專利名稱：成膜裝置及靶裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種成膜裝置及靶裝置。
背景技術(shù)：
已廣泛地公開(kāi)有，利用當(dāng)使高速度的原子或離子沖撞靶表面時(shí)構(gòu)成靶的原子被放出至空間的現(xiàn)象而在基板的表面上形成薄膜的濺射裝置。濺射裝置將由膜的原材料構(gòu)成的靶作為陰極，將基板或真空容器壁作為陽(yáng)極，在這兩個(gè)電極之間施加電壓來(lái)產(chǎn)生放電，由此使產(chǎn)生的等離子體中的離子朝向該靶加速。而且，使通過(guò)該離子沖撞靶而被彈出的靶構(gòu)成原子等附著或堆積于基板上，由此形成薄膜。在這種成膜裝置中，靶由于在濺射時(shí)從離子受到?jīng)_擊而變得高溫，因此有可能會(huì)熔解或破損。并且，在濺射裝置中，為了得到高生產(chǎn)率，加快成膜速度是不可缺少的，因此需 要加大投入到靶中的功率。但是，若加大投入功率則靶會(huì)變得高溫。因此，一般進(jìn)行在靶的背面以與靶接觸的方式配置冷卻板而對(duì)靶進(jìn)行冷卻。例如，專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)有如下有關(guān)成膜裝置的技術(shù)在冷卻板(靶架)的上表面載置靶，冷卻板和靶被彈性?shī)A子式的固定工具固定。專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2004-193083號(hào)公報(bào)然而，在如專利文獻(xiàn)I所示那樣的通過(guò)制動(dòng)工具固定冷卻板和靶的方法中，在由制動(dòng)工具固定的周邊部能夠確保粘附性而有效地對(duì)靶進(jìn)行冷卻，但在中央部很難確保粘附性，不能有效地對(duì)靶進(jìn)行冷卻。因此，投入到靶中的功率被限制，有可能降低在基板上成膜時(shí)的生產(chǎn)率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可提高在基板上成膜時(shí)的生產(chǎn)率的成膜裝置及靶裝置。為了解決上述課題，本發(fā)明的成膜裝置，其具備作為成膜材料的靶和與該靶接觸并進(jìn)行冷卻的板狀的冷卻板，該成膜裝置的特征在于，靶和冷卻板通過(guò)夾具固定，冷卻板的第2面與第I面相比暴露于高壓的氣氛中，并且第I面的中央部向靶側(cè)位移而按壓靶，該第I面是與靶對(duì)置的面，該第2面是第I面的相反側(cè)的面，。在這種成膜裝置中，通過(guò)對(duì)作用于冷卻板上的第I面及第2面中的每個(gè)面的壓力賦予差，從而使冷卻板向低壓側(cè)即第I面?zhèn)任灰?。進(jìn)而，通過(guò)使第I面的中央部向靶側(cè)位移，從而使冷卻板按壓靶的中央部。由此，即使在當(dāng)通過(guò)夾具固定靶和冷卻板時(shí)難以確保靶與冷卻板的粘附性的靶的中央部中，也變得能夠確保其粘附性，因此能夠?qū)兄挟a(chǎn)生的熱有效地傳熱至冷卻板。其結(jié)果，能夠提高投入到靶中的功率，并能夠提高在基板上成膜時(shí)的生產(chǎn)率。并且，冷卻板可以在第I面及第2面中的至少一方具有槽部。由此，能夠提高對(duì)靶的加壓力，并且能夠使對(duì)靶的加壓力均勻化。
并且，冷卻板可以具有環(huán)繞第I面的中央部及第2面的中央部中的至少一方的環(huán)狀的槽部。由此，能夠更有效地提高對(duì)靶的加壓力，并且能夠使對(duì)靶的加壓力均勻化。并且,可以是,冷卻板的第2面暴露于大氣壓氣氛中,第I面暴露于真空氣氛中。由此，冷卻板因真空氣氛與大氣壓氣氛的氣壓差而向氣壓較低的第I面?zhèn)任灰?。在基板上形成薄膜時(shí)，靶的一面通常配置于真空氣氛中，因此通過(guò)將第I面的相反側(cè)的面即第2面暴露于大氣壓中，由此能夠在第I面與第2面之間產(chǎn)生壓力差，該第I面是與靶對(duì)置的面。其結(jié)果，能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)使冷卻板向靶側(cè)位移。并且，在靶與冷卻板之間，可以配置有與靶和冷卻板的相互對(duì)置的面相接觸的熱傳導(dǎo)性薄膜部件。在該靶裝置中，即使在靶及冷卻板相互對(duì)置的對(duì)置面上有凹凸時(shí)，導(dǎo)電性薄膜部件也會(huì)填埋由該凹凸形成的空隙，因此能夠充分地確保靶與冷卻板的接觸面積。其結(jié)果，可獲得良好的靶與冷卻板之間的熱傳導(dǎo)性。本發(fā)明的靶裝置具備作為成膜材料的靶和與該靶接觸并進(jìn)行冷卻的板狀的冷卻 板，該靶裝置的特征在于，靶和冷卻板通過(guò)夾具固定，冷卻板在與靶對(duì)置的面即第I面及第I面的相反側(cè)的面即第2面的至少一方具有槽部。在這種靶裝置中，通過(guò)對(duì)作用于冷卻板上的第I面及第2面中的每個(gè)面的壓力賦予差，從而使冷卻板向低壓側(cè)即第I面?zhèn)任灰啤＿M(jìn)而，通過(guò)使第I面的中央部向靶側(cè)位移，從而使冷卻板按壓靶的中央部。由此，即使在當(dāng)通過(guò)夾具固定靶和冷卻板時(shí)難以確保靶與冷卻板的粘附性的靶的中央部，也變得能夠確保其粘附性，因此能夠?qū)兄挟a(chǎn)生的熱有效地傳熱至冷卻板。其結(jié)果，能夠提高投入到靶中的功率，并能夠提高在基板上成膜時(shí)的生產(chǎn)率。另外，在本發(fā)明的靶裝置中，由于在第I面及第2面中的至少一方具有槽部，因此能夠提高對(duì)靶的加壓力，并且能夠使對(duì)靶的加壓力均勻化。并且，冷卻板可以具有環(huán)繞第I面的中央部及第2面的中央部的中的至少一方的環(huán)狀的槽部。由此，能夠更有效地提高對(duì)靶的加壓力，并且能夠使對(duì)靶的加壓力均勻化。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的成膜裝置及靶裝置，能夠提高在基板上成膜時(shí)的生產(chǎn)率。


圖I是表示本實(shí)施方式所涉及的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)面剖視圖。圖2是表示圖I所示的靶裝置的側(cè)面剖視圖。圖3是表示圖2所示的冷卻板的俯視圖。圖4是表示圖2所示的冷卻板的側(cè)面剖視圖。圖5是表示圖I所示的對(duì)真空容器內(nèi)進(jìn)行減壓時(shí)的冷卻板的形狀的側(cè)面剖視圖。圖6是表示試驗(yàn)片I及試驗(yàn)片2的側(cè)面剖視圖。圖7是表示對(duì)試驗(yàn)片I進(jìn)行加壓時(shí)的在X軸方向及Y軸方向上的Z軸方向的翹曲量的圖。圖8是表示對(duì)試驗(yàn)片2進(jìn)行加壓時(shí)的在X軸方向及Y軸方向上的Z軸方向的翹曲量的圖。圖9是表示另一實(shí)施方式所涉及的冷卻板的俯視圖。圖10是表示另一實(shí)施方式所涉及的冷卻板的側(cè)面剖視圖。
符號(hào)說(shuō)明I成膜裝置，2靶裝置，3基板架，10真空容器，11電源，12排氣機(jī)構(gòu)，13氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，21絕緣體，22冷卻板，22b第2面，22a第I面，22c中央部，22d按壓面，22e周邊部，22f、41,42槽部，22g配管，23凸緣，24石墨片，25靶，27夾具，31基板，d位移量。
具體實(shí)施例方式參考附圖對(duì)本發(fā)明所涉及的靶裝置及成膜裝置的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，在說(shuō)明中對(duì)相同要件或具有相同功能的要件使用相同符號(hào)，并省略重復(fù)說(shuō)明。圖I是表示本實(shí)施方式所涉及的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)面剖視圖。圖2是表示圖I所示的靶裝置的側(cè)面剖視圖。圖I 圖5中示出XYZ直角坐標(biāo)系，Z軸方向?qū)?yīng)上下方向。本實(shí)施方式所涉及的靶裝置2能夠應(yīng)用于基于所謂的濺射法進(jìn)行成膜的裝置。如圖I所示，這種成膜裝置I主要具有真空容器10、電源11、排氣機(jī)構(gòu)12、氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)13、 基板架3及靶裝置2。真空容器10由導(dǎo)電性材料形成，通過(guò)后述的電源11被施加正電壓。電源11對(duì)真空容器10施加正電壓，并對(duì)祀25施加負(fù)電壓。排氣機(jī)構(gòu)12包括未圖不的真空泵和閥，并配置于真空容器10的外側(cè)。排氣機(jī)構(gòu)12將真空容器10內(nèi)減壓至成膜所需的狀態(tài)。氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)13配置于真空容器10的外側(cè)。氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)13向真空容器10內(nèi)部導(dǎo)入使用于濺射的氣體(例如Ar)?；寮?安裝于真空容器10的內(nèi)壁，配置于在上下方向(圖I所示的Z軸)上與后述的靶裝置2對(duì)置的位置。基板架3為固定基板31的部件，在基板架3的上表面安裝基板31。并且，由電源11經(jīng)真空容器10及基板架3對(duì)基板31施加負(fù)電壓。靶裝置2配置于真空容器10的內(nèi)部，如圖2所示，具有絕緣體21、凸緣23、冷卻板22、石墨片(熱傳導(dǎo)性薄膜部件)24、靶25及夾具27。以下，利用圖3 圖5對(duì)靶裝置2進(jìn)行詳述。圖3是圖2所示的冷卻板的俯視圖，圖4是表示圖2所示的冷卻板的剖視圖。圖5是表示對(duì)真空容器內(nèi)進(jìn)行減壓時(shí)的冷卻板的形狀的圖。絕緣體21配置于真空容器10與后述的凸緣23之間，將真空容器10和用于固定靶25的凸緣23絕緣。由此，確保真空容器10與靶25的電位差。凸緣23為用于支承后述的冷卻板22的部件，隔著絕緣體21安裝于真空容器10上。冷卻板22是形成為板狀的部件，通過(guò)凸緣23固定于真空容器10上。冷卻板22中的與凸緣23接觸一側(cè)的第2面22b朝向真空容器10的外部且暴露于大氣壓中。并且，冷卻板22中的與第2面22b相反一側(cè)的面，即與后述的靶25對(duì)置一側(cè)的第I面22a朝向真空容器10的內(nèi)部。并且，當(dāng)通過(guò)排氣機(jī)構(gòu)12對(duì)真空容器10內(nèi)進(jìn)行排氣而減壓至成膜所需的狀態(tài)時(shí)，第I面22a暴露于真空氣氛中。因此，在分別作用于暴露在大氣壓中的第2面22b及暴露于減壓至成膜所需的狀態(tài)的氣氛中的第I面22a的壓力上產(chǎn)生差。如圖3及圖4所示，在冷卻板22的第2面22b側(cè)的周邊部22e附近形成有環(huán)狀的槽部22f。該槽部22f為用于在冷卻板22上形成薄壁部的構(gòu)件，優(yōu)選根據(jù)在上述的濺射時(shí)作用于第I面22a和第2面22b的壓力差形成為如第I面22a向靶25側(cè)變形(參考圖5)的尺寸。由此，能夠使包含第I面22a的中央部22c的局部的面22d，即槽部22f內(nèi)側(cè)的面22d (以下，示為按壓面22d)向靶25側(cè)均勻地位移，來(lái)按壓靶25上的中央部及其周邊區(qū)域。
另外，在此所述的位移是指，從如圖4所示的作用于第I面22a和第2面22b的壓力沒(méi)有差從而第I面22a被維持成直線狀的狀態(tài)起到如圖5所示的第I面22a根據(jù)作用于第I面22a和第2面22b的壓力差而變形時(shí)的Z軸方向的位移。并且，均勻位移是指，按壓面22d上的任意位置處的圖5所示的Z軸方向的位移量dl dn落在±20%的范圍內(nèi)的位移。并且，在冷卻板22的內(nèi)部，配管22g相對(duì)于圖2所示的XY平面被配置為二維狀。在圖2所示的Z軸方向上，配管22g配置于分別離第2面22b及第I面22a的距離大致相等的位置。由此，降低冷卻液從配管22g漏出到冷卻板22外部的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)冷卻液流入到配管22g內(nèi)部，對(duì)冷卻板22本身進(jìn)行冷卻。另外，若冷卻板22為例如銅或鋁之類的熱傳導(dǎo)性優(yōu)異的金屬材料，則能夠提高冷卻效率。并且，當(dāng)冷卻板22由鋁構(gòu)成時(shí)，更優(yōu)選對(duì)其表面進(jìn)行氧化招膜處理(alumite treatment)。并且,作為冷卻板22中所使用的冷卻液,若為凝固點(diǎn)低于水的液體(例如為Fluorinert (電子氟化液)或Galden ( 一種氟化熱傳導(dǎo)液) 等)，則能夠進(jìn)一步提高冷卻效率。并且，若配管22g為例如銅或鋁之類的熱傳導(dǎo)性優(yōu)異的金屬材料，則能夠進(jìn)一步提高冷卻效率。革巴25由薄膜的I種材料即IT0(IndiumTin Oxide :氧化銦錫)形成。另外，除ITO靶以外，靶25可使用由金屬氧化物材料形成的靶，還可使用包含低氧化物材料而形成的靶。在成膜裝置I中靶25被設(shè)定為陰極。而且，若在成膜裝置I中對(duì)作為陽(yáng)極設(shè)定的真空容器10與靶25之間施加電壓，則產(chǎn)生的等離子體中的離子朝向靶25加速，該離子沖撞靶25。而且，通過(guò)使因該沖撞而被彈出的ITO構(gòu)成原子等附著或堆積于基板31上，從而形成薄膜。石墨片24為熱傳導(dǎo)性薄膜部件的I種，石墨片24配置于冷卻板22與靶25之間。石墨片24直接夾在靶25與冷卻板22的對(duì)置面間。在此，在冷卻板22及靶25的對(duì)置面上有時(shí)存在凹凸，在該對(duì)置面彼此相互接觸的部分有時(shí)因其凹凸形成空隙。石墨片24通過(guò)與相互對(duì)置面接觸來(lái)填埋這種空隙。由此，充分地確保靶25與冷卻板22的接觸面積，提高從靶25至冷卻板22的傳熱效率。夾具27通過(guò)螺栓等(未圖示)固定于冷卻板22上。夾具27將靶25按壓于冷卻板22來(lái)將靶25固定于冷卻板22上。并且，夾具27與靶25的周邊部22e抵接而將靶25按壓于冷卻板22上。接著，對(duì)本實(shí)施方式的成膜裝置I的成膜方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，排氣機(jī)構(gòu)12對(duì)真空容器10內(nèi)進(jìn)行減壓。其次，氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)13將惰性氣體(主要為Ar)導(dǎo)入至真空容器10內(nèi)。接著，使電源11工作，對(duì)真空容器10施加正電壓，對(duì)靶25施加負(fù)電壓，從而產(chǎn)生輝光放電。由此,惰性氣體被等離子體化,使離子原子高速?zèng)_撞負(fù)電位的靶25的表面。若靶25從離子原子受到?jīng)_撞，則靶材料的粒子(原子或分子)會(huì)從靶25的表面迸出。而且，從靶25迸出的成膜材料的粒子會(huì)以膜狀附著于配置在與靶25對(duì)置的位置的基板31的被成膜面上?；?1暴露于這種成膜材料的粒子中預(yù)定時(shí)間，從而在基板31的表面形成預(yù)定厚度的膜。接著，邊參考圖4、圖5邊說(shuō)明對(duì)真空容器10內(nèi)進(jìn)行減壓時(shí)的冷卻板22的動(dòng)作。在對(duì)真空容器10內(nèi)進(jìn)行減壓之前，即在第2面22b及第I面22a雙方接觸大氣壓的狀態(tài)時(shí)，如圖4所示，冷卻板22沿X軸方向保持為直線狀。
若真空容器10內(nèi)通過(guò)排氣機(jī)構(gòu)12被減壓而維持真空狀態(tài)，則冷卻板22的第2面22b會(huì)暴露于大氣壓氣氛中，而第I面22a則會(huì)暴露于真空氣氛中。由此,與第I面22a相t匕，第2面22b暴露于高壓的氣氛中，因此在作用于第2面22b的壓力與作用于第I面22a的壓力上產(chǎn)生差。冷卻板22上的槽部22f根據(jù)上述的第2面22b與第I面22a的壓力差形成為如向靶25側(cè)變形的尺寸(厚度、寬度)。因此，如圖5所示，冷卻板22的比槽部22f更靠?jī)?nèi)側(cè)的面22d向靶25側(cè)均勻地位移。其結(jié)果，槽部22f的內(nèi)側(cè)的面22d會(huì)按壓靶25，提高冷卻板22與靶25的粘附性。[實(shí)施例]在此，在大氣壓氣氛下，關(guān)于具有如圖6(a)所示的形狀的冷卻板(試驗(yàn)片I)及具有如圖6(b)所示的形狀的冷卻板(試驗(yàn)片2)，對(duì)將一方的面暴露于真空氣氛(IPa)中，而將另一方的面暴露于大氣壓氣氛(IO5Pa)中時(shí)的形狀變化進(jìn)行了仿真試驗(yàn)。圖6(a)、(b)是表示試驗(yàn)片I及試驗(yàn)片2的側(cè)面剖視圖。圖6中示出XYZ直角坐標(biāo)系，Z軸方向?qū)?yīng)上下 方向。試驗(yàn)片I及試驗(yàn)片2的條件如下。(試驗(yàn)片I)外形尺寸300mmX 1600mm X 15mm (厚度)材質(zhì)無(wú)氧銅外周槽尺寸未形成有外周槽(試驗(yàn)片2)外形尺寸300mmX 1600mm X 15mm (厚度)材質(zhì)無(wú)氧銅外周槽尺寸20mm(寬度)Xianrn(深度)外周槽位置從外周端到槽中心的距離為30mm進(jìn)行該仿真試驗(yàn)的結(jié)果，關(guān)于試驗(yàn)片I及試驗(yàn)片2向Z軸方向的翹曲量，獲得了如圖7及圖8所示的結(jié)果。圖7(a)是表示在對(duì)試驗(yàn)片I進(jìn)行上述加壓時(shí)的在Y軸方向上的Z軸方向的翹曲量的圖，圖7(b)是表示在對(duì)試驗(yàn)片I進(jìn)行上述加壓時(shí)的在X軸方向上的Z軸方向的翹曲量的圖。圖8(a)是表示在對(duì)試驗(yàn)片2進(jìn)行上述加壓時(shí)的在Y軸方向上的Z軸方向的翹曲量的圖，圖8(b)是表示在對(duì)試驗(yàn)片2進(jìn)行上述加壓時(shí)的在X軸方向上的Z軸方向的翹曲量的圖。據(jù)此可知試驗(yàn)片I的中央部的翹曲量如圖7(a)及圖7(b)所示為O. 2mm，分別在X軸方向及Y軸方向上的Z軸方向的翹曲量的變化為，從外周端到離開(kāi)外周端75mm的位置為止翹曲量均以大致直線狀逐漸增大。另一方面，可知試驗(yàn)片2的中央部的翹曲量如圖8(a)及圖8(b)所示為O. 4mm，分別在X軸方向及Y軸方向上的Z軸方向的翹曲量的變化為，從外周端到外周槽的中心位置(離外周端30_)翹曲量急劇變大，從外周槽的中心位置到中央部翹曲量以大致直線性逐漸增大。并且，包含由外周槽環(huán)繞的中央部的按壓面向Z軸方向的翹曲量(包含中央部的按壓面向祀側(cè)的位移d)的平均為O. 34mm,最小位移為O. 28mm,最大位移為O. 40mm,其偏差為±18%。因此，可知試驗(yàn)片2中的按壓面向Z軸方向的位移落入到作為上述的均勻位移范圍的目標(biāo)的±20%的范圍內(nèi)，按壓面的位移可以說(shuō)是均勻位移。通過(guò)以上仿真試驗(yàn)的結(jié)果可知由于設(shè)置有外周槽的冷卻板(試驗(yàn)片2)比起沒(méi)有外周槽的冷卻板(試驗(yàn)片I)可加大冷卻板的中央部中的位移，所以能夠提高對(duì)靶的加壓力。還可知由于設(shè)置有外周槽的冷卻板(試驗(yàn)片2)比起沒(méi)有外周槽的冷卻板(試驗(yàn)片I)可加大靠近外周端的部分的翹曲量即向靶側(cè)的位移，因此即使在靠近外周端的部分也能夠提高對(duì)靶的加壓力。該結(jié)果證明了，能夠通過(guò)在冷卻板設(shè)置槽部來(lái)提高對(duì)靶的加壓力，并且能夠使對(duì)靶的加壓力均勻化。在以上說(shuō)明的上述實(shí)施方式的成膜裝置I中，通過(guò)將第I面22a暴露于真空氣氛中，而將第2面22b暴露于大氣壓氣氛中，由此使冷卻板22向低壓側(cè)即第I面22a側(cè)位移。進(jìn)而，通過(guò)使包含第I面22a的中央部22c的按壓面22d向靶25側(cè)均勻地位移，從而使冷卻板22按壓包含靶25的中央部的區(qū)域。由此，即使在通過(guò)夾具27固定靶25和冷卻板22時(shí)難以確保靶25與冷卻板22的粘附性的靶25的中央部，也能夠確保其粘附性，因此能夠 將靶25中產(chǎn)生的熱有效地傳熱至冷卻板22上。其結(jié)果，能夠提高投入到靶25中的功率，并能夠提高對(duì)基板31的成膜的生產(chǎn)率。以上，根據(jù)上述實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明。但是，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。本發(fā)明在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)可進(jìn)行如下各種變形。在上述實(shí)施方式的成膜裝置I中舉出如下例子進(jìn)行了說(shuō)明，即如圖5所示的，設(shè)置環(huán)繞冷卻板22的中央部22c的槽部22f，使被槽部22f環(huán)繞的按壓面22d向靶25側(cè)均勻地位移，但并不限定于此。例如，也可以如圖9所示，在第2面22b上沿長(zhǎng)度方向形成2個(gè)槽部41。并且，槽部41可形成于第I面22b及第2面22c的至少一方。即使在該情況下，也能夠使第I面22b中的中央部22c向靶25側(cè)位移來(lái)按壓靶25。在上述實(shí)施方式中舉出了形成于冷卻板22上的槽部22f形成為矩形的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于此。例如，如圖10所示，槽部42可形成為圓弧狀。在上述實(shí)施方式中舉出如下例子進(jìn)行了說(shuō)明，即將第I面22a暴露于真空氣氛中，而將第2面22b暴露于大氣壓氣氛中，由此使冷卻板22向低壓側(cè)即第I面22a側(cè)位移,但并不限定于此。例如，可以設(shè)成可控制第I面22a及第2面22b各自暴露的氣氛的結(jié)構(gòu)，與第I面22a相比，使第2面22b暴露于高壓的氣氛中。在上述實(shí)施方式中舉出了冷卻板22形成為如圖3所示的矩形的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于此，例如可形成為圓形或橢圓形或多邊形等。在上述實(shí)施方式中舉出了將靶裝置2應(yīng)用于利用通過(guò)輝光放電產(chǎn)生的等離子體的成膜裝置I的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于此。例如，可應(yīng)用于利用通過(guò)高頻波產(chǎn)生的等離子體的成膜裝置或在靶的里面配置磁鐵的磁控濺射成膜裝置等各種成膜裝置。
權(quán)利要求
1.一種成膜裝置，具備作為成膜材料的靶和與該靶接觸并進(jìn)行冷卻的板狀的冷卻板，該成膜裝置的特征在于， 所述靶和所述冷卻板通過(guò)夾具固定， 所述冷卻板的第2面與第I面相比暴露于高壓的氣氛中，并且所述第I面的中央部向所述靶側(cè)位移而按壓所述靶，該第I面是與所述靶對(duì)置的面，該第2面是所述第I面的相反側(cè)的面。
2.如權(quán)利要求I所述的成膜裝置，其特征在于， 所述冷卻板在所述第I面及第2面中的至少一方具有槽部。
3.如權(quán)利要求I所述的成膜裝置，其特征在于， 所述冷卻板具有環(huán)繞所述第I面的中央部及所述第2面的中央部中的至少一方的環(huán)狀的槽部。
4.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的成膜裝置，其特征在于， 所述冷卻板的所述第2面暴露于大氣壓氣氛中，所述第I面暴露于真空氣氛中。
5.如權(quán)利要求I 4中任一項(xiàng)所述的成膜裝置，其特征在于， 在所述靶與所述冷卻板之間，配置有與所述靶和所述冷卻板的相互對(duì)置的面相接觸的熱傳導(dǎo)性薄膜部件。
6.一種靶裝置，具備作為成膜材料的靶和與該靶接觸并進(jìn)行冷卻的板狀的冷卻板，該靶裝置的特征在于， 所述靶和所述冷卻板通過(guò)夾具固定， 所述冷卻板在第I面及第2面中的至少一方具有槽部，該第I面是與所述靶對(duì)置的面，該第2面是所述第I面的相反側(cè)的面。
7.如權(quán)利要求6所述的靶裝置，其特征在于， 所述冷卻板具有環(huán)繞所述第I面的中央部及所述第2面的中央部中的至少一方的環(huán)狀的槽部
全文摘要
本發(fā)明提供一種成膜裝置及靶裝置，可提高對(duì)基板的成膜的生產(chǎn)率。成膜裝置(1)具備作為成膜材料的靶(25)和與該靶(25)接觸并進(jìn)行冷卻的板狀冷卻板(22)，靶(25)和冷卻板(22)通過(guò)夾具(27)固定，冷卻板(22)的第2面(22b)與第1面(22a)相比暴露于高壓的氣氛中，并且第1面(22b)的中央部(22c)向靶(25)側(cè)位移而按壓靶(25)，該第1面(22a)是與靶(25)對(duì)置的面，該第2面(22b)是第1面(22a)的相反側(cè)的面。
文檔編號(hào)C23C14/34GK102965627SQ20111025676
公開(kāi)日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2011年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月1日
發(fā)明者巖田寬 申請(qǐng)人:住友重機(jī)械工業(yè)株式會(huì)社