專利名稱：電磁屏蔽方法及制品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電磁屏蔽方法及其制品。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)，通常采用金屬外罩、沉積有金屬層的或結(jié)合有金屬薄片的塑料復(fù)合屏蔽罩或金屬纖維復(fù)合屏蔽罩來控制電磁干擾。然而，上述屏蔽罩均存在以下缺點(diǎn)所占空間大、生產(chǎn)成本較高、安裝時(shí)難以實(shí)現(xiàn)屏蔽罩與印刷電路板(PCB)或柔性線路板(FPC)之間無縫安裝，如此導(dǎo)致屏蔽效率低下，PCB板或FPC板上的電子元件產(chǎn)生的熱量難以散發(fā)出去，以及使得電子元件工作性能不穩(wěn)定，甚至損壞電子元件。于PCB板或FPC板上直接沉積樹脂絕緣層，再于該絕緣層上電鍍或化學(xué)鍍金屬層，可實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽。但是，為了保證該樹脂絕緣層與PCB板或FPC板之間有良好的結(jié)合力，避 免絕緣層發(fā)生剝落或龜裂等現(xiàn)象，對所使用的樹脂的粘度值有嚴(yán)格的限制。而能滿足上述粘度要求的樹脂只限于某些特殊的有機(jī)樹脂，這些特殊的有機(jī)樹脂成分多、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、難以制造。此外，該絕緣層的厚度較大(難以控制在納米級別)，因而對電子元件的散熱存在不良影響。另外，電鍍或化學(xué)鍍金屬層對環(huán)境的污染較大。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，本發(fā)明提供一種電磁屏蔽方法。另外，本發(fā)明還提供一種經(jīng)由上述電磁屏蔽方法制得的制品。一種制品，包括基體、形成于該基體上的一絕緣層及形成于該絕緣層上的導(dǎo)電層，該絕緣層為硅-氧層，該導(dǎo)電層為鎢銅合金層。一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟
提供基體；
采用真空鍍膜法，以硅靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層為硅-氧層；
采用真空鍍膜法，以鎢銅合金靶為靶材，于該絕緣層上形成一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層為鎢銅
I=Iο所述電磁屏蔽方法簡單快捷、幾乎沒有環(huán)境污染，且形成該絕緣層的材料簡單、易于獲得。由于通過真空鍍膜的方式形成的所述絕緣層及導(dǎo)電層的膜厚較小，可使電子元件產(chǎn)生的熱量快速的散發(fā)出去，提高制品的散熱性，進(jìn)而提高了電子元件性能的穩(wěn)定性。另一方面，該絕緣層及導(dǎo)電層所占的空間小，質(zhì)量輕。此外，以真空鍍膜方法形成的絕緣層及導(dǎo)電層與基體之間具有良好的結(jié)合力，可避免在使用過程中該絕緣層和/或?qū)щ妼影l(fā)生剝落或龜裂而降低制品的電磁屏蔽性能。所述絕緣層和導(dǎo)電層在平面處、凹處及折縫處沉積均勻，且可以做到與基體無縫結(jié)合，如此提高了基體的電磁屏蔽性能。


圖I是本發(fā)明一較佳實(shí)施例制品的剖視圖。圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例真空鍍膜機(jī)的示意圖。主要元件符號說明_
權(quán)利要求
1.一種制品，包括基體，其特征在于該制品還包括形成于該基體上的一絕緣層及形成于該絕緣層上的導(dǎo)電層，該絕緣層為硅-氧層，該導(dǎo)電層為鎢銅合金層。
2.如權(quán)利要求I所述的制品，其特征在于該絕緣層及導(dǎo)電層通過真空鍍膜的方式形成。
3.如權(quán)利要求I所述的制品，其特征在于該絕緣層的厚度為O.8-5 μ m。
4.如權(quán)利要求3所述的制品，其特征在于該絕緣層的厚度為2-3μ m。
5.如權(quán)利要求I所述的制品，其特征在于該導(dǎo)電層的厚度為O.5-2 μ m。
6.如權(quán)利要求5所述的制品，其特征在于該導(dǎo)電層的厚度為1_2μπι。
7.如權(quán)利要求I所述的制品，其特征在于該基體為印刷電路板或柔性線路板。
8.如權(quán)利要求7所述的制品，其特征在于該基體上形成有至少一電子元件，所述絕緣層及所述導(dǎo)電層沉積在所述電子元件的表面及基體的表面，以使電子元件被封閉于所述絕緣層內(nèi)。
9.一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟 提供基體； 采用真空鍍膜法，以硅靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層為硅-氧層； 采用真空鍍膜法，以鎢銅合金靶為靶材，于該絕緣層上形成一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層為鎢銅I=Iο
10.如權(quán)利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于形成所述絕緣層的方法為采用磁控濺射鍍膜法，設(shè)置硅靶的功率為5 8kw，以氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣的流量為5(T200sCCm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為10(T300SCCm，施加于基體的偏壓為-10(T-300V，鍍膜溫度為2(T80°C，鍍膜時(shí)間為15 35min。
11.如權(quán)利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于形成所述導(dǎo)電層的方法采用磁控濺射鍍膜法，設(shè)置鎢銅合金靶的功率為l(Tl5kw，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為10(T300SCCm，施加于基體的偏壓為-10(T-300V，鍍膜溫度為2(T80°C，鍍膜時(shí)間為3 20mino
全文摘要
本發(fā)明提供一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟提供基體；采用真空鍍膜法，以硅靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層為硅-氧層；采用真空鍍膜法，以鎢銅合金靶為靶材，于該絕緣層上形成一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層為鎢銅合金層。本發(fā)明還提供了經(jīng)由上述電磁屏蔽方法制得的制品。
文檔編號C23C14/18GK102958337SQ20111023972
公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月19日
發(fā)明者張新倍, 陳文榮, 陳正士, 李聰 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司