專利名稱：用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及一種用于在半導(dǎo)體襯底上形成薄層的設(shè)備，更具體地說，涉及 一種用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元。
背景技術(shù)：
化學(xué)氣相沉積設(shè)備是這樣一種裝置，該裝置通過氣體噴射單元向化學(xué)氣相沉積設(shè) 備的處理室中噴射處理氣體而在放置在該處理室內(nèi)的基座上的半導(dǎo)體襯底上沉積薄層。該 氣體噴射單元是用來向位于處理室內(nèi)的襯底上均勻地噴射處理氣體的設(shè)備。當氣體噴射單元變熱到理想處理溫度以上時，可能會在氣體噴射單元內(nèi)引起不期 望的化學(xué)反應(yīng)，并引發(fā)非計劃的反應(yīng)副產(chǎn)品沉積而吸附在氣體噴射單元的內(nèi)表面上。為了 避免這種現(xiàn)象，采用冷卻單元以將氣體噴射單元保持在預(yù)定溫度之下的問題。相關(guān)技術(shù)中已知的冷卻單元提出了在氣體噴射單元內(nèi)設(shè)置單獨的冷卻劑管，以提 供冷卻。然而，考慮到冷卻劑管未穿過的區(qū)域不能被平穩(wěn)冷卻，并且很難密集地設(shè)置冷卻水 管，存在許多與這種已知技術(shù)相關(guān)的問題。此外，由于冷卻水管占據(jù)過多空間，冷卻水管自 身也具有很大的局限性。

發(fā)明內(nèi)容
冷卻單元保持氣體噴射單元的溫度處于預(yù)定溫度以下的溫度。具有這種冷卻單元 的氣體噴射單元能夠被均勻冷卻，并且很容易制造。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元包括氣體分配 殼體；冷卻殼體，該冷卻殼體位于所述氣體分配殼體和執(zhí)行沉積處理的處理室之間，并形成 有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口 ；處理氣體管，該處理氣 體管的一端通向所述氣體分配殼體，該處理氣體管的另一端通向所述處理室，該處理氣體 管貫穿所述冷卻殼體；以及第一壁部，該第一壁部位于所述冷卻殼體內(nèi)，并將所述冷卻殼 體的內(nèi)部分隔為中央通路和外圍通路，且形成有使所述中央通路與所述外圍通路連通的通 孔。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括處理室；基座，該基座位于所述 處理室內(nèi)，并且在基座上裝載襯底；以及氣體噴射單元，該氣體噴射單元向所述處理室的內(nèi) 部噴射處理氣體，該氣體噴射單元包括氣體分配殼體；冷卻殼體，該冷卻殼體位于所述氣 體分配殼體和所述處理室之間，并形成有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑 的冷卻劑出口 ；處理氣體管，該處理氣體管的一端通向所述氣體分配殼體，該處理氣體管的 另一端通向所述處理室，該處理氣體管貫穿所述冷卻殼體；以及第一壁部，該第一壁部位于所述冷卻殼體內(nèi)，并將所述冷卻殼體分隔為中央通路和外圍通路，且形成有使所述中央通 路與所述外圍通路連通的通孔。 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元包括第一室； 第二室，該第二室位于所述第一室和執(zhí)行沉積處理的處理室之間，并形成有用于引入冷卻 劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口 ；圓形管，該圓形管位于所述第二室內(nèi)，以 將所述第二室的內(nèi)部分隔為中央通路和外圍通路；以及處理氣體管，該處理氣體管的一端 通向所述第一室，該處理氣體管的另一端通向所述處理室，其中該處理氣體管穿過所述第 二室，其中，所述圓形管形成有多個通孔。


通過參照詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，本發(fā)明的上述和其他特征以及優(yōu)點 將變得更加清楚，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的沿著圖3中的線B-B’剖取的用于化學(xué)氣相 沉積設(shè)備的氣體噴射單元的剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的沿著圖2中的線A-A’剖取的用于化學(xué)氣相 沉積設(shè)備的氣體噴射單元的平面圖；以及圖4A-4B分別是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴 射單元的圖3的部分C和D的局部放大圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參考附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖示出了本發(fā)明的示例性實施方式。然 而，本公開可以以不同的形式進行實施，并且不應(yīng)解釋為只限于本文所闡述的實施方式。相 反，提供這些實施方式是為了使本公開全面完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地展示本發(fā) 明的范圍。在附圖中，為了清楚顯示，將層和區(qū)域的尺寸夸大。附圖中的相同附圖標記代表 相同的部件。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的示意性剖視圖。本 發(fā)明可以適用于其他各種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，例如傳統(tǒng)的金屬有機化合物化學(xué)氣相沉積 (MOCVD)設(shè)備。應(yīng)理解，本公開的圖1及其它附圖重點示出了構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的一個實施方 式的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的元件。也就是說，這些附圖并不意在示出化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的 每一個單個元件。如圖1所示，蓋100和處理室200彼此相聯(lián)接，從而構(gòu)成反應(yīng)室，在該反應(yīng)室中能 夠進行氣相沉積。穿過蓋100的上表面形成有第一氣體供應(yīng)管363、冷卻劑供應(yīng)管361和冷 卻劑排放管362。穿過蓋100的側(cè)表面形成有惰性氣體入口 102，以向惰性氣體室401供應(yīng)惰性氣體 G2。穿過處理室200的側(cè)表面還形成有氣體出口 201。氣體噴射單元300向放置在基座500上的襯底S噴射處理氣體Gl，該處理氣體Gl 作為在襯底S上形成薄層的原材料。惰性氣體噴射單元400將來自惰性氣體室401的惰性氣體G2噴射到處理室200內(nèi)，從而加速處理氣體Gl的排放。如上所述，襯底S裝載在基座500上，通過發(fā)生在處理室200內(nèi)部的化學(xué)氣相沉積 處理而在襯底S上形成薄層。在基座500內(nèi)還可以設(shè)置加熱器(未示出)。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元300 的示意性剖視圖(沿著圖3中線B-B’剖取)。應(yīng)注意，本公開的圖2和其它附圖一樣，其首要目的在于描述本發(fā)明的多個實施 方式，并非為了示出設(shè)備的每一個部件。盡管根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的用于化學(xué)氣相 沉積設(shè)備的氣體噴射單元的實際結(jié)構(gòu)可能更加復(fù)雜，但圖2僅重點示出了根據(jù)本發(fā)明的一 個實施方式的氣體通路和冷卻劑通路及其他相關(guān)部分。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的氣體噴射單元300包括由側(cè)壁311、底 板312和第一板351構(gòu)成的殼體。第一壁部321、第二板332、第三板331、第一氣體管341、第二氣體管342、冷卻劑供 應(yīng)管361以及冷卻劑排放管362設(shè)置在殼體內(nèi)。側(cè)壁311、第一板351以及第二板332構(gòu)成第一氣體分配殼體，在該第一氣體分配 殼體中形成第一氣體分配空間397，使得第一氣體通過第一氣體供應(yīng)管363供應(yīng)，并被分配 至多個第一氣體管341而進入處理室200。側(cè)壁311、第二板332以及第三板331構(gòu)成第二氣體分配殼體，在該第二氣體分配 殼體中形成第二氣體分配空間396，使得第二氣體通過第二氣體供應(yīng)管(圖2中未示出)供 應(yīng)，并被分配至多個第二氣體管342而進入處理室200。盡管圖2只示出了兩個氣體分配空間(S卩，第一和第二氣體分配空間397、396)，也 可以例如根據(jù)所使用的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的類型和/或使用的氣體種類而設(shè)置一個、三個 或更多個氣體分配空間或這些氣體分配空間的任何組合。如果不對第二氣體分配空間396進行充分冷卻，第二氣體分配空間396將只能承 受從基座500(見圖1)傳遞來的輻射熱量的直接加熱。如圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，冷卻通路沿著形成在第二氣體分配 空間396下方的外圍通路391、中央通路393以及另一外圍通路395設(shè)置在冷卻劑供應(yīng)管 361和冷卻劑排放管362之間。氣體噴射單元300的底板312與處理室200的空間直接接觸，在該處理室200中 在半導(dǎo)體襯底S上形成薄層。底板312、第三板331以及側(cè)壁311構(gòu)成冷卻殼體，該冷卻殼 體中形成沿著通路391、393、395的冷卻通路。側(cè)壁311可以與底板312 —起整體地形成，也可以設(shè)置成與底板312相聯(lián)接的單 獨部件。或者，側(cè)壁311可以與惰性氣體噴射單元400 —起整體地形成。第一壁部321將冷卻通路分隔開，冷卻劑通過該冷卻通路流入中央通路393和外 圍通路391、395。第一壁部321可以形成為圓形管或者環(huán)形，并且可以位于底板312和第三 板331之間。也就是說，中央通路393 (其為冷卻通路的中央部分)形成在第一壁部321的 內(nèi)側(cè)，且外圍通路391、395(其為冷卻通路的外圍部分)形成在第一壁部321的外側(cè)。第一 壁部321可以與底板312 —起整體地形成，或者作為不與底板312成一體的單獨部件。通常可以使用冷卻水作為冷卻劑，但是其它類似流體例如冷卻油也可以用作冷卻 劑。
現(xiàn)在參考圖3和4A至4B，可以穿過第一壁部321形成多個第一通孔392和多個第 二通孔394，以提供中央通路393與外圍通路391之間以及中央通路393和第二外圍通路 395之間的連接通路。第一氣體管341 (見圖2)穿過第二板332和底板312安裝成使得第一氣體管341 的一端通向第一氣體分配空間397，而另一端通向處理室200。第二氣體管342穿過第三板 331和底板312安裝成使得第二氣體管342的一端通向第二氣體分配空間396，而另一端通 向處理室200。從而，流過第一氣體管341和第二氣體管342的氣體相對于冷卻劑通路密封，這樣 氣體不會泄漏到中央通路393中。另外，由流過中央通路393的冷卻劑冷卻第一氣體管341 和第二氣體管342。冷卻劑供應(yīng)管361和冷卻劑排放管362聯(lián)接到第三板331。冷卻劑通過冷卻劑供 應(yīng)管361的冷卻劑入口 361a供應(yīng)至第一外圍通路391，并通過第一壁部321的第一通孔 392 (見圖4)引入中央通路393中。引入中央通路393中的冷卻劑通過第二通孔394 (見圖 4)輸送到第二外圍通路395。輸送到第二外圍通路395的冷卻劑通過冷卻劑排放管362的 冷卻劑出口 362a排放到外面。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元的 剖視圖(沿著圖2中的A-A’方向剖取)。如圖3所示，從冷卻劑供應(yīng)管361引入的冷卻劑 將通過多個第一通孔392 (從圖3中容易看出，以虛線表示冷卻劑在第一壁部321的側(cè)壁之 間流過第一通孔392)流動到位于中部的中央通路393。在位于圖3中部的冷卻通路393中 的冷卻劑接著通過第二通孔394流出到外圍通路395中，并通過排放管362排出去?，F(xiàn)在參考圖4A和4B，圖4A和4B是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的用于化學(xué)氣相 沉積設(shè)備的氣體噴射單元的圖3的部分C和D的局部放大圖。虛線圓361、362分別表示在 冷卻劑供應(yīng)管361、362的位置均投影在底部上時冷卻劑供應(yīng)管361、362的形狀。盡管冷卻 劑管361、362的形狀以圓形示出，但是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的形狀并不局限于此。其它 形狀例如橢圓、矩形、六邊形等也可以用于冷卻劑的供應(yīng)/排放管和/或氣體的供應(yīng)/排放 管。返回來參考圖3，冷卻劑從冷卻劑供應(yīng)管361引入到第一外圍通路391 (另見圖
2)。多個第一氣體管341和多個第二氣體管342密集地定位在中央通路393的區(qū)域中，并 且管341、342的密度可以高到足以對冷卻劑產(chǎn)生流動阻力，從而使得一部分冷卻劑可以流 回到第一外圍通路391。設(shè)置第二壁部(或防護壁)370 (見圖3中部的左右兩側(cè))以分隔 第一外圍通路391和第二外圍通路395，從而第二壁部370可以防止冷卻劑流回第一外圍通 路 391。第二壁部370允許從冷卻劑供應(yīng)管361引入的冷卻劑分散到全部第一外圍通路 391 (但不進入第二外圍通路395)，冷卻劑從第一外圍通路391通過第一通孔392流入中央 通路393。接著冷卻劑通過第二通孔394 (但不通過第一通孔392)從第一冷卻劑通路393 流出到第二外圍通路395，以通過第二外圍通路395排到外部。冷卻劑流動方向和流動通路 在圖3中以虛線表示，以便于更好地理解。冷卻劑經(jīng)過第一通孔392 (見圖3和圖4)并且被引入中央通路393 (見圖2和圖
3)。被引入中央通路393的冷卻劑使第一氣體管341和第二氣體管342冷卻。接著冷卻劑經(jīng)過第二通孔394(見圖3和圖4)，然后被引入第二外圍通路395，然后通過冷卻劑排放管 362排到外部。如圖3所示，第二壁部370的兩個部分可以定位在彼此之間成180°的角度θ的 兩個位置處。也就是說，圖3所示的第二壁部370的兩個部分可以分別安裝在與冷卻劑入 口 361a成正90° (+90° )的位置和與冷卻劑入口 361a成負90° (-90° )的位置。換言 之，第二壁部370可以設(shè)置將冷卻劑入口 361a和冷卻劑出口 362a之間的外圍通路平均分 成兩半的位置處。然而，角度θ不限于180°。然而，實驗結(jié)果表明，當圖3所示的第二壁部370的 兩個部分之間的角度θ是180°時，冷卻劑流動比θ是60°時更流暢。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第一通孔392和第二通孔394的數(shù)量大約可以是180，但 在本公開的附圖中并沒有示出全部180個通孔。同樣地，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，氣體管 341、342的數(shù)量可以是30000或更多，但在圖3中并沒有全部示出。應(yīng)容易理解，在不脫離 本公開的范圍的情況下，可以形成其它數(shù)量的第一和第二通孔392、394和氣體管341、342。第一通孔392和第二通孔394可以通過在第一壁部321的側(cè)表面鉆孔而形成，且 每個孔具有大約7毫米的直徑。應(yīng)容易理解，在不脫離本公開的范圍的情況下，可以鉆其它 尺寸直徑的孔。為了使冷卻劑流動流暢，第一通孔392和第二通孔394可以相對于中央通路393 的中心成放射狀形成。冷卻殼體的內(nèi)部被第一壁部321分隔為外圍通路391、395和中央通路393，通過第 二壁部(或防護壁)370將冷卻殼體的內(nèi)部分隔為第一外圍通路391和第二外圍通路395 而形成均勻流暢的冷卻劑流。也就是說，由于冷卻劑被均勻地從第一外圍通路391通過以 放射狀設(shè)置的第一通孔392引入到中央通路393，因此形成均勻的冷卻劑流。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，不需要另外將冷卻劑管的其他零件安裝在氣體噴射單元 上，冷卻劑可在其中流動的冷卻殼體安裝成使得氣體管穿過冷卻殼體。這使得根據(jù)本發(fā)明 實施方式的具有冷卻單元的氣體噴射單元300的制造比另外將冷卻劑管安裝在氣體噴射 機構(gòu)上的這種氣體噴射機構(gòu)的傳統(tǒng)制造方式更加容易。此外，冷卻殼體的內(nèi)部被第一壁部321分隔為外圍通路391、395和中央通路393， 并且通過第二壁部(或防護壁)370將冷卻通路分隔為第一外圍通路391和第二外圍通路 395而形成完全均勻流暢的冷卻劑流。而且，第二壁部370設(shè)置成防止冷卻劑繞過中央通路 393流動，而是直接通過外圍通路391至395而排出。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的附圖具體示出并描述了本發(fā)明的實施方式，但是本領(lǐng)域技 術(shù)人員應(yīng)理解，在不脫離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā) 明的實施方式進行形式和細節(jié)上的各種修改。因而，對本發(fā)明實施方式的進一步修改也不 能脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍。
權(quán)利要求
一種用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元，該氣體噴射單元包括氣體分配殼體；冷卻殼體，該冷卻殼體位于所述氣體分配殼體和執(zhí)行沉積處理的處理室之間，其中該冷卻殼體形成有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口；處理氣體管，該處理氣體管的一端通向所述氣體分配殼體，該處理氣體管的另一端通向所述處理室，其中該處理氣體管形成為穿過所述冷卻殼體的一部分；以及第一壁部，該第一壁部位于所述冷卻殼體內(nèi)，并將所述冷卻殼體分隔為中央通路和外圍通路，其中該第一壁部形成有用于在所述中央通路與所述外圍通路之間提供通路的一個或更多個通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體噴射單元，其中，所述冷卻劑入口和所述冷卻劑出口形成 在所述外圍通路中。
3.如權(quán)利要求1所述的氣體噴射單元，其中，所述處理氣體管穿過所述冷卻殼體的所 述中央通路。
4.如權(quán)利要求1所述的氣體噴射單元，其中，所述一個或更多個通孔從所述中央通路 的中心沿著徑向方向形成。
5.如權(quán)利要求2所述的氣體噴射單元，該氣體噴射單元還包括第二壁部，該第二壁部 位于所述外圍通路中，以將所述外圍通路的具有所述冷卻劑入口的部分與所述外圍通路的 具有所述冷卻劑出口的部分分隔開，從而基本防止從所述冷卻劑入口引入到所述外圍通路 中的冷卻劑沒被引入所述中央通路中就被排放到所述冷卻劑出口。
6.如權(quán)利要求5所述的氣體噴射單元，其中，所述第二壁部在所述冷卻劑入口與所述 冷卻劑出口的大致中間部位設(shè)置在所述外圍通路中。
7.一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，該化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括 處理室；基座，該基座位于所述處理室內(nèi)，并且在所述基座上能裝載襯底；以及 氣體噴射單元，該氣體噴射單元向所述處理室的內(nèi)部噴射處理氣體，該氣體噴射單元 包括氣體分配殼體；冷卻殼體，該冷卻殼體位于所述氣體分配殼體和所述處理室之間，其中該冷卻殼體形 成有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口 ；處理氣體管，該處理氣體管的一端通向所述氣體分配殼體，該處理氣體管的另一端通 向所述處理室，其中該處理氣體管形成為穿過所述冷卻殼體的一部分；以及第一壁部，該第一壁部位于所述冷卻殼體內(nèi)，并將所述冷卻殼體分隔為中央通路和外 圍通路，其中該第一壁部形成有用于在所述中央通路與所述外圍通路之間提供通路的一個 或更多個通孔。
8.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，所述冷卻劑入口和所述冷卻劑出口 形成在所述外圍通路中。
9.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，所述處理氣體管穿過所述冷卻殼體 的所述中央通路。
10.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，所述一個或更多個通孔從所述中央通路的中心沿著徑向方向形成。
11.如權(quán)利要求8所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，該化學(xué)氣相沉積設(shè)備還包括第二壁部，該 第二壁部位于所述外圍通路中，以將所述外圍通路的具有所述冷卻劑入口的部分與所述外 圍通路的具有所述冷卻劑出口的部分分隔開，從而基本防止從所述冷卻劑入口引入到所述 外圍通路中的冷卻劑沒被引入所述中央通路就被排放到所述冷卻劑出口。
12.如權(quán)利要求11所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，所述第二壁部在所述冷卻劑入口 與所述冷卻劑出口的大致中間部位設(shè)置在所述外圍通路中。
13.一種用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元，該氣體噴射單元包括 第一室；第二室，該第二室位于所述第一室和執(zhí)行沉積處理的處理室之間，其中該第二室形成 有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口 ；圓形管，該圓形管位于所述第二室內(nèi)，以將所述第二室分隔為中央通路和外圍通路；以及處理氣體管，該處理氣體管的一端通向所述第一室，該處理氣體管的另一端通向所述 處理室，其中該處理氣體管穿過所述第二室，其中，所述圓形管形成有多個通孔，從而在所述中央通路與所述外圍通路之間提供通路。
14.如權(quán)利要求13所述的氣體噴射單元，其中，所述冷卻劑入口和所述冷卻劑出口形 成在所述外圍通路中。
15.如權(quán)利要求13所述的氣體噴射單元，其中，所述處理氣體管穿過所述中央通路。
16.如權(quán)利要求14所述的氣體噴射單元，該氣體噴射單元還包括一個或更多個防護 壁，所述一個或更多個防護壁位于所述外圍通路中，以將所述外圍通路的具有所述冷卻劑 入口的部分與所述外圍通路的具有所述冷卻劑出口的部分分隔開，從而基本防止從所述冷 卻劑入口引入到所述外圍通路中的冷卻劑沒被引入所述中央通路就被排放到所述冷卻劑 出口。
17.如權(quán)利要求16所述的氣體噴射單元，其中，所述防護壁在所述冷卻劑入口與所述 冷卻劑出口的大致中間部位設(shè)置在所述外圍通路中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元，該氣體噴射單元通過使冷卻劑流暢流動可以進行均勻地冷卻，并且易于制造。該用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的氣體噴射單元尤其包括氣體分配殼體；冷卻殼體，該冷卻殼體位于所述氣體分配殼體和執(zhí)行沉積處理的處理室之間，并形成有用于引入冷卻劑的冷卻劑入口和用于排放冷卻劑的冷卻劑出口；處理氣體管，該處理氣體管的一端通向所述氣體分配殼體，該處理氣體管的另一端通向所述處理室，該處理氣體管貫穿所述冷卻殼體；以及第一壁部，該第一壁部位于所述冷卻殼體內(nèi)，并將所述冷卻殼體的內(nèi)部分隔為中央通路和外圍通路，該第一壁部形成有使所述中央通路與所述外圍通路連通的通孔。
文檔編號C23C16/455GK101985742SQ20101027840
公開日2011年3月16日 申請日期2010年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月28日
發(fā)明者李在珷 申請人:麗佳達普株式會社