專利名稱：蒸鍍方法與蒸鍍?cè)O(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍物方法與鍍物設(shè)備，且特別是涉及一種蒸鍍方法與蒸鍍?cè)O(shè)備。
背景技術(shù)：
有機(jī)電激發(fā)光顯示裝置是一種自發(fā)光型的顯示裝置，無需使用背光模塊，故可省去背光模塊的制造成本以及背光模塊本身所消耗的能源。此外，由于有機(jī)電激發(fā)光顯示裝置無視角問題，且具有全彩化、高應(yīng)答速度等特性，故有機(jī)電激發(fā)光顯示裝置已經(jīng)成為一種兼具性能及環(huán)保概念的平面顯示裝置。相似地，太陽能電池也因?qū)侪h(huán)保能源而成為熱門的明星商品。在有機(jī)電激發(fā)光顯示裝置及太陽能電池的制造上，多成分蒸鍍的良率為影響 發(fā)光均勻及太陽能電池效率的關(guān)鍵。然而，不同的有機(jī)材料蒸發(fā)(升華)溫度不同，濃度及成分比例控制困難，且需避免材料裂解或化學(xué)反應(yīng)。此外，不同的有機(jī)材料蒸發(fā)(升華)分子擴(kuò)散速率不同，且無一定方向性，因此成分比例控制不易，且材料利用率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種蒸鍍?cè)O(shè)備，可精確控制蒸鍍材料的成分比例。本發(fā)明另一目的在于提供一種蒸鍍方法，可精確控制蒸鍍材料的成分比例。為達(dá)上述目的，本發(fā)明的蒸鍍方法包括下列步驟。使一第一氣體與一第二氣體在一第一腔室混合。使混合后的第一氣體與第二氣體從第一腔室進(jìn)入一第二腔室。使第二腔室內(nèi)的混合后的第一氣體與第二氣體離開第二腔室。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一氣體是由一第一祀材加熱形成。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一氣體與第二氣體是以臨界流的狀態(tài)進(jìn)入第一腔室。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，混合后的第一氣體與第二氣體是以臨界流的狀態(tài)從第一腔室進(jìn)入第二腔室。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，混合后的第一氣體與第二氣體是以臨界流的狀態(tài)離開第
二腔室。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，蒸鍍方法還包括引入一鞘層氣體(sheath gas)至第二腔室，并以鞘層氣體產(chǎn)生強(qiáng)制對(duì)流而將混合后的第一氣體與第二氣體帶離第二腔室。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，蒸鍍方法還包括下列步驟。使一第三氣體、第一氣體與一第二氣體在第一腔室混合。使混合后的第一氣體、第二氣體與第三氣體從第一腔室進(jìn)入第二腔室。使第二腔室內(nèi)的混合后的第一氣體、第二氣體與第三氣體離開第二腔室。本發(fā)明的蒸鍍?cè)O(shè)備包括一腔體、至少一第一蒸鍍?cè)匆约爸辽僖坏诙翦冊(cè)?。腔體具有一第一腔室、一第二腔室、一出口、一連通口、至少一第一入口與至少一第二入口。連通口連接第一腔室與第二腔室，出口位于第二腔室。第一蒸鍍?cè)磁渲糜诘谝蝗肟冢诙翦冊(cè)磁渲糜诘诙肟凇５谝徽翦冊(cè)刺峁┑囊坏谝粴怏w經(jīng)由第一入口進(jìn)入第一腔室。第二蒸鍍?cè)刺峁┑囊坏诙怏w經(jīng)由第二入口進(jìn)入第一腔室。進(jìn)入第一腔室的第一氣體與第二氣體在第一腔室內(nèi)混合后，經(jīng)由連通口進(jìn)入第二腔室，再經(jīng)由出口離開第二腔室。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，至少一第一入口、至少一第二入口、至少一第一蒸鍍?cè)磁c至少一第二蒸鍍?cè)吹臄?shù)量分別為多個(gè)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，出口為狹縫型開口。此外，出口的寬度例如介于O. 8毫米至3. 2毫米。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，蒸鍍?cè)O(shè)備還包括至少一第三蒸鍍?cè)?。腔體還具有至少一第三入口，第三蒸鍍?cè)磁渲糜诘谌肟?。第一氣體、第二氣體與第三蒸鍍?cè)刺峁┑囊坏谌龤怏w在第一腔室內(nèi)混合后，經(jīng)由連通口進(jìn)入第二腔室，再經(jīng)由出口離開第二腔室。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，腔體還具有至少一第三入口，用以供一鞘層氣體(sheathgas)經(jīng)由第三入口進(jìn)入第二腔室，并以鞘層氣體產(chǎn)生強(qiáng)制對(duì)流而將混合后的第一氣體與第二氣體經(jīng)由出口帶離第二腔室。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一入口與第二入口的孔徑介于O. I毫米至I. 2毫米。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，連通口的孔徑介于I毫米至2. 4毫米。基于上述，在本發(fā)明的蒸鍍方法與蒸鍍?cè)O(shè)備中，蒸鍍氣體先在第一腔室以特定比例充分混合后，再進(jìn)入第二腔室并從出口離開第二腔室。因此，可精確控制鍍膜的成分比例。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。


圖I是本發(fā)明一實(shí)施例的蒸鍍?cè)O(shè)備的剖面示意圖；圖2是圖I的蒸鍍?cè)O(shè)備的立體示意圖。主要元件符號(hào)說明50 :待鍍物100 :蒸鍍?cè)O(shè)備110:腔體112:第一腔室114:第二腔室 114116:出口118:連通口120 :第一蒸鍍?cè)?30 :第二蒸鍍?cè)?40 :第三蒸鍍?cè)碢12:第一入口P14:第二入口P16:第三入口P18:入口Gl2 :第一氣體G14 :第二氣體
G16:第三氣體G18 :銷層氣體(sheath gas)
具體實(shí)施例方式本發(fā)明一實(shí)施例的蒸鍍方法是先讓一第一氣體與一第二氣體在一第一腔室混合。接著，使混合后的第一氣體與第二氣體從第一腔室進(jìn)入一第二腔室。之后，使第二腔室內(nèi)的混合后的第一氣體與第二氣體離開第二腔室而鍍于一待鍍物上。以下，將搭配圖I與圖2的蒸鍍?cè)O(shè)備100舉例說明本實(shí)施例的蒸鍍方法，但本發(fā)明的蒸鍍方法不一定要搭配圖I與圖2的蒸鍍?cè)O(shè)備100，而蒸鍍?cè)O(shè)備100也不限于僅能用于實(shí)施本實(shí)施例的蒸鍍方法。圖I是本發(fā)明一實(shí)施例的蒸鍍?cè)O(shè)備的剖面示意圖，而圖2是圖I的蒸鍍?cè)O(shè)備的立體示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)DI與圖2,本實(shí)施例的蒸鍍?cè)O(shè)備100包括一腔體110、至少一第一蒸鍍?cè)?20以及至少一第二蒸鍍?cè)?30。腔體110具有一第一腔室112、一第二腔室114、一出口116、一連通口 118、至少一第一入口 P12與至少一第二入口 P14。連通口 118連接第一腔室 112與第二腔室114，出口 116位于第二腔室114。第一蒸鍍?cè)?20配置于第一入口 P12，第二蒸鍍?cè)?30配置于第二入口 P14。本實(shí)施例中，第一蒸鍍?cè)?20與第二蒸鍍?cè)碢14的數(shù)量都以多個(gè)為例，但也可能各僅有一個(gè)，而第一入口 P12與第二入口 P14的數(shù)量則隨第一蒸鍍?cè)?20與第二蒸鍍?cè)碢14的數(shù)量變化。另外，本實(shí)施例的連通口 118的數(shù)量也以多個(gè)為例，但也可能各僅有一個(gè)，且連通口 118的數(shù)量與第一入口 P12與第二入口 P14的數(shù)量無特定關(guān)系。第一蒸鍍?cè)?20提供的一第一氣體G12經(jīng)由第一入口 P12進(jìn)入第一腔室112。第二蒸鍍?cè)?30提供的一第二氣體G14經(jīng)由第二入口 P14進(jìn)入第一腔室112。進(jìn)入第一腔室112的第一氣體G12與第二氣體G14在第一腔室112內(nèi)混合后，經(jīng)由連通口 118而進(jìn)入第二腔室114，再經(jīng)由出口 116而鍍于一待鍍物50上。根據(jù)上述可知，由于第一氣體G12與第二氣體G14在先在第一腔室112內(nèi)進(jìn)行混合，因此可在此階段精確控制氣體的混合的成分比例。接著，完成混合后的第一氣體G12與第二氣體G14先進(jìn)入第二腔室114，再從第二腔室114經(jīng)由出口 116而鍍于待鍍物50上。另外，通過適當(dāng)?shù)刈屨翦冊(cè)O(shè)備100與待鍍物50之間產(chǎn)生相對(duì)移動(dòng)，可快速且均勻地完成大面積的蒸鍍作業(yè)。本實(shí)施例的蒸鍍?cè)O(shè)備100還包括至少一第三蒸鍍?cè)?40。腔體110還具有至少一第三入口 P16，第三蒸鍍?cè)?40配置于第三入口 P16。第一氣體G12、第二氣體G14與第三蒸鍍?cè)?40提供的一第三氣體G16在第一腔室112內(nèi)混合后，經(jīng)由連通口 118進(jìn)入第二腔室114，再經(jīng)由出口 116而鍍于待鍍物50上。換言之，本實(shí)施例的蒸鍍?cè)O(shè)備100與蒸鍍方法可進(jìn)行多種材料的共蒸鍍。本實(shí)施例中，第一氣體G12是由一第一靶材加熱形成，第二氣體G14是由一第二靶材加熱形成，而第三氣體G16是由一第三靶材加熱形成。第一靶材、第二靶材與第三靶材例如分別是銦(In)、鎵(Ga)與硒(Se)。本實(shí)施例中，第一氣體G12、第二氣體G14與第三氣體G16是以臨界流的狀態(tài)進(jìn)入第一腔室112。臨界流的狀態(tài)是指氣體通過開口的流量已達(dá)最大值，即使氣體來源端的壓力值繼續(xù)升高，氣體通過開口的流量也不會(huì)繼續(xù)增加。因此，通過讓第一氣體G12、第二氣體G14與第三氣體G16是以臨界流的狀態(tài)進(jìn)入第一腔室112，可控制第一氣體G12、第二氣體G14與第三氣體G16以固定比例進(jìn)入第一腔室112，進(jìn)而獲得成分比例固定的混合氣體。此外，本實(shí)施例中混合后的第一氣體G12、第二氣體G14與第三氣體G16是以臨界流的狀態(tài)從第一腔室112進(jìn)入第二腔室114。另外,本實(shí)施例中混合后的第一氣體G12、第二氣體G14與第三氣體G16也可以臨界流的狀態(tài)離開第二腔室114，以便于控制待鍍物50上的蒸鍍物的沈積速率。以上，都以描述同時(shí)具有第一氣體G12、第二氣體G14與第三氣體G16的情況為例，但在只有第一氣體G12與第二氣體G14或還有更多蒸鍍氣體的狀況下，同樣可利用使氣體維持在臨界流的狀態(tài)的方式來精確掌握蒸鍍參數(shù)。本實(shí)施例的腔體110可還具有至少一入口 P18，用以供一鞘層氣體G18經(jīng)由入口P18進(jìn)入第二腔室114，并以鞘層氣體G18產(chǎn)生強(qiáng)制對(duì)流而將混合后的第一氣體G12與第二氣體G14經(jīng)由出口 116帶離第二腔室114。鞘層氣體G18具有防止第一氣體G12與第二氣體G14鍍于出口 116而導(dǎo)致出口 116阻塞的功能。本實(shí)施例的出口 116為狹縫型開口，狹縫型開口適合進(jìn)行連續(xù)且大面積的蒸鍍作業(yè)，材料使用率高，鍍膜速率高，工時(shí)短，可有效降低成本并提高品質(zhì)。另外，出口 116的孔徑由第二腔室114朝向外界逐漸縮小，此種漸縮設(shè)計(jì)可預(yù)防出口 116的兩側(cè)生成渦漩流，進(jìn) 而防止氣體停滯而鍍于出口 116的兩側(cè)上。本實(shí)施例的第一入口 P12與第二入口 P14的孔徑介于O. I毫米至I. 2毫米，連通口 118的孔徑介于I毫米至2. 4毫米，出口 116的寬度介于O. 8毫米至3. 2毫米。綜上所述，在本發(fā)明的蒸鍍方法與蒸鍍?cè)O(shè)備中，腔體被區(qū)分為兩個(gè)腔室，蒸鍍氣體先在第一腔室以特定比例充分混合后，才進(jìn)入第二腔室，接著從出口離開而鍍于待鍍物上。因此，本發(fā)明的蒸鍍方法與蒸鍍?cè)O(shè)備可精確控制鍍膜的成分比例。雖然結(jié)合以上實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍方法，包括 使一第一氣體與一第二氣體以臨界流的狀態(tài)進(jìn)入第一腔室并混合； 使混合后的該第一氣體與該第二氣體從該第一腔室進(jìn)入一第二腔室；以及 使該第二腔室內(nèi)的混合后的該第一氣體與該第二氣體離開該第二腔室。
2.如權(quán)利要求I所述的蒸鍍方法，其中該第一氣體是由一第一靶材加熱形成。
3.如權(quán)利要求I所述的蒸鍍方法，其中該第二氣體是由一第二靶材加熱形成。
4.如權(quán)利要求I所述的蒸鍍方法，其中混合后的該第一氣體與該第二氣體是以臨界流的狀態(tài)從該第一腔室進(jìn)入該第二腔室。
5.如權(quán)利要求I所述的蒸鍍方法，其中混合后的該第一氣體與該第二氣體是以臨界流的狀態(tài)離開該第二腔室。
6.如權(quán)利要求I所述的蒸鍍方法，還包括引入一鞘層氣體至該第二腔室，并以該鞘層氣體產(chǎn)生強(qiáng)制對(duì)流而將混合后的該第一氣體與該第二氣體帶離該第二腔室。
7.如權(quán)利要求I所述的蒸鍍方法，還包括使一第三氣體、該第一氣體與一第二氣體在該第一腔室混合； 使混合后的該第一氣體、該第二氣體與該第三氣體從該第一腔室進(jìn)入該第二腔室；以及 使該第二腔室內(nèi)的混合后的該第一氣體、該第二氣體與該第三氣體離開該第二腔室。
8.一種蒸鍍?cè)O(shè)備，包括 腔體，具有第一腔室、第二腔室、出口、連通口、至少一第一入口與至少一第二入口，其中該連通口連接該第一腔室與該第二腔室，該出口位于該第二腔室； 至少一第一蒸鍍?cè)矗渲糜谠摰谝蝗肟?；以及 至少一第二蒸鍍?cè)?，配置于該第二入口，其中該第一蒸鍍?cè)刺峁┑囊坏谝粴怏w經(jīng)由該第一入口進(jìn)入該第一腔室，該第二蒸鍍?cè)刺峁┑囊坏诙怏w經(jīng)由該第二入口進(jìn)入該第一腔室，進(jìn)入該第一腔室的該第一氣體與該第二氣體在該第一腔室內(nèi)混合后，經(jīng)由該連通口進(jìn)入該第二腔室，再經(jīng)由該出口離開該第二腔室。
9.如權(quán)利要求8所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中該至少一第一入口、該至少一第二入口、該至少一第一蒸鍍?cè)磁c該至少一第二蒸鍍?cè)吹臄?shù)量分別為多個(gè)。
10.如權(quán)利要求8所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中該出口為狹縫型開口。
11.如權(quán)利要求10所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中該出口的寬度介于O.8毫米至3. 2毫米。
12.如權(quán)利要求8所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，還包括至少一第三蒸鍍?cè)?，其中該腔體還具有至少一第三入口，該第三蒸鍍?cè)磁渲糜谠摰谌肟?，該第一氣體、該第二氣體與該第三蒸鍍?cè)刺峁┑囊坏谌龤怏w在該第一腔室內(nèi)混合后，經(jīng)由該連通口進(jìn)入該第二腔室，再經(jīng)由該出口而離開該第二腔室。
13.如權(quán)利要求8所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中該腔體還具有至少一第三入口，用以供一鞘層氣體經(jīng)由該第三入口進(jìn)入該第二腔室，并以該鞘層氣體產(chǎn)生強(qiáng)制對(duì)流而將混合后的該第一氣體與該第二氣體經(jīng)由該出口帶離該第二腔室。
14.如權(quán)利要求8所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中該第一入口與該第二入口的孔徑介于O.I毫米至I. 2毫米。
15.如權(quán)利要求8所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中該連通口的孔徑介于I毫米至2.4毫米。
全文摘要
本發(fā)明公開一種蒸鍍方法與蒸鍍?cè)O(shè)備。該蒸鍍?cè)O(shè)備包括一腔體、至少一第一蒸鍍?cè)匆约爸辽僖坏诙翦冊(cè)?。腔體具有一第一腔室、一第二腔室、一出口、一連通口、至少一第一入口與至少一第二入口。第一蒸鍍?cè)磁渲糜诘谝蝗肟?，第二蒸鍍?cè)磁渲糜诘诙肟凇５谝徽翦冊(cè)刺峁┑囊坏谝粴怏w經(jīng)由第一入口進(jìn)入第一腔室。第二蒸鍍?cè)刺峁┑囊坏诙怏w經(jīng)由第二入口進(jìn)入第一腔室，進(jìn)入第一腔室的第一氣體與該第二氣體在第一腔室內(nèi)混合后，經(jīng)由連通口進(jìn)入第二腔室，再經(jīng)由出口離開第二腔室。
文檔編號(hào)C23C14/24GK102888587SQ20111024290
公開日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2011年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月21日
發(fā)明者王慶鈞, 陳建志, 黃智勇 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院