專利名稱：組合式修整器及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種修整器及其制法，尤其是有關(guān)CMP拋光墊的組合式修整器及其 制法。
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械拋光(ChemicalMechanical Planarization, CMP)是目前半導(dǎo)體晶片 (晶圓)表面平坦化的工藝中最受矚目的技術(shù)。在化學(xué)機(jī)械拋光工藝中，拋光墊的功能是將 拋光液穩(wěn)定而均勻地輸送至晶片與拋光墊之間，在化學(xué)蝕刻與機(jī)械磨削兩者相互作用下， 將芯片上凸出的沉積層移除。為了達(dá)到晶片加工量產(chǎn)的需求及維持品質(zhì)的穩(wěn)定性，必須利用鉆石修整器 (Diamond dresser)在化學(xué)機(jī)械拋光的過程中適時(shí)地對(duì)拋光墊進(jìn)行修整，除了移除表面的 拋光副產(chǎn)物，恢復(fù)拋光墊的粗糙面，改善其容納漿料的能力，并恢復(fù)拋光墊表面的孔洞及其 把持、運(yùn)送拋光液的能力，如此可以節(jié)省拋光墊成本，并可達(dá)到晶片量產(chǎn)時(shí)品質(zhì)穩(wěn)定的需 求。傳統(tǒng)的鉆石修整器是將平均粒徑的鉆石粒固定在金屬盤上，這種鉆石修整器適合 修整硬式的拋光墊(如ICiooo等)。傳統(tǒng)修整器的功能不僅要移除拋光芯片時(shí)產(chǎn)生的廢 料，更進(jìn)一步的需要切削一層拋光墊，使拋光墊恢復(fù)一定的粗糙度，但是這種傳統(tǒng)類型的鉆 石修整器并不適用于45納米(nm)以下的CMP工藝。由于積體電路的線寬日趨微小，例如 2006年開始執(zhí)行65納米(nm)的工藝，芯片表面平坦化及平滑度的要求就越來越高，相對(duì)修 整拋光墊的修整器要求也越來越高。預(yù)計(jì)于2010年的45nm的工藝，必須以極低的壓力進(jìn) 行拋光才能避免磨穿納米級(jí)的銅線及脆弱的低介電常數(shù)(Low K)電阻層。因此修整后的拋 光墊需要更高的平整性，且需配合大尺寸芯片的需求重新設(shè)計(jì)。未來的鉆石修整器除了修 整器的鉆石顆粒分布規(guī)則外，尖錐的頂點(diǎn)高度(Leveling)要求也更高；除此之外，修整器 也需要在拋光墊上刻劃出更細(xì)微更均勻的刻紋，但相反的，修整器對(duì)拋光墊的移除率更低， 這樣的要求是傳統(tǒng)修整器無法做到的。有各種不同修整器的專利，例如中國(guó)臺(tái)灣專利1228066揭示一種研磨布用修整器 及其使用的研磨布的修整方法，包括一金屬臺(tái)設(shè)置有調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，以調(diào)節(jié)全部或一部分的磨 石顆粒群中以多個(gè)磨石顆粒的前端所分別形成的基準(zhǔn)面的高低差。中國(guó)臺(tái)灣公開專利200821093揭示的鉆石修整器，包括在各鉆石砥粒粘接部上， 各自粘接有不同種類的鉆石砥粒，鉆石砥粒粘接部與修整器基板之間是由螺栓固定或粘接 劑固定。美國(guó)專利US6，054，183、揭示的修整器，是在一基板上形成多個(gè)鉆石粒及一層CVD 鉆石；多個(gè)鉆石粒被CVD鉆石包覆而被固定于基板表面。國(guó)際專利公開號(hào)W000/64630，揭示一研磨層包括多個(gè)磨粒，該磨粒包含有機(jī)樹脂 (Organic resin)、金屬鹽(Metal salt)及平均散布于多個(gè)磨粒之間的鉆石磨粒。美國(guó)公開專利US20060128288揭示的修整器，包括多個(gè)鉆石顆粒被一金屬粘結(jié)劑層固定于一金屬基板。日本公開專利JP2006-315088揭示的修整器，包括一圓盤狀基臺(tái)結(jié)合多個(gè)圓形的 P⑶鉆石片。一般修整器的直徑約是108公厘(mm)的大盤子，因?yàn)槊娣e大所以變形量也大，較 不容易結(jié)合各種不同大小、形狀、材料的磨粒，且使多個(gè)研磨顆粒的頂點(diǎn)在同一高度，且大 面積的修整器的價(jià)錢較高。

發(fā)明內(nèi)容
為了使較大面積的修整器更容易結(jié)合各種不同大小、形狀、材料的磨粒，且使多個(gè) 研磨顆粒的頂點(diǎn)在同一高度，而提出本發(fā)明。本發(fā)明的主要目的，在提供一種組合式修整器及其制法，使一大基板的同一研磨 端面結(jié)合多個(gè)具有磨粒的小基板，較容易使多個(gè)磨粒的切削端在同一高度，且更容易結(jié)合 各種不同大小、形狀、材料的磨粒。本發(fā)明的另一目的，在提供一種組合式修整器及其制法，可節(jié)省整修器的制造成 本，且可視需要變化不同的磨粒。本發(fā)明提供一種組合式修整器，是作為CMP拋光墊的修整器，包括一大基板；多個(gè)研磨單元，該多個(gè)研磨單元分別具有一小基板；該多個(gè)小基板的一面分別設(shè) 有多個(gè)磨粒；該多個(gè)磨粒分別具有切削端；其中該多個(gè)研磨單元分別固定結(jié)合該大基板；其中該多個(gè)磨粒的切削端突出該大 基板，該多個(gè)磨粒的切削端分別與一平面的高度差異在20微米內(nèi)。本發(fā)明提供一種組合式修整器的制法，包括如下步驟(1)使多個(gè)彈性單元分別置于一大基板的一結(jié)合面的多個(gè)凹槽內(nèi)；(2)使多個(gè)研磨單元分別與該多個(gè)彈性單元相疊；該多個(gè)彈性單元分別施予該多 個(gè)研磨單元離開大基板的力量；(3)使一平板同一水平方向的施予該多個(gè)磨粒的切削端靠向該大基板的力量，由 該平板的施予該多個(gè)研磨單元的壓力及該多個(gè)彈性單元推頂該多個(gè)研磨單元的彈力呈相 等的狀態(tài)，使該多個(gè)切削分別與一平面的高度差異在20微米內(nèi)；(4)由結(jié)合劑層使該大基板固定結(jié)合該多個(gè)研磨單元，該多個(gè)磨粒的切削端突出 該大基板，使該多個(gè)切削端被固定形成該組合式修整器。本發(fā)明還提供一種組合式修整器的制法，包括如下步驟(1)使多個(gè)彈性單元分別置于一第一模具的多個(gè)凹槽內(nèi)；(2)使多個(gè)研磨單元分別與多個(gè)彈性單元相疊；該多個(gè)彈性單元分別施予該多個(gè) 研磨單元離開該第一模具的力量；(3)使一平板同一水平方向的施予該多個(gè)磨粒的切削端靠向該第一模具的力量， 由該平板分別施予該多個(gè)研磨單元的壓力及多個(gè)多個(gè)彈性單元分別推頂研磨單元的彈力 呈相等的狀態(tài)，使該多個(gè)切削端分別與一平面的高度差異在20微米內(nèi)；(4)使一大基板分別結(jié)合該多個(gè)研磨單元，該多個(gè)磨粒的切削端突出該大基板，使 該多個(gè)切削端被固定形成該組合式修整器。
本發(fā)明又提供一種組合式修整器的制法，包括如下步驟(1)使相疊的一固定模具及一可刺入單元置于一第二模具內(nèi)；(2)使多個(gè)研磨單元的多個(gè)磨粒的切削端分別穿過該固定模具的多個(gè)孔接觸該可 刺入單元；(3)使該多個(gè)磨粒的切削端分別刺入該可刺入單元接觸該第二模具的一底壁，而 使該多個(gè)切削端分別與一平面的高度差異在20微米內(nèi)；(4)使一大基板分別結(jié)合該多個(gè)研磨單元，使該多個(gè)切削端被固定，該多個(gè)磨粒的 切削端突出該大基板；(5)使該刺入單元分離該多個(gè)切削端，形成該組合式修整器。


本發(fā)明的其它目的、功效，請(qǐng)參閱附圖及實(shí)施例，詳細(xì)說明如下，其中圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的組合式修整器的示意圖。圖2為圖1的AA剖面及一平板的示意圖。圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的組合式修整器制法的流程圖。圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的組合式修整器的示意圖。圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例的組合式修整器的示意圖。圖6為本發(fā)明第四實(shí)施例的組合式修整器的示意圖。圖7為本發(fā)明第一研磨單元的示意圖。圖8為本發(fā)明第二研磨單元的示意圖。圖9為本發(fā)明第三研磨單元的示意圖。圖10為本發(fā)明第四研磨單元的示意圖。圖11為制作本發(fā)明第五實(shí)施例的組合式修整器的示意圖。圖12為本發(fā)明第五實(shí)施例的組合式修整器及工件的示意圖。圖13為本發(fā)明第五實(shí)施例的組合式修整器制法的流程圖。圖14為制作本發(fā)明第六實(shí)施例的組合式修整器的示意圖。圖15為本發(fā)明第六實(shí)施例的組合式修整器的示意圖。圖16為本發(fā)明第六實(shí)施例的組合式修整器制法的流程圖。
具體實(shí)施例方式如圖1、2所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的組合式整修器1，尤其是作為CMP拋光墊的修 整器，包括一大基板11、多個(gè)研磨單元12及多個(gè)彈性單元13所組成。如圖2所示，大基板11設(shè)有一結(jié)合面110及突出結(jié)合面110周圍的環(huán)壁111 ；結(jié) 合面110設(shè)有對(duì)應(yīng)于研磨單元12的多個(gè)凹槽112 ；多個(gè)研磨單元12分別與多個(gè)彈性單元 13相迭且分別置于多個(gè)凹槽112內(nèi)；每一研磨單元12與大基板11之間有一彈性單元13 ； 研磨單元12可全部或一部分突出凹槽112。研磨單元12包括一小基板120及多個(gè)磨粒121 ；小基板120的一面122結(jié)合多個(gè) 磨粒121 ；磨粒121具有一可對(duì)一工件進(jìn)行切削的切削端123 ；小基板120的相對(duì)于設(shè)有該 多個(gè)磨粒121的另一面124接觸彈性單元13。由多個(gè)彈性單元13分別彈性調(diào)整多個(gè)切削端123突出大基板11的高度差異在20微米內(nèi)，使多個(gè)切削端123與一平面15的高度差異 在20微米內(nèi)，然后由結(jié)合劑層14使大基板11及多個(gè)研磨單元12的小基板120固定結(jié)合。如圖2、3所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的組合式修整器1的制法，包括如下步驟使多個(gè)彈性單元13分別置于一大基板11的結(jié)合面110的多個(gè)凹槽112內(nèi)；使多個(gè)研磨單元12分別與多個(gè)彈性單元13相迭；多個(gè)彈性單元13分別施予多 個(gè)研磨單元離開大基板11的力量；其中研磨單元12具有一小基板120，小基板120的一面 122設(shè)有多個(gè)磨粒121 ；多個(gè)磨粒121的切削端123分別突出凹槽112 ；使一平板16同一水平方向的施予多個(gè)磨粒121的切削端123靠向大基板11的力 量，由平板16的施予研磨單元12的壓力及多個(gè)彈性單元13推頂研磨單元12的彈力呈相 等的狀態(tài)，使多個(gè)切削端123突出大基板11的高度差異在20微米內(nèi)，使多個(gè)切削端123與 一平面15的高度差異在20微米內(nèi)；由結(jié)合劑層14使大基板11固定結(jié)合多個(gè)研磨單元12的小基板120，即可使多個(gè) 切削端123被固定，形成一組合式修整器1。如圖1、2、4、5、6所示，本發(fā)明第二實(shí)施例的組合式整修器2、第三實(shí)施例的組合式 修整器3、第四實(shí)施例的組合式修整器4分別與上述第一實(shí)施例的組合式修整器1的結(jié)構(gòu)相 比較，除了多個(gè)研磨單元12結(jié)合大基板11呈現(xiàn)的排列方式不同外，其余結(jié)構(gòu)大致相同。第 二實(shí)施例的組合式修整器2的多個(gè)研磨單元12呈具有一中心及圍繞中心的多個(gè)同心環(huán)排 列的形狀，如圖4所示。第三實(shí)施例的組合式修整器3的多個(gè)研磨單元12呈矩陣式排列的 形狀，如圖5所示。第四實(shí)施例的組合式修整器4的多個(gè)研磨單元12呈環(huán)狀排列的形狀， 如圖6所示。如圖1、2、7、8、9、10所示，本發(fā)明第一研磨單元21、第二研磨單元22、第三研磨單 元23及第四研磨單元24與圖1、2所示的研磨單元12的結(jié)構(gòu)相比較，除了多個(gè)磨粒211、 221、231、241、121結(jié)合小基板210、220、230、240、120呈現(xiàn)的排列形狀不同外，其余結(jié)構(gòu)大 致相同。多個(gè)磨粒211、221、231、241、121的排列方式可視需要有多種不同的排列形狀。第 一研磨單元21的多個(gè)磨粒211呈由中心向四周輻射狀的形狀，如圖7所示。第二研磨單元 22的多個(gè)磨粒221呈同心圓的排列形狀，如圖8所示。第三研磨單元23的多個(gè)磨粒231呈 矩陣式的排列形狀，如圖9所示。第四研磨單元24的多個(gè)磨粒241呈對(duì)稱式的排列形狀， 如圖10所示。如圖11、12所示，本發(fā)明第五實(shí)施例的組合式整修器5，尤其是作為CMP拋光墊的 修整器，包括一大基板51、多個(gè)研磨單元52及多個(gè)彈性單元53所組成。大基板51包括一第一支架511及結(jié)合劑層512 ；第一支架511架置于一第一模具 54內(nèi)；第一模具54設(shè)有多個(gè)凹槽541 ；第一支架511設(shè)有容納多個(gè)彈性單元53的多個(gè)穿 透孔513 ；多個(gè)研磨單元52分別與多個(gè)彈性單元53相迭且分別置于多個(gè)凹槽541內(nèi)，使每 一研磨單元52與第一模具54之間有一彈性單元53 ；研磨單元52可全部或一部分突出凹 槽541。研磨單元52包括一小基板520結(jié)合多個(gè)磨粒521 ；磨粒521具有可對(duì)一 CMP拋光 墊17進(jìn)行切削的切削端522。由多個(gè)彈性單元53分別彈性調(diào)整多個(gè)切削端522突出大基 板51的高度差異在20微米內(nèi)，使多個(gè)切削端522與一平面15的高度差異在20微米內(nèi)，然 后由結(jié)合劑層512使第一支架511及多個(gè)研磨單元52的小基板520固定結(jié)合。第一支架 511包覆結(jié)合劑層512以增加大基板51整體的強(qiáng)度，但亦可不需第一支架511，直接由結(jié)合劑層512構(gòu)成大基板51。如圖11、12、13所示，本發(fā)明第五實(shí)施例的組合式修整器5的制法，包括如下步 驟使一第一支架511置于一第一模具54內(nèi)，再使多個(gè)彈性單元53分別置于第一模 具54的多個(gè)凹槽541內(nèi)；使多個(gè)研磨單元52分別與多個(gè)彈性單元53相迭；多個(gè)彈性單元53分別施予多個(gè) 研磨單元52離開第一模具54的力量；其中研磨單元52具有一小基板520，小基板520設(shè) 有多個(gè)磨粒521 ；多個(gè)磨粒521的切削端522分別突出第一支架511 ；使一平板16同一水平方向的施予多個(gè)磨粒521的切削端522靠向第一模具54的 力量，由平板55的施予研磨單元52的壓力及多個(gè)彈性單元53推頂研磨單元52的彈力呈 相等的狀態(tài)，使多個(gè)切削端522與一平面15的高度差異在20微米內(nèi)；由結(jié)合劑層512結(jié)合第一支架511及多個(gè)小基板520，使大基板51固定結(jié)合多個(gè) 研磨單元52，即可使多個(gè)切削端522被固定，形成一組合式修整器5。如圖14、15、16所示，本發(fā)明第六實(shí)施例的組合式修整器6的制法，包括如下步 驟使相迭的一固定模具61及一彈性單元62置于一第二模具63內(nèi)；使多個(gè)研磨單元64的多個(gè)磨粒640的切削端641分別穿過固定模具61的多個(gè)孔 611接觸彈性單元62 ；其中研磨單元64具有一小基板642，小基板642設(shè)有多個(gè)磨粒640 ；使一平板16同一水平方向的施予多個(gè)磨粒640的切削端641刺入可刺入單元62， 切削端641可接觸第二模具63的一底壁631，使多個(gè)切削端641與一平面15的高度差在 20微米內(nèi)，如圖15所示；由結(jié)合劑層652使一第二支架651固定結(jié)合多個(gè)研磨單元64的小基板642，使多 個(gè)切削端641被固定；使可刺入單元62分離多個(gè)切削端641，形成一組合式修整器6 ；其中第二支架651 及結(jié)合劑層652構(gòu)成一大基板65，如圖15所示。上述步驟(5)也可進(jìn)一步使固定模具61分離多個(gè)研磨單元64，使如圖15所示的 組合式修整器6不包括固定模具61?？纱倘雴卧?2可為雙面膠帶。本發(fā)明第六實(shí)施例的組合式修整器6，包括一大基板65、多個(gè)研磨單元64及一固 定模具61所組成。大基板65包括一第二支架651及結(jié)合劑層652 ；研磨單元64具有一小 基板642，小基板642設(shè)有多個(gè)磨粒640 ；多個(gè)磨粒640的切削端641分別穿過固定模具61 的多個(gè)孔611 ；結(jié)合劑層652使第二支架651固定結(jié)合多個(gè)研磨單元64的小基板642，使多 個(gè)切削端641被固定且與一平面15的高度差異在20微米內(nèi)，如圖15所示；組合式修整器 6也可不包括固定模具61。本發(fā)明的磨粒的材料可為人造或非人造鉆石、多晶鉆石(PCD)、立方晶氮化硼 (CBN)、多晶立方氮化硼(PCBN)、最硬結(jié)晶體、多晶材料、或上述材料的混合材料等所組成。本發(fā)明的大基板、第一支架、第二支架可為任何形狀、厚度、或材質(zhì)，而具有支撐磨 粒的能力，能達(dá)成支撐、固定磨粒的功效；該基板可由堅(jiān)固的材料所組成、由工藝中形成堅(jiān) 固的粉狀或膠狀材料所組成、或由具有彈性的材料所組成；典型的大基板的材料包含金屬、 金屬合金、塑料材料(Polymer)、陶制品、碳制品、及上述材料的混合物，以316L不銹鋼材料為佳。本發(fā)明的固定模具可為任何形狀、厚度、或材質(zhì)，而具有固定磨粒的能力，能達(dá)成 固定磨粒的功效；典型的固定模具的材料包含金屬、金屬合金、塑料材料(Polymer)、陶制 材料、碳材料、及上述材料的混合物，其中以不銹鋼為實(shí)施例代表。本發(fā)明的結(jié)合劑層的材料包含金屬、金屬合金、塑料材料(Polymer)、陶瓷材料、碳 材料、及上述材料的混合物，其中以塑料材料為實(shí)施例代表，此外也可包含焊接合金材料。本發(fā)明的大基板可為圓盤狀，直徑約80-120厘米(mm)。小基板可為圓盤狀，直徑 約10-30厘米，以20厘米較佳。磨粒的大小為100-500微米(micron)，以160-200微米較 佳。本發(fā)明大基板的較佳實(shí)施例可為不銹鋼材質(zhì)、或?yàn)榄h(huán)氧樹脂材質(zhì)，不需結(jié)合劑層直接以 環(huán)氧樹脂形成大基板并固結(jié)該多個(gè)小基板；結(jié)合劑層的較佳實(shí)施例可為樹脂材料；磨粒與 小基板固定方式的較佳實(shí)施例可由樹脂膠合或由含有鉻、鈦的銅鋅合金結(jié)合；小基板的外 表面有一含鎳的電鍍層。彈性單元的較佳實(shí)施例可以是高分子材料、橡膠材料、彈簧、半凝 固的塑料、硅膠、半凝固的膠水或泡棉等材料制成。本發(fā)明利用組合式的方法，先制作多個(gè)研磨單元，小的研磨單元較容易使多個(gè)磨 粒的切削端在同一高度，再組合多個(gè)研磨單元成為一大面積的組合式修整器，較容易使大 面積組合式修整器的多個(gè)磨粒的切削端在同一高度。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是制作小的研磨單元成 本較低，且組合式修整器可視需要變化不同的磨粒，例如組合式修整器的外圈可以用粒度 較大的鉆石，內(nèi)圈可以用粒度較小的鉆石；或是外圈可以用切削能力差，但較耐磨，晶形完 整的鉆石，內(nèi)圈可以用切削能力好，但是不耐磨，晶形較不好的鉆石。同一小研磨單元的鉆 石顆粒大小、形狀、材料相同，但組合式修整器內(nèi)的多個(gè)研磨單元的鉆石顆粒大小、形狀、材 料可相同或不相同。利用多個(gè)研磨單元組合成一較大的組合式修整器，可控制組合式修整 器的切削速度及磨耗率。以上所記載，僅為利用本發(fā)明技術(shù)內(nèi)容之實(shí)施例，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)者運(yùn)用本發(fā) 明所為的修飾、變化，皆屬本發(fā)明主張的權(quán)利要求范圍，而不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容。
權(quán)利要求
一種組合式修整器，是作為CMP拋光墊的修整器，包括一大基板；多個(gè)研磨單元，該多個(gè)研磨單元分別具有一小基板；該多個(gè)小基板的一面分別設(shè)有多個(gè)磨粒；該多個(gè)磨粒分別具有切削端；其中該多個(gè)研磨單元分別固定結(jié)合該大基板；其中該多個(gè)磨粒的切削端突出該大基板，該多個(gè)磨粒的切削端分別與一平面的高度差異在20微米內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的組合式修整器，其中該多個(gè)小基板的相對(duì)于設(shè)有該多個(gè)磨粒的 另一面分別接觸多個(gè)彈性單元，以由該多個(gè)彈性單元彈性調(diào)整該多個(gè)磨粒的切削端突出該 大基板的高度。
3.如權(quán)利要求1所述的組合式修整器，其中該大基板的材料包含金屬、金屬合金、塑料 材料、陶制品、碳制品及上述材料的混合物其中之一。
4.如權(quán)利要求1所述的組合式修整器，其中該大基板設(shè)有一結(jié)合面；該結(jié)合面設(shè)有多 個(gè)凹槽；該多個(gè)彈性單元分別置于該多個(gè)凹槽內(nèi)；由一結(jié)合劑層使該大基板及該多個(gè)研磨 單元的小基板分別固定結(jié)合。
5.如權(quán)利要求1所述的組合式修整器，其中該多個(gè)磨粒呈由中心向四周輻射狀的形 狀，該多個(gè)磨粒呈同心圓的排列形狀，該多個(gè)磨粒呈矩陣式的排列形狀，該多個(gè)磨粒呈對(duì)稱 式的排列形狀。
6.如權(quán)利要求2所述的組合式修整器，其中該多個(gè)彈性單元分別是高分子材料、橡膠 材料、彈簧、半凝固的塑料、硅膠、半凝固的膠水或泡棉其中之一制成。
7.如權(quán)利要求1所述的組合式修整器，其中該大基板包括一第一支架及一結(jié)合劑層； 該第一支架設(shè)有容納該多個(gè)彈性單元的多個(gè)穿透孔；該結(jié)合劑層固定結(jié)合該第一支架及該 多個(gè)小基板。
8.如權(quán)利要求1所述的組合式修整器，其中該大基板結(jié)合一固定模具；該固定模具設(shè) 有多個(gè)孔；該多個(gè)磨粒的切削端分別穿過該多個(gè)孔。
9.如權(quán)利要求8所述的組合式修整器，其中該大基板包括一第二支架及一結(jié)合劑層； 該結(jié)合劑層固定結(jié)合該第二支架及該多個(gè)小基板。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的組合式修整器，其中該多個(gè)研磨單元呈具有一中 心及圍繞中心的多個(gè)同心環(huán)排列的形狀，或成呈矩陣式排列的形狀，或成呈環(huán)狀排列的形 狀。
11.一種組合式修整器的制法，包括如下步驟(1)使多個(gè)彈性單元分別置于一大基板的一結(jié)合面的多個(gè)凹槽內(nèi)；(2)使多個(gè)研磨單元分別與該多個(gè)彈性單元相疊；該多個(gè)彈性單元分別施予該多個(gè)研 磨單元離開大基板的力量；(3)使一平板同一水平方向的施予該多個(gè)磨粒的切削端靠向該大基板的力量，由該平 板的施予該多個(gè)研磨單元的壓力及該多個(gè)彈性單元推頂該多個(gè)研磨單元的彈力呈相等的 狀態(tài)，使該多個(gè)切削分別與一平面的高度差異在20微米內(nèi)；(4)由結(jié)合劑層使該大基板固定結(jié)合該多個(gè)研磨單元，該多個(gè)磨粒的切削端突出該大 基板，使該多個(gè)切削端被固定形成該組合式修整器。
12.—種組合式修整器的制法，包括如下步驟(1)使多個(gè)彈性單元分別置于一第一模具的多個(gè)凹槽內(nèi)；(2)使多個(gè)研磨單元分別與多個(gè)彈性單元相疊；該多個(gè)彈性單元分別施予該多個(gè)研磨 單元離開該第一模具的力量；(3)使一平板同一水平方向的施予該多個(gè)磨粒的切削端靠向該第一模具的力量，由該 平板分別施予該多個(gè)研磨單元的壓力及多個(gè)多個(gè)彈性單元分別推頂研磨單元的彈力呈相 等的狀態(tài)，使該多個(gè)切削端分別與一平面的高度差異在20微米內(nèi)；(4)使一大基板分別結(jié)合該多個(gè)研磨單元，該多個(gè)磨粒的切削端突出該大基板，使該多 個(gè)切削端被固定形成該組合式修整器。
13.如權(quán)利要求12所述的組合式修整器的制法，其中該多個(gè)研磨單元分別具有一小基 板；該多個(gè)小基板的一面分別設(shè)有多個(gè)磨粒；該多個(gè)磨粒分別具有切削端；該大基板包括 一第一支架及一結(jié)合劑層；該第一支架設(shè)有容納該多個(gè)彈性單元的多個(gè)穿透孔；該第一支 架置于該第一模具內(nèi)；該結(jié)合劑層固定結(jié)合該第一支架及該多個(gè)小基板。
14.一種組合式修整器的制法，包括如下步驟(1)使相疊的一固定模具及一可刺入單元置于一第二模具內(nèi)；(2)使多個(gè)研磨單元的多個(gè)磨粒的切削端分別穿過該固定模具的多個(gè)孔接觸該可刺入 單元；(3)使該多個(gè)磨粒的切削端分別刺入該可刺入單元接觸該第二模具的一底壁，而使該 多個(gè)切削端分別與一平面的高度差異在20微米內(nèi)；(4)使一大基板分別結(jié)合該多個(gè)研磨單元，使該多個(gè)切削端被固定，該多個(gè)磨粒的切削 端突出該大基板；(5)使該刺入單元分離該多個(gè)切削端，形成該組合式修整器。
15.如權(quán)利要求14所述的組合式修整器的制法，其中該多個(gè)研磨單元分別具有一小基 板；該多個(gè)小基板的一面分別設(shè)有多個(gè)磨粒；該多個(gè)磨粒分別具有切削端；該多個(gè)磨粒的 切削端分別突出大基板。
16.如權(quán)利要求15所述的組合式修整器的制法，其中該大基板包括一第二支架及一結(jié) 合劑層；由一平板同一水平方向的施予該多個(gè)磨粒的切削端刺入該可刺入單元；該結(jié)合劑 層固定結(jié)合該第二支架及該多個(gè)小基板。
17.如權(quán)利要求14、15或16所述的組合式修整器的制法，進(jìn)一步包括使該固定模具分 離該多個(gè)研磨單元。
全文摘要
一種組合式修整器，包括一大基板、多個(gè)彈性單元及多個(gè)研磨單元；多個(gè)研磨單元分別包括多個(gè)磨粒；多個(gè)磨粒分別具有一切削端；多個(gè)研磨單元分別結(jié)合大基板；多個(gè)彈性單元分別置于多個(gè)研磨單元與大基板之間，以由多個(gè)彈性單元分別彈性調(diào)整多個(gè)磨粒的切削端突出大基板的高度，然后使多個(gè)研磨單元分別固定結(jié)合該大基板；較容易使大面積組合式修整器的多個(gè)磨粒的切削端在同一高度，可視需要變化不同的磨粒，且制作多個(gè)小的研磨單元在組合成一大面積修整器的成本較低。
文檔編號(hào)B24B29/00GK101879702SQ20091013799
公開日2010年11月10日 申請(qǐng)日期2009年5月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月5日
發(fā)明者宋健民, 陳盈同 申請(qǐng)人:宋健民;陳盈同