專利名稱：一種薄膜制備裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于薄膜制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜制備裝置和方法。
背景技術(shù)：
近年來，薄膜材料在很多領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用。薄膜的廣泛應(yīng)用，對薄膜的生產(chǎn)提出了比較高的要求。在實(shí)際生產(chǎn)中，既需要制備性能優(yōu)良的薄膜，又希望成本低廉。一些低成本的薄膜快速沉積技術(shù)近年來得到了快速發(fā)展，如離子鍍、蒸鍍、噴涂法等。噴涂法是采用氣體攜帶大量的粒子進(jìn)行沉積，具有下述明顯的優(yōu)點(diǎn)粒子一般含有較多的原子或分子，可以實(shí)現(xiàn)快速的沉積；而且由于這些粒子是被氣體攜帶至襯底上進(jìn)行生長的，粒子的能量不高，對襯底的損傷也較小。但是噴涂法也具有明顯的缺點(diǎn)由于粒 子中含有多個(gè)原子，且粒子能量較小，一方面無法為薄膜提供充足的生長驅(qū)動(dòng)力，另一方由于含有的原子較多，在噴涂的過程中容易出現(xiàn)粒子團(tuán)簇的現(xiàn)象，因此現(xiàn)有的噴涂法很難獲得附著力好、致密、結(jié)晶性好的薄膜。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本發(fā)明要解決的問題是，提供一種沉積速度快，成膜質(zhì)量好的薄膜制備裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)在噴涂的過程中容易出現(xiàn)的多個(gè)粒子團(tuán)簇團(tuán)聚的現(xiàn)象，以獲得致密的、附著力好、結(jié)晶性好的薄膜。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種薄膜制備裝置，用于把粉料氣化后沉積在襯底上生成薄膜，包括用于對所述粉料加熱以形成原子和/或分子蒸氣的氣相形成裝置、用于產(chǎn)生熱電子并通過熱電子使從所述氣相形成裝置輸出的所述原子和/或分子蒸氣中的原子或分子帶弱電的熱電子發(fā)生器和用于產(chǎn)生加速電場使帶弱電的所述原子或分子加速運(yùn)動(dòng)并沉積至所述襯底的加速電極。作為優(yōu)選，所述氣相形成裝置包括依次設(shè)置并連通的進(jìn)料腔、加熱腔和噴涂腔，其中，所述進(jìn)料腔未與所述加熱腔連接的一端設(shè)有用于輸入所述粉料的進(jìn)料口和用于輸入運(yùn)載氣體以攜帶所述粉料的進(jìn)氣口 ；所述加熱腔的周圍設(shè)有用于加熱所述粉料以使所述粉料形成原子和/或分子蒸氣的加熱元件；所述噴涂腔的下端設(shè)有所述噴涂口，所述原子和/或分子蒸氣通過所述噴涂口噴出所述氣相形成裝置。作為優(yōu)選，所述加速電極包括位于所述氣相形成裝置設(shè)有噴涂口一側(cè)的負(fù)電極板和與所述負(fù)電極板平行的正電極板；所述熱電子發(fā)生器位于所述正電極板與負(fù)電極板之間，所述襯底位于熱電子發(fā)生器與正電極板之間并平行于所述正電極板。作為優(yōu)選，所述正、負(fù)電極板之間的電壓在O-IOkV之間并且可調(diào)，所述正、負(fù)電極板之間的距離在5-20cm之間。作為優(yōu)選，所述進(jìn)料腔從設(shè)有所述進(jìn)料口進(jìn)氣口的一端到與所述加熱腔連接的一端為橫截面逐漸變小的倒喇叭口狀；所述噴涂腔從與所述加熱腔相連的一端到設(shè)有噴涂口的一端為橫截面逐漸變大的喇叭口狀；位于所述進(jìn)料腔與噴涂腔之間的所述加熱腔為狹長的腔室。作為優(yōu)選，所述加熱腔沿所述原子和/或分子蒸氣前進(jìn)方向的高度在10cm-70cm之間，寬度在lcm_15cm之間。作為優(yōu)選,所述噴涂口為寬度為0. 2mm-5mm的狹縫或依次排列的孔徑為5 u m-5mm的多個(gè)氣孔。本發(fā)明還提供了一種薄膜制備方法，用于把粉料氣化后沉積在襯底上生成薄膜，包括如下步驟(I)通過運(yùn)載氣體運(yùn)載所述粉料；
(2)對所述粉料加熱以形成原子和/或分子蒸氣；(3)讓所述原子和/或分子蒸氣經(jīng)過熱電子區(qū)，使其中的原子或分子在熱電子區(qū)中帶弱電；(4)使帶弱電的所述原子或分子在加速電場中加速運(yùn)動(dòng)并沉積至所述襯底以形成薄膜。作為優(yōu)選，在步驟(2)中，加熱所述粉料的溫度為500-1200°C。作為優(yōu)選,所述粉料的粒徑不超過100 V- m。作為優(yōu)選，所述加速電場為勻強(qiáng)電場，所述勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)為0_200kV/m。與采用噴涂法制備薄膜的現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果I、薄膜可以實(shí)現(xiàn)快速沉積，2、成膜質(zhì)量高、膜層致密、附著力強(qiáng)、結(jié)晶性強(qiáng)，3、對襯底及薄膜損傷小，4、便于控制成膜的過程。


圖I為本發(fā)明的實(shí)施例一的薄膜制備裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的實(shí)施例二的薄膜制備裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2所示的薄膜制備裝置中的噴涂腔的底部結(jié)構(gòu)的放大示意圖；圖4為本發(fā)明的實(shí)施例三的薄膜制備裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。實(shí)施例一如圖I所示，本發(fā)明的實(shí)施例一的薄膜制備裝置，包括氣相形成裝置10、熱電子發(fā)生器106和加速電極。其中，氣相形成裝置10用于加熱粉料以形成原子和/或分子蒸氣，所述原子和/或分子蒸氣在運(yùn)載氣體的推動(dòng)下從氣相形成裝置10內(nèi)噴出。氣相形成裝置10包括依次設(shè)置的進(jìn)料腔111，加熱腔112和噴涂腔113，在本實(shí)施例中進(jìn)料腔111，加熱腔112和噴涂腔113為一體成型的。在進(jìn)料腔111的上部設(shè)有用于輸入所述運(yùn)載氣體的進(jìn)氣口101和用于輸入粉料的進(jìn)料口 102，作為原料的粉料經(jīng)過仔細(xì)研磨后，粒徑不超過lOOym，在外部的供料系統(tǒng)的控制下，經(jīng)過進(jìn)料口 102進(jìn)入到進(jìn)料腔111，粉料在從進(jìn)氣口 101進(jìn)來的運(yùn)載氣體的攜帶下，進(jìn)入到加熱腔112內(nèi)并迅速升華，其中運(yùn)載氣體為氬氣或氦氣等惰性氣體或者氮?dú)獾炔灰着c粉料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的氣體，運(yùn)載氣體的流量和流速可由質(zhì)量流量計(jì)進(jìn)行控制。作為優(yōu)選方案，如圖I所示，本實(shí)施例中進(jìn)料腔111的縱剖面為從上至下逐漸收縮的倒喇叭口狀，根據(jù)流體力學(xué)的原理，運(yùn)載氣體的速度逐漸變大，便于攜帶粉料進(jìn)入加熱腔112內(nèi)，并使粉料在運(yùn)載氣體中分散均勻。在本實(shí)施例中，所述熱電子發(fā)生器106為帶有電源107的熱電子燈絲。在加熱腔112的周圍設(shè)有加熱元件103，在本實(shí)施例中加熱元件103為纏繞在加熱腔112周圍的電阻絲，當(dāng)然加熱元件103還可以為排列在加熱腔112周圍的硅碳棒。加熱元件103與加熱電源105連接，用于產(chǎn)生500-1200°C的高溫，把位于加熱腔112內(nèi)的粉料加熱形成原子和/或分子蒸氣。加熱腔112為狹長的腔室，其沿所述原子和/或分子蒸氣前進(jìn)方向的高度為10cm-70cm之間，寬度在lcm_15cm之間，寬度和高度的數(shù)值可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選取，加熱腔112的長度根據(jù)襯底進(jìn)行選擇。狹長的腔室便于對加熱腔112進(jìn)行加熱，提高加熱元件的加熱效率，使加熱腔112內(nèi)各處的溫度保持一致。經(jīng)過加熱形成的原子和/或分子蒸氣在不斷進(jìn)入的運(yùn)載氣體的推動(dòng)下從加熱腔112進(jìn)入噴涂腔113后經(jīng)噴涂口噴出該氣相形成裝置10。如圖I所示，作為優(yōu)選方案，本實(shí)施例中噴涂腔113的縱剖面 為從上至下逐漸擴(kuò)大的喇叭口狀，可以使原子和/或分子蒸氣在噴涂腔113中部過冷凝結(jié)形成一定的原子或分子團(tuán)簇，并能增加積聚在噴涂腔113內(nèi)的原子和/或分子蒸氣的壓強(qiáng)。高溫的原子和/或分子蒸氣在運(yùn)載氣體的推動(dòng)下不斷從加熱腔112進(jìn)入噴涂腔113內(nèi)，并在噴涂腔113積聚，經(jīng)過噴涂腔113底部的狹縫104形成均勻的蒸氣流噴出氣相形成裝置10，狹縫104可以進(jìn)一步提高原子和/或分子蒸氣的流速。作為優(yōu)選方案，如圖I所示，本實(shí)施例中，狹縫104的寬度為0. 3mm,當(dāng)然狹縫104的寬度可在0.之間進(jìn)行選擇，如
0.2mm、0. 5mm、1mm、I. 5mm、2mm、3mm、4mm、5mm等，狹縫104的寬度越小，原子和/或分子蒸氣流出的速度就越大。加熱腔112內(nèi)的溫度很高，而噴涂腔113周圍并無加熱設(shè)備，與加熱腔112相比，噴涂腔113內(nèi)的溫度較低，原子和/或分子蒸氣進(jìn)入噴涂腔113后形成一定的過冷度，蒸氣會(huì)出現(xiàn)過冷而凝結(jié)，出現(xiàn)部分原子或分子團(tuán)簇。這些團(tuán)簇中都含有較多的原子或分子，能夠向襯底100輸運(yùn)大量的沉積原子或分子，可以實(shí)現(xiàn)高速成膜。如圖I所示，加速電極包括位于所述氣相形成裝置10的設(shè)有噴涂口一側(cè)的負(fù)電極板108和與所述負(fù)電極板108平行的正電極板109 ;熱電子發(fā)生器106位于正電極板109與負(fù)電極板108之間的電場內(nèi)，襯底100位于熱電子發(fā)生器106與正電極板109之間并平行于所述正電極板109。當(dāng)然，在負(fù)電極板108上與所述噴涂口相對應(yīng)的位置也設(shè)有讓所述原子和/或分子蒸氣通過的通道。從狹縫104噴出的原子和/或分子蒸氣，經(jīng)過負(fù)電極板108上的所述通道進(jìn)入由熱電子發(fā)生器106形成的熱電子區(qū)，在熱電子區(qū)內(nèi)原子和/或分子蒸氣與熱電子之間相互碰撞，使部分原子或分子團(tuán)簇實(shí)現(xiàn)帶弱電，形成帶弱電的離子團(tuán)簇，這些原子或分子團(tuán)簇以及離子團(tuán)簇統(tǒng)稱為粒子。其中帶弱電的原子或分子團(tuán)簇，由于與電子結(jié)合而帶有負(fù)電，在負(fù)電極板108與正電極板109形成的勻強(qiáng)電場的作用下，向正電極板109方向加速運(yùn)動(dòng)，沖向襯底100，并在襯底100上沉積，形成薄膜。其中，熱電子發(fā)生器106由電源107供電，負(fù)電極板108和正電極板109通過加速電源110供電，并且負(fù)電極板108和正電極板109之間的電壓可在O-IOkV之間并且可調(diào)，所述正、負(fù)電極板之間的距離在5-20cm之間。在本實(shí)施例中，加速電極采用兩個(gè)平行的金屬板以形成勻速電場，其中負(fù)電極板108與加速電源110的負(fù)極相連，正電極板109與加速電源110的正極相連,所述勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)為0-200kV/m，可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整。由于原子或分子團(tuán)簇經(jīng)過熱電子發(fā)生器106形成的熱電子區(qū)域時(shí)，與熱電子發(fā)生器106所發(fā)出的快速熱電子發(fā)生碰撞，出現(xiàn)少量原子和/或分子的帶弱電，使這些團(tuán)簇成為帶弱電的離子，也就是離子團(tuán)簇。帶弱電在此處的含義是指，原子和/或分子蒸氣中有少量的原子或分子與熱電子碰撞，從而帶有少量的負(fù)電荷。與熱電子碰撞后的團(tuán)簇帶有負(fù)電，在加速電極的作用下，這些離子團(tuán)簇可以獲得一定的速度，能量變大，因而成膜的附著力、致密性和結(jié)晶性得到明顯改善。由于經(jīng)過熱電子處理后的離子團(tuán)簇所帶的電荷為同性電荷，受到庫倫力的作用，相互排斥，團(tuán)簇不會(huì)進(jìn)一步發(fā)生，現(xiàn)有技術(shù)的噴涂法中經(jīng)常出現(xiàn)的多個(gè)原子或分子團(tuán)簇進(jìn)一步團(tuán)聚現(xiàn)象也會(huì)有所改善，從而實(shí)現(xiàn)成膜質(zhì)量的提升。在本發(fā)明中，由于采用熱電子發(fā)生器106形成熱電子區(qū)，受到熱電子碰撞而發(fā)生電離的原子在整個(gè)團(tuán)簇中的比例較少，因此離子團(tuán)簇的荷質(zhì)比較小，因此受到加速電場的加速后，射入襯底的平均能量較低，不會(huì)對襯底或已經(jīng)形成的薄膜造成損傷。并且由于荷質(zhì)比較小，形成的薄膜也很少在膜層的表面形成電荷積累效應(yīng)。此外，本發(fā)明還具有控制方便 的優(yōu)點(diǎn)，通過進(jìn)料量、進(jìn)氣量、加熱溫度、加速電壓、熱電子發(fā)生器的功率、襯底溫度，從而很方便地控制薄膜的生長過程。作為優(yōu)選方案，本實(shí)施例中氣相形成裝置10全部采用耐高溫的陶瓷材料或金屬材料如鑰、耐高溫的合金鋼等。本發(fā)明的薄膜制備裝置通過設(shè)置熱電子區(qū)使原子和/或分子蒸氣中的部分粒子(包括原子、分子或者原子分子團(tuán)簇)能夠帶弱電，防止團(tuán)簇過度聚集，提高成膜質(zhì)量，能使生成的薄膜的膜層致密，附著力強(qiáng)。通過設(shè)置的加速電極，對帶電的粒子加速，能加快沉積速度，提高生成效率。實(shí)施例二圖2為本發(fā)明的薄膜制備裝置的實(shí)施例二的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2中的噴涂腔的底部結(jié)構(gòu)的放大示意圖。如圖2、圖3所示，實(shí)施例二與實(shí)施例一的區(qū)別在于，實(shí)施例二中，氣相形成裝置10的噴涂腔113底部的多個(gè)氣孔204作為噴涂口。由于氣孔204較小，在圖2中，氣孔204用短細(xì)線代替。其中多個(gè)氣孔204均勻排列在噴涂腔113的底部，每個(gè)氣孔204的孔徑為1mm，當(dāng)然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)所需要沉積的薄膜的質(zhì)量要求選取孔徑的數(shù)值，孔徑越小，能通過的微粒越小，薄膜的沉淀質(zhì)量越高，孔徑可在5 u m-5mm內(nèi)進(jìn)行選擇，如 5 u m、100 u m、200 u m、500 u m, 700 u m、1mm、2mm、3mm、4mm 等。在本實(shí)施例中，噴涂腔113的底部使用多孔的金屬材料制成，同時(shí)噴涂腔113的底部還可以充當(dāng)加速電極的負(fù)電極板108，與加速電源110連接。實(shí)施例三實(shí)施例三與實(shí)施例二的區(qū)別在于噴涂腔113的底部使用多孔的陶瓷材料制成，在陶瓷的外表面還設(shè)有金屬層，用作加速電極的負(fù)電極板108。本發(fā)明的薄膜制備裝置配合外部的供料系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、傳動(dòng)系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、控制系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)襯底的動(dòng)態(tài)沉積或靜態(tài)沉積。通過控制氣體流量、進(jìn)料量、加熱腔的溫度、熱電子發(fā)生器的功率、加速電極之間電壓、襯底溫度來實(shí)現(xiàn)對薄膜的可控生長。本發(fā)明的薄膜制備方法，用于把粉料氣化后沉積在襯底上生成薄膜，結(jié)合參考圖I和圖2所示的薄膜制備裝置的實(shí)施例一和實(shí)施例二，所述薄膜制備方法包括如下步驟(I)將用于制備薄膜的粉料和用于運(yùn)載所述粉料的運(yùn)載氣體導(dǎo)入氣相形成裝置的進(jìn)料腔111，所述運(yùn)載氣體推動(dòng)所述粉料從進(jìn)料腔111進(jìn)入加熱腔112 ；(2)所述粉料在加熱腔112中升華形成原子和/或分子蒸氣，所述原子和/或分子蒸氣在所述運(yùn)載氣體的推動(dòng)下向噴涂腔113運(yùn)動(dòng)；作為優(yōu)選，加熱腔112內(nèi)的溫度在500-1200°C之間，可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整。(3)所述原子和/或分子蒸氣經(jīng)設(shè)在所述氣相形成裝置10上的噴涂口進(jìn)入由熱電子發(fā)生器106形成的熱電子區(qū)，所述原子和/或分子蒸氣經(jīng)過所述熱電子區(qū)作用后帶弱電；(4)將帶弱電的所述原子和/或分子蒸氣經(jīng)加速電場加速；(5)經(jīng)過加速的所述原子和/或分子蒸氣運(yùn)動(dòng)至所述襯底上沉積形成薄膜。 所述原子和/或分子蒸氣經(jīng)過氣相形成裝置的噴涂腔113，在噴涂腔113內(nèi)過冷，形成原子或分子團(tuán)簇。作為優(yōu)選，為了保證成膜質(zhì)量，所述粉料在進(jìn)入所述氣相形成裝置10之前經(jīng)過研磨，研磨后的粉料的粒徑不超過lOOym。作為優(yōu)選，所述加速電場為勻強(qiáng)電場，所述勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)為0-200kV/m。本發(fā)明的薄膜制備方法通過使原子和/或分子蒸氣經(jīng)過熱電子區(qū)使原子和/或分子蒸氣中的部分粒子(包括原子、分子或者原子分子團(tuán)簇)能夠帶弱電，防止團(tuán)簇過度聚集，提高成膜質(zhì)量，能使生成的薄膜的膜層致密，附著力強(qiáng)。通過設(shè)置的加速電極，對帶電的粒子加速，能加快沉積速度，提高生成效率。當(dāng)然，以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜制備裝置，用于把粉料氣化后沉積在襯底上生成薄膜，其特征在于，包括用于對所述粉料加熱以形成原子和/或分子蒸氣的氣相形成裝置、用于產(chǎn)生熱電子并通過熱電子使從所述氣相形成裝置輸出的所述原子和/或分子蒸氣中的原子或分子帶弱電的熱電子發(fā)生器和用于產(chǎn)生加速電場使帶弱電的所述原子或分子加速運(yùn)動(dòng)并沉積至所述襯底的加速電極。
2.如權(quán)利要求I所述的薄膜制備裝置，其特征在于，所述氣相形成裝置包括依次設(shè)置并連通的進(jìn)料腔、加熱腔和噴涂腔，其中， 所述進(jìn)料腔未與所述加熱腔連接的一端設(shè)有用于輸入所述粉料的進(jìn)料口和用于輸入運(yùn)載氣體以攜帶所述粉料的進(jìn)氣口； 所述加熱腔的周圍設(shè)有用于加熱所述粉料以使所述粉料形成原子和/或分子蒸氣的加熱元件； 所述噴涂腔的下端設(shè)有所述噴涂口，所述原子和/或分子蒸氣通過所述噴涂口噴出所述氣相形成裝置。
3.如權(quán)利要求I或2所述的薄膜制備裝置，其特征在于，所述加速電極包括位于所述氣相形成裝置設(shè)有噴涂口一側(cè)的負(fù)電極板和與所述負(fù)電極板平行的正電極板；所述熱電子發(fā)生器位于所述正電極板與負(fù)電極板之間，所述襯底位于熱電子發(fā)生器與正電極板之間并平行于所述正電極板。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜制備裝置，其特征在于，所述正、負(fù)電極板之間的電壓在O-IOkV之間并且可調(diào)，所述正、負(fù)電極板之間的距離在5-20cm之間。
5.如權(quán)利要求2所述的薄膜制備裝置，其特征在于，所述進(jìn)料腔從設(shè)有所述進(jìn)料口進(jìn)氣口的一端到與所述加熱腔連接的一端為橫截面逐漸變小的倒喇叭口狀； 所述噴涂腔從與所述加熱腔相連的一端到設(shè)有噴涂口的一端為橫截面逐漸變大的喇口八口狀; 位于所述進(jìn)料腔與噴涂腔之間的所述加熱腔為狹長的腔室。
6.如權(quán)利要求3所述的薄膜制備裝置，其特征在于，所述加熱腔沿所述原子和/或分子蒸氣前進(jìn)方向上的高度在10cm-70cm之間，寬度在lcm_15cm之間。
7.如權(quán)利要求I或2所述的薄膜制備裝置，其特征在于，所述噴涂口為寬度為0.2mm-5mm的狹縫或依次排列的孔徑為5 u m-5mm的多個(gè)氣孔。
8.一種薄膜制備方法，用于把粉料氣化后沉積在襯底上生成薄膜，其特征在于，包括如下步驟 (1)通過運(yùn)載氣體運(yùn)載所述粉料； (2)對所述粉料加熱以形成原子和/或分子蒸氣； (3)讓所述原子和/或分子蒸氣經(jīng)過熱電子區(qū)，使其中的原子或分子在熱電子區(qū)中帶弱電；以及 (4)使帶弱電的所述原子或分子在加速電場中加速運(yùn)動(dòng)并沉積至所述襯底以形成薄膜。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜制備方法，其特征在于，在步驟(2)中，加熱所述粉料的溫度為 500-1200°C。
10.如權(quán)利要求8所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述粉料的粒徑不超過100ym。
11.如權(quán)利要求8所述的薄膜制備方法，其特征在于，所述加速電場為勻強(qiáng)電場，所述勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)為0-200kV/m。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜制備裝置和方法。所述薄膜制備裝置，用于把粉料氣化后沉積在襯底上生成薄膜，包括用于對所述粉料加熱以形成原子和/或分子蒸氣的氣相形成裝置、用于產(chǎn)生熱電子并通過熱電子使從氣相形成裝置輸出的原子和/或分子蒸氣中的原子或分子帶弱電的熱電子發(fā)生器和用于產(chǎn)生加速電場使帶弱電的原子或分子加速運(yùn)動(dòng)并沉積至襯底的加速電極。本發(fā)明還公開了一種薄膜制備方法。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)薄膜可以實(shí)現(xiàn)快速沉積，成膜質(zhì)量高、膜層致密、附著力強(qiáng)、結(jié)晶性強(qiáng)，對襯底及薄膜損傷小，便于控制成膜的過程。
文檔編號C23C14/24GK102776479SQ20111011876
公開日2012年11月14日 申請日期2011年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月9日
發(fā)明者蔣猛 申請人:四川尚德太陽能電力有限公司, 無錫尚德太陽能電力有限公司