專利名稱：一種基片承載裝置及應(yīng)用該裝置的基片處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子加工技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種基片承載裝置及應(yīng)用該裝置的基片處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
在微電子產(chǎn)品制造領(lǐng)域中，金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積技術(shù)(Metal Organic Chemical Vapor D印osition，以下簡(jiǎn)稱MOCVD)是一種生產(chǎn)LED產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)。自MOCVD設(shè)備誕生以來，工藝腔室及其內(nèi)部組件一直被視為其核心部件。在生產(chǎn)工藝中，腔室內(nèi)的氣流場(chǎng)和熱場(chǎng)的分布情況是決定外延工藝質(zhì)量的關(guān)鍵因素；要想獲得均勻的氣流場(chǎng)及熱場(chǎng)分布，就需要合理的腔室結(jié)構(gòu)，因而對(duì)于工藝腔室的結(jié)構(gòu)改進(jìn)和創(chuàng)新一直是技術(shù)人員的努力重點(diǎn)。經(jīng)過多年探索，工藝腔室已形成了較為成熟的兩類腔室結(jié)構(gòu)，分別為水平式和垂直式腔室。下面將結(jié)合圖1A、圖IB及圖2對(duì)上述兩種結(jié)構(gòu)的工藝腔室分別舉例說明。請(qǐng)一并參閱圖IA和圖1B，為一種已知的MOCVD水平式工藝腔室結(jié)構(gòu)。位于工藝腔室中央位置處的進(jìn)氣裝置可向四周水平方向上均勻分配工藝氣體，在進(jìn)氣裝置下方設(shè)置有行星式托盤結(jié)構(gòu)。該行星式托盤具體包括一個(gè)大托盤4及均勻地設(shè)置于大托盤4圓周上的多個(gè)小托盤3。大托盤4可繞其中心軸旋轉(zhuǎn)，小托盤3在氣流推動(dòng)下發(fā)生自轉(zhuǎn)，基片被置于各個(gè)小托盤3上并與之同步旋轉(zhuǎn)，從而形成上述行星式旋轉(zhuǎn)。請(qǐng)參閱圖2，為一種已知的MOCVD垂直式工藝腔室結(jié)構(gòu)。該工藝腔室12中設(shè)有一個(gè)可旋轉(zhuǎn)的托盤16，基片32被置于該托盤16上并隨之同步旋轉(zhuǎn)；工藝氣體通過托盤16上方的進(jìn)氣系統(tǒng)垂直向下注入，并在托盤16上方進(jìn)行混合而在基片32表面發(fā)生反應(yīng)形成所需的外延膜層。上述兩種不同結(jié)構(gòu)的工藝腔室均能在一定程度上滿足工藝均勻性的要求，但是， 二者又分別不可避免地存在下述缺陷。其一，上述水平式工藝腔室中的小托盤實(shí)現(xiàn)行星式旋轉(zhuǎn)是依靠氣流對(duì)其推動(dòng)而實(shí)現(xiàn)的，而該設(shè)備經(jīng)過一段時(shí)間的工藝運(yùn)行之后就會(huì)產(chǎn)生氣路堵塞，造成小托盤無法旋轉(zhuǎn)，從而將影響腔室內(nèi)氣流場(chǎng)及熱場(chǎng)分布的均勻性，進(jìn)而降低產(chǎn)品良率。此時(shí)，就必須停機(jī)對(duì)設(shè)備進(jìn)行維護(hù)，以清理氣路中堵塞的部分。因此，該設(shè)備存在運(yùn)行穩(wěn)定性差、維護(hù)周期短等的缺點(diǎn)ο其二，應(yīng)用上述垂直式工藝腔室能夠避免氣流堵塞的問題，但是，該設(shè)備在進(jìn)行工藝時(shí)，基片僅隨托盤進(jìn)行公轉(zhuǎn)，這樣就會(huì)嚴(yán)重限制基片附近的氣流場(chǎng)及熱場(chǎng)的分布均勻性， 進(jìn)而對(duì)設(shè)備所能達(dá)到的工藝均勻性造成影響。因此，該垂直式工藝腔室將無法滿足對(duì)工藝均勻性要求較高的生產(chǎn)需求。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種基片承載裝置，其能夠滿足較高的均勻性要求，并且具有維護(hù)周期長(zhǎng)等的優(yōu)點(diǎn)。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種基片處理設(shè)備，其同樣能夠滿足較高的均勻性要求，并且具有維護(hù)周期長(zhǎng)等的優(yōu)點(diǎn)。為此，本發(fā)明提供一種基片承載裝置，包括基座、分布于基座上的用于承載基片的多個(gè)托盤，以及與基座及托盤相連接的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，用于驅(qū)動(dòng)基座及托盤進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。其中，基座和托盤在旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行行星式旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。其中，基座和托盤在旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行各自獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。其中，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)電機(jī)和傳動(dòng)部。其中，傳動(dòng)部包括旋轉(zhuǎn)軸及傳動(dòng)齒輪；其中，旋轉(zhuǎn)軸包括基座旋轉(zhuǎn)軸和與托盤數(shù)量相對(duì)應(yīng)的托盤旋轉(zhuǎn)軸，傳動(dòng)齒輪將驅(qū)動(dòng)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)力傳輸至各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸，以驅(qū)動(dòng)基座及托盤進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。其中，基座上設(shè)置有多個(gè)托盤軸孔，托盤旋轉(zhuǎn)軸穿過基座上的托盤軸孔而與托盤相連接。優(yōu)選地，基片承載裝置還包括設(shè)置在基座下方的隔熱部。優(yōu)選地，基座旋轉(zhuǎn)軸為空心結(jié)構(gòu)，在基座旋轉(zhuǎn)軸的內(nèi)部設(shè)置有中心進(jìn)氣部，用于向托盤表面噴射工藝氣體。此外，本發(fā)明還提供一種基片處理設(shè)備，包括工藝腔室，在工藝腔室的內(nèi)部設(shè)置有上述本發(fā)明提供的基片承載裝置，用以在工藝過程中承載基片。其中，該基片處理設(shè)備包括金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積設(shè)備。本發(fā)明具有下述有益效果本發(fā)明所提供的基片承載裝置包括基座、分布于基座上的多個(gè)用于承載基片的托盤，以及與基座及托盤相連接的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；借助該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)能夠驅(qū)動(dòng)上述基座及托盤進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)以獲得均勻的基片工藝質(zhì)量，且該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)在運(yùn)動(dòng)過程中不依靠任何氣體動(dòng)力源，因而不存在由于氣路堵塞而導(dǎo)致的運(yùn)行穩(wěn)定性問題，故無需經(jīng)常對(duì)該基片承載裝置進(jìn)行維護(hù)。因此，應(yīng)用本發(fā)明提供的基片承載裝置進(jìn)行基片處理工藝時(shí)，具有工藝均勻、穩(wěn)定性高及維護(hù)周期長(zhǎng)等的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明提供的基片處理設(shè)備包括工藝腔室及設(shè)置于工藝腔室中的上述本發(fā)明提供的基片承載裝置；借助上述基片承載裝置進(jìn)行基片處理工藝時(shí)，不僅可獲得均勻的基片工藝質(zhì)量，而且還具有運(yùn)行穩(wěn)定性高、維護(hù)周期長(zhǎng)等的優(yōu)點(diǎn)。


圖IA為一種已知的MOCVD水平式工藝腔室結(jié)構(gòu)；圖IB為圖IA中在A-A截面的剖視圖；圖2為一種已知的MOCVD垂直式工藝腔室結(jié)構(gòu)；圖3為本發(fā)明提供的基片承載裝置的一個(gè)具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖4為本發(fā)明提供的基片處理設(shè)備的一個(gè)具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的基片承載裝置及應(yīng)用該基片承載裝置的基片處理設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。本發(fā)明提供的基片承載裝置包括基座、分布于基座上的多個(gè)托盤以及與上述基座及托盤相連接的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。借助該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)能夠持續(xù)、穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)基座及托盤進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，從而保證在基片處理過程中的氣流場(chǎng)及熱場(chǎng)分布均勻性。具體地，可以使上述基座及托盤在旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行行星式旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)；或者， 也可以使上述基座及托盤在旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行相互獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)；優(yōu)選地，是使二者進(jìn)行行星式旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，并且使各個(gè)托盤的旋轉(zhuǎn)方向及轉(zhuǎn)速一致，從而使各個(gè)托盤上所承載的基片所受到的氣流場(chǎng)及熱場(chǎng)分布均趨于一致，以獲得良好的基片工藝的均勻性?？梢岳斫獾氖?，在實(shí)際應(yīng)用中，還可以將上述基座及托盤的旋轉(zhuǎn)方式設(shè)置為其它多種形式，并且凡是借助旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)而驅(qū)動(dòng)基座及托盤進(jìn)行旋轉(zhuǎn)并有益于工藝均勻性的旋轉(zhuǎn)方式均應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。請(qǐng)參閱圖3，為本發(fā)明提供的基片承載裝置的一個(gè)具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中，基片承載裝置包括圓形的基座11及均勻分布于基座11圓周上的多個(gè)托盤13，具體為，在基座11圓周方向設(shè)置有多個(gè)與托盤13形狀相適配的凹槽19，從而將各個(gè)托盤13置于上述凹槽19中。在基座11的大致中心位置處設(shè)置有基座軸孔17，同時(shí)在上述各個(gè)凹槽 19的大致中心位置處設(shè)置有托盤軸孔18。借助上述基座軸孔17以及多個(gè)托盤軸孔18可將基座11及多個(gè)托盤13與旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)相連接，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)基座11及托盤13的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)主要包括驅(qū)動(dòng)電機(jī)20和傳動(dòng)部。其中，傳動(dòng)部進(jìn)一步又包括多個(gè)旋轉(zhuǎn)軸 (12,14)及傳動(dòng)齒輪Ql、22、23、M)。旋轉(zhuǎn)軸包括用于連接基座11的基座旋轉(zhuǎn)軸12，和用于連接多個(gè)托盤13的且與托盤13數(shù)量相對(duì)應(yīng)的托盤旋轉(zhuǎn)軸14。上述傳動(dòng)齒輪通過一定的嚙合關(guān)系將驅(qū)動(dòng)電機(jī)20的驅(qū)動(dòng)力傳輸至各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸，以驅(qū)動(dòng)上述基座11及托盤13進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。本實(shí)施例中，采用行星式齒輪傳動(dòng)機(jī)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)對(duì)基座11及托盤13的驅(qū)動(dòng)，具體如下驅(qū)動(dòng)電機(jī)20的轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接有動(dòng)力齒輪21，該動(dòng)力齒輪21與基座齒輪22嚙合；基座齒輪22的中心孔固定地套裝在基座旋轉(zhuǎn)軸12的下端，從而驅(qū)動(dòng)基座11旋轉(zhuǎn)；基座11在旋轉(zhuǎn)的同時(shí)會(huì)帶動(dòng)多個(gè)托盤13隨之進(jìn)行公轉(zhuǎn)，此時(shí)，與托盤13相連接的托盤旋轉(zhuǎn)軸14及與該托盤旋轉(zhuǎn)軸14固定連接的托盤齒輪M同樣將隨之進(jìn)行公轉(zhuǎn)，同時(shí)，由于托盤齒輪M與定齒輪23相嚙合，因此，當(dāng)托盤齒輪M圍繞該定齒輪23進(jìn)行公轉(zhuǎn)的同時(shí)，將受到該定齒輪 23的嚙合力的作用進(jìn)行自傳；這樣，就實(shí)現(xiàn)了使托盤13進(jìn)行公轉(zhuǎn)的同時(shí)繞其自身的旋轉(zhuǎn)軸進(jìn)行自轉(zhuǎn)的行星式旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)?？梢岳斫獾氖?，上述定齒輪23例如可以與工藝腔室中的支架或其它固定及支撐結(jié)構(gòu)進(jìn)行固定連接；以及，當(dāng)需要改變上述行星式旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的轉(zhuǎn)速比時(shí)，可以通過更改各個(gè)嚙合齒輪的傳動(dòng)比而實(shí)現(xiàn)。還可以理解的是，本實(shí)施例中所采用的用于實(shí)現(xiàn)行星式旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的齒輪傳動(dòng)結(jié)構(gòu)僅僅是為了說明本發(fā)明實(shí)現(xiàn)原理的一種示范性結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不局限于此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可在此基礎(chǔ)上對(duì)上述行星式傳動(dòng)機(jī)構(gòu)作出多種變形和改進(jìn)，而凡是基于本發(fā)明的原理及實(shí)質(zhì)所作出的變形和改進(jìn)均應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。此外，在本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例中，還可以將該傳動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置為使基座及托盤分別進(jìn)行獨(dú)立旋轉(zhuǎn)的方式。具體地，可以為基座及各個(gè)托盤分別設(shè)置不同的驅(qū)動(dòng)電機(jī)，并對(duì)各個(gè)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的運(yùn)行方向及轉(zhuǎn)速進(jìn)行獨(dú)立控制；或者，還可以通過設(shè)置其它形式的傳動(dòng)方式而實(shí)現(xiàn)對(duì)基座及托盤的獨(dú)立旋轉(zhuǎn)控制。在本發(fā)明提供的基片承載裝置另一個(gè)實(shí)施例中，在基座下方還設(shè)置有隔熱部，用于使基座及托盤與下方的傳動(dòng)齒輪等組件實(shí)現(xiàn)熱隔離。如圖3所示，在實(shí)際應(yīng)用中，上述隔熱部例如可以采用一種石英材質(zhì)的隔熱窗30，該隔熱窗30上同樣可以設(shè)置基座軸孔及托盤軸孔，并使該隔熱窗30與基座11進(jìn)行同步旋轉(zhuǎn)。當(dāng)然，對(duì)于上述隔熱窗的結(jié)構(gòu)及材質(zhì)選擇同樣不限于本實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)與材質(zhì)。另外，在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，還可以在該基片承載裝置中設(shè)置進(jìn)氣部。該進(jìn)氣部例如可以采用圖3所示的中心進(jìn)氣部40的結(jié)構(gòu)，具體為，將上述基座旋轉(zhuǎn)軸12設(shè)置為空心結(jié)構(gòu)，使中心進(jìn)氣部40的供氣管路穿過基座旋轉(zhuǎn)軸12的內(nèi)部而到達(dá)基座11的上方。從而在進(jìn)行工藝時(shí)，可以借助該中心進(jìn)氣部40由基座11的中心位置沿水平方向而向基座11圓周方向上的托盤13表面噴射工藝氣體，從而獲得均勻分布的氣流場(chǎng)。進(jìn)一步優(yōu)選地，還可以使該中心進(jìn)氣部40與基座11之間進(jìn)行同步或相互獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，以促進(jìn)工藝氣體的均勻分布。上述基片承載裝置在進(jìn)行基片處理工藝時(shí)，通過各個(gè)托盤帶動(dòng)置于其上的基片進(jìn)行行星式或其它形式的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，能夠有效實(shí)現(xiàn)對(duì)基片附近氣流場(chǎng)及熱場(chǎng)分布的均勻性控制，從而有利于獲得良好的工藝結(jié)果；并且，上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)通過驅(qū)動(dòng)電機(jī)及機(jī)械傳動(dòng)而實(shí)現(xiàn)對(duì)基座及托盤的驅(qū)動(dòng)，并具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、運(yùn)行穩(wěn)定等的優(yōu)點(diǎn)，從而無需經(jīng)常進(jìn)行維護(hù)，具有維護(hù)周期長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。因此，本發(fā)明提供的基片承載裝置在有效保證工藝均勻性的同時(shí)，具有運(yùn)行穩(wěn)定性高、維護(hù)周期長(zhǎng)等的優(yōu)點(diǎn)。作為另一種技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種基片處理設(shè)備。該基片處理設(shè)備包括工藝腔室及設(shè)置在該工藝腔室內(nèi)部的上述本發(fā)明提供的基片承載裝置。借助該基片承載裝置以在工藝過程中提高基片附近區(qū)域氣流場(chǎng)及熱場(chǎng)分布的均勻性，進(jìn)而提高工藝結(jié)果的均勻性。在實(shí)際應(yīng)用中，該基片處理設(shè)備例如可以是金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積設(shè)備等。請(qǐng)參閱圖4，為本發(fā)明提供的基片處理設(shè)備的一個(gè)具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中，該基片處理設(shè)備具體包括工藝腔室10、設(shè)置于工藝腔室10內(nèi)部的基片承載裝置， 該基片承載裝置與上述圖3所示的實(shí)施例基本相同或類似，在此不予贅述。此外，在工藝腔室10的上方位置處還設(shè)置有感應(yīng)加熱線圈60，用以對(duì)基座11及托盤13進(jìn)行感應(yīng)加熱，從而加熱托盤13上的基片15 ；在該感應(yīng)加熱線圈60的上方還設(shè)置有反射板70，用以反射工藝腔室10內(nèi)熱輻射，以提高熱量的利用率；在工藝腔室10的下方還設(shè)置用抽氣裝置50，用以將工藝過程中所產(chǎn)生的廢氣、雜質(zhì)以及未參與反應(yīng)的工藝氣體及時(shí)抽出工藝腔室10。上述本發(fā)明提供的基片處理設(shè)備的工作過程如下首先，將基片15放置于托盤13 的上表面；之后，使基片承載裝置的基座11及托盤13進(jìn)行行星式旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)；同時(shí)，借助中心進(jìn)氣部40向各個(gè)基片15的表面區(qū)域噴射工藝氣體，并開啟感應(yīng)加熱線圈60為基座11 及托盤13加熱；由于基座11及托盤13的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，使基片15附近區(qū)域的工藝氣體及溫度分布均趨于均勻，從而，在基片15表面生成均勻的外延膜層；在反應(yīng)過程中剩余的工藝氣體及反應(yīng)所生成的廢氣及雜質(zhì)經(jīng)由工藝腔室10下方的抽氣裝置被抽出；上述過程將一直持續(xù)到完成基片15表面膜層的制備工藝，之后更換新的待加工基片，并重復(fù)上述過程。由上述過程可以看出，本發(fā)明提供的基片處理設(shè)備由于設(shè)置有上述本發(fā)明提供的基片承載裝置，因而在對(duì)基片進(jìn)行薄膜制備工藝時(shí)，能夠在基片上獲得均勻的氣流場(chǎng)及熱場(chǎng)分布，從而實(shí)現(xiàn)在基片表面生成均勻的膜層。并且，該基片處理設(shè)備同樣具有運(yùn)行穩(wěn)定及維護(hù)周期長(zhǎng)等的優(yōu)點(diǎn)。 可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種基片承載裝置，包括基座、分布于所述基座上的用于承載基片的多個(gè)托盤，其特征在于，還包括與所述基座及托盤相連接的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，用于驅(qū)動(dòng)所述基座及托盤進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片承載裝置，其特征在于，所述基座和托盤在所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行行星式旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片承載裝置，其特征在于，所述基座和托盤在所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行各自獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片承載裝置，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)電機(jī)和傳動(dòng)部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基片承載裝置，其特征在于，所述傳動(dòng)部包括旋轉(zhuǎn)軸及傳動(dòng)齒輪；其中，所述旋轉(zhuǎn)軸包括基座旋轉(zhuǎn)軸和與所述托盤數(shù)量相對(duì)應(yīng)的托盤旋轉(zhuǎn)軸，所述傳動(dòng)齒輪將所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)力傳輸至各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸，以驅(qū)動(dòng)所述基座及托盤進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基片承載裝置，其特征在于，所述基座上設(shè)置有多個(gè)托盤軸孔，所述托盤旋轉(zhuǎn)軸穿過所述基座上的托盤軸孔而與所述托盤相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片承載裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在所述基座下方的隔熱部。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基片承載裝置，其特征在于，所述基座旋轉(zhuǎn)軸為空心結(jié)構(gòu)，在所述基座旋轉(zhuǎn)軸的內(nèi)部設(shè)置有中心進(jìn)氣部，用于向所述托盤表面噴射工藝氣體。
9.一種基片處理設(shè)備，包括工藝腔室，其特征在于，在所述工藝腔室的內(nèi)部設(shè)置有權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的基片承載裝置，用以在工藝過程中承載基片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片處理設(shè)備包括金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基片承載裝置及應(yīng)用該裝置的基片處理設(shè)備。其中，上述基片承載裝置包括基座、分布于基座上的用于承載基片的多個(gè)托盤，以及與基座及托盤相連接的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。借助上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)可驅(qū)動(dòng)基座及托盤進(jìn)行穩(wěn)定、可靠的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，從而通過該基片承載裝置可獲得均勻的基片處理質(zhì)量，且具有運(yùn)行穩(wěn)定、維護(hù)周期長(zhǎng)等的優(yōu)點(diǎn)。此外，本發(fā)明提供的基片處理設(shè)備具有與上述基片承載裝置相同或類似的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)C23C16/458GK102560432SQ20101060027
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月13日
發(fā)明者董志清 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司