專利名稱：一種可去除腐蝕黑印的硅片腐蝕工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可去除腐蝕黑印的硅片腐蝕工藝，該工藝采用濕法清洗的方法。
背景技術(shù)：
目前硅拋光片大致采用直拉、切片、磨片、堿腐蝕、單/雙面拋光、精拋光、清洗的 工藝流程。磨片之后經(jīng)過堿腐蝕工藝是為了消除磨片留下的表面損傷，為后續(xù)的拋光做準(zhǔn) 備。堿腐蝕工藝過程是先將硅片泡在裝有堿化學(xué)液的槽里，讓硅片和堿液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從 而達(dá)到去除損傷的目的。硅片在裝有堿化學(xué)液的化學(xué)槽里反應(yīng)幾分鐘后，轉(zhuǎn)到放有去離子 水的清洗槽里進(jìn)行清洗。這種堿腐蝕工藝在腐蝕清洗后會留下由顆粒沾污引起的腐蝕黑 印，這種腐蝕黑印不僅會影響后續(xù)的拋光質(zhì)量，而且會使拋光片增加顆粒污染，增加后續(xù)清 洗去除顆粒的難度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可去除腐蝕黑印的硅片腐蝕工藝，該方法不僅能有效去
除黑印，簡便易實施，而且可以為后續(xù)工序減少顆粒和金屬污染。 為達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案 這種可去除腐蝕黑印的硅片腐蝕工藝，它包括以下幾個步驟經(jīng)裝有堿化學(xué)液的 化學(xué)槽中腐蝕，一個清洗槽1中清洗和裝有去離子水的清洗槽2中清洗，所述的清洗槽1需 要加熱。 清洗槽1中的i號清洗液由去離子水、過氧化氫和nh40h按一定配比混合而成。 清洗液中各個組份的體積比是去離子水h2o2 : nh4oh = (io o.i) : (io
o. i) : i。 清洗槽1中i號清洗液需要加熱的溫度是50-100°c 。 清洗槽1清洗的時間為1-50分鐘，清洗槽2清洗的時間為1-30分鐘。 i號清洗液由去離子水、過氧化氫和濃氨水按一定配比混合而成。它們的體積比是
去離子水h2o2 : nh4oh = (io o. i) : (io o. i) : i。nh4oh的濃度為:-30%， h202的濃度為3-30%。
為降低成本，槽里不加超聲或兆聲裝置。 i號清洗液去除顆粒的原理，一是顆粒被過氧化氫氧化后溶于濃氨水中而去除，二 是nh4oh的oh—離子給硅片表面和顆粒提供負(fù)電荷，從而使顆粒和硅片表面產(chǎn)生排斥力達(dá)到 顆粒去除的目的。 本發(fā)明的優(yōu)點是該方法不僅能有效去除黑印，簡便易實施，而且可以為后續(xù)工序 減少顆粒和金屬污染。
具體實施方式

實施例1
3
將13片磨削片豎著裝在白色花籃(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平 均厚度為830微米，TTV為1. 0微米左右。將裝有13片磨削片的四氟花籃放了 ll(TC的裝 有堿液的化學(xué)槽腐蝕4分鐘，轉(zhuǎn)入裝有I號清洗液的清洗槽1清洗，去離子水、30%的過氧 化氫和25%的濃氨水的體積比是去離子水H202 : NH40H = 5 : 1 : 1，槽液溫度是8(TC， 在該槽清洗10分鐘，然后轉(zhuǎn)入裝有去離子水的清洗槽2清洗4分鐘。晾干，表面腐蝕黑印 被去除了，檢測其幾何參數(shù)，其平均厚度為810微米，TTV為1.5微米左右，達(dá)到了所要的效 果。 實施例2 將13片磨削片豎著裝在白色花籃(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平 均厚度為830微米，TTV為1. 0微米左右。將裝有13片磨削片的四氟花籃放了 ll(TC的裝 有堿液的化學(xué)槽腐蝕4分鐘，轉(zhuǎn)入裝有I號清洗液的清洗槽1清洗，去離子水、30%的過氧 化氫和25%的濃氨水的體積比是去離子水H202 : NH40H = 5 : 1 : 1，槽液溫度是8(TC， 在該槽清洗15分鐘，然后轉(zhuǎn)入裝有去離子水的清洗槽2清洗4分鐘。晾干，表面腐蝕黑印 被去除了，檢測其幾何參數(shù)，其平均厚度為810微米，TTV為1.5微米左右，達(dá)到了所要的效 果。 實施例3 將13片磨削片豎著裝在白色花籃(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平 均厚度為830微米，TTV為1. 0微米左右。將裝有13片磨削片的四氟花籃放了 ll(TC的裝 有堿液的化學(xué)槽腐蝕4分鐘，轉(zhuǎn)入裝有I號清洗液的清洗槽1清洗，去離子水、30%的過氧 化氫和25%的濃氨水的體積比是去離子水H202 : NH40H=1 : 5 : 1，槽液溫度是8(TC， 在該槽清洗15分鐘，然后轉(zhuǎn)入裝有去離子水的清洗槽2清洗4分鐘。晾干，表面腐蝕黑印 被去除了，檢測其幾何參數(shù)，其平均厚度為810微米，TTV為1. 5微米左右，達(dá)到了所要的效 果。 實施例4 將13片磨削片豎著裝在白色花籃(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平均 厚度為830微米，TTV為1. 0微米左右。將裝有13片磨削片的四氟花籃放了 ll(TC的裝有 堿液的化學(xué)槽腐蝕4分鐘，轉(zhuǎn)入裝有I號清洗液的清洗槽1清洗，去離子水、30%的過氧化 氫和25%的濃氨水的體積比是去離子水H202 : NH4OH = 0. 5 : 3 : 1，槽液溫度是8(TC， 在該槽清洗15分鐘，然后轉(zhuǎn)入裝有去離子水的清洗槽2清洗4分鐘。晾干，表面腐蝕黑印 被去除了，檢測其幾何參數(shù)，其平均厚度為810微米，TTV為1.5微米左右，達(dá)到了所要的效 果。
權(quán)利要求
一種可去除腐蝕黑印的硅片腐蝕工藝，其特征在于它包括以下幾個步驟經(jīng)裝有堿化學(xué)液的化學(xué)槽中腐蝕、一個清洗槽1中清洗和裝有去離子水的清洗槽2中清洗，所述的清洗槽1需要加熱。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種可去除腐蝕黑印的硅片腐蝕工藝，其特征在于清洗槽l 中的i號清洗液由去離子水、過氧化氫和nh40h按一定配比混合而成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可去除腐蝕黑印的硅片腐蝕工藝，其特征在于清洗液中各個組份的體積比是去離子水h2o2 : nh4oh = (io o. i) : (io o. i) : i。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種可去除腐蝕黑印的硅片腐蝕工藝，其特征在于清洗槽l中i號清洗液需要加熱的溫度是50-10(tc。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種可去除腐蝕黑印的硅片腐蝕工藝，其特征在于清 洗槽1清洗的時間為1-50分鐘，清洗槽2清洗的時間為1-30分鐘。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可去除腐蝕黑印的硅片腐蝕工藝，它包括經(jīng)裝有堿化學(xué)液的化學(xué)槽腐蝕、一個清洗槽1清洗和裝有去離子水的清洗槽2清洗，清洗槽1需要加溫。I號清洗液由去離子水、過氧化氫和濃氨水按一定配比混合而成。I號清洗液加熱的溫度為50-100℃。其中清洗槽1清洗的時間為1-50分鐘，清洗槽2清洗的時間為1-30分鐘。該方法不僅能有效去除黑印，簡便易實施，而且可以為后續(xù)工序減少顆粒和金屬污染。
文檔編號C23F1/10GK101717940SQ20091024185
公開日2010年6月2日 申請日期2009年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月10日
發(fā)明者陳海濱 申請人:北京有色金屬研究總院;有研半導(dǎo)體材料股份有限公司