專利名稱：一種自潔太陽能高反射率納米薄膜及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種反射光線的材料，特別是可以反射太陽光，聚集熱能的材料，尤其涉及制造可彎曲的反射太陽光，聚集熱能的材料及方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，太陽能作為取之不盡，用之不竭的能源，對(duì)其的利用已經(jīng)成為人們公認(rèn)的最為經(jīng)濟(jì)綠色能源，人們也競(jìng)相開展了太陽能發(fā)電、供熱的研究。然而提高太陽能轉(zhuǎn)換效率一直是一個(gè)瓶頸。每提高轉(zhuǎn)換效率一個(gè)百分點(diǎn)，都要付出巨大的代價(jià)和很長(zhǎng)的研究時(shí)間。在槽式聚光集熱系統(tǒng)中，反射材料在太陽能熱電裝置，太陽能空調(diào)，太陽能鍋爐、 太陽灶等太陽能中高溫應(yīng)用系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，高反射率的材料是提高上述過程太陽能利用率的關(guān)鍵。如上所述，如何提高反射材料的反射效率，是眾多研究者孜孜以求的目標(biāo)。然而， 每提高反射效率一個(gè)百分點(diǎn)，都要付出很大的代價(jià)和很長(zhǎng)的研究時(shí)間，其研究和發(fā)展一直伴隨整個(gè)太陽能利用的發(fā)展歷程，至今，仍未有突破性進(jìn)展?，F(xiàn)有技術(shù)中，在太陽能反射材料中，銀，鋁是最好的反射材料，其半球反射率分別達(dá)到了 97%和92%。由于陽極氧化鋁的成本較低，它是目前使用的最廣泛的一種太陽能反射材料。銀和陽極氧化鋁的在空氣中抗腐蝕性較差，它們?nèi)绻麤]有玻璃、塑料薄膜和油漆的保護(hù)，在幾個(gè)月時(shí)間內(nèi)它的光學(xué)性能將嚴(yán)重下降，因此，它們經(jīng)常被鍍?cè)诓Ａ?、有機(jī)玻璃(聚甲基丙烯酸甲酯；polymethylmethacrylate PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate :PET，)等材料的背面。由于保護(hù)層的存在，銀、鋁反射材料的反射率大大降低，對(duì)銀而言，目前實(shí)際應(yīng)用中最好的反射率僅僅達(dá)到了 90%。另外保護(hù)材料也帶來了許多其它的問題，如玻璃在運(yùn)輸和使用時(shí)容易破碎，PMMA的價(jià)格相對(duì)較高，使用壽命短，而且當(dāng)有水存在時(shí)，銀和PMMA的粘著力不好。PET價(jià)格便宜，對(duì)紫外光有很好的穩(wěn)定性，但是當(dāng)溫度超過110 ！它的穩(wěn)定性變得很差等，尋找反射率高，價(jià)格便宜，耐用的反射材料一直是人們研究的目標(biāo)?，F(xiàn)有技術(shù)為了維持反射材料的反射率，必須定期進(jìn)行清洗，清洗時(shí)，摩擦和清洗劑都會(huì)給反射材料的表面造成一定的損傷，不僅降低了其反射率，還縮短了其使用壽命，當(dāng)前都是從提高材料的抗磨性和選擇合適的清洗劑等方面的角度來進(jìn)行改進(jìn)，成本高效果差。至今仍未見到反射率高、輕薄易彎曲、機(jī)械強(qiáng)度高、耐水、防灰塵的理想反射材料問世。人們?cè)谄诖粋€(gè)突破。

發(fā)明內(nèi)容
為了避開現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷和不足之處，本發(fā)明提出一種自潔太陽能高反射率納米薄膜及制造方法，本發(fā)明是反射率高、輕薄易彎曲、機(jī)械強(qiáng)度高、耐水、防灰塵的理想材料。本發(fā)明克服人們?cè)谥圃爝^程中的偏見，在構(gòu)成薄膜多層之間，并不使用粘合劑，也不采用加熱熔合的工藝，僅用真空吸附的方法將各層貼合在一起，就達(dá)到結(jié)合緊密成為一體的效果。本發(fā)明是通過采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。實(shí)施一種自潔太陽能高反射率納米薄膜的制造方法，所述方法包括如下步驟
A、首先制備一層基層，為不銹鋼或有機(jī)玻璃PMMA或有機(jī)玻璃PET，厚度0.3mm 1. 2mm,將其表面用去污劑清洗，用蒸餾水水清洗，烘干1分鐘，用細(xì)磨機(jī)磨2分鐘，光潔度達(dá)到13級(jí)以上；
B、接下來，在基層上用銅或鉻制備過渡層，方法是用磁控濺射沉積方式，銅或鉻的靶尺寸為都為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X IO"4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銅或鉻的濺射功率都是40 W，Si射速率分別48. 2 nm/min和43. 6 nm/min,其厚度為20 nm 50 nm ；
C、接下來，在過渡層之上制備反射層，方法是用磁控濺射沉積方式，反射層為銀，銀的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X IO"4 1 ,工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銀的濺射功率是40 W，濺射速率為64. 4 nm/min，其厚度為80 150 nm ；
D、然后在反射層之上制備保護(hù)層，方法是用磁控濺射沉積方式，保護(hù)層為二氧化硅，二氧化硅的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為 6. IX 10_4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm，其濺射功率是280 W，濺射速率分別為9. 1 nm/min，其厚度為200 800 nm ；
E、然后在保護(hù)層之上制備自潔層，自潔層為二氧化鈦，二氧化鈦的靶尺寸為Φ60Χ3 mm,純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X 10_4 Pa,工作壓力設(shè)為
0.7Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；采用射頻磁控濺射法，其濺射功率是180 W，濺射速率5. 3 nm/min，其厚度為50 nm 250 nm。在步驟E中，所述自潔層濺射前先對(duì)二氧化鈦靶材進(jìn)行5min的預(yù)濺射，以除去靶表面殘留的氧化物和污染物。在第二方案中，反射層為鋁膜，其厚度為100 nm 200nm。在第三方案中，自潔層和保護(hù)層為二氧化硅、二氧化鈦的混合膜，其厚度為200 nm 600nm，其二氧化鈦在混合膜中的質(zhì)量百分比為10 50%。第四種方案一種自潔太陽能高反射率納米薄膜的制造方法，所述方法包括如下步驟
A、首先制備一層基層，為不銹鋼或有機(jī)玻璃PMMA或有機(jī)玻璃PET，厚度0.3mm
1.2mm,將其表面用去污劑清洗，用蒸餾水水清洗，烘干1分鐘，用細(xì)磨機(jī)磨2分鐘，光潔度達(dá)到13級(jí)以上；
B、接下來，在平板上用銅或鉻制備過渡層，方法是用磁控濺射沉積方式，銅或鉻的靶尺寸為都為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X IO"4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銅或鉻的濺射功率都是40 W，濺射速率分別48. 2 nm/min和43. 6 nm/min,其厚度為20 nm 50 nm，制成的薄膜備用；
C、接下來，在平板上制備反射層，方法是用磁控濺射沉積方式，反射層為銀，銀的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. IXlO^4Pa, 工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銀的濺射功率是40 W，濺射速率為64. 4 nm/min，其厚度為80 150 nm，制成的薄膜備用；
D、然后，在平板上制備保護(hù)層，方法是用磁控濺射沉積方式，保護(hù)層為二氧化硅，二氧化硅的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為 6. IX 10_4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm，其濺射功率是觀0 W，濺射速率分別為9. 1 nm/min，其厚度為200 800 nm，制成的薄膜備用；
E、然后，在平板上制備自潔層，自潔層為二氧化鈦，采用射頻磁控濺射法，其濺射功率是180 W，濺射速率5. 3 nm/min，二氧化鈦的靶尺寸為Φ60 X 3 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X 10_4 Pa,工作壓力設(shè)為0. 7 Pa,靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；自潔層其厚度為50 nm 250 nm，制成的薄膜備用；
F、接下來，按基層、過渡層、反射層、保護(hù)層和自潔層順序由下向上，逐層先將一邊與下一層的一邊貼合，然后逐步順序增加貼合面積，直至該層貼合完畢；至最后一層。根據(jù)上述方法所制造的自潔太陽能高反射率納米薄膜，所述薄膜按順序包括 一基層，為不銹鋼或有機(jī)玻璃PMMA或有機(jī)玻璃PET，厚度0. 3mm 1. 2mm,其上為一過渡層，材料為銅或鉻厚度為20 nm 50 nm，其上為
一反射層，反射層為銀，其厚度為80 nm 150 nm，其上為一保護(hù)層，保護(hù)層為二氧化硅，其厚度為200 nm 800 nm，其上為一自潔層，自潔層為二氧化鈦，其厚度為50 nm 250 nm ；
所述的基層、過渡層、反射層、保護(hù)層和自潔層的表面光潔度均達(dá)到13級(jí)以上，各層之間用真空吸附方法結(jié)合。所述反射層可以為為鋁膜，其厚度為100 nm 200nm。所述自潔層和保護(hù)層可以為二氧化硅、二氧化鈦的混合膜，其厚度為200 nm 600nm,其二氧化鈦在混合膜中的質(zhì)量百分比為10 50%。由于二氧化鈦具有光催化和超親水性雙重特性，在本發(fā)明中作為自清潔材料使用，從而使本發(fā)明的各種物理指標(biāo)大大提高。本發(fā)明的反射膜為銀膜時(shí)，對(duì)太陽光的反射率為94% 97%，當(dāng)反射膜為鋁膜時(shí)， 反射率為90% 92%，提高了好幾個(gè)百分點(diǎn)。本發(fā)明不僅反射率高，而且具有自清潔功能，僅僅用水一沖就光亮如新，具有很長(zhǎng)的戶外使用壽命，按照長(zhǎng)周期使用計(jì)算，即節(jié)省了成本，也節(jié)約了維護(hù)費(fèi)用，減少了環(huán)境污染。


圖1是本發(fā)明的一種自潔太陽能高反射率納米薄膜示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖所示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述實(shí)施一種自潔太陽能高反射率納米薄膜的制造方法，所述方法包括如下步驟
A、首先制備一層基層，為不銹鋼或有機(jī)玻璃PMMA或有機(jī)玻璃PET，厚度0.3mm 1. 2mm,將其表面用去污劑清洗，用蒸餾水水清洗，烘干1分鐘，用細(xì)磨機(jī)磨2分鐘，光潔度達(dá)到13級(jí)以上；
B、接下來，在基層上用銅或鉻制備過渡層，方法是用磁控濺射沉積方式，銅或鉻的靶尺寸為都為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X IO"4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銅或鉻的濺射功率都是40 W，Si射速率分別48. 2 nm/min和43. 6 nm/min,其厚度為20 nm 50 nm ；
C、接下來，在過渡層之上制備反射層，方法是用磁控濺射沉積方式，反射層為銀，銀的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X IO"4 1 ,工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銀的濺射功率是40 W，濺射速率為64. 4 nm/min，其厚度為80 150 nm ；
D、然后在反射層之上制備保護(hù)層，方法是用磁控濺射沉積方式，保護(hù)層為二氧化硅，二氧化硅的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為 6. IX 10_4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm，其濺射功率是280 W，濺射速率分別為9. 1 nm/min，其厚度為200 800 nm ；
E、然后在保護(hù)層之上制備自潔層，自潔層為二氧化鈦，采用射頻磁控濺射法，二氧化鈦的靶尺寸為Φ60Χ3 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為 6. IX 10_4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；其濺射功率是180 W，溉射速率5. 3 nm/min，其厚度為50 nm 250 nm。在步驟E中，所述自潔層濺射前先對(duì)二氧化鈦靶材進(jìn)行5min的預(yù)濺射，以除去靶表面殘留的氧化物和污染物。反射層可以為鋁膜，其厚度為100 nm 200nm ；
自潔層和保護(hù)層可以為二氧化硅、二氧化鈦的混合膜，其厚度為200 nm 600nm，其二氧化鈦在混合膜中的質(zhì)量百分比為10 50%。再一種自潔太陽能高反射率納米薄膜的制造方法，所述方法包括如下步驟
A、首先制備一層基層，為不銹鋼或有機(jī)玻璃PMMA或有機(jī)玻璃PET，厚度0.3mm 1. 2mm,將其表面用去污劑清洗，用蒸餾水水清洗，烘干1分鐘，用細(xì)磨機(jī)磨2分鐘，光潔度達(dá)到13級(jí)以上；
B、接下來，在平板上用銅或鉻制備過渡層，方法是用磁控濺射沉積方式，銅或鉻的靶尺寸為都為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X IO"4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銅或鉻的濺射功率都是40 W，濺射速率分別48. 2 nm/min和43. 6 nm/min,其厚度為20 nm 50 nm，制成的薄
膜備用；
C、接下來，在平板上制備反射層，方法是用磁控濺射沉積方式，反射層為銀，銀的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. IXlO^4Pa, 工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銀的濺射功率是40 W，濺射速率為64. 4 nm/min，其厚度為80 150 nm，制成的薄膜備用；
D、然后，在平板上制備保護(hù)層，方法是用磁控濺射沉積方式，保護(hù)層為二氧化硅，二氧化硅的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為 6. IX 10_4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm，其濺射功率是觀0 W，濺射速率分別為9. 1 nm/min，其厚度為200 800 nm，制成的薄膜備用；
E、然后，在平板上制備自潔層，自潔層為二氧化鈦，采用射頻磁控濺射法，二氧化鈦的靶尺寸為Φ60Χ3 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X IO"4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；其濺射功率是180 W, 濺射速率5. 3 nm/min，其厚度為50 nm 250 nm，制成的薄膜備用；
F、接下來，按基層、過渡層、反射層、保護(hù)層和自潔層順序由下向上，逐層先將一邊與下一層的一邊貼合，然后逐步順序增加貼合面積，直至該層貼合完畢；至最后一層。用上述方法制造的一種自潔太陽能高反射率納米薄膜如圖1所示，所述薄膜按順序包括
一基層1，為不銹鋼或有機(jī)玻璃PMMA或有機(jī)玻璃PET，厚度0. 3mm 1.2mm，其上為一過渡層2，材料為銅或鉻厚度為20 nm 50 nm，其上為一反射層3，反射層3為銀，其厚度為80 nm 150 nm,其上為一保護(hù)層4，保護(hù)層4為二氧化硅，其厚度為200 nm 800 nm，其上為一自潔層5，自潔層5為二氧化鈦，其厚度為50 nm 250 nm ； 所述的基層1、過渡層2、反射層3、保護(hù)層4和自潔層5的表面光潔度均達(dá)到13級(jí)以上，各層之間用真空吸附方法結(jié)合。所述反射層3可以為鋁膜，其厚度為100 nm 200nm。自潔層5和保護(hù)層4可以為二氧化硅、二氧化鈦的混合膜，其厚度為200 nm 600nm,其二氧化鈦在混合膜中的質(zhì)量百分比為10 50%。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種自潔太陽能高反射率納米薄膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟A、首先制備一層基層，為不銹鋼或有機(jī)玻璃PMMA或有機(jī)玻璃PET，厚度0.3mm 1. 2mm,將其表面用去污劑清洗，用蒸餾水水清洗，烘干1分鐘，用細(xì)磨機(jī)磨2分鐘，光潔度達(dá)到13級(jí)以上；B、接下來，在基層上用銅或鉻制備過渡層，方法是用磁控濺射沉積方式，銅或鉻的靶尺寸為都為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X IO"4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銅或鉻的濺射功率都是40 W，Si射速率分別48. 2 nm/min和43. 6 nm/min,其厚度為20 nm 50 nm ；C、接下來，在過渡層之上制備反射層，方法是用磁控濺射沉積方式，反射層為銀，銀的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X IO"4 1 ,工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銀的濺射功率是40 W，濺射速率為64. 4 nm/min，其厚度為80 150 nm ；D、然后在反射層之上制備保護(hù)層，方法是用磁控濺射沉積方式，保護(hù)層為二氧化硅，二氧化硅的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為 6. IX 10_4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm，其濺射功率是280 W，濺射速率分別為9. 1 nm/min，其厚度為200 800 nm ；E、然后在保護(hù)層之上制備自潔層，自潔層為二氧化鈦，二氧化鈦的靶尺寸為Φ60Χ3 mm,純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X 10_4 Pa,工作壓力設(shè)為 0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；采用射頻磁控濺射法，其濺射功率是180 W，濺射速率5. 3 nm/min，其厚度為50 nm 250 nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自潔太陽能高反射率納米薄膜的制造方法，其特征在于 在步驟E中，所述自潔層濺射前先對(duì)二氧化鈦靶材進(jìn)行5min的預(yù)濺射，以除去靶表面殘留的氧化物和污染物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自潔太陽能高反射率納米薄膜的制造方法，其特征在于反射層為鋁膜，其厚度為100 nm 200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自潔太陽能高反射率納米薄膜的制造方法，其特征在于自潔層和保護(hù)層為二氧化硅、二氧化鈦的混合膜，其厚度為200 nm 600nm，其二氧化鈦在混合膜中的質(zhì)量百分比為10 50%。
5.一種自潔太陽能高反射率納米薄膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟A、首先制備一層基層，為不銹鋼或有機(jī)玻璃PMMA或有機(jī)玻璃PET，厚度0.3mm 1.2mm,將其表面用去污劑清洗，用蒸餾水水清洗，烘干1分鐘，用細(xì)磨機(jī)磨2分鐘，光潔度達(dá)到13級(jí)以上；B、接下來，在平板上用銅或鉻制備過渡層，方法是用磁控濺射沉積方式，銅或鉻的靶尺寸為都為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X IO"4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銅或鉻的濺射功率都是40 W，濺射速率分別48. 2 nm/min和43. 6 nm/min,其厚度為20 nm 50 nm，制成的薄膜備用；C、接下來，在平板上制備反射層，方法是用磁控濺射沉積方式，反射層為銀，銀的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. IXlO^4Pa, 工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；銀的濺射功率是40 W，濺射速率為64. 4 nm/min，其厚度為80 150 nm，制成的薄膜備用；D、然后，在平板上制備保護(hù)層，方法是用磁控濺射沉積方式，保護(hù)層為二氧化硅，二氧化硅的靶尺寸為Φ60Χ5 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為 6. IX 10_4 Pa，工作壓力設(shè)為0.7 Pa，靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm，其濺射功率是觀0 W，濺射速率為9. 1 nm/min，其厚度為200 800 nm，制成的薄膜備用；E、然后，在平板上制備自潔層，自潔層為二氧化鈦，采用射頻磁控濺射法，其濺射功率是180 W，濺射速率5. 3 nm/min，二氧化鈦的靶尺寸為Φ60 X 3 mm，純度為99. 99%，濺射氣體為99. 999%高純氬，本底真空度為6. 1 X 10_4 Pa,工作壓力設(shè)為0. 7 Pa,靶基距固定在75 mm，氬的流量為22 sccm ；自潔層厚度為50 nm 250 nm，制成的薄膜備用；F、接下來，按基層、過渡層、反射層、保護(hù)層和自潔層順序由下向上，逐層先將一邊與下一層的一邊貼合，然后逐步順序增加貼合面積，直至該層貼合完畢；至最后一層。
6.一種自潔太陽能高反射率納米薄膜，其特征在于，所述薄膜按順序包括一基層，為不銹鋼或有機(jī)玻璃PMMA或有機(jī)玻璃PET，厚度0. 3mm 1. 2mm,其上為一過渡層，材料為銅或鉻厚度為20 nm 50 nm，其上為一反射層，反射層為銀，其厚度為80 nm 150 nm，其上為一保護(hù)層，保護(hù)層為二氧化硅，其厚度為200 nm 800 nm，其上為一自潔層，自潔層為二氧化鈦，其厚度為50 nm 250 nm ；所述的基層、過渡層、反射層、保護(hù)層和自潔層的表面光潔度均達(dá)到13級(jí)以上，各層之間用真空吸附方法結(jié)合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的自潔太陽能高反射率納米薄膜，其特征在于所述反射層為鋁膜，其厚度為100 nm 200nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的自潔太陽能高反射率納米薄膜，其特征在于自潔層和保護(hù)層為二氧化硅、二氧化鈦的混合膜，其厚度為200 nm 600nm，其二氧化鈦在混合膜中的質(zhì)量百分比為10 50%。
全文摘要
一種自潔太陽能高反射率納米薄膜及制造方法，包括一基層，為不銹鋼或有機(jī)玻璃，厚度0.3mm～1.2mm，其上為一過渡層,材料為銅或鉻，厚度為20nm～50nm，其上為一反射層，反射層為銀，其厚度為80nm～150nm，其上為一保護(hù)層，保護(hù)層為二氧化硅，其厚度為200nm～800nm，其上為一自潔層，自潔層為二氧化鈦，其厚度為50nm～250nm。本發(fā)明的反射膜為銀膜時(shí)，對(duì)太陽光的反射率為94%～97%，當(dāng)反射膜為鋁膜時(shí)，反射率為90%～92%，本發(fā)明不僅反射率高，而且具有的自清潔功能僅僅用水一沖就光亮如新，戶外使用壽命長(zhǎng)。
文檔編號(hào)C23C14/35GK102260854SQ20111020068
公開日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月18日
發(fā)明者丁旃, 劉志猛, 左遠(yuǎn)志, 徐勇軍, 楊敏林, 楊曉西, 杭義萍, 蔡其文 申請(qǐng)人:東莞理工學(xué)院