技術編號：3365370
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明總體上涉及一種用于在半導體襯底上形成薄層的設備，更具體地說，涉及 一種用于化學氣相沉積設備的氣體噴射單元。背景技術化學氣相沉積設備是這樣一種裝置，該裝置通過氣體噴射單元向化學氣相沉積設 備的處理室中噴射處理氣體而在放置在該處理室內(nèi)的基座上的半導體襯底上沉積薄層。該 氣體噴射單元是用來向位于處理室內(nèi)的襯底上均勻地噴射處理氣體的設備。當氣體噴射單元變熱到理想處理溫度以上時，可能會在氣體噴射單元內(nèi)引起不期 望的化學反應，并引發(fā)非計劃的反應副產(chǎn)品沉積而吸附在...
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