專利名稱：電磁屏蔽方法及制品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電磁屏蔽方法及其制品。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)，通常采用金屬外罩、沉積有金屬層的或結(jié)合有金屬薄片的塑料復(fù)合屏蔽罩或金屬纖維復(fù)合屏蔽罩來控制電磁干擾。然而，上述屏蔽罩均存在以下缺點(diǎn)所占空間大、生產(chǎn)成本較高、安裝時(shí)難以實(shí)現(xiàn)屏蔽罩與印刷電路板(PCB)或柔性線路板(FPC)之間無縫安裝，如此導(dǎo)致屏蔽效率低下，PCB板或FPC板上的電子元件產(chǎn)生的熱量難以散發(fā)出去，以及使得電子元件工作性能不穩(wěn)定，甚至損壞電子元件?！び赑CB板或FPC板上直接沉積樹脂絕緣層，再于該絕緣層上電鍍或化學(xué)鍍金屬層，可實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽。但是，為了保證該樹脂絕緣層與PCB板或FPC板之間有良好的結(jié)合力，避免絕緣層發(fā)生剝落或龜裂等現(xiàn)象，對(duì)所使用的樹脂的粘度值有嚴(yán)格的限制。而能滿足上述粘度要求的樹脂只限于某些特殊的有機(jī)樹脂，這些特殊的有機(jī)樹脂成分多、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、難以制造。此外，該絕緣層的厚度較大(難以控制在納米級(jí)別)，因而對(duì)電子元件的散熱存在不良影響。另外，電鍍或化學(xué)鍍金屬層對(duì)環(huán)境的污染較大。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，本發(fā)明提供一種電磁屏蔽方法。另外，本發(fā)明還提供一種經(jīng)由上述電磁屏蔽方法制得的制品。一種制品，包括基體、形成于該基體上的一絕緣層及形成于該絕緣層上的導(dǎo)電層，該絕緣層為鉭-氧層，該導(dǎo)電層為鋁鎢銅合金層。一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟
提供基體；
采用真空鍍膜法，以鉭靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層為鉭-氧層；
采用真空鍍膜法，以鋁鎢銅合金靶為靶材，于該絕緣層上形成一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層為鋁鎢銅合金靶。所述電磁屏蔽方法簡(jiǎn)單快捷、幾乎沒有環(huán)境污染，且形成該絕緣層的材料簡(jiǎn)單、易于獲得。與現(xiàn)有的鎳基合金導(dǎo)電層相比，所述鎢銅合金導(dǎo)電層具有較好的電磁屏蔽性、導(dǎo)熱性、焊接性及較高的強(qiáng)度；良好的導(dǎo)電性可提高所述制品的散熱性，較高的強(qiáng)度可使該制品在組裝、使用等過程中不易被刮傷而影響其電磁屏蔽性能。由于通過真空鍍膜的方式形成的所述絕緣層及導(dǎo)電層的膜厚較小，可使電子元件產(chǎn)生的熱量快速的散發(fā)出去，提高制品的散熱性，進(jìn)而提高了電子元件性能的穩(wěn)定性。另一方面，該絕緣層及導(dǎo)電層所占的空間小，質(zhì)量輕。此外，以真空鍍膜方法形成的絕緣層及導(dǎo)電層與基體之間具有良好的結(jié)合力，可避免在使用過程中該絕緣層和/或?qū)щ妼影l(fā)生剝落或龜裂而降低制品的電磁屏蔽性能。所述絕緣層和導(dǎo)電層在平面處、凹處及折縫處沉積均勻，且可以做到與基體無縫結(jié)合，如此提高了基體的電磁屏蔽性能。


圖I是本發(fā)明一較佳實(shí)施例制品的剖視圖。圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例真空鍍膜機(jī)的示意圖。主要元件符號(hào)說明_
基體制品_10
基體TT
電子元件_112
絕緣層TF
導(dǎo)電層_15
真空鍍膜機(jī)—Too
鍍膜室_20_
軌跡_21
IMIE22~
鋁鎢銅合金
nmmm ~~
泵|30~
如下具體實(shí)施方式
將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明一較佳實(shí)施方式電磁屏蔽方法主要包括如下步驟
提供一基體11，該基體11可為印刷電路板或柔性線路板，還可為手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)及筆記本電腦等便攜式電子產(chǎn)品的殼體。當(dāng)所述基體11為印刷電路板或柔性線路板時(shí)，所述基體11上形成有至少一電子元件112。對(duì)基體11的表面進(jìn)行氬氣等離子體清洗，以進(jìn)一步去除基體11表面的油污，以及改善基體11表面與后續(xù)鍍層的結(jié)合力。結(jié)合參閱圖2，提供一真空鍍膜機(jī)100，該真空鍍膜機(jī)100包括一鍍膜室20及連接于鍍膜室20的一真空泵30，真空泵30用以對(duì)鍍膜室20抽真空。該鍍膜室20內(nèi)設(shè)有轉(zhuǎn)架(未圖示)、相對(duì)設(shè)置的二鉭靶22及相對(duì)設(shè)置的二鋁鎢銅合金靶23。轉(zhuǎn)架帶動(dòng)基體11沿圓形的軌跡21公轉(zhuǎn)，且基體11在沿軌跡21公轉(zhuǎn)時(shí)亦自轉(zhuǎn)。每一鉭靶22及每一鋁鎢銅合金靶23的兩端均設(shè)有氣源通道24，氣體經(jīng)該氣源通道24進(jìn)入所述鍍膜室20中。所述鋁鎢銅(AlWCu)合金靶23中，Al的質(zhì)量百分含量為35 45%，Cu的質(zhì)量百分含量為40 45%。該等離子體清洗的具體操作及工藝參數(shù)可為將基體11固定于真空鍍膜機(jī)100的鍍膜室20的轉(zhuǎn)架上，將該鍍膜室20抽真空至I. 4X10^2. 7X 10_3Pa，然后向鍍膜室20內(nèi)通入流量約為10(T400SCCm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分鐘)的氬氣(純度為99. 999%)，并施加-20(T-500V的偏壓于基體11，對(duì)基體11或基體11及電子元件112表面進(jìn)行氬氣等離子體清洗，清洗時(shí)間為l(T20min。采用磁控濺射鍍膜法，在經(jīng)氬氣等離子體清洗后的基體11表面濺鍍絕緣層13。該絕緣層13為鉭-氧(Ta-O)層。濺鍍?cè)摻^緣層13在所述真空鍍膜機(jī)100中進(jìn)行。開啟鉭靶22，并設(shè)定鉭靶22的功率為5 8kw ;以氧氣為反應(yīng)氣體，調(diào)節(jié)氧氣的流量為5(T200sccm，以氬氣為工作氣體，調(diào)節(jié)氬氣的流量為10(T300sccm。濺鍍時(shí)，對(duì)基體11施加_10(T-300V的偏壓，并加熱所述鍍膜室20至溫度為2(T80°C (即鍍膜溫度為2(T80°C)，鍍膜時(shí)間為15 35min。該絕緣層13的厚度為O. 8飛μ m。由于上述濺射過程中氧氣充足，形成的所述絕緣層13的主要成分為五氧化二鉭，因此，所述絕緣層13具有良好的絕緣性。當(dāng)所述基體11為印刷電路板或柔性線路板時(shí)，所述絕緣層13沉積在所述電子元件112的表面及基體11的表面，以使電子元件112被封閉于所述絕緣層13內(nèi)。采用磁控濺射鍍膜法，在所述絕緣層13上濺射一導(dǎo)電層15。所述導(dǎo)電層15為鋁鎢銅合金靶。開啟鋁鎢銅合金靶23，并設(shè)定鋁鎢銅合金靶23的功率為l(Tl5kw ；以氬氣為工作氣體，調(diào)節(jié)氬氣的流量為10(T300SCCm。濺鍍時(shí)，對(duì)基體11施加-10(T-300V的偏壓，并 保持所述鍍膜室20的溫度為2(T80°C (即鍍膜溫度為2(T80°C)，鍍膜時(shí)間為3 20min?？梢岳斫獾?，若只需對(duì)基體11的部分區(qū)域進(jìn)行電磁屏蔽處理時(shí)，可采用遮蔽治具(圖未示)對(duì)不需要電磁屏蔽的區(qū)域進(jìn)行遮蔽?？梢岳斫獾模鼋^緣層13及導(dǎo)電層15還可通過真空蒸鍍及電弧離子鍍等方式形成。所述電磁屏蔽方法簡(jiǎn)單快捷、幾乎沒有環(huán)境污染，且形成該絕緣層13的材料簡(jiǎn)單、易于獲得。一種經(jīng)由上述電磁屏蔽方法制得的制品10包括一基體11、形成于該基體11上的一絕緣層13及形成于該絕緣層13上的導(dǎo)電層15。所述基體11為印刷電路板或柔性線路板，還可為手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)及筆記本電腦等便攜式電子產(chǎn)品的殼體。當(dāng)所述基體11為印刷電路板或柔性線路板時(shí)，所述基體11上形成有至少一電子元件112。所述絕緣層13沉積在所述電子元件112的表面及基體11的表面，以使電子元件112被封閉于所述絕緣層13內(nèi)。該絕緣層13為鉭-氧層，所述絕緣層13的主要成分為五氧化二鉭。該絕緣層13的厚度為O. 8 5 μ m,優(yōu)選為2 3 μ m。該導(dǎo)電層15為鋁鎢銅合金靶。該導(dǎo)電層15的厚度以完全覆蓋所述絕緣層13為佳，優(yōu)選為O. 5^2 μ m,更優(yōu)選為f 2 μ m。該絕緣層13及導(dǎo)電層15通過真空鍍膜的方式形成。鋁鎢銅合金具有較好導(dǎo)熱性及導(dǎo)電性，良好的導(dǎo)熱性可提高所述導(dǎo)電層15的散熱性，良好的導(dǎo)電性可提高所述導(dǎo)電層15的電磁屏蔽性。另外，所述絕緣層13及導(dǎo)電層15的厚度較小，可使電子元件112產(chǎn)生的熱量快速的散發(fā)出去，進(jìn)一步提高制品10的散熱性，進(jìn)而提高了電子元件112性能的穩(wěn)定性。另一方面，該絕緣層13及導(dǎo)電層15所占的空間
小，質(zhì)量輕。除此之外，以真空鍍膜方法形成的絕緣層13及導(dǎo)電層15與基體11、電子元件112之間具有良好的結(jié)合力，可避免在使用過程中該絕緣層13和/或?qū)щ妼?5發(fā)生剝落或龜裂而降低制品10的電磁屏蔽性能。所述絕緣層13和導(dǎo)電層15在平面處、凹處及折縫處沉積均勻，且可以做到與基體11無縫結(jié)合，如此進(jìn)一步提高了基體11的電磁屏蔽性能。
權(quán)利要求
1.一種制品，包括基體，其特征在于該制品還包括形成于該基體上的一絕緣層及形成于該絕緣層上的導(dǎo)電層，該絕緣層為鉭-氧層，該導(dǎo)電層為鋁鎢銅合金層。
2.如權(quán)利要求I所述的制品，其特征在于該絕緣層及導(dǎo)電層通過真空鍍膜的方式形成。
3.如權(quán)利要求I所述的制品，其特征在于該絕緣層的主要成分為五氧化二鉭。
4.如權(quán)利要求I所述的制品，其特征在于該絕緣層的厚度為O.8^5 μ m0
5.如權(quán)利要求4所述的制品，其特征在于該絕緣層的厚度為2 3μπι。
6.如權(quán)利要求I所述的制品，其特征在于該導(dǎo)電層的厚度為O.5^2 μ m0
7.如權(quán)利要求6所述的制品，其特征在于該導(dǎo)電層的厚度為Γ2μπι。
8.如權(quán)利要求I所述的制品，其特征在于該基體為印刷電路板或柔性線路板。
9.如權(quán)利要求8所述的制品，其特征在于該基體上形成有至少一電子元件，所述絕緣層及所述導(dǎo)電層沉積在所述電子元件的表面及基體的表面。
10.一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟 提供基體； 采用真空鍍膜法，以鉭靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層為鉭-氧層； 采用真空鍍膜法，以鋁鎢銅合金靶為靶材，于該絕緣層上形成一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層為鋁鎢銅合金靶。
11.如權(quán)利要求10所述的電磁屏蔽方法，其特征在于形成所述絕緣層的方法為采用磁控濺射鍍膜法，設(shè)置鉭靶的功率為5lkw，以氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣的流量為5(T200sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為10(T300sccm，施加于基體的偏壓為-10(T-300V，鍍膜溫度為2(T80°C，鍍膜時(shí)間為15 35min。
12.如權(quán)利要求10所述的電磁屏蔽方法，其特征在于形成所述導(dǎo)電層的方法為采用磁控濺射鍍膜法，設(shè)置鋁鎢銅合金靶的功率為l(Tl5kw，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為10(T300SCCm，施加于基體的偏壓為-10(T-300V，鍍膜溫度為2(T80°C，鍍膜時(shí)間為3 20min ;所述鋁鎢銅合金靶中，Al的質(zhì)量百分含量為35 45%，Cu的質(zhì)量百分含量為40 45%。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟提供基體；采用真空鍍膜法，以鉭靶為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層為鉭-氧層；采用真空鍍膜法，以鋁鎢銅合金靶為靶材，于該絕緣層上形成一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層為鋁鎢銅合金靶。本發(fā)明還提供了經(jīng)由上述電磁屏蔽方法制得的制品。
文檔編號(hào)C23C14/16GK102958336SQ20111023972
公開日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2011年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月19日
發(fā)明者蔣煥梧, 陳正士, 李聰 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司