專(zhuān)利名稱(chēng)：矩形平面磁控靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種改進(jìn)型的矩形平面磁控靶結(jié) 構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前，薄膜技術(shù)的應(yīng)用已遍及國(guó)民經(jīng)濟(jì)各個(gè)領(lǐng)域。在國(guó)內(nèi)制備鍍膜領(lǐng)域中，通常把 磁控濺射作為濺射技術(shù)的主流，其主要原因就是磁控濺射的“高速”、“低溫”特點(diǎn)，它可以在 任何基材上沉積任何鍍材的薄膜。目前市場(chǎng)使用的矩形平面磁控靶，如圖1和圖2所示，矩 形平面磁控靶的靶面處于正交的磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向與靶面平行，形成環(huán)形磁場(chǎng)。在陽(yáng)極和陰 極之間加載一定的直流電壓后，便產(chǎn)生放電，放電產(chǎn)生氬離子轟擊矩形平面磁控靶的靶材 本體1的陰極，濺射的靶材沉積到基片上，形成薄膜。但在實(shí)際使用過(guò)程中，靶材發(fā)生濺射， 在濺射粒子中，中性的靶原子(或分子)在沉積于基片上形成薄膜的同時(shí)，也極易沉積在矩 形平面磁控靶的陽(yáng)極與陰極間形成導(dǎo)電薄膜，造成短路現(xiàn)象的發(fā)生，在生產(chǎn)過(guò)程中造成不 必要的停機(jī)檢修，并在維護(hù)過(guò)程中消耗大量勞動(dòng)成本與設(shè)備成本。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有磁控濺射薄膜過(guò)程中，中性的靶原子(或分子)同時(shí)容易沉積于矩 形平面磁控靶的陽(yáng)極與陰極間形成導(dǎo)電薄膜，造成短路現(xiàn)象發(fā)生的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一 種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可增加靶材與陽(yáng)極間距離的矩形平面磁控靶。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是一種矩形平面磁控靶，包括靶材本體，其特征在于在靶材本體的兩端向內(nèi)凹陷形 成避讓臺(tái)階。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的矩形平面磁控靶內(nèi)凹陷形成避讓臺(tái)階，有效的增 加了矩形平面磁控靶靶材陰極與陽(yáng)極間的距離，能避免矩形平面磁控靶陽(yáng)極與陰極間形成 導(dǎo)電薄膜，節(jié)約了因頻繁維護(hù)靶材而付出的動(dòng)力成本及設(shè)備停機(jī)時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)矩形平面磁控靶的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)磁控濺射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明矩形平面磁控靶的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明磁控濺射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的描述。如圖3和4所示，一種矩形平面磁控靶，包括靶材本體2，在靶材本體2的兩端向內(nèi) 凹陷形成避讓臺(tái)階3，有效的增加了矩形平面磁控靶靶材陰極與陽(yáng)極間的距離，避免矩形平面磁控靶陽(yáng)極與陰極間形成導(dǎo)電薄膜。 顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員 應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明 的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和 改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效 物界定。
權(quán)利要求
一種矩形平面磁控靶，包括靶材本體，其特征在于在靶材本體的兩端向內(nèi)凹陷形成避讓臺(tái)階。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種矩形平面磁控靶，包括靶材本體，其特征在于在靶材本體的兩端向內(nèi)凹陷形成避讓臺(tái)階。本發(fā)明涉及濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種改進(jìn)型的矩形平面磁控靶結(jié)構(gòu)。本發(fā)明解決了現(xiàn)有磁控濺射薄膜過(guò)程中，中性的靶原子(或分子)容易沉積于矩形平面磁控靶的陰極與陽(yáng)極間形成導(dǎo)電薄膜，造成短路現(xiàn)象發(fā)生的問(wèn)題。本發(fā)明的矩形平面磁控靶內(nèi)凹陷形成避讓臺(tái)階，有效的增加了矩形平面磁控靶靶材陰極與陽(yáng)極間的距離，能避免矩形平面磁控靶的陽(yáng)極與陰極間形成導(dǎo)電薄膜，節(jié)約了因頻繁維護(hù)靶材而付出的動(dòng)力成本及設(shè)備停機(jī)時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)C23C14/35GK101928925SQ201010168770
公開(kāi)日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2010年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月11日
發(fā)明者黃國(guó)興 申請(qǐng)人:赫得納米科技(昆山)有限公司