專利名稱：納米級顆粒模擬基片再加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種納米級顆粒模擬基片再加工方法。
背景技術(shù)：
隨著芯片制造線寬愈來愈向細(xì)微化發(fā)展，對半導(dǎo)體工藝提出更高更難的要求不但要刻蝕出精確的線條，而且線路缺陷要控制在一定范圍內(nèi)，以保證芯片的功能和成品率。 而顆粒污染(Particle Issue)成為影響芯片的功能和成品率的最主要的因素之一。統(tǒng)計數(shù)據(jù)表明由顆粒污染導(dǎo)致的成品率損失要占總成品率損失的80%，而且， 顆粒污染的數(shù)目越多，圓片的成品率就會越低，為此，有效的顆粒污染控制對成品率的提高至關(guān)重要。在公開號為CN101414558A的中國專利文件中還可以發(fā)現(xiàn)更多有關(guān)顆粒污染控制的相關(guān)信息?，F(xiàn)有技術(shù)通常通過顆粒模擬基片來測試顆粒污染情況并相應(yīng)控制顆粒污染，具體地，先測試所述顆粒模擬基片的測試表面的顆粒前值，然后采用所述顆粒模擬基片進(jìn)行相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝，并測試所述顆粒模擬基片的顆粒后值，并將所述顆粒后值減去所述顆粒前值得到對應(yīng)半導(dǎo)體工藝的顆粒增加值，并根據(jù)所述顆粒增加值來判斷顆粒污染的程度。所述顆粒模擬基片的測試表面要求顆粒(Particle Issue)低于小于一定數(shù)量，且所述顆粒模擬基片相當(dāng)昂貴。但，所述顆粒模擬基片放置一段時間或者暴露在潔凈室的外界環(huán)境一段時間后， 采用所述顆粒模擬基片獲得的對應(yīng)半導(dǎo)體工藝的顆粒增加值數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確，特別是采用所述顆粒模擬基片模擬大于80納米的顆粒，數(shù)據(jù)尤其不準(zhǔn)，必須采用新的顆粒模擬基片進(jìn)行模擬，造成顆粒模擬工藝成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是模擬精度高且成本低的納米級顆粒模擬基片再加工方法。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種納米級顆粒模擬基片再加工方法，包括提供顆粒模擬基片，所述顆粒模擬基片包括襯底，位于襯底表面的熱氧化層，所述熱氧化層具有測試表面；沿所述測試表面對所述熱氧化層進(jìn)行化學(xué)機械拋光，使得拋光后的所述測試表面的顆粒數(shù)量小于100?？蛇x的，所述化學(xué)機械拋光工藝參數(shù)為拋光速率為50埃/分鐘到10000埃/分鐘，對所述熱氧化層研磨5秒至200秒。可選的，所述化學(xué)機械拋光工藝參數(shù)為采用堿性的研磨液，拋光速率為400埃/ 分鐘，對所述熱氧化層研磨5秒?？蛇x的，所述熱氧化層厚度為50埃到20000埃?？蛇x的，所述熱氧化層形成工藝為爐管氧化?？蛇x的，所述顆粒尺寸大于80納米?？蛇x的，所述襯底材料為硅。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明的實施例采用沿所述測試表面對所述熱氧化層進(jìn)行化學(xué)機械拋光，使得拋光后的所述測試表面的顆粒數(shù)量小于100，提高納米級顆粒模擬基片的利用率，避免生產(chǎn)成本的增加。進(jìn)一步的，本發(fā)明實施例的采用堿性的研磨液，拋光速率為400埃至800埃/分鐘，對所述熱氧化層研磨5秒至10秒研磨工藝條件處理所述測試表面，能夠使得拋光后的所述測試表面的顆粒尺寸大于80納米的顆粒數(shù)量小于100，且不會過多去除所述熱氧化層的厚度，以及不會對測試表面的平坦度以及形貌產(chǎn)生不利影響。進(jìn)一步地，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)采用堿性的研磨液，拋光速率為400埃/分鐘， 對所述熱氧化層研磨5秒時，不但拋光后的所述測試表面的顆粒尺寸大于80納米的顆粒數(shù)量小于100，且對所述熱氧化層的損傷最小。


圖1是現(xiàn)有的顆粒模擬基片剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明納米級顆粒模擬基片再加工方法的一實施例流程示意圖；圖3至圖4為本發(fā)明的納米級顆粒模擬基片再加工方法一實施例的過程示意圖。
具體實施例方式由背景技術(shù)可知，所述顆粒模擬基片放置一段時間或者暴露在潔凈室的外界環(huán)境一段時間后，采用所述顆粒模擬基片獲得的對應(yīng)半導(dǎo)體工藝的顆粒增加值數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確，特別是采用所述顆粒模擬基片模擬顆粒尺寸大于80納米的顆粒，數(shù)據(jù)尤其不準(zhǔn)，必須采用新的顆粒模擬基片進(jìn)行模擬，造成顆粒模擬工藝成本高。對此，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過3次的實驗，選用3片新的顆粒模擬基片，測試新的顆粒模擬基片的80納米以下的顆粒，獲得顆粒尺寸大于80納米顆粒前值分別為28、48、44， 對金屬鎢物理氣相沉積工藝進(jìn)行顆粒模擬測試，之后，對進(jìn)行金屬鎢物理氣相沉積工藝后的顆粒模擬基片進(jìn)行測試獲得顆粒后值分別為64、95、69 ；其中顆粒增加值分別為36、 47、25，具體地，請參考表格1 表格權(quán)利要求
1.一種納米級顆粒模擬基片再加工方法，其特征在于，包括提供顆粒模擬基片，所述顆粒模擬基片包括襯底，位于襯底表面的熱氧化層，所述熱氧化層具有測試表面；沿所述測試表面對所述熱氧化層進(jìn)行化學(xué)機械拋光，使得拋光后的所述測試表面的顆粒數(shù)量小于100。
2.如權(quán)利要求1的模擬基片再加工方法，其特征在于，所述化學(xué)機械拋光工藝參數(shù)為 采用堿性的研磨液，拋光速率為50埃/分鐘到10000埃/分鐘，對所述熱氧化層研磨5秒至200秒。
3.如權(quán)利要求1的模擬基片再加工方法，其特征在于，所述化學(xué)機械拋光工藝參數(shù)為 采用堿性的研磨液，拋光速率為400埃/分鐘，對所述熱氧化層研磨5秒。
4.如權(quán)利要求1的模擬基片再加工方法，其特征在于，所述熱氧化層厚度為50埃到 20000 埃。
5.如權(quán)利要求4的模擬基片再加工方法，其特征在于，所述熱氧化層形成工藝為爐管氧化。
6.如權(quán)利要求1的模擬基片再加工方法，其特征在于，所述顆粒尺寸大于80納米。
7.如權(quán)利要求1的模擬基片再加工方法，其特征在于，所述襯底材料為硅。
全文摘要
一種納米級顆粒模擬基片再加工方法，包括提供顆粒模擬基片，所述顆粒模擬基片包括襯底，位于襯底表面的熱氧化層，所述熱氧化層具有測試表面；沿所述測試表面對所述熱氧化層進(jìn)行化學(xué)機械拋光，使得拋光后的所述測試表面的顆粒數(shù)量小于100。本發(fā)明的基片再加工方法節(jié)約生產(chǎn)成本。
文檔編號B24B37/00GK102231364SQ20111013465
公開日2011年11月2日 申請日期2011年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月23日
發(fā)明者紀(jì)登峰, 趙波 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司