子真空鍍膜方法與裝置。本發(fā)明相對而言，工藝控制可以使能耗降低，
本發(fā)明的技術(shù)方案是金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，將金屬筒兩端部設(shè)有絕緣密封隔離的金屬筒端蓋，在端蓋上設(shè)有抽真空管和加熱電源輸入端口使金屬筒內(nèi)滿足真空和鍍膜時的溫度條件，筒風(fēng)設(shè)有施加偏壓電極的輔助陽極，空心或?qū)嵭闹鶢畎胁奈挥谕驳闹行摹胁纳鲜┘踊≡措娫?，金屬筒亦接電源另一極，金屬筒端蓋上設(shè)有可旋轉(zhuǎn)的輔助陽極。為使工件均勻鍍上膜，輔助陽極在筒內(nèi)旋轉(zhuǎn)或擺動，可通過密封的旋轉(zhuǎn)軸連接。為使工件均勻鍍上膜，設(shè)有旋轉(zhuǎn)密封12裝置，絕緣支架及屏蔽罩16、輔助陽極19、 旋轉(zhuǎn)式換向器接在靶管構(gòu)成的旋轉(zhuǎn)軸上，旋轉(zhuǎn)軸端設(shè)有旋轉(zhuǎn)密封12。筒外壁可以設(shè)有外加保溫罩(安全罩)18。減速電機(jī)8與傳動齒輪副9裝在旋轉(zhuǎn)軸端驅(qū)動旋轉(zhuǎn)軸。靶材13的兩端均施加獨(dú)立工作的弧源電源，每個弧源電源分別進(jìn)行電壓高低的控制，即弧源電源電壓高低的變化分別施加于靶材的兩端，
本發(fā)明的裝置是金屬筒兩端部設(shè)有絕緣密封隔離2的二個端蓋，在金屬筒構(gòu)成工作室，金屬筒內(nèi)設(shè)有啟動電弧的氣缸點(diǎn)弧器3、金屬筒接真空抽氣口 15、真空計(jì)5、測溫孔20和質(zhì)量流量計(jì)11，電熱管集電器7即旋轉(zhuǎn)式換向器接電源至電熱管6，在端蓋中央設(shè)靶柱13， 筒內(nèi)設(shè)有輔助陽極19。靶柱為中空靶管13，靶管表面設(shè)有工作氣體出氣孔14通氣孔。本發(fā)明的工作過程是，在金屬筒內(nèi)壁上進(jìn)行施鍍耐磨金屬層，鈦(也可以是鉻或鎳等)柱狀靶材位于筒的中心，金屬筒兩端部磨平后，將有絕緣密封隔離墊的金屬筒端蓋裝在金屬筒兩端，這項(xiàng)安裝可以通過筒的端部外側(cè)裝有夾具進(jìn)行，或通過設(shè)有金屬筒兩端蓋的收緊螺桿螺母，實(shí)際上開始抽真空后即可使密封的金屬筒端蓋完全不至于脫落，之前可以將加熱器裝在筒內(nèi)，也可以在金屬筒外壁包裹加熱裝置加熱，筒內(nèi)柱狀靶材二端分別由弧源施加電源22、23提供電壓引??；預(yù)先在金屬筒端蓋內(nèi)部安裝可旋轉(zhuǎn)的輔助陽極19旋轉(zhuǎn)， 由電源對可旋轉(zhuǎn)的輔助陽極19控制。這就開始對金屬筒壁進(jìn)行鍍膜；當(dāng)然金屬筒壁經(jīng)過預(yù)先的處理，保證其金屬面的光潔?；≡措娫措妷焊邥r等離子體的離子量大，發(fā)束能力強(qiáng)，尤其是每只電源均以相同周期的方式進(jìn)行強(qiáng)弱變化，且靶材一端弧源電源電壓最高時，靶材另一端施加的弧源電源電壓最低。根據(jù)兩端施加的弧源電源電壓的高低控制，離子引弧能夠均勻或任意方式移動， 控制靶材每處引弧的離子量；可在一個或兩個金屬筒端蓋上均設(shè)有真空抽吸孔，也可以在一個或兩個金屬筒端蓋上均設(shè)有工作氣體的輸入孔，便于輸入與金屬結(jié)合的更耐磨的合金層，當(dāng)然如何進(jìn)行各種合金層需要根據(jù)各種金屬管的用途，但利用本發(fā)明方法均可以方便完成。如真空度不能上去，則需要進(jìn)行檢查漏處并進(jìn)行堵塞漏處。根據(jù)本發(fā)明可以制備專用裝置金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜裝置，包括電加熱設(shè)備和溫控設(shè)備、真空裝置、施加在靶材上的弧源電源，適應(yīng)于施鍍對象直徑的金屬筒端蓋，在金屬筒端蓋上設(shè)有真空管、加熱電源線管道和弧源電源線，弧源電源通過弧源電源線連接到位于筒的中心柱狀靶材；金屬筒端蓋上設(shè)有可旋轉(zhuǎn)的輔助陽極19，并設(shè)有輔助陽極旋轉(zhuǎn)控制器對輔助陽極19進(jìn)行旋轉(zhuǎn)控制。 所述弧源電源是接在靶材的兩端的獨(dú)立工作的弧源電源。本發(fā)明的改進(jìn)是，每根靶材均采用圓柱形靶材。金屬筒筒體就是真空室，同時內(nèi)壁又是施鍍的工件，本發(fā)明可以施鍍于任意筒徑的金屬筒內(nèi)筒壁，裝置可以用于相同或相近筒徑的所有金屬筒施鍍，可降低設(shè)備投資。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明可以制備成移動式、便攜式設(shè)備對各種需要施底內(nèi)部耐磨層的管進(jìn)行施鍍，尤其用于大口徑的管壁施鍍，本發(fā)明采用圓柱形靶材，四周的離子束發(fā)散均勻，經(jīng)施加的電壓自動進(jìn)行均勻速度的控制，電弧均勻移動，上述缺點(diǎn)均可以克服，在保證引弧的離子量大(亦可以通過絕對電壓進(jìn)行控制獲得不同的離子束)，離子細(xì)膩可保證離子鍍層的細(xì)膩和鍍層和結(jié)合層的質(zhì)量，從而保證在需要功能性離子鍍層的質(zhì)
量--------如耐磨層、耐腐蝕層有特定要求時的本發(fā)明可以通過參數(shù)控制方便完成，比現(xiàn)
有技術(shù)明顯優(yōu)越。引弧通過弧源施加電源2、在靶材在均勻弧源施加電源(也可以根據(jù)工件情況任意控制某個區(qū)域的離子量的大小，使某個工件附近的離子量進(jìn)行控制)。本發(fā)明無需磁鋼，靶長度不受限制，靶材的利用率高，使用壽命比多弧離子平面靶的壽命有二個數(shù)量級的增高(如實(shí)用中可以使用鈦靶或鋯靶可以使用二年無需要更換)，本發(fā)明在實(shí)際運(yùn)行中無需調(diào)整與維修。在實(shí)際使用中靶溫低，離子束的粒子細(xì)度好，離子可控制得集中、能量大， 與工件的附著力更好，使鍍品光潔，功能性離子鍍層的質(zhì)量好則保證了特殊工件的離子鍍膜。靶材施加的電壓自動進(jìn)行均勻速度的控制，電弧均勻移動，可以通過最大絕對電壓進(jìn)行控制獲得不同的離子束，離子細(xì)膩可保證離子鍍層的細(xì)膩和鍍層和結(jié)合層的質(zhì)量，同時結(jié)合施加的氮?dú)饣驘N類氣體(如乙炔乙烯等工作氣體)的量對施加的弧源電源的最高電壓和變化的強(qiáng)弱周期。與普通的多弧離子鍍比較經(jīng)過耐磨試驗(yàn)(機(jī)械動作的相同磨料和次數(shù)比較)、耐腐蝕試驗(yàn)(鹽霧試驗(yàn))和光潔度檢測檢測試驗(yàn)三種對比試驗(yàn)，本發(fā)明的耐磨指標(biāo)提高20%以上，由于鍍膜致密均勻，耐腐蝕和光潔度也有不同程度的提高。


圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖，
圖2是本發(fā)明柱狀靶位于筒的柱心位置的工作示意圖。金屬筒(工件)1、絕緣密封隔離2、氣缸點(diǎn)弧器3、收緊螺絲4、接真空計(jì)5、電熱管 6、電熱管集電器7、減速電機(jī)8、傳動齒輪副9、弧電源接頭10、質(zhì)量流量計(jì)11、旋轉(zhuǎn)密封12、 中空靶管13、通氣孔14、真空抽氣口 15、絕緣支架及屏蔽罩16、接偏壓電源17、外加保溫罩安全罩18、輔助陽極19、測溫孔20、端蓋即真空封蓋21、弧源電源22、23、弧源電源24、輔助陽極電源25。
具體實(shí)施例方式將金屬筒兩端部設(shè)有絕緣密封隔離2的端蓋。端蓋可以金屬制成，在金屬筒構(gòu)成工作室，在內(nèi)壁上施鍍，內(nèi)壁即傳統(tǒng)鍍膜意義上的工件1，筒內(nèi)設(shè)有啟動電弧的氣缸點(diǎn)弧器 3、工作室(一般在端蓋上)接真空抽氣口 15、真空計(jì)5、測溫孔20和質(zhì)量流量計(jì)11，電熱管集電器7即旋轉(zhuǎn)式換向器接電源至電熱管6，提供電源給電熱管，在端蓋中央中空靶管13， 靶管的材料可以根據(jù)需要設(shè)置，如鈦管等，靶管的的中空接通氣孔14，靶管表面設(shè)有工作氣體出氣孔；通過通氣孔將工作氣體——如氮?dú)饣蛞胰矚狻糜谕扛膊煌慕饘?。設(shè)有輔助陽極19的電源。為使工件均勻鍍上膜，一種方法是輔助陽極在筒內(nèi)旋轉(zhuǎn)或擺動，可通過密封的旋轉(zhuǎn)軸連接。為使工件均勻鍍上膜，另一方法和裝置如附圖所示，設(shè)有旋轉(zhuǎn)密封12裝置，絕緣支架及屏蔽罩16、輔助陽極19、旋轉(zhuǎn)式換向器接在靶管構(gòu)成的旋轉(zhuǎn)軸上，旋轉(zhuǎn)軸端設(shè)有旋轉(zhuǎn)密封12。筒外壁可以設(shè)有外加保溫罩(安全罩)18。減速電機(jī)8與傳動齒輪副9裝在 旋轉(zhuǎn)軸端驅(qū)動旋轉(zhuǎn)軸。具體エ藝而言鍍鈦金、玫瑰金和黑鈦的鍍溫(°C)分別是90-120、 110=130、140-160。鍍鉻可以高于或低于此溫度，也可以施鍍鉻的化合物，靶材采用鉻管。如采用柱狀靶材(直桿，長度近似等于筒長度)位于筒的中心。工作氣體出氣孔在 筒的端蓋上。所有以上實(shí)施例包括靶材或空管靶材的兩端均可施加獨(dú)立工作的弧源電源，每個 弧源電源分別進(jìn)行電壓高低的控制，即弧源電源電壓高低的的變化分別施加于靶材的兩 端，金屬筒端蓋上設(shè)有電機(jī)驅(qū)動的旋轉(zhuǎn)臂控制可旋轉(zhuǎn)的輔助陽極，并設(shè)有輔助陽極旋轉(zhuǎn)控 制器輔助陽極進(jìn)行旋轉(zhuǎn)控制，速度可以控制在很慢的范圍，如在每分鐘1轉(zhuǎn)至半轉(zhuǎn)。本發(fā)明采用非機(jī)械磁體控制方式離子引弧，通過靶材的兩端施加電壓的變化，所 述靶材的兩端并不限于在棒狀靶的端面，也可以在靶材棒的任意兩個部位接入電壓，但最 好在靶材兩端，使靶材能夠均勻的消耗，每個弧源電源分別進(jìn)行獨(dú)立的電壓高低的控制，即 弧源電源電壓高低的的變化分別施加于靶材的兩端，弧源電源電壓高時離子體的離子量 大，發(fā)束能力強(qiáng)，尤其是每只電源均以相同周期的方式進(jìn)行強(qiáng)弱變化，且靶材一端弧源電源 電壓最高時(對應(yīng)電流最大吋)，靶材另一端施加的弧源電源電壓低，電流小。根據(jù)兩端施加 的弧源電源電壓和電流的高低控制，離子引弧能夠均勻或任意方式移動，控制靶材每處引 弧或稱跑弧的離子量；采用實(shí)心柱狀棒作為靶材是優(yōu)化的選擇。絕緣密封隔離墊的金屬筒端蓋5裝在金屬筒兩端，這項(xiàng)安裝可以通過筒的端部外 側(cè)裝有夾具進(jìn)行，或通過設(shè)有金屬筒兩端蓋的收緊螺桿螺母，實(shí)際上開始抽真空后即可使 密封的金屬筒端蓋完全不至于脫落，之前可以將加熱器裝在筒內(nèi)，也可以在金屬筒外壁包 裹加熱裝置加熱至施鍍溫度，金屬筒兩端部磨平后，將有絕緣密封隔離墊的金屬筒端蓋裝 在金屬筒兩端，開始抽真空后即可使密封的金屬筒端蓋蓋緊使筒內(nèi)真空度提高，筒內(nèi)柱狀 靶材ニ端分別由弧源施加電源提供電壓引?。活A(yù)先在金屬筒端蓋內(nèi)部安裝可旋轉(zhuǎn)的輔助陽 極19旋轉(zhuǎn)，由輔助陽極旋轉(zhuǎn)控制器提供ー電源25對可旋轉(zhuǎn)的輔助陽極控制。這就開始對 金屬筒壁進(jìn)行鍍膜。金屬筒壁經(jīng)過預(yù)先的處理，保證其金屬面的光潔?？梢栽诮饘偻捕松w上設(shè)有真空抽吸孔，金屬筒端蓋上或通過空心靶管設(shè)有工作氣 體的輸入孔，便于輸入工作氣體與金屬結(jié)合的更耐磨的合金層，當(dāng)然如何進(jìn)行各種合金層 需要根據(jù)各種金屬管的用途設(shè)置各種合金的配方，但利用本發(fā)明方法均可以方便完成。如 真空度不能上去，則需要進(jìn)行檢查漏處并進(jìn)行堵塞漏處。在靶材兩端均施加獨(dú)立工作的弧源電源，每個弧源電源分別進(jìn)行電壓高低的控 制，即弧源電源電壓高低的的變化分別施加于靶材的兩端，如果エ件不均勻分布，可以控制 需要離子束量的區(qū)域施加高ー些的電壓?；≡措娫措妷焊邥r等離子體的離子量大，發(fā)束能 力強(qiáng)。每根靶材均采用圓柱形靶材，其使用的壽命極長，而且靶材均勻消耗，運(yùn)行過程無須調(diào)整。鈦金玫瑰金黑鈦 鍍溫(°C) 90-120 110=130 140-160 基礎(chǔ)真空(P al(T2) 2.5-2.9 2.3-2.7 1. 8-2. 2 工作真空(P a—2) 1.3-1.7 1. 0-1. 4 0. 8-1. 2工件偏壓(V)70-9090-11090-110氮?dú)饬髁?20-480380-420180-220乙炔流量300-340900-1100
柱狀靶位于筒心位置，則每只電源均以相同周期的方式進(jìn)行強(qiáng)弱變化，且靶材一端弧源電源電壓最高時，靶材另一端施加的弧源電源電壓最低。根據(jù)兩端施加的弧源電源電壓的高低控制，離子引弧能夠均勻或任意方式移動，可以控制靶材長度不同位置引弧的離子量。對單根靶材靶材，平面板卷成筒狀的臥式結(jié)構(gòu)。靶材施加的電壓自動進(jìn)行均勻速度的控制，電弧均勻移動，可以通過最大絕對電壓進(jìn)行控制獲得不同的離子束，離子細(xì)膩可保證離子鍍層的細(xì)膩和鍍層和結(jié)合層的質(zhì)量， 同時結(jié)合施加的氮?dú)饣驘N類氣體(如乙炔乙烯等工作氣體)的量對施加的弧源電源的最高電壓和變化的強(qiáng)弱周期。每只電源進(jìn)行強(qiáng)弱變化進(jìn)行調(diào)節(jié)，例如以均以相同周期的方式進(jìn)行調(diào)節(jié)，例如采取可控硅電壓調(diào)節(jié)器的電源調(diào)節(jié)設(shè)備，尤其是以微處理器控制的方式對可控硅進(jìn)行調(diào)節(jié)。每只電源也可以以任何方式獨(dú)立進(jìn)行周期的調(diào)節(jié)方式，以不同周期的方式進(jìn)行調(diào)節(jié)變可，并不需要同步，宏觀上的對，例如采取可控硅電壓調(diào)節(jié)器的電源調(diào)節(jié)設(shè)備，尤其是以微處理器控制的方式對可控硅進(jìn)行調(diào)節(jié)。
權(quán)利要求
1.金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是將金屬筒兩端部設(shè)有絕緣密封隔離的金屬筒端蓋，在端蓋上設(shè)有抽真空管和加熱電源輸入端口使金屬筒內(nèi)滿足真空和鍍膜時的溫度條件，筒風(fēng)設(shè)有施加偏壓電極的輔助陽極，空心或?qū)嵭闹鶢畎胁奈挥谕驳闹行?、靶材上施加弧源電源，金屬筒接弧源電源另一極，金屬筒端蓋上設(shè)有可旋轉(zhuǎn)或擺動的輔助陽極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是設(shè)有旋轉(zhuǎn)密封裝置，絕緣支架及屏蔽罩、輔助陽極、旋轉(zhuǎn)式換向器接在靶管構(gòu)成的旋轉(zhuǎn)軸上，旋轉(zhuǎn)軸端設(shè)有旋轉(zhuǎn)密封；設(shè)有減速電機(jī)傳動齒輪副裝在旋轉(zhuǎn)軸端驅(qū)動旋轉(zhuǎn)軸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是靶材的兩端均施加獨(dú)立工作的弧源電源，每個弧源電源分別進(jìn)行電壓高低的控制，即弧源電源電壓高低的變化分別施加于靶柱的兩端，筒內(nèi)柱狀靶材二端分別由弧源施加電源提供電壓引弧。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是鍍鈦金、玫瑰金和黑鈦的鍍溫(°C )分別是90-120、110=130、140-160。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是在一個或兩個金屬筒端蓋上均設(shè)有真空抽吸孔，或在一個或兩個金屬筒端蓋上均設(shè)有工作氣體的輸入孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是金屬筒兩端部設(shè)有絕緣密封隔離的二個端蓋，在金屬筒構(gòu)成工作室，金屬筒內(nèi)設(shè)有啟動電弧的氣缸點(diǎn)弧器、金屬筒接真空抽氣口、真空計(jì)、測溫孔，在端蓋中央設(shè)靶柱，設(shè)有弧源電源，弧源電源連接靶柱的兩端，筒內(nèi)設(shè)有輔助陽極及電源。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是靶柱為中空靶管，靶管表面設(shè)有工作氣體出氣孔或通氣孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是將加熱器裝在筒內(nèi)，或在金屬筒外壁包裹加熱裝置加熱。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是包括靶材或空管靶材的兩端均可施加獨(dú)立工作的弧源電源，每個弧源電源分別進(jìn)行電壓高低的控制，即弧源電源電壓高低的的變化分別施加于靶材的兩端，金屬筒端蓋上設(shè)有電機(jī)驅(qū)動的旋轉(zhuǎn)臂控制可旋轉(zhuǎn)的輔助陽極，并設(shè)有輔助陽極旋轉(zhuǎn)控制器輔助陽極進(jìn)行旋轉(zhuǎn)控制，速度在每分鐘1轉(zhuǎn)至半轉(zhuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，其特征是絕緣密封隔離墊的金屬筒端蓋裝在金屬筒兩端，通過筒的端部外側(cè)裝有夾具進(jìn)行，或通過設(shè)有金屬筒兩端蓋的收緊螺桿螺母。
全文摘要
金屬筒內(nèi)壁的耐磨層離子真空鍍膜方法，將金屬筒兩端部設(shè)有絕緣密封隔離的金屬筒端蓋，在端蓋上設(shè)有抽真空管和加熱電源輸入端口使金屬筒內(nèi)滿足真空和鍍膜時的溫度條件，筒風(fēng)設(shè)有施加偏壓電極的輔助陽極，空心或?qū)嵭闹鶢畎胁奈挥谕驳闹行?、靶材上施加弧源電源，金屬筒接弧源電源另一極，金屬筒端蓋上設(shè)有可旋轉(zhuǎn)或擺動的輔助陽極。設(shè)有旋轉(zhuǎn)密封裝置，在靶材的兩端均施加獨(dú)立工作的弧源電源。本發(fā)明可以制備成移動式、便攜式設(shè)備對各種需要施底內(nèi)部耐磨層的管進(jìn)行施鍍，尤其用于大口徑的管壁施鍍。
文檔編號C23C14/32GK102321870SQ20111027590
公開日2012年1月18日 申請日期2011年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月19日
發(fā)明者王敬達(dá) 申請人:王敬達(dá)