專利名稱：薄膜形成裝置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜形成裝置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置等的制造工藝中，為了謀求進(jìn)一步降低布線部的電阻、容量，正在對(duì)低介電常數(shù)的層間絕緣膜進(jìn)行開(kāi)發(fā)，作為低介電常數(shù)的層間絕緣膜，研究使用非晶形碳膜。 另外，在集成電路的制造工序中，使用非晶形碳膜作為硬掩模。例如美國(guó)專利5981000號(hào)所示，通過(guò)向單片式的等離子體CVD(Chemical Vapor Deposition)裝置的腔室內(nèi)供給環(huán)狀碳?xì)浠衔餁怏w，在腔室內(nèi)生成等離子體來(lái)形成該非晶形碳膜。另外，在使用單片式的等離子體CVD形成薄膜的過(guò)程中，覆蓋(coverage)性能較差，因此，研究使用成批式的CVD裝置形成非晶形碳膜。但是，在使用CVD裝置來(lái)形成非晶形碳膜時(shí)，會(huì)在反應(yīng)管的內(nèi)壁等裝置的內(nèi)部附著反應(yīng)生成物、反應(yīng)副生成物等附著物。特別是，易于在處理區(qū)域外的低溫部、例如排氣管上附著附著物。在這樣附著有附著物的狀態(tài)下進(jìn)行非晶形碳膜的形成處理時(shí)，附著物增大， 并且，附著物剝離而產(chǎn)生微粒。在該微粒附著于被處理體時(shí)，會(huì)降低制造的半導(dǎo)體裝置(制品)的成品率。因此，研究了一種向利用加熱器加熱到規(guī)定溫度的反應(yīng)管內(nèi)供給清潔氣體來(lái)除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物的干洗方法。特別是，難以通過(guò)干洗除去像附著于排氣管的附著物那樣附著在處理區(qū)域外的低溫部的附著物。除去所需的時(shí)間也變長(zhǎng)。另外，為了除去被附著于排氣管的附著物，一般考慮使用采用等離子體產(chǎn)生器產(chǎn)生的氧自由基、臭氧的方法。這樣，裝置的初期成本升高。因此，進(jìn)行自CVD裝置拆下排氣管等零件，自拆下來(lái)的零件除去被附著物的維護(hù)作業(yè)。該維護(hù)作業(yè)存在作業(yè)人員的勞動(dòng)量較大、且裝置的停止時(shí)間(停機(jī)時(shí)間)變長(zhǎng)這樣的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第1技術(shù)方案的薄膜形成裝置的清洗方法在向薄膜形成裝置的反應(yīng)室內(nèi)供給成膜用氣體而在被處理體上形成非晶形碳膜之后，除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物，其特征在于，包括加熱工序，將上述反應(yīng)室內(nèi)和連接于該反應(yīng)室的排氣管內(nèi)的至少一者加熱到規(guī)定的溫度；除去工序，通過(guò)向在上述加熱工序中加熱后的反應(yīng)室內(nèi)和排氣管內(nèi)的至少一者供給含有氧氣和氫氣的清潔氣體而將清潔氣體加熱到規(guī)定的溫度，從而使清潔氣體所含有的氧氣和氫氣活化，利用該活化后的氧氣和氫氣除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物。本發(fā)明的第2技術(shù)方案的薄膜形成方法的特征在于，包括在被處理體上形成非晶形碳膜的非晶形碳膜形成工序、及通過(guò)本發(fā)明的第1技術(shù)方案的薄膜形成裝置的清洗方法來(lái)清洗薄膜形成裝置的工序。本發(fā)明的第3技術(shù)方案的薄膜形成裝置通過(guò)向薄膜形成裝置的反應(yīng)室內(nèi)供給成膜用氣體而在被處理體上形成非晶形碳膜，并且，通過(guò)形成該非晶形碳膜來(lái)除去被附著在
4裝置內(nèi)部的附著物，其特征在于，包括加熱部件，其用于將上述反應(yīng)室內(nèi)和連接于該反應(yīng)室的排氣管內(nèi)的至少一者加熱到規(guī)定的溫度；清潔氣體供給部件，其用于供給含有氧氣和氫氣的清潔氣體；控制部件，其用于控制裝置各部，上述控制部件控制上述清潔氣體供給部件，向利用上述加熱部件加熱后的反應(yīng)室內(nèi)和排氣管內(nèi)的至少一者供給上述清潔氣體，從而將該清潔氣體加熱到規(guī)定的溫度而使清潔氣體所含有的氧氣和氫氣活化，利用該活化后的氧氣和氫氣除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物。


圖1是表示第1實(shí)施方式的熱處理裝置的圖。圖2是表示圖1的控制部的結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示說(shuō)明第1實(shí)施方式的薄膜形成裝置的清洗方法及薄膜形成方法的制程程序的圖。圖4是表示第2實(shí)施方式的熱處理裝置的圖。圖5是表示說(shuō)明第2實(shí)施方式的清洗處理的制程程序的圖。圖6是表示說(shuō)明第3實(shí)施方式的清洗處理的制程程序的圖。
具體實(shí)施例方式下面，對(duì)本發(fā)明的薄膜形成裝置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成裝置進(jìn)行說(shuō)明。第1實(shí)施方式在本實(shí)施方式中，以使用圖1所示的成批式的縱型熱處理裝置作為薄膜形成裝置的情況為例說(shuō)明本發(fā)明。另外，在本實(shí)施方式中，以這樣的情況為例說(shuō)明本發(fā)明，即，在自熱處理裝置1的處理氣體導(dǎo)入管13供給成膜用氣體而在被處理體上形成規(guī)定厚度的非晶形碳膜之后，自處理氣體導(dǎo)入管13供給含有氧(O2)氣和氫(H2)氣的清潔用氣體來(lái)除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物。如圖1所示，熱處理裝置1包括長(zhǎng)度方向朝向垂直方向的大致圓筒狀的反應(yīng)管2。 反應(yīng)管2具有由內(nèi)管3和有頂?shù)耐夤?構(gòu)成的雙重管構(gòu)造，外管4以覆蓋內(nèi)管3并與內(nèi)管3 具有恒定間隔的方式形成。內(nèi)管3和外管4由耐熱及耐腐蝕性優(yōu)良的材料、例如石英形成。在外管4的下方配置有由形成為筒狀的不銹鋼(SUS)構(gòu)成的歧管5。歧管5與外管4的下端氣密地連接。另外，內(nèi)管3支承在自歧管5的內(nèi)壁突出且與歧管5形成為一體的支承環(huán)6上。在歧管5的下方配置有蓋體7，利用舟皿升降機(jī)8，蓋體7能夠上下運(yùn)動(dòng)。因此，在利用舟皿升降機(jī)8使蓋體7上升時(shí)，歧管5的下方側(cè)(爐口部分)封閉，在利用舟皿升降機(jī) 8使蓋體7下降時(shí)，歧管5的下方側(cè)(爐口部分)開(kāi)口。在蓋體7上載置有例如由石英構(gòu)成的晶圓舟皿9。晶圓舟皿9在垂直方向上隔開(kāi)規(guī)定間隔地能夠收容多張被處理體、例如半導(dǎo)體晶圓10。在反應(yīng)管2的周圍，以包圍反應(yīng)管2的方式設(shè)有絕熱體11。在絕熱體11的內(nèi)壁面設(shè)有例如由電阻發(fā)熱體構(gòu)成的升溫用加熱器12。利用該升溫用加熱器12將反應(yīng)管2的內(nèi)部加熱到規(guī)定的溫度，結(jié)果，半導(dǎo)體晶圓10被加熱到規(guī)定的溫度。
在歧管5的側(cè)面貫穿(連接)有多個(gè)處理氣體導(dǎo)入管13。另外，在圖1中僅描畫有1個(gè)處理氣體導(dǎo)入管13。處理氣體導(dǎo)入管13面向內(nèi)管3內(nèi)地配設(shè)。例如，如圖1所示， 處理氣體導(dǎo)入管13貫穿歧管5的比支承環(huán)6靠下方(內(nèi)管3的下方)的部分的側(cè)面。處理氣體導(dǎo)入管13經(jīng)由未圖示的質(zhì)量流量控制器等連接有未圖示的處理氣體供給源。因此，自處理氣體供給源經(jīng)由處理氣體導(dǎo)入管13向反應(yīng)管2內(nèi)供給目標(biāo)量的處理氣體。作為自處理氣體導(dǎo)入管13供給的處理氣體，存在用于形成非晶形碳膜的成膜用氣體、 及用于除去因形成非晶形碳膜而附著在裝置內(nèi)部的附著物的清潔用氣體等。作為成膜用氣體，例如可采用乙烯(C2H4)、異戊二烯(C5H8)、丙烯(C3H6)、乙炔(C2H2)等。作為清潔用氣體， 可使用含有氧(O2)氣的氣體、含有氧氣和氫(H2)氣的氣體等。在歧管5的側(cè)面設(shè)有用于排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體的排氣口 14。排氣口 14設(shè)置在支承環(huán)6的上方，與形成在反應(yīng)管2內(nèi)的內(nèi)管3和外管4之間的空間相連通。而且，在內(nèi)管 3中產(chǎn)生的廢氣等通過(guò)內(nèi)管3和外管4之間的空間被排氣口 14排出。在歧管5的側(cè)面的位于排氣口 14下方的位置貫穿有吹掃氣供給管15。在吹掃氣供給管15上連接有未圖示的吹掃氣供給源，自吹掃氣供給源經(jīng)由吹掃氣供給管15向反應(yīng)管2 內(nèi)供給目標(biāo)量的吹掃氣、例如氮?dú)狻Ｔ摯祾邭庠诤笫龅某赡すば蛑衅鸬匠赡び脷怏w的載氣、 稀釋氣體的作用，在清潔工序中起到活性種濃度的調(diào)整用氣體的作用，在穩(wěn)定化工序、吹掃工序中起到壓力調(diào)整用氣體、常壓恢復(fù)用氣體的作用。在排氣口 14上氣密地連接有排氣管16。在排氣管16上，自其上游側(cè)設(shè)有閥17、 真空泵18。閥17通過(guò)調(diào)整排氣管16的開(kāi)度將反應(yīng)管2內(nèi)的壓力控制在規(guī)定的壓力。真空泵18經(jīng)由排氣管16排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，并調(diào)整反應(yīng)管2內(nèi)的壓力。在排氣管16的周圍還設(shè)有排氣管用加熱器19。排氣管用加熱器19將排氣管16 的內(nèi)部加熱到規(guī)定的溫度。這樣，在本實(shí)施方式的熱處理裝置1中，利用排氣管用加熱器 19，能夠相對(duì)于反應(yīng)管2內(nèi)獨(dú)立地將排氣管16內(nèi)的溫度設(shè)定為規(guī)定的溫度。另外，在排氣管16上還設(shè)有未圖示的捕集器、洗氣器(scrubber)等，將從反應(yīng)管 2排出的廢氣無(wú)害化之后排出到熱處理裝置1之外。熱處理裝置1還包括用于控制裝置各部的控制部100。圖2表示控制部100的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，在控制部100上連接有操作面板121、溫度傳感器(組)122、壓力計(jì) (組)123、加熱器控制器124、MFC控制部125、閥控制部1 等。操作面板121包括顯示畫面和操作按鈕，將操作者的操作指示傳送到控制部100， 而且，將來(lái)自控制部100的各種信息顯示在顯示畫面中。溫度傳感器(組)122測(cè)量反應(yīng)管2內(nèi)、排氣管16內(nèi)等各部的溫度，將該測(cè)量值通知給控制部100。壓力計(jì)(組)123測(cè)量反應(yīng)管2內(nèi)、排氣管16內(nèi)等各部的壓力，將該測(cè)量值通知給控制部100。加熱器控制器IM用于分別控制升溫用加熱器12、排氣管用加熱器19，響應(yīng)來(lái)自控制部100的指示，對(duì)它們通電來(lái)使它們加熱。另外，加熱器控制器IM分別測(cè)量它們的消耗電力，通知給控制部100。MFC控制部125控制被設(shè)置于處理氣體導(dǎo)入管13及吹掃氣供給管15上的未圖示的質(zhì)量流量控制器(MFC)，使流到它們中的氣體的流量成為由控制部100指示的量，并測(cè)量實(shí)際上流動(dòng)的氣體的流量，通知給控制部100。閥控制部126將配置于各管的閥的開(kāi)度控制為由控制部100指示的值?？刂撇?00由制程程序存儲(chǔ)部lll、R0M112、RAM113、I/0接口 114、CPU115、及將它們相互連接的總線116構(gòu)成。在制程程序存儲(chǔ)部111中存儲(chǔ)有安裝用制程程序和多個(gè)工藝用制程程序。在制造熱處理裝置1之初，僅容納有安裝用制程程序。安裝用制程程序在生成與各熱處理裝置相應(yīng)的熱模型等時(shí)執(zhí)行。工藝用制程程序是針對(duì)使用者實(shí)際進(jìn)行的每個(gè)熱處理(工藝)逐一準(zhǔn)備的制程程序，例如規(guī)定從半導(dǎo)體晶圓10加載于反應(yīng)管2到卸載處理完畢的半導(dǎo)體晶圓 10為止的各部的溫度變化、壓力變化、處理氣體的開(kāi)始供給及停止供給的時(shí)機(jī)和供給量等。ROMl 12是由EEPR0M、閃存器、硬盤等構(gòu)成的、用于存儲(chǔ)CPU115的動(dòng)作程序等的記錄介質(zhì)。RAMI 13起到CPUl 15的工作區(qū)等的功能。I/O接口 114連接于操作面板121、溫度傳感器122、壓力計(jì)123、加熱器控制器
124、MFC控制部125、閥控制部1 等，控制數(shù)據(jù)、信號(hào)的輸入輸出。CPU (Central Processing Unit) 115 構(gòu)成控制部 100 的中樞，執(zhí)行存儲(chǔ)在 ROMl 12 中的控制程序，根據(jù)來(lái)自操作面板121的指示，按照存儲(chǔ)在制程程序存儲(chǔ)部111中的制程程序(工藝用制程程序)控制熱處理裝置1的動(dòng)作。即，CPU115進(jìn)行控制，使得溫度傳感器 (組)122、壓力計(jì)(組)123、MFC控制部125等測(cè)量反應(yīng)管2內(nèi)、處理氣體導(dǎo)入管13內(nèi)及排氣管16內(nèi)等各部的溫度、壓力、流量等，根據(jù)該測(cè)量數(shù)據(jù)向加熱器控制器124、MFC控制部
125、閥控制部1 等輸出控制信號(hào)等，上述各部遵照工藝用制程程序?？偩€116在各部之間傳送信息。接著，對(duì)使用了如上那樣構(gòu)成的熱處理裝置1的薄膜形成裝置的清洗方法、薄膜形成方法進(jìn)行說(shuō)明。圖3表示用于說(shuō)明包含本實(shí)施方式的薄膜形成裝置的清洗方法的薄膜形成方法的制程程序。在本實(shí)施方式中，以這樣的情況為例說(shuō)明本發(fā)明，即，自處理氣體導(dǎo)入管13供給成膜用氣體、例如乙烯(C2H4),在半導(dǎo)體晶圓W上形成規(guī)定厚度的非晶形碳膜之后，自處理氣體導(dǎo)入管13供給含有氧(O2)氣和氫(H2)氣的清洗用氣體，除去被附著在熱處理裝置1 的內(nèi)部的附著物、例如含有碳和氫的反應(yīng)副生成物。另外，在以下的說(shuō)明中，構(gòu)成熱處理裝置1的各部的動(dòng)作利用控制部100(CPU115) 來(lái)控制。另外，如上所述，通過(guò)控制部100(CPU115)控制加熱器控制器124(升溫用加熱器 12、排氣管用加熱器19)、MFC控制部125、閥控制部126、真空泵18等，各處理過(guò)程中的反應(yīng)管2內(nèi)的溫度、壓力、氣體流量等成為遵照?qǐng)D3所示的制程程序的條件。首先，將反應(yīng)管2(內(nèi)管3)內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度、例如圖3中的(a)所示那樣設(shè)定為300°C。另外，如圖3中的(c)所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3(反應(yīng)管2)內(nèi)供給規(guī)定量的氮。接著，將收容有半導(dǎo)體晶圓10的晶圓舟皿9載置在蓋體7上。然后，利用舟皿升降機(jī)8使蓋體7上升，將半導(dǎo)體晶圓10 (晶圓舟皿9)加載在反應(yīng)管2內(nèi)(加載工序)。接著，如圖3中的(c)所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3內(nèi)供給規(guī)定量的氮，并且，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度、例如圖3中的(a)所示那樣設(shè)定為700°C。另外，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，將反應(yīng)管2減壓為規(guī)定的壓力、例如圖3中的(b)所示那樣減壓為13300Pa(lOOTorr)。然后，使反應(yīng)管2內(nèi)穩(wěn)定在該溫度及壓力(穩(wěn)定化工序)。反應(yīng)管2內(nèi)穩(wěn)定在規(guī)定的壓力及溫度時(shí)，停止自吹掃氣供給管15供給氮。然后， 自處理氣體導(dǎo)入管13向反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī)定量的成膜用氣體、例如圖3中的(d)所示那樣供給Islm的乙烯(C2H4)(成膜工序)。供給到反應(yīng)管2內(nèi)的乙烯在反應(yīng)管2內(nèi)熱分解，在半導(dǎo)體晶圓10上形成非晶形碳膜。在半導(dǎo)體晶圓10上形成有規(guī)定量的非晶形碳膜時(shí)，停止自處理氣體導(dǎo)入管13供給成膜用的氣體。接著，如圖3中的(c)所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3內(nèi)供給規(guī)定量的氮，并且，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度、例如圖3中的(a)所示那樣設(shè)定為300°C。另外，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，使反應(yīng)管2恢復(fù)到規(guī)定的壓力、例如圖3中的(b)所示那樣恢復(fù)到常壓(吹掃工序)。另外，為了可靠地排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，優(yōu)選反復(fù)多次地排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體并供給氮?dú)狻Ｈ缓?，通過(guò)利用舟皿升降機(jī)8使蓋體7下降，將半導(dǎo)體晶圓10(晶圓舟皿9)自反應(yīng)管2內(nèi)卸載(卸載工序)。由此，非晶形碳膜的成膜處理結(jié)束。在將以上的成膜處理進(jìn)行多次時(shí)，通過(guò)成膜處理生成的反應(yīng)生成物、反應(yīng)副生成物等的含有碳和氫的化合物不僅堆積(附著)在半導(dǎo)體晶圓10的表面，也堆積(附著)在內(nèi)管3的內(nèi)壁及外壁、外管4的內(nèi)壁、排氣管16的內(nèi)壁等上。因此，在將成膜處理進(jìn)行規(guī)定次數(shù)之后，進(jìn)行除去被附著在熱處理裝置1內(nèi)部的附著物的清洗處理。首先，將反應(yīng)管2(內(nèi)管3)內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度、例如圖3中的(a)所示那樣設(shè)定為300°C。另外，如圖3中的(c)所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3(反應(yīng)管2)內(nèi)供給規(guī)定量的氮。接著，將未收容半導(dǎo)體晶圓10的晶圓舟皿9載置在蓋體7上。然后，利用舟皿升降機(jī)8使蓋體7上升，將晶圓舟皿9加載在反應(yīng)管2內(nèi)(加載工序)。接著，如圖3中的(c)所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3內(nèi)供給規(guī)定量的氮，并且，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度、例如圖3中的(a)所示那樣設(shè)定為800°C。另外，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，將反應(yīng)管2減壓為規(guī)定的壓力、例如圖3中的(b)所示那樣減壓為 46. 55Pa(0. 35Torr)。然后，使反應(yīng)管2內(nèi)穩(wěn)定在該溫度及壓力(穩(wěn)定化工序)。在此，反應(yīng)管2內(nèi)的溫度優(yōu)選為350 900°C，更優(yōu)選為350 800°C。其原因在于，通過(guò)使反應(yīng)管2內(nèi)的溫度為該范圍，清潔用氣體中的氧氣及氫氣被活化，能夠有效地除去被附著在熱處理裝置1的內(nèi)部的附著物。另外，反應(yīng)管2內(nèi)的壓力優(yōu)選為1. 33Pa 2660Pa(0. OlTorr 2(ΧΓογγ)，更優(yōu)選為 1. 33Pa 665Pa(0. OlTorr 5Torr)。其原因在于，通過(guò)使反應(yīng)管2內(nèi)的壓力為該范圍，也能夠除去被附著在難以除去的部位的附著物。特別是，優(yōu)選將反應(yīng)管2內(nèi)的溫度設(shè)定在350°C以上、例如350 900°C，并且，將反應(yīng)管2內(nèi)的壓力設(shè)定為1. 33Pa ^601 (0. OlTorr 20Torr)。其原因在于，通過(guò)成為該溫度及壓力，由清潔用氣體中的氧氣及氫氣更多地產(chǎn)生活性種(0*活性種、0H*活性種)，能夠有效地除去被附著在熱處理裝置1的內(nèi)部的附著物。另外，在本實(shí)施方式中，排氣管16未利用排氣管用加熱器19加熱。S卩，排氣管16內(nèi)的溫度為常溫。其原因在于，由于反應(yīng)管2內(nèi)的溫度被較高地設(shè)定為800°C，因此，利用其余熱將排氣管16內(nèi)加熱。排氣管16優(yōu)選利用排氣管用加熱器19 加熱。排氣管16內(nèi)的溫度優(yōu)選為200 400°C，更優(yōu)選為200 300°C。其原因在于，通過(guò)使排氣管16內(nèi)的溫度為該范圍，清潔用氣體中的氧氣及氫氣被活化，能夠有效地除去被附著在排氣管16的內(nèi)部的附著物。其原因還在于，在排氣管16內(nèi)的溫度過(guò)高時(shí)，會(huì)使安裝于排氣管16的0型密封圈等構(gòu)件劣化。反應(yīng)管2內(nèi)穩(wěn)定在規(guī)定的壓力及溫度時(shí)，停止自吹掃氣供給管15供給氮。然后， 自處理氣體導(dǎo)入管13向反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī)定量的清潔用氣體、例如圖3中的(e)所示那樣供給Islm的氫(H2)氣，例如圖3中的(f)所示那樣供給1.7slm的氧(O2)氣(清潔工序)。在此，氫氣及氧氣的流量?jī)?yōu)選設(shè)定為，氫氣的流量和氧氣的流量合計(jì)的倒數(shù)為 0.2 0.5。其原因在于，通過(guò)成為該范圍，Cf活性種、0H*活性種等活性種濃度升高。氫氣及氧氣的流量更優(yōu)選設(shè)定為，氫氣的流量和氧氣的流量合計(jì)的倒數(shù)為0. 25 0. 4，最優(yōu)選設(shè)定為0. 3 0. 35。其原因在于，通過(guò)設(shè)為0. 3 0. 35，0*活性種、0H*活性種等活性種濃度最大。在本例子中設(shè)定為，氫氣的流量和氧氣的流量合計(jì)的倒數(shù)=1/(1+1.7) = 1/2.7 =0. 37 (37%), 0*活性種、0H*活性種等活性種濃度升高。供給到反應(yīng)管2內(nèi)的清潔用氣體在內(nèi)管3內(nèi)被加熱，使清潔用氣體中的氫氣及氧氣活化，即產(chǎn)生作為具有反應(yīng)性的自由原子的活性種(0*活性種、0H*活性種)，成為具有許多活性種的狀態(tài)。然后，含有該活性種的清潔氣體自內(nèi)管3內(nèi)經(jīng)由形成在內(nèi)管3和外管4 之間的空間被供給到排氣管16，從而蝕刻被附著在熱處理裝置1的內(nèi)管3的內(nèi)壁及外壁、外管4的內(nèi)壁、排氣管16的內(nèi)壁、晶圓舟皿9、保溫筒等各種工具的內(nèi)部的附著物(含有碳和氫的化合物)。由此，能夠除去被附著在熱處理裝置1的內(nèi)部的附著物。在除去被附著在熱處理裝置1的內(nèi)部的附著物時(shí)，停止自處理氣體導(dǎo)入管13供給清潔用氣體。接著，如圖3中的(c)所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3內(nèi)供給規(guī)定量的氮， 并且，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度、例如圖3中的(a)所示那樣設(shè)定為300°C。另外，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，使反應(yīng)管2恢復(fù)到規(guī)定的壓力、例如圖3中的(b)所示那樣恢復(fù)到常壓(吹掃工序)。另外，為了可靠地排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，優(yōu)選反復(fù)多次地排出反應(yīng)管2 內(nèi)的氣體并供給氮?dú)?。然后，通過(guò)利用舟皿升降機(jī)8使蓋體7下降，將晶圓舟皿9自反應(yīng)管2內(nèi)卸載(卸載工序)，清洗處理結(jié)束。接著，為了確認(rèn)本實(shí)施方式的效果，在裝置內(nèi)部附著有規(guī)定量的附著物的狀態(tài)下， 進(jìn)行本實(shí)施方式的清洗處理，測(cè)量直到能夠除去被附著物為止的時(shí)間。另外，以作為附著物易于附著、難以除去的部位的排氣管16的排氣口 14附近的內(nèi)壁為測(cè)量部位進(jìn)行測(cè)量。另外，為了進(jìn)行比較，對(duì)進(jìn)行除了使清潔用氣體為Islm的氧氣且Oslm的氫氣、反應(yīng)管2內(nèi)的壓力為13300Pa(lOOTorr)之外與本實(shí)施方式同樣的清潔處理的情況(比較例)也確認(rèn)了直到能夠除去被附著物為止的時(shí)間。在本實(shí)施方式中，能夠在兩個(gè)小時(shí)以內(nèi)除去被附著物， 在比較例中，在32個(gè)小時(shí)之后也未能除去被附著物。這樣，能夠確認(rèn)利用本實(shí)施方式的清潔處理能夠在短時(shí)間內(nèi)除去被附著物。像以上說(shuō)明的那樣，采用本實(shí)施方式，由于自處理氣體導(dǎo)入管13供給含有氧氣和氫氣的清潔用氣體，因此，能夠在短時(shí)間內(nèi)除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物。因此，能夠降低維護(hù)作業(yè)的勞動(dòng)量，并縮短停機(jī)時(shí)間。第2實(shí)施方式在本實(shí)施方式中，以使用圖4所示的成批式的縱型熱處理裝置51作為薄膜形成裝置的情況為例說(shuō)明本發(fā)明。熱處理裝置51除了在排氣管16上連接有清潔用氣體導(dǎo)入管21這一點(diǎn)之外，與圖1所示的熱處理裝置1相同。在本實(shí)施方式中，以與第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)共用的構(gòu)件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略其詳細(xì)說(shuō)明。如圖4所示，在熱處理裝置51的排氣管16上連接有清潔用氣體導(dǎo)入管21。清潔用氣體導(dǎo)入管21連接在排氣管16的排氣口 14附近。清潔用氣體導(dǎo)入管21經(jīng)由未圖示的質(zhì)量流量控制器等連接有未圖示的清潔用氣體供給源。連接于清潔用氣體導(dǎo)入管21的質(zhì)量流量控制器利用MFC控制部125來(lái)控制。MFC控制部125控制質(zhì)量流量控制器，使自清潔用氣體供給源流到清潔用氣體導(dǎo)入管21的清潔用氣體的流量成為由控制部100指示的量。 清潔用氣體從清潔用氣體導(dǎo)入管21被供給到排氣口 14附近的排氣管16內(nèi)，經(jīng)由閥17、真空泵18被排出到熱處理裝置51的外部。另外，作為清潔用氣體，與第1實(shí)施方式同樣地使用含有氧(O2)氣的氣體、含有氧(O2)氣和氫(H2)氣的氣體等。這樣，本實(shí)施方式的熱處理裝置51能夠相對(duì)于處理氣體導(dǎo)入管13獨(dú)立地向排氣管16內(nèi)導(dǎo)入清潔用氣體。接著，對(duì)使用了如上那樣構(gòu)成的熱處理裝置51的薄膜形成裝置的清洗方法、薄膜形成方法進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，以這樣的情況為例說(shuō)明本發(fā)明，即，包括第1清潔工序，自處理氣體導(dǎo)入管13供給成膜用氣體、例如乙烯(C2H4),在半導(dǎo)體晶圓W上形成規(guī)定厚度的非晶形碳膜之后，自處理氣體導(dǎo)入管13供給含有氧(O2)氣的清洗用氣體；第2清潔工序，自清潔用氣體導(dǎo)入管21供給含有氧(O2)氣和氫(H2)氣的清潔用氣體。另外，在本實(shí)施方式中，由于成膜處理與第1實(shí)施方式相同，因此，對(duì)在成膜處理之后進(jìn)行的清洗處理進(jìn)行說(shuō)明。圖5表示用于說(shuō)明本實(shí)施方式的清洗處理的制程程序。成膜處理結(jié)束，在熱處理裝置51的內(nèi)部附著有附著物時(shí)，首先，將反應(yīng)管2(內(nèi)管 3)內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度、例如圖5中的(a)所示那樣設(shè)定為300°C。另外，如圖5中的(d) 所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3 (反應(yīng)管幻內(nèi)供給規(guī)定量的氮。接著，將未收容半導(dǎo)體晶圓10的晶圓舟皿9載置在蓋體7上。然后，利用舟皿升降機(jī)8使蓋體7上升，將晶圓舟皿9加載在反應(yīng)管2內(nèi)(加載工序)。接著，如圖5中的(d)所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3內(nèi)供給規(guī)定量的氮，并且，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度、例如圖5中的(a)所示那樣設(shè)定為800°C。另外，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，將反應(yīng)管2減壓為規(guī)定的壓力、例如圖5中的(c)所示那樣減壓為 13300Pa(IOOTorr)。并且，將排氣管16內(nèi)設(shè)定規(guī)定的溫度、例如圖5中的(b)所示那樣設(shè)定為250°C。然后，使反應(yīng)管2內(nèi)及排氣管16內(nèi)穩(wěn)定在該溫度及壓力(穩(wěn)定化工序)。在此，反應(yīng)管2內(nèi)的溫度優(yōu)選為350 900°C，更優(yōu)選為350 800°C。另外，反應(yīng)管2內(nèi)的壓力優(yōu)選為665Pa(5T0rr) 常壓。其原因在于，通過(guò)使反應(yīng)管2內(nèi)的溫度及壓力為該范圍，清潔用氣體中的氧氣被活化，能夠除去被附著在熱處理裝置51的內(nèi)部的附著物。另外，對(duì)于作為附著物易于附著而難以除去的部位的排氣管16，由于利用自清潔用氣體導(dǎo)入管21供給的清潔用氣體來(lái)除去，因此，不必使反應(yīng)管2內(nèi)的壓力為低壓。另外，排氣管16內(nèi)的溫度優(yōu)選為200 400°C，更優(yōu)選為200 300°C。其原因在于，通過(guò)使排氣管16內(nèi)的溫度為該范圍，清潔用氣體中的氧氣及氫氣被活化，能夠有效地除去被附著在排氣管16的內(nèi)部的附著物。其原因還在于，在排氣管16內(nèi)的溫度過(guò)高時(shí)，會(huì)使安裝于排氣管16的0型密封圈等構(gòu)件劣化。反應(yīng)管2內(nèi)及排氣管16內(nèi)穩(wěn)定在規(guī)定的壓力及溫度時(shí)，停止自吹掃氣供給管15 供給氮。然后，自處理氣體導(dǎo)入管13向反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī)定量的清潔用氣體、例如圖5中
10的(e)所示那樣供給klm的氧(O2)氣(第1清潔工序)。供給到反應(yīng)管2內(nèi)的清潔用氣體在內(nèi)管3內(nèi)被加熱，清潔用氣體中的氧氣活化，利用含有該活化后的氧氣的清潔用氣體，來(lái)蝕刻被附著在內(nèi)管3的內(nèi)壁等反應(yīng)管2的內(nèi)部的附著物(含有碳和氫的化合物)。在除去被附著在內(nèi)管3的內(nèi)壁等反應(yīng)管2的內(nèi)部的附著物時(shí)，停止自處理氣體導(dǎo)入管13供給清潔用氣體。接著，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，并且，如圖5中的(d)所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3內(nèi)供給規(guī)定量的氮，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的壓力、例如圖5中的(c)所示那樣設(shè)定為46.55Pa(0.35Torr)(吹掃工序)。另外，為了可靠地排出反應(yīng)管2 內(nèi)的氣體，優(yōu)選反復(fù)多次地排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體并供給氮?dú)?。在此，?yōu)選將反應(yīng)管2 (排氣管16)內(nèi)的壓力設(shè)定為1. 331 ^601 (0. OlTorr 20Torr)。其原因在于，通過(guò)成為該壓力，由在第2清潔工序中自清潔用氣體導(dǎo)入管21供給來(lái)的清潔用氣體中的氧氣及氫氣易于更多地產(chǎn)生活性種(0*活性種、0H*活性種)，能夠有效地除去被附著在排氣管16的內(nèi)部的附著物。接著，停止自吹掃氣供給管15供給氮，自清潔用氣體導(dǎo)入管21向排氣管16內(nèi)供給規(guī)定量的清潔用氣體、例如圖5中的(f)所示那樣供給Islm的氫(H2)氣，例如圖5中的 (g)所示那樣供給1. 7slm的氧(O2)氣(第2清潔工序)。供給到排氣管16內(nèi)的清潔用氣體在排氣管16內(nèi)被加熱，清潔用氣體中的氫氣及氧氣活化，成為具有許多0*活性種、0H*活性種的狀態(tài)。然后，利用含有該活性種的清潔氣體，蝕刻被附著在作為難以除去被附著物的部位的排氣管16的內(nèi)壁等的附著物(含有碳和氫的化合物)。由此，能夠除去被附著在熱處理裝置51的內(nèi)部的附著物。在除去被附著在熱處理裝置51的內(nèi)部的附著物時(shí)，停止自清潔用氣體導(dǎo)入管21 供給清潔用氣體。接著，如圖5中的(d)所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3內(nèi)供給規(guī)定量的氮，并且，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度、例如圖5中的(a)所示那樣設(shè)定為300°C。另外，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，使反應(yīng)管2恢復(fù)到規(guī)定的壓力、例如圖5中的(c)所示那樣恢復(fù)到常壓(吹掃工序)。另外，為了可靠地排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，優(yōu)選反復(fù)多次地排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體并供給氮?dú)?。然后，通過(guò)利用舟皿升降機(jī)8使蓋體7下降，將晶圓舟皿9自反應(yīng)管2內(nèi)卸載(卸載工序)，清洗處理結(jié)束。像以上說(shuō)明的那樣，采用本實(shí)施方式，執(zhí)行自處理氣體導(dǎo)入管13供給含有氧氣的清潔用氣體來(lái)除去被附著在反應(yīng)管2內(nèi)部的附著物的第1清潔工序、及自清潔用氣體導(dǎo)入管21供給含有氧氣和氫氣的清潔用氣體來(lái)除去被附著在排氣管16內(nèi)部的附著物的第2清潔工序，因此，能夠在短時(shí)間內(nèi)除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物。因此，能夠降低維護(hù)作業(yè)的勞動(dòng)量，并縮短停機(jī)時(shí)間。另外，在本實(shí)施方式中，以這樣的情況為例說(shuō)明了本發(fā)明，S卩，在執(zhí)行用于除去被附著在反應(yīng)管2內(nèi)部的附著物的第1清潔工序之后，執(zhí)行除去被附著在排氣管16內(nèi)部的附著物的第2清潔工序，但例如也可以同時(shí)執(zhí)行第1清潔工序和第2清潔工序。在這種情況下，能夠在更短時(shí)間內(nèi)除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物。第3實(shí)施方式在本實(shí)施方式中，以與第2實(shí)施方式同樣地使用圖4所示的成批式的縱型熱處理
11裝置51作為薄膜形成裝置的情況為例說(shuō)明本發(fā)明。在本實(shí)施方式中，以這樣的情況為例說(shuō)明本發(fā)明，即，自處理氣體導(dǎo)入管13供給成膜用氣體、例如乙烯(C2H4),在半導(dǎo)體晶圓W上形成規(guī)定厚度的非晶形碳膜之后，不自處理氣體導(dǎo)入管13供給清潔用氣體，自清潔用氣體導(dǎo)入管21供給含有氧(O2)氣和氫(H2)氣的清潔用氣體，除去被附著在排氣管16內(nèi)部的附著物、例如含有碳和氫的反應(yīng)副生成物。即，在本實(shí)施方式中，以除去被附著在作為附著物易于附著而難以除去的部位的排氣管16內(nèi)部的附著物的情況為例說(shuō)明本發(fā)明。另外，在本實(shí)施方式中，使用第2實(shí)施方式的熱處理裝置51，成膜處理與第1實(shí)施方式相同，因此，對(duì)在成膜處理之后進(jìn)行的清洗處理進(jìn)行說(shuō)明。圖6表示用于說(shuō)明本實(shí)施方式的清洗處理的制程程序。成膜處理結(jié)束，附著物附著在熱處理裝置51的內(nèi)部時(shí)，利用舟皿升降機(jī)8使蓋體7 上升，爐口部分為封閉狀態(tài)，如圖6中的(c)所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3內(nèi)供給規(guī)定量的氮，并且，將排氣管16內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度、例如圖6中的(a)所示那樣設(shè)定為250°C。 另外，將排氣管16內(nèi)減壓為規(guī)定的壓力、例如圖6中的(b)所示那樣減壓為^6Pa(2T0rr)。 然后，使排氣管16內(nèi)穩(wěn)定在該溫度及壓力(穩(wěn)定化工序)。排氣管16內(nèi)的溫度與第2實(shí)施方式同樣地優(yōu)選為200 400°C，更優(yōu)選為 200 300°C。另外，排氣管16內(nèi)的壓力也與第2實(shí)施方式同樣地優(yōu)選為1. 33 2660Pa (0. OlTorr 20 !^)，更優(yōu)選為 13. 3Pa 400Pa(0. ITorr 3Torr)。排氣管16內(nèi)穩(wěn)定在規(guī)定的壓力及溫度時(shí)，停止自吹掃氣供給管15供給氮。然后， 自清潔用氣體導(dǎo)入管21向排氣管16內(nèi)供給規(guī)定量的清潔用氣體、例如圖6中的(d)所示那樣供給Islm的氫(H2)氣，例如圖6中的(e)所示那樣供給1. 7slm的氧(O2)氣(清潔工序)。供給到排氣管16內(nèi)的清潔用氣體在排氣管16內(nèi)被加熱，清潔用氣體中的氫氣及氧氣活化，成為具有許多0*活性種、0H*活性種的狀態(tài)。然后，利用含有該活性種的清潔氣體，蝕刻被附著在作為附著物易于附著而難以除去的部位的排氣管16的內(nèi)壁等的附著物 (含有碳和氫的化合物)。由此，能夠除去被附著在作為附著物易于附著而難以除去的部位的排氣管16的附著物。在除去被附著在排氣管16的內(nèi)部的附著物時(shí)，停止自清潔用氣體導(dǎo)入管21供給清潔用氣體。接著，如圖6中的(c)所示，自吹掃氣供給管15向內(nèi)管3內(nèi)供給規(guī)定量的氮， 并且，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度。另外，通過(guò)排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，使反應(yīng)管2及排氣管16例如恢復(fù)到常壓(吹掃工序)，清洗處理結(jié)束。另外，在本實(shí)施方式中，在清洗處理之后，通過(guò)將收容有半導(dǎo)體晶圓10的晶圓舟皿9載置在蓋體7上而進(jìn)行加載，在附著物易于附著的排氣管16的內(nèi)部未附著有附著物的狀態(tài)下，能夠進(jìn)行在半導(dǎo)體晶圓10上形成非晶形碳膜的成膜處理。結(jié)果，能夠降低反應(yīng)管 2內(nèi)的清潔頻率，因此，能夠降低維護(hù)作業(yè)的勞動(dòng)量，并縮短停機(jī)時(shí)間。像以上說(shuō)明的那樣，采用本實(shí)施方式，由于自清潔用氣體導(dǎo)入管21供給含有氧和氫的清潔用氣體，因此，能夠在短時(shí)間內(nèi)除去被附著在排氣管16內(nèi)部的附著物。因此，能夠降低維護(hù)作業(yè)的勞動(dòng)量，并縮短停機(jī)時(shí)間。另外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種變形、應(yīng)用。下面，說(shuō)明能夠應(yīng)用于本發(fā)明的其他實(shí)施方式。
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在上述實(shí)施方式中，在第1實(shí)施方式中，以自處理氣體導(dǎo)入管13供給含有氧氣和氫氣的清潔用氣體的情況為例說(shuō)明了本發(fā)明，在第2實(shí)施方式中，以自處理氣體導(dǎo)入管13 供給含有氧氣的清潔用氣體、并且自清潔用氣體導(dǎo)入管21供給含有氧氣和氫氣的清潔用氣體的情況為例說(shuō)明了本發(fā)明，在第3實(shí)施方式中，以自清潔用氣體導(dǎo)入管21供給含有氧氣和氫氣的清潔用氣體的情況為例說(shuō)明了本發(fā)明，但只要能夠自處理氣體導(dǎo)入管13和清潔用氣體導(dǎo)入管21中的至少一個(gè)供給含有氧氣和氫氣的清潔用氣體來(lái)除去被附著在排氣管16等的內(nèi)部的附著物即可，也可以自不供給含有氧氣和氫氣的清潔用氣體的氣體導(dǎo)入管供給能夠除去被附著物的其他清潔氣體。在上述實(shí)施方式中，以使用由Islm的氫氣和1. 7slm的氧氣構(gòu)成的清潔氣體作為含有氧氣和氫氣的清潔用氣體的情況為例說(shuō)明了本發(fā)明，但例如也可以在清潔用氣體中含有由氮這樣的非活性氣體構(gòu)成的稀釋用氣體。在第3實(shí)施方式中，以成膜處理之后的清洗處理的情況為例說(shuō)明的本發(fā)明，例如也可以在成膜工序中自清潔用氣體導(dǎo)入管21向排氣管16內(nèi)供給清潔用氣體。在這種情況下，能夠在形成非晶形碳膜的同時(shí)，除去被附著在附著物易于附著的排氣管16的內(nèi)部的附著物。在上述實(shí)施方式中，對(duì)使用乙烯作為成膜用氣體的情況為例說(shuō)明了本發(fā)明，但只要是異戊二烯(C5H8)、丙烯(C3H6)、乙炔(C2H2)等能夠形成非晶形碳膜的氣體，就也可以使用其他氣體。在上述實(shí)施方式中，以使用雙重管構(gòu)造的成批式縱型熱處理裝置作為熱處理裝置的情況為例說(shuō)明了本發(fā)明，但例如也能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用于單管構(gòu)造的成批式熱處理裝置。 另外，也能夠應(yīng)用于單片式的熱處理裝置。本發(fā)明的實(shí)施方式的控制部100能夠不采用專用的系統(tǒng)而使用通常的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如通過(guò)自容納有用于執(zhí)行上述處理的程序的記錄介質(zhì)(軟磁盤、CD-ROM等) 向通用計(jì)算機(jī)上安裝該程序，能夠構(gòu)成執(zhí)行上述處理的控制部100。而且，用于供給這些程序的手段是任意的。除了如上所述那樣能夠通過(guò)規(guī)定的記錄介質(zhì)來(lái)供給之外，例如也可以通過(guò)通信線路、通信網(wǎng)絡(luò)、通信系統(tǒng)等來(lái)供給。在這種情況下，例如也可以在通信網(wǎng)絡(luò)的公告板(BBS)上公示該程序，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)將其重疊于載波來(lái)提供。然后，通過(guò)起動(dòng)這樣地提供來(lái)的程序，在OS的控制下與其他的應(yīng)用程序同樣地執(zhí)行，能夠執(zhí)行上述處理。本發(fā)明可用于形成非晶形碳膜的薄膜形成裝置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成裝置。采用本發(fā)明，能夠降低維護(hù)作業(yè)的勞動(dòng)量，并縮短停機(jī)時(shí)間。本發(fā)明基于2010年7月15日申請(qǐng)的日本專利特愿2010-161085號(hào)、及2011年5 月31日申請(qǐng)的日本專利特愿2011-121821號(hào)的優(yōu)先權(quán)的利益。由此，主張它們的優(yōu)先權(quán)的利益。上述日本申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容作為參考文獻(xiàn)編入到本說(shuō)明書中。
權(quán)利要求
1.一種薄膜形成裝置的清洗方法，該清洗方法在向薄膜形成裝置的反應(yīng)室內(nèi)供給成膜用氣體而在被處理體上形成非晶形碳膜之后，除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物，其特征在于，包括加熱工序，將上述反應(yīng)室內(nèi)和連接于該反應(yīng)室的排氣管內(nèi)的至少一者加熱到規(guī)定的溫度；除去工序，通過(guò)向在上述加熱工序中加熱后的反應(yīng)室內(nèi)和排氣管內(nèi)的至少一者供給含有氧氣和氫氣的清潔氣體而將清潔氣體加熱到規(guī)定的溫度，從而使清潔氣體所含有的氧氣和氫氣活化，利用該活化后的氧氣和氫氣除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜形成裝置的清洗方法，其特征在于， 在上述加熱工序中，將上述反應(yīng)室內(nèi)加熱到規(guī)定的溫度；在上述除去工序中，將上述反應(yīng)室內(nèi)的壓力設(shè)定為1. 33Pa 沈601^。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜形成裝置的清洗方法，其特征在于， 在上述加熱工序中，將上述反應(yīng)室內(nèi)加熱到350°C 900°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜形成裝置的清洗方法，其特征在于， 在上述加熱工序中，將上述排氣管內(nèi)加熱到規(guī)定的溫度；在上述除去工序中，將上述排氣管內(nèi)的壓力設(shè)定為1. 33Pa 沈601^。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜形成裝置的清洗方法，其特征在于， 在上述加熱工序中，將上述排氣管內(nèi)加熱到200°C 400°C。
6.一種薄膜形成方法，其特征在于， 包括非晶形碳膜形成工序，在被處理體上形成非晶形碳膜；加熱工序，將反應(yīng)室內(nèi)和連接于該反應(yīng)室的排氣管內(nèi)的至少一者加熱到規(guī)定的溫度； 除去工序，通過(guò)向在上述加熱工序中加熱后的上述反應(yīng)室內(nèi)和上述排氣管內(nèi)的至少一者供給含有氧氣和氫氣的清潔氣體而將清潔氣體加熱到規(guī)定的溫度，從而使清潔氣體所含有的氧氣和氫氣活化，利用該活化后的氧氣和氫氣除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于， 在上述加熱工序中，將上述反應(yīng)室內(nèi)加熱到規(guī)定的溫度；在上述除去工序中，將上述反應(yīng)室內(nèi)的壓力設(shè)定為1. 331^ 沈601^。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，在上述加熱工序中，將上述反應(yīng)室內(nèi)加熱到350°C 900°C。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于， 在上述加熱工序中，將上述排氣管內(nèi)加熱到規(guī)定的溫度；在上述除去工序中，將上述排氣管內(nèi)的壓力設(shè)定為1. 33Pa 沈601^。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜形成方法，其特征在于，在上述加熱工序中，將上述排氣管內(nèi)加熱到200°C 400°C。
11.一種薄膜形成裝置，該薄膜形成裝置通過(guò)向薄膜形成裝置的反應(yīng)室內(nèi)供給成膜用氣體而在被處理體上形成非晶形碳膜，并且，除去由于形成該非晶形碳膜而附著在裝置內(nèi)部的附著物，其特征在于，包括加熱部件，其用于將上述反應(yīng)室內(nèi)和連接于該反應(yīng)室的排氣管內(nèi)的至少一者加熱到規(guī)定的溫度；清潔氣體供給部件，其用于供給含有氧氣和氫氣的清潔氣體； 控制部件，其用于控制裝置各部，上述控制部件控制上述清潔氣體供給部件，向利用上述加熱部件加熱后的反應(yīng)室內(nèi)和排氣管內(nèi)的至少一者供給上述清潔氣體，從而將該清潔氣體加熱到規(guī)定的溫度而使清潔氣體所含有的氧氣和氫氣活化，利用該活化后的氧氣和氫氣除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜形成裝置，其特征在于， 上述附著物是含有碳和氫的化合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜形成裝置，其特征在于，還包括用于將上述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定為規(guī)定壓力的反應(yīng)室壓力設(shè)定部件；上述加熱部件將上述反應(yīng)室內(nèi)加熱到350°C 900°C ；上述反應(yīng)室壓力設(shè)定部件將上述反應(yīng)室內(nèi)的壓力設(shè)定為1. 33Pa 26601^。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜形成裝置，其特征在于，還包括用于將上述排氣管內(nèi)設(shè)定為規(guī)定壓力的排氣管壓力設(shè)定部件；上述加熱部件將上述排氣管內(nèi)加熱到200°C 400°C ；上述排氣管壓力設(shè)定部件將上述排氣管內(nèi)的壓力設(shè)定為1. 33Pa 沈601^。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜形成裝置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成裝置。該清洗方法在供給成膜用氣體而在被處理體上形成非晶形碳膜之后，除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物，包括加熱工序，將上述反應(yīng)室內(nèi)和連接于該反應(yīng)室的排氣管內(nèi)的至少一者加熱到規(guī)定的溫度；除去工序，通過(guò)向在上述加熱工序中加熱后的反應(yīng)室內(nèi)和排氣管內(nèi)的至少一者供給含有氧氣和氫氣的清潔氣體而將清潔氣體加熱到規(guī)定的溫度，從而使清潔氣體所含有的氧氣和氫氣活化，利用該活化后的氧氣和氫氣除去被附著在裝置內(nèi)部的附著物。
文檔編號(hào)C23C16/26GK102339731SQ20111019999
公開(kāi)日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月15日
發(fā)明者久保萬(wàn)身, 水永覺(jué), 遠(yuǎn)藤篤史 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社