專利名稱：銀微粒及其制造方法、與含有該銀微粒的導電性糊劑、導電性膜和電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適合作為可以低溫煅燒的導電性組合物原料用的、被多結(jié)晶化的平均粒徑30 IOOnm的銀微粒及其制造方法與含有該銀微粒的導電性糊劑、導電性膜和電子器件。
背景技術(shù)：
電子器件的電極和電路圖案的形成，通過使用包含金屬顆粒的導電性糊劑，在基板上印刷電極和電路圖案后，加熱煅燒，使導電性糊劑中包含的金屬顆粒燒結(jié)而進行，但近年來有該加熱煅燒溫度低溫化的傾向。例如，作為電子器件的安裝基板，一般因為可以加熱到300°C左右，所以可使用聚酰亞胺制造的撓性基板，但因為耐熱性優(yōu)異的基板昂貴，所以最近研究以較為廉價的 PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)基板或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)基板作為替代材料。但是，PET基板和PEN基板比聚酰胺制造的撓性基板的耐熱性低，必須在200°C以下進行加熱煅燒。另外，如果能夠在比200°C更低的溫度進行加熱煅燒，也就可以在聚碳酸酯或紙等的基板上形成電極和電路圖案，可以期待拓寬各種電極材料等的用途。期待納米級的銀微粒成為可以這樣低溫煅燒的導電性糊劑原料的金屬顆粒。作為其理由，是因為如果金屬顆粒的大小為納米級，則表面活性就變高，熔點遠低于金屬塊，從而可以使其在低溫燒結(jié)。還可以列舉銀微粒在金屬顆粒中也是低電阻，價格上也比其它貴金屬廉價的事實。另外，納米級的銀微?？梢栽诘蜏責Y(jié)，而且也可以期待作為無鉛的焊錫替代材料，其利用了如果一旦燒結(jié)就可以維持耐熱性這一在以往焊錫中沒有的性質(zhì)。至今，作為可以低溫煅燒的銀微粒，提出了亞微粒以下的銀微粒，已知有在表面吸附有己胺的平均粒徑(Dtem) 3 20nm的銀微粒(專利文獻1)、顆粒表面覆蓋了有機保護劑的平均粒徑(Dtem)為50nm以下、單晶度(DTEM/DX)為2. 0以下的銀顆粒(專利文獻2)，平均粒徑(Dtem)為40 lOOnm、單晶度(DTEM/DX)為1 5的銀微粒(專利文獻3)，在顆粒表面附著有Iwt %以下硝酸銀的氨合體配位化合物和胺的平均粒徑為20 IOOnm的銀微粒(專利文獻4)，通過表面處理劑覆蓋的、平均粒徑小于200nm、BET比表面積為1. 0m2/g以上的貴金屬微粒(專利文獻5)，含有小于可溶性金屬、平均粒徑50 lOOnm、BET比表面積為 6 25m2/g的納米粉末(專利文獻6)等。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 日本特開2009-161808號公報專利文獻2 日本特開2007-19055號公報專利文獻3 日本特開2006-183072號公報
專利文獻4 日本特開2009-144197號公報專利文獻5 日本特開2004-43892號公報專利文獻6 日本特表2005-530048號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題為了在低溫燒結(jié)銀微粒，銀微粒必須是活性的，但在上述專利文獻1中所公開那樣的平均顆粒大小為20nm以下的銀微粒的情況下，因為活性過高、不穩(wěn)定，所以必須以大量的有機物包覆。在專利文獻1中，作為包覆物質(zhì)，使用沸點130°C左右的己胺，但即使選擇沸點比較低的包覆物質(zhì)，也難以完全除去大量附著的包覆物質(zhì)。另外，在專利文獻1中，因為在制造銀微粒時施加50 60°C的溫度，所以有銀微粒的微晶粒徑增大的傾向，從而銀微粒內(nèi)部的反應(yīng)性變低，不利于低溫燒結(jié)。另外，在上述專利文獻2中，記載著顆粒表面由有機保護劑包覆的平均粒徑(Dtem) 為50nm以下、單晶度(Dtem/Dx)為2. 0以下的銀顆粒，但由于與上述同樣，為(DTEM/DX)為2. 0 以下、單晶度高的銀顆粒，所以銀微粒內(nèi)部的反應(yīng)性低，不利于低溫燒結(jié)。另外，在上述專利文獻3中記載了平均粒徑為40 lOOnm、單晶度(DTEM/DX)為1 5的銀微粒，但因為在制造銀微粒上，將溫度調(diào)整在40°C左右，所以銀微粒的微晶粒徑有增大的傾向。因此銀微粒內(nèi)部的反應(yīng)性變低，不利于低溫燒結(jié)。另外，在上述專利文獻4中記載了在顆粒表面附著有以下的硝酸銀的氨合體配位化合物和胺的、平均粒徑為20 100nm的銀微粒，但由于沒有考慮還原反應(yīng)中的反應(yīng)溫度，還由于在40°C加熱干燥而微晶粒徑有增大的傾向，所以銀微粒內(nèi)部的反應(yīng)性變低， 不利于低溫燒結(jié)。另外，在上述專利文獻5中記載了由表面處理劑包覆的、平均粒徑小于200nm、BET 比表面積為1.0m2/g以上的貴金屬微粒，但因為包覆顆粒表面的表面處理劑都是高沸點物質(zhì)，所以即使在專利文獻5的實施例中，在200°C的加熱條件也有表面處理劑殘留，難以在以低溫燒結(jié)為目的的導電性糊劑的原料中使用。另外，因為相對于顆粒尺寸，BET比表面積值小而表面活性低，所以不利于低溫燒結(jié)。另外，在上述專利文獻6中記載了含有小于可溶性金屬的平均粒徑為50 lOOnm.BET比表面積為6 25m2/g的納米粉末，但由于含有來自制造方法的可溶性金屬，在使用專利文獻6所示的納米粉末得到的燒結(jié)體中含有抑制導電性的雜質(zhì)金屬，所以難以得到具有所希望的高導電性的燒結(jié)體。另外，由于燒結(jié)被存在的可溶性金屬阻礙，所以難以在低溫燒結(jié)ο因此，本發(fā)明的技術(shù)性課題在于提供適合作為可以低溫燒結(jié)的導電性糊劑的原料用的、平均粒徑30 IOOnm的被多結(jié)晶化的銀微粒。用于解決課題的方法上述技術(shù)性課題，能夠通過如下的本發(fā)明完成。即，本發(fā)明是一種銀微粒，其特征在于，平均粒徑(Dsem)為30 lOOnm，多結(jié)晶度 [平均粒徑(Dsem)和微晶粒徑(Dx)之比(Dsem/Dx)]為2. 8以上(本發(fā)明1)。另外，本發(fā)明是一種本發(fā)明1的銀微粒，其中，由加熱產(chǎn)生的微晶粒徑的變化率[(在150°C加熱30分鐘后的銀微粒的微晶粒徑/加熱前銀微粒的微晶粒徑)X 100]是 150%以上(本發(fā)明2)。另外，本發(fā)明是一種本發(fā)明1或2的銀微粒，其中，銀微粒的BET比表面積值(SSA) (m2/g)和平均粒徑(Dsem)具有下述式(1)關(guān)系(本發(fā)明3)。(SSA) (m2/g)彡"0. 05XDSEM+7. 4...... (1)另外，本發(fā)明是一種銀微粒的制造方法，其用于制造本發(fā)明的1 3中任一項記載的銀微粒，其特征在于，在溶解有抗壞血酸或異抗壞血酸的水-醇混合溶劑中添加硝酸銀的胺配位化合物的醇溶液并使其還原析出，該硝酸銀的胺配位化合物使用硝酸銀和1種以上水溶性或水可溶性、沸點200°C以下的胺配制得到，將得到的銀微粒分離、清洗后，在溫度 300C以下通過真空干燥使銀微粒干燥(本發(fā)明4)。另外，本發(fā)明是一種本發(fā)明4中記載的銀微粒的制造方法，其中，在溫度30°C以下進行直到獲得銀微粒為止的全部工序(本發(fā)明5)。另外，本發(fā)明是一種包含本發(fā)明1 3中任一項記載的銀微粒的導電性糊劑(本發(fā)明6)。另外，本發(fā)明是使用本發(fā)明6的導電性糊劑所形成的導電性膜(本發(fā)明7)。另外，本發(fā)明是具有本發(fā)明7的導電性膜的電子器件(本發(fā)明8)發(fā)明的效果本發(fā)明的銀微粒，因為平均粒徑為30 lOOnm，所以不必如單(single)納米級銀微粒那樣用大量有機物包覆表面，另外，因為多結(jié)晶度為2. 8以上而顆粒內(nèi)部的活性高，所以即使在低溫也可以進行銀微粒之間的燒結(jié)，因此適合作為可以低溫燒結(jié)的導電性糊劑等的原料。
具體實施例方式如下更詳細地說明本發(fā)明的構(gòu)成。首先，說明本發(fā)明的銀微粒。本發(fā)明的銀微粒，其特征在于，平均粒徑(Dsem)為30 lOOnm、多結(jié)晶度[平均粒徑(Dsem)和微晶粒徑(Dx)之比(Dsem/Dx)]為2. 8以上。本發(fā)明的銀微粒的平均粒徑(Dsem)為30 lOOnm，優(yōu)選為40 lOOnm，更優(yōu)選為 50 lOOnm。平均粒徑(Dsem)小于30nm時，銀微粒具有的表面活性變高，為了穩(wěn)定地維持其微細的粒徑就必須使大量有機物等附著，故而不優(yōu)選。另外，平均粒徑(Dsem)大于IOOnm 時，由于銀微粒具有的表面活性變低，損害低溫燒結(jié)性，故而不優(yōu)選。本發(fā)明的銀微粒的多結(jié)晶度[平均粒徑(Dsem)和微晶粒徑(Dx)之比(Dsem/Dx)]優(yōu)選為2. 8以上，更優(yōu)選為3. O以上，更加優(yōu)選為3. 2以上。在多結(jié)晶度小于2. 8時，因為銀微粒中的微晶粒徑變大而接近于單晶，所以銀微粒中的反應(yīng)性下降，損害低溫燒結(jié)性，故而不優(yōu)選。上述多結(jié)晶度的上限值為10左右，更優(yōu)選為8左右。本發(fā)明的銀微粒由加熱產(chǎn)生的微晶粒徑變化率[(在150°C加熱30分鐘后的銀微粒的微晶粒徑/加熱前銀微粒的微晶粒徑)X 100]為150%以上。在微晶粒徑變化率小于 150%時，難以說低溫燒結(jié)性優(yōu)異。在本發(fā)明中，優(yōu)選即使在120°C加熱30分鐘時，微晶粒徑變化率也為150%以上，更優(yōu)選即使在100°C加熱30分鐘時，微晶粒徑變化率也為150%以上。本發(fā)明的銀微粒的BET比表面積值(SSA)在由下述式(1)表示的范圍內(nèi)。在BET 比表面積值(SSA)比下述式(1)的范圍小時，因為在銀微粒表面通過大量有機物處理而表面活性下降，所以難以得到良好的低溫燒結(jié)性。(SSA) (m2/g)彡"0. 05XDSEM+7. 4...... (1)本發(fā)明的銀微粒的顆粒形狀優(yōu)選是球狀或粒狀。本發(fā)明的銀微粒的雜質(zhì)金屬優(yōu)選為500ppm以下，更優(yōu)選為200ppm以下，更加優(yōu)選為IOOppm以下。雜質(zhì)金屬含量大于500ppm時，因為在使用這樣的銀微粒得到的燒結(jié)體中包含抑制導電性的雜質(zhì)金屬，所以難以得到具有所希望的高導電性的燒結(jié)體。另外，因為燒結(jié)被存在的雜質(zhì)金屬阻礙，所以難以在低溫燒結(jié)。本發(fā)明的銀微粒，只要在滿足上述特性的范圍，也可以進行表面處理。作為表面處理劑，優(yōu)選沸點200°C以下的醇或胺。作為醇，能夠使用乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、庚醇、 辛醇、乙二醇等。另外，作為胺，能夠使用氨、甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、一乙醇胺等。在銀微粒施加表面處理時，包覆或附著的胺和/或醇的量為1重量％以下。大于 1重量％時，因為低溫燒結(jié)性下降，故而不優(yōu)選。更優(yōu)選為0. 9重量％以下，更加優(yōu)選為0. 8 重量％以下。接著，說明本發(fā)明的銀微粒的制造方法。本發(fā)明的銀微粒能夠在溶解有抗壞血酸或異抗壞血酸的水-醇混合溶劑中添加硝酸銀的胺配位化合物的醇溶液并使其還原析出，該硝酸銀的胺配位化合物使用硝酸銀和 1種以上水溶性或水可溶性、沸點200°C以下的胺配制得到，將得到的銀微粒分離、清洗后， 在溫度30°C以下由真空干燥使銀微粒干燥而得到。另外，在制造銀微粒的全部工序中，優(yōu)選在溫度30°C以下進行。由此就容易維持規(guī)定的銀微粒的多結(jié)晶度。作為本發(fā)明中的水溶性或水可溶性、沸點200°C以下的胺，能夠使用丁胺、丙胺、一乙醇胺等。在這里，所謂水溶性是指與水任意地混合，所謂水可溶性是指以一定程度的溶解度溶解于水。作為本發(fā)明中的醇，能夠使用和水具有相溶性的醇。考慮后續(xù)工序的在溫度30°C 以下通過真空干燥的除去，更優(yōu)選沸點為100°c以下的醇。具體而言，能夠使用甲醇、乙醇、 丙醇和異丙醇等，優(yōu)選是甲醇和乙醇。這些醇既可以單獨使用，也可以混合使用。以下，作為水溶性或水可溶性、沸點200°C以下的胺的代表，記述了使用丁胺的例子，但丙胺、一乙醇胺等的胺也可以同樣配制。另外，在水-醇混合溶劑中通過抗壞血酸或異抗壞血酸，將使用上述硝酸銀和1種以上水溶性或水可溶性、沸點200°C以下的胺配制的硝酸銀的氨合體配位化合物的醇溶液還原，只要以此為特征的基本概念相同，就不受以下的條件限定。例如，甲醇量和水量，其最佳體積比例隨著在使用的胺溶液中的溶解性、反應(yīng)容器和攪拌結(jié)構(gòu)而變化。首先，由硝酸銀和丁胺，在醇溶劑中使硝酸銀的氨合體配位化合物形成。相對硝酸銀，丁胺優(yōu)選為2. 0 2. 5當量，更優(yōu)選為2. 0 2. 3當量。在丁胺量相對于硝酸銀小于 2. 0當量時，有容易生成大顆粒的傾向。然后，在水中使作為還原劑的抗壞血酸或異抗壞血酸溶解后，添加并混合醇。相對硝酸銀，抗壞血酸或異抗壞血酸優(yōu)選為1. 0 2. 0當量，更優(yōu)選為1. 0 1. 8當量。在抗壞血酸或異抗壞血酸大于2. 0當量時，因為生成的硝酸銀之間易于凝集，故而不優(yōu)選。接著，在溶解有抗壞血酸或異抗壞血酸的水-醇溶液中滴加形成有硝酸銀的氨合體配位化合物的醇溶液，通過進行還原反應(yīng)使銀微粒析出。還原反應(yīng)中的反應(yīng)溫度在15 30°C的范圍，更優(yōu)選為18 30°C。反應(yīng)溫度高于30°C時，由于微晶粒徑變大，得到的銀微粒接近于單晶，故而不優(yōu)選。滴加結(jié)束后，繼續(xù)攪拌1小時以上后，通過靜置使銀微粒沉降，由傾析除去上清液后，使用醇和水清洗剩余的還原劑、丁胺、硝酸銀等。將清洗后的銀微粒在溫度30°C以下真空干燥后，通過由通常方法粉碎，能夠得到本發(fā)明的銀微粒。在干燥溫度高于30°C時，由于微晶粒徑變大，得到的銀微粒接近于單晶， 故而不優(yōu)選。接著，說明包含本發(fā)明的銀微粒的導電性糊劑。本發(fā)明的導電性糊劑由本發(fā)明的銀微粒和溶劑構(gòu)成，根據(jù)需要，也可以配合粘合樹脂、固化劑、分散劑、流變學調(diào)節(jié)劑等其他成分。作為粘合樹脂，能夠使用在該領(lǐng)域中公知的粘合樹脂，例如，可以列舉乙基纖維素、硝基纖維素等纖維素類樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯改性聚酯樹脂、環(huán)氧改性聚酯樹脂、丙烯酸改性聚酯樹脂等各種改性聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、丙烯酸樹月旨、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、醇酸樹脂、丁醛樹脂、聚乙烯醇、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺等。這些粘合樹脂，既可以單獨使用，也可以并用2種以上。作為溶劑，可以能夠在該領(lǐng)域中公知的溶劑，例如，可以列舉十四碳烷、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙基苯、異丙苯、戊基苯、對異丙基甲苯、四氫化萘和石油類芳香族烴混合物等烴類溶劑，乙二醇一乙基醚、乙二醇一丁基醚、丙二醇一甲基醚、丙二醇一乙基醚、丙二醇一正丁基醚、丙二醇一叔丁基醚、一縮二乙二醇一乙基醚、一縮二乙二醇一丁基醚、一縮二丙二醇一甲基醚、一縮二丙二醇一丁基醚、三縮三丙二醇一甲基醚等的醚或二醇醚類溶劑，乙二醇一甲基醚乙酸酯、乙二醇一乙基醚乙酸酯、乙二醇一丁基醚乙酸酯、丙二醇一甲基醚乙酸酯、丙二醇一乙基醚乙酸酯等二醇酯類溶劑，甲基異丁酮、環(huán)己酮等酮類溶劑，萜品醇、沉香醇、香葉醇、玫瑰醇等的萜烯醇，正丁醇、仲丁醇、叔丁醇等的醇類溶劑，乙二醇、一縮二乙二醇等二醇類溶劑，γ-丁內(nèi)酯和水等。溶劑既可以單獨使用，也可以并用2種以上。導電性糊劑中的銀微粒含量根據(jù)用途各種各樣，例如，在形成配線用途的情況等時，優(yōu)選盡可能接近100重量％。本發(fā)明的導電性糊劑能夠通過使用擂潰機、球磨機、三輥研磨機、旋轉(zhuǎn)式混合機、 二軸攪拌機等各種混煉機、分散機，使各種成分混合、分散而得到。此時，在得到導電性糊劑的工序中，為了維持規(guī)定的銀微粒的多結(jié)晶度(為了微晶粒徑不變大，和不使得到的銀微粒接近于單晶)，優(yōu)選在30°C以下進行各操作。本發(fā)明的導電性糊劑，可以適用于網(wǎng)版印刷、噴墨法、凹版印刷、轉(zhuǎn)印印刷、輥涂、 澆涂、噴涂、旋涂、浸涂、刮涂、鍍覆等各種涂布方法。另外，本發(fā)明的導電性糊劑，能夠作為FPD (平板顯示器)、太陽能電池、有機EL等的電極形成和LSI基板的配線形成材料使用，還能夠作為微細的溝、導通孔、接觸孔的埋入等的配線形成材料使用。另外，當然適合于疊層陶瓷電容器和疊層感應(yīng)器的內(nèi)部電極形成用等高溫時的煅燒用途，由于可以低溫煅燒，所以適合作為在撓性基板或IC卡、其它基板上的配線形成材料和電極形成材料。另外，也能夠作為導電性覆蓋膜，在電磁波屏蔽膜和紅外線反射屏蔽等中使用。在電子安裝中也可以作為零件安裝用接合材料使用。< 作用 >在本發(fā)明中，重點是平均粒徑(Dsem)為30 lOOnm，多結(jié)晶度[平均粒徑(Dsem)和微晶粒徑(Dx)之比(Dsem/Dx)]為2. 8以上的銀微?？梢缘蜏仂褵氖聦?。關(guān)于本發(fā)明的銀微粒低溫燒結(jié)性優(yōu)異的理由，本發(fā)明人作如下的考慮。即，為了在低溫燒結(jié)銀微粒，銀微粒必須是活性的，但因為平均顆粒大小在20nm以下時，活性過高而不穩(wěn)定，所以通常必須用大量的有機物包覆，由于該包覆物通常是高分子而不能在低溫除去，所以難以降低煅燒溫度。作為不必用大量有機物包覆、表面活性盡可能高的顆粒尺寸， 可以考慮30 lOOnm，但在以往有該顆粒尺寸銀微粒的情況下，作為用于在低溫燒結(jié)的表面活性能不夠，低溫煅燒困難。本發(fā)明的銀微粒的情況下，可以認為通過顆粒內(nèi)部，即銀微粒不是單晶而由多晶體構(gòu)成時，顆粒內(nèi)部的能量變高，因而變得可以低溫煅燒。實施例接下來，使用以下的實施例，更詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不受以下的實施例限定。表示以下的實施例中的評價方法。銀微粒的平均粒徑使用掃描型電子顯微鏡“S-4800” (日立生產(chǎn))、拍攝顆粒的照片，使用該照片對于100個以上的顆粒測定粒徑，算出其平均值，作為平均粒徑(Dsem)。銀微粒的比表面積，由使用“Monosorb MS-ll”(Quantachrome有限公司生產(chǎn))，通過BET法測定的值表示。銀微粒的微晶粒徑(Dx)，使用X射線衍射裝置“RINT2500”(株式會社Rigaku生產(chǎn))，求出以Cu的Ka線為線源的晶面指數(shù)(1，1，1)面峰的半值寬度，式計算
微晶粒徑。銀微粒的多結(jié)晶度，以平均粒徑(Dsem)和微晶粒徑(Dx)之比(Dsem/Dx)表示。銀微粒由加熱產(chǎn)生的微晶粒徑變化率(％ )，是使用在150°C加熱銀微粒30分鐘后的微晶粒徑和加熱前銀微粒的微晶粒徑，按照下述數(shù)1算出的值。另外，將加熱條件改變?yōu)樵?20°C 30分鐘、在100°C 30分鐘時也同樣操作，求出微晶粒徑的變化率。微晶粒徑的變化率(％ )=加熱后銀微粒的微晶粒徑/加熱前銀微粒的的微晶粒徑 X 100銀微粒的雜質(zhì)金屬含量，使用“電感耦合等離子體發(fā)光分光分析裝置 SPS4000” (Seiko電子工業(yè)株式會社生產(chǎn))測定，用在除去Ag以外、含量多的元素中，前3 位元素的合計量表示。導電性涂膜的電阻率，在聚酯膜上涂布后述的導電性糊劑，在120°C預(yù)干燥后，對于通過在150°C加熱30分鐘固化而得到的導電性膜，使用4端子電阻測定裝置“Loresta GP/MCP-T610” (株式會社DIAINSTRUMENTS生產(chǎn))測定，由片電阻和膜厚算出電阻率。<實施例1-1 銀微粒的制造>在500mL的燒杯中加入40g硝酸銀和200mL甲醇后，邊在水浴中冷卻邊添加、攪拌 37. 9g正丁胺，配制A液。另外，在2L燒杯中量取62. 2g異抗壞血酸，加入400mL水攪拌溶解后，加入200mL甲醇，配制B液。接著，邊攪拌B液邊在B液中以1小時20分鐘滴加A液。滴加中，調(diào)節(jié)反應(yīng)溫度
8保持在25°C。滴加結(jié)束后，攪拌14小時后，靜置30分鐘，使固體物沉降。由傾析除去上清液后，使用濾紙抽濾，接著，使用甲醇和純水清洗、過濾。在真空干燥機中將得到的銀微粒固體物在30°C干燥6小時后，由通常方法粉碎，得到實施例1-1的銀微粒。另外，將上述各處理中的溫度調(diào)節(jié)為不高于30°C .得到的銀微粒的平均粒徑(Dsem)為82. 5nm,微晶粒徑(Dx)為21. 3nm，多結(jié)晶度 (Dsem/Dx) % 3. 9，BET比表面積值為5. 3m2/g，微晶粒徑的變化率(150°C X 30分鐘)為對5%， 可溶性金屬的含量小于50ppm。<實施例2-1 導電性糊劑的制造>相對100重量份本發(fā)明的銀微粒，加入11. 0重量份聚酯樹脂和1. 4重量份固化齊U，并加入一縮二乙二醇一乙醚使導電性糊劑中的銀微粒含量成為70wt%，進行預(yù)混合后， 使用3輥研磨機進行均勻混煉、分散處理，得到導電性糊劑。另外，將為了得到導電性糊劑的上述各工序的溫度調(diào)節(jié)為不高于30°C。得到的導電性涂膜的電阻率是5. 5X 10_5Ω · cm。按照上述實施例1-1和實施例2-1，制作銀微粒和導電性糊劑。表示各制造條件、 得到的銀微粒末和導電性糊劑的各項特性。實施例1-2 1-4和比較例1-1 1-2通過將銀微粒的生成條件進行各種改變，得到銀微粒。在表1中表示此時的制造條件，在表2中表示得到的銀微粒的各項特性。
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權(quán)利要求
1.一種銀微粒，其特征在于其平均粒徑(Dsem)為30 lOOnm，多結(jié)晶度[平均粒徑(Dsem)和微晶粒徑(Dx)之比 (Dsem/Dx)]為 2.8 以上。
2.如權(quán)利要求1所述的銀微粒，其特征在于由加熱產(chǎn)生的微晶粒徑變化率[(在150°C加熱30分鐘后銀微粒的微晶粒徑/加熱前銀微粒的微晶粒徑)X 100]是150%以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的銀微粒，其特征在于銀微粒的BET比表面積值(SSA) (m2/g)和平均粒徑(Dsem)具有下述式(1)的關(guān)系，(SSA) (m2/g)彡-0. 05XDsem+7. 4......(1)。
4.一種銀微粒的制造方法，其用于制造權(quán)利要求1 3中的任一項所述的銀微粒，其特征在于在溶解有抗壞血酸或異抗壞血酸的水-醇混合溶劑中，添加硝酸銀的胺配位化合物的醇溶液并使其還原析出，該硝酸銀的胺配位化合物使用硝酸銀和1種以上水溶性或水可溶性的、沸點200°C以下的胺制備得到，將得到的銀微粒分離、清洗后，在溫度30°C以下由真空干燥使銀微粒干燥。
5.如權(quán)利要求4所述的銀微粒的制造方法，其特征在于在溫度30°C以下進行直到獲得銀微粒為止的全部工序。
6.一種包含權(quán)利要求1 3中的任一項所述的銀微粒導電性糊劑。
7.一種使用權(quán)利要求6所述的導電性糊劑形成的導電性膜。
8.一種具有權(quán)利要求7所述的導電性膜的電子器件。
全文摘要
通過在溶解有抗壞血酸或異抗壞血酸的水-醇混合溶劑中添加硝酸銀的胺配位化合物的醇溶液并使其還原析出，該硝酸銀的胺配位化合物使用硝酸銀和1種以上水溶性或水可溶性的、沸點200℃以下的胺制備得到，將得到的銀微粒分離、清洗后，在溫度30℃以下由真空干燥或真空凍結(jié)干燥，就能夠得到平均粒徑(DSEM)為30～100nm、多結(jié)晶度[平均粒徑(DSEM)和微晶粒徑(DX)之比(DSEM/DX)]為2.8以上的銀微粒。得到的銀微粒是適合作為可以低溫煅燒的導電性糊劑等的原料的、平均粒徑為30～100nm的被多結(jié)晶化的銀微粒。
文檔編號B22F9/24GK102470436SQ201080026319
公開日2012年5月23日 申請日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月2日
發(fā)明者大杉峰子, 林一之, 柿原康男, 森井弘子 申請人:戶田工業(yè)株式會社