技術(shù)編號：3362918
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及濺射鍍膜設(shè)備，特別是涉及一種改進型的矩形平面磁控靶結(jié) 構(gòu)。背景技術(shù)目前，薄膜技術(shù)的應(yīng)用已遍及國民經(jīng)濟各個領(lǐng)域。在國內(nèi)制備鍍膜領(lǐng)域中，通常把 磁控濺射作為濺射技術(shù)的主流，其主要原因就是磁控濺射的“高速”、“低溫”特點，它可以在 任何基材上沉積任何鍍材的薄膜。目前市場使用的矩形平面磁控靶，如圖1和圖2所示，矩 形平面磁控靶的靶面處于正交的磁場中，磁場方向與靶面平行，形成環(huán)形磁場。在陽極和陰 極之間加載一定的直流電壓后，便產(chǎn)生放電，放電產(chǎn)生氬離子轟擊矩...
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