專利名稱：一種在硅表面化學(xué)鍍鉑的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于化學(xué)鍍鉑技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及利用金和鉑在硅表面發(fā)生的共沉積作用 以及鉑在金所預(yù)先形成的品籽上生長(zhǎng)的技術(shù)原理來(lái)實(shí)現(xiàn)在硅表面的均勻化學(xué)置換牽度 鉑納米顆粒層。
背景技術(shù)：
目前半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣，當(dāng)今科技對(duì)半導(dǎo)體器件的要求也越來(lái)越 高，由此在硅表面敷鍍納米級(jí)的金屬薄膜技術(shù)已日漸受到眾多科研工作者的關(guān)注，特 別是在以硅為載體的微小型電化學(xué)反應(yīng)裝置方面，對(duì)硅基材料金屬化的迫切應(yīng)用也越
發(fā)凸顯。目前硅芯片大小的燃料電池也n益受到各方面的關(guān)注，其工藝通常是在經(jīng)過(guò) 深度離子刻蝕的大比表面積硅上鍍敷鉑系為主的催化劑顆粒，再通過(guò)耐熱玻璃制出'燃
料流通槽，以及覆蓋聚合物薄膜，大量實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明，利用MEMS系統(tǒng)所制備的多
孔電極可使燃料電池溶液在孔道中快速流動(dòng)，.提高其電化學(xué)反應(yīng)的效率，從而減小微 反應(yīng)器的體積。如何能夠?qū)崿F(xiàn)價(jià)格低廉、工藝簡(jiǎn)單、催化效果好、鈾催化劑顆粒與硅 基地粘附性強(qiáng)的技術(shù)，在硅表面敷鍍鉑薄膜的研究就顯得很有意義。
目前硅表面薄膜的制備方法主要分為氣相法和液相法:氣相法包括物理氣相沉積
法(PVD)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)，液相法包括電鍍和化學(xué)鍍等。PVD中包含有 熱蒸發(fā)、濺射、離子鍍和分子束外延等方法。熱蒸發(fā)是鍍件真空蒸發(fā)產(chǎn)生的氣相原子 或分子成膜技術(shù)，鍍層密度和附著力一般；濺射沉積是以鍍件為陽(yáng)極，靶材為陰極來(lái) 制膜，鍍膜密度大、附著力強(qiáng)；離子鍍是以鍍件為陰極，蒸發(fā)源為陽(yáng)極，在鍍件表面 輝光放電后制備薄膜，特點(diǎn)是致密度高、附著力強(qiáng)?；瘜W(xué)氣相沉積法(CVD)也是制 備固體薄膜的一種工藝技術(shù)，其原理是利用原子的氣態(tài)傳質(zhì)過(guò)程，使反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài) 條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在固態(tài)基體表面生成固態(tài)薄膜。然而氣相法對(duì)設(shè)備以及工藝的 要求都較為嚴(yán)格，設(shè)備價(jià)格昂貴，尤其是CVD法對(duì)基地材質(zhì)的耐高溫性能要求較高，應(yīng)用范圍受到了一定的局限。電鍍法工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，并且對(duì)設(shè)備要求不高，然而影口向 電鍍法廣泛使用的原因有以下幾點(diǎn)l.對(duì)鍍件的要求是要導(dǎo)電性能良好，對(duì)半導(dǎo)體禾才 料而言效果不好；2.由于存在電場(chǎng)分布不均勻效應(yīng)以及受離子擴(kuò)散速率的影響，在凹 槽內(nèi)部或轉(zhuǎn)角處，會(huì)導(dǎo)致鍍膜的分布不均勻并產(chǎn)生過(guò)量沉積，嚴(yán)重時(shí)會(huì)堵塞孔道的入 口，使得孔道內(nèi)部產(chǎn)生大量空穴或氣泡，嚴(yán)重影響鍍層質(zhì)量；3.對(duì)納米級(jí)薄膜的成膜 狀態(tài)不好控制，其實(shí)施工藝較為復(fù)雜。化學(xué)鍍是一種工藝簡(jiǎn)單、節(jié)能、高效的在金屬、 非金屬、半導(dǎo)體表面施鍍的一種技術(shù)，它可不受電力線分布不均勻的影響，也可不需 考慮材料的導(dǎo)電性的強(qiáng)弱，因此可以在諸多材料表面進(jìn)行敷鍍。
化學(xué)鍍始于1946年，由賓尼和羅拉爾首先發(fā)明了化學(xué)鍍鎳磷合金，此后該技術(shù) 獲得了長(zhǎng)足的發(fā)展，衍生為多金屬多種類的敷鍍工藝，并廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、航空航 天、軍事等領(lǐng)域。其原理是無(wú)外接電源的情況下，由溶液中的還原性物質(zhì)來(lái)提供金屬 離子沉積所需要的電子。與電鍍法相比具有以下的優(yōu)點(diǎn)l.鍍層均勻，無(wú)邊緣效應(yīng)， 適合腔體件、深孔件、盲孔件；2.結(jié)合力、外觀、致密度優(yōu)于電鍍；3.工藝簡(jiǎn)單、成 本低廉，對(duì)鍍件的形狀和大小沒(méi)有限制；4.尤其適合半導(dǎo)體材料的表面金屬化，可進(jìn) 行多種金屬的施鍍。
由于硅本身是半導(dǎo)體，因此在硅表面化學(xué)鍍貴金屬時(shí)通常要經(jīng)過(guò)活化的過(guò)程，傳 統(tǒng)的手段是在硅表面預(yù)先吸附Sn2+，然后再把其浸潤(rùn)到含有Pd&溶液中進(jìn)行預(yù)沉積原 子鈀，由于鈀自身的催化活性高，由此可以原子鈀作為催化活性中心在其上進(jìn)行進(jìn)一 步的施鍍行為，該方法由于利用的是吸附作用，但對(duì)于表面微結(jié)構(gòu)在并十分不均一的 硅而言，其鈀顆粒的吸附并不均勻，同時(shí)由于鈀顆粒相對(duì)較大，對(duì)制備均一度要求較 高的納米級(jí)薄膜難度較大，鑒于鈀晶籽所存在的問(wèn)題，此后的研究發(fā)展為在HF酸的 溶液中加入鈀離子、銅離子以及銀離子，于硅表面制備出了鈀、銅、銀晶籽等催化顆 粒的置換化學(xué)鍍方法，并在其上可進(jìn)行化學(xué)鍍銅、銀、金薄膜等l.Hui-Feng Wang, Yan-Gang Yan, Sheng-Juan Huo, Wen-Bin Cai, Qun-Jie Xu, Masatoshi Osawa， Seeded growth fabrication of Cu-on-Si electrodes for in situ ATR-SEIRAS applications, Electrochimica Acta, Volume 2007, 52(9), 5950-5957.
2.Hao Tong, Li Zhu, Mengke Li, Chunming Wang, Electroless silver deposition on Si(lOO) substrate based on the seed layer of silver itself, Electrochimica Acta, 2003, 48(17), 2473-2477.3. Fenning Jing, Hao Tong, Lingbin Kong, Chunming Wang, Elec加less gold deposition on silicon (100) wafer based on the seed layer of silver, Applied Physics A, 80(3) 2005,597 — 600.
4. Sheng-Juan Huo, Xiao-Kang Xue, Qiao-Xia Li, Su-Fan Xu, Wen-Bin Cai, Seeded-Growth Approach to Fabrication of Silver Nanoparticle Films on Silicon for Electrochemical ATR Surface-Enhanced IR Absorption Spectroscopy, J. Phys, Chem. B 2006,110,25721-25728.，其反應(yīng)機(jī)理是通過(guò)HF酸對(duì)硅的腐蝕作用，使硅表面釋放: 電子，從而來(lái)還原溶液中金屬離子，由于所生成的金屬原子可在硅表面逐漸生長(zhǎng)，由 此生成催化晶籽層。然而，對(duì)于銅、銀這樣標(biāo)準(zhǔn)還原電位較低的金屬不適宜做鉑的fi 化晶籽層，在有鉑離子存在的情況下易發(fā)生置換反應(yīng)，引起鍍膜的脫落，同時(shí)由于銅、 銀異種金屬元素晶籽的抗腐蝕能力較弱，也有可能對(duì)鉑催化劑的使用壽命帶來(lái)不利的 影響。
因此，直接通過(guò)HF與H2PtCl6、 HAuCl4、 PdCl2、 NH4Re04在硅表面制備鈾、 金、鈀顆粒的研究工作目前已有報(bào)道1 .Ilaria Lombardi, Stefano Marchionna, Giovanni Zangari，Sergio Pizzini, Effect of pt particle size and distribution on photoelectrochemipal hydrogen evolution by p-Si photocathodes, Langmuir, 2007,23， 12413-12420. 2.Shinji Yae, Noriaki Nasu, Kohei Matsumoto, Taizo Hagihara, Naoki Fukumuro, Hitoshi Matsuda, Nucelation behavior in electroless displacement deposition of metals on silicon from hydrofluoric acid solutions, Electrochimica Acta, 2007, .53， 35-41.
3. Peng Kuiqing, Zhu Jing, Morphological selection of electroless metal deposits on silicon in aqueous fluoride solution, Electrochimica Acta, 2004,49,2563-2568.
4. Eduardo C. Mufioz, Ricardo S. Schrebler， Paula C. Grez, Rodrigo G. Henriquez, Cristopher A. Heyser, Patricia A. Verdugo, Ricardo E. Marotti, Rhenium electroless deposition on p-Si(l 0 0) from HF solutions under illumination: Hydrogen evolution reaction onto p-Si/Re systems, Journal of Electroanalytical Chemistry, 2009, DOI: 10.1016/j.jelechem.2009.05.00U,然而眾多研究表明在有HF存在的溶液中進(jìn)行化學(xué) 鍍鉑、鈀時(shí)，在硅表面的鉑、鈀顆粒較大并且非常分散，始終難以形成致密顆粒以及 薄膜，同時(shí)鉑、鈀顆粒與硅的粘附力較弱，容易脫落，這就大大降低了鉑在硅表面的 利用率，由于鉑與硅結(jié)合后可在可見(jiàn)光照射下，降低析氫電位，實(shí)現(xiàn)光催化析氫的作用，同時(shí)又是對(duì)甲醇等有機(jī)小分子催化性能很強(qiáng)的一種金屬，其在硅表面過(guò)于分散的 密度以及較大的顆粒，必將降低其催化析氫的性能以及鉑的電催化效率。因此在硅表 面制備致密度高、粘附性強(qiáng)的鉬納米顆粒對(duì)實(shí)現(xiàn)其高的催化功能，尤其是對(duì)需要高t:匕 表面積的硅基微反應(yīng)器而言有著非常重要的意義。目前有關(guān)在硅表面進(jìn)行置換化學(xué)鎮(zhèn) 沉積致密鉑納米薄膜的研究還未見(jiàn)報(bào)道。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決硅表面置換化學(xué)鍍導(dǎo)致鉑的顆粒分散問(wèn)題，以及鉑顆粒與硅基的粘附弓雖 力的問(wèn)題，本發(fā)明提出一種操作簡(jiǎn)單，價(jià)格低廉，電化學(xué)性能優(yōu)越的新置換化學(xué)鍍牽白 層方法。
一種在硅表面化學(xué)鍍鉬的方法，其特征在于包括以下歩驟 (O、先對(duì)硅表面進(jìn)行清洗處理；
(2) 、然后在氟化氫溶液中進(jìn)行刻蝕處理；
(3) 、將經(jīng)過(guò)刻蝕后的硅片置于HF與H2PtCl6以及HAuCU的混合溶液中浸泡3~15 分鐘，濃度分別是，HF為1~薩，H2PtCl6為3.8XI0-4~3.8 XI(T5M， HAuCLt為4.0 X1(T5M~4.0X10-7M，鍍液溫度為20-50'C;
(4) 、之后用水清洗，即可得到密度高的納米級(jí)鉑薄膜。 本發(fā)明的創(chuàng)新之處在于首次提出在含有氫氟酸與氯鉑酸的溶液中加入少量氯金
酸作為誘發(fā)溶液，從而在硅表面生成致密的鉑納米薄膜，由于AuCV + 3e —Au + 4Cr,
E" =+1.00V ， PtCl62- + 4e — Pt + 6Cr , Ee -+0.73V ，金的標(biāo)準(zhǔn)還原電位明顯高于
鉑的還原電位，因此金在硅表面更容易發(fā)生沉積生成致密的顆粒。由于所加入的金離 子的濃度很低，所形成的金粒子僅在硅表面形成致密晶籽層，此后的銷可在所形成的 晶籽層表面發(fā)生沉積，由此可提高鉑鍍膜的致密度，并不影響鉑薄膜的成份。同時(shí)由 于硅可與金形成AuxSi化合物，其作用力也大大增強(qiáng)，由此可增強(qiáng)所形成的鉑與硅的 相互作用力，延長(zhǎng)鉑的硅上的使用壽命。
本發(fā)明有如下優(yōu)點(diǎn)l.操作簡(jiǎn)單，穩(wěn)定性好，價(jià)格低廉；2.成膜速率高，薄膜致
密度好，與基底粘附性好，可通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間對(duì)甲醇的電化學(xué)氧化性能測(cè)試；3.由于金的 濃度含量微小，鉑薄膜的純度非常高；


圖la為在傳統(tǒng)的方法制備Pt/Si的SEM圖(即未加入金離子的化學(xué)鍍液)，實(shí)施 條件是經(jīng)預(yù)處理后的硅片在3.861 X 10—4M H2PtCl6 +10M HF中化學(xué)鍍15分鐘的SEM 圖，鍍液溫度為25'C。
圖lb為實(shí)施例1的SEM圖，實(shí)施條件是將預(yù)處理后的硅片置于10MHF+3.861 X10'4M H2PtCl6+ 4.0X10—7M HAuCU的鍍液中，鍍液溫度為25T:,化學(xué)鍍時(shí)間為3 分鐘。
圖lc為實(shí)施例2的SEM圖，實(shí)施條件是預(yù)處理后的硅片置于10M HF+3.861 X 104M H2PtCl6+ 4.0X10-7M HAuCl4的鍍液中，鍍液溫度為25°C ，化學(xué)鍍時(shí)間為10分鐘。
圖Id為實(shí)施例3的SEM圖，實(shí)施條件是將預(yù)處理后的硅片置于10MHF+3.861 X 10—4M H2PtCl6+ 4.0X 10—7M HAuCl4的鍍液中，鍍液溫度為25°C，化學(xué)鍍時(shí)間為15 分鐘。
圖le為實(shí)施例3的EDX圖。
圖If為實(shí)施例5的SEM圖，實(shí)施條件是將預(yù)處理后—的硅片置于10MHF+3.8X l(r4MH2Pta6+4.0X10—5MHAuCl4，鍍液溫度為50。C，化學(xué)鍍時(shí)間為15分鐘 圖2為硅片在不同的鍍液中的開(kāi)路時(shí)間-電位(OCP-t)圖
其中曲線1為經(jīng)預(yù)處理后的硅片在4.0X 10—7M HAuCl4+10M HF溶液中的OCP-t 圖，曲線2為經(jīng)預(yù)處理后的硅片在3.861 X H2PtCl6+ 4.0X 1(T7M HAuCl4+10M HF 溶液中的OCP-t圖，曲線3為經(jīng)預(yù)處理后的硅片在3.861 X lO^M H2PtCl6+10M HF溶 液中的OCP-t圖。
圖3a為傳統(tǒng)的方法(即未加入金離子的化學(xué)鍍液)制備Pt/Si電極在濃度為2M
MeOH+0.5M H2S04溶液中的循環(huán)伏安(CV)圖，Pt/Si電極的實(shí)施條件是經(jīng)預(yù) 處理后的硅片在3.861 X 104M H2PtCl6 +10M HF中化學(xué)鍍15分鐘。其中曲線a為掃 描第一圈的CV圖，曲線b為掃描第50圈的CV圖，掃速為100mV/s。
圖3b為實(shí)施例1的Pt/Si電極在濃度為2M MeOH+0.5M ^04溶液中掃描第50 圈的循環(huán)伏安(CV)圖，掃速為100mV/s。
圖3c為實(shí)施例2的Pt/Si電極在濃度為2M MeOH+0.5M H2S04溶液中的循環(huán)伏 安(CV)圖，其中曲線a為掃描第一圈的CV圖，曲線b為掃描第50圈的CV圖，掃速為100mV/s。
圖3d為實(shí)施例4的Pt/Si電極在濃度為2M MeOH+0.5M H2S04溶液中掃描第50 圈的循環(huán)伏安(CV)圖，掃速為100mV/s。
具體實(shí)施例方式
結(jié)合附圖和實(shí)例對(duì)本制備方法和應(yīng)用進(jìn)行進(jìn)一歩說(shuō)明。 實(shí)施實(shí)例1.
硅片預(yù)處理將硅片依次用乙醇、超純水超聲清洗2-3次，再依次置于含有
H202:NH4OH:H20 (1:1:5)， H202:HC1:H20 (1:1:5)的溶液中80。C下IO分鐘，接下來(lái)再 置于2M HF+40%NH4F溶液中浸泡2分鐘。.將預(yù)處理后的硅片置于10M HF+3.861 X 10—4M H2PtCl6+ 4.0X 10-7M HAuCl4的鍍液中，鍍液溫度為25°C，化學(xué)鍍時(shí)間為3分鐘。
實(shí)施實(shí)例2.
預(yù)處理方法同甜。將預(yù)處理后的石上片置于10M HF+3.861 X 1(T4M H2PtCl6+ 4.0X 1(^MHAuCU的鍍液中，鍍液溫度為25'C，化學(xué)鍍時(shí)間為10分鐘。
實(shí)施實(shí)例3.
預(yù)處理方法同前。將預(yù)處理后的硅片置于10M HF+3.861 X 10—4M H2PtCl6+ 4.0X 1(^MHAuCLt的鍍液中，鍍液溫度為25"C,化學(xué)鍍時(shí)間為15分鐘。
實(shí)施實(shí)例4.
預(yù)處理方法同前。將預(yù)處理后的硅片置于1M HF + 3.8X1(T5M H2PtCl6+ 4.0X 10—7MHAuCU的鍍液中，鍍液溫度為2(TC，化學(xué)鍍時(shí)間為3分鐘。
實(shí)施實(shí)例5.
預(yù)處理方法同甜。將預(yù)處理后的硅片置于薩HF+ 3.8X10-4M H2PtCl6+ 4.0X l(T5MHAuCl4，鍍液溫度為5(TC，化學(xué)鍍時(shí)問(wèn)為15分鐘。
8圖la為在傳統(tǒng)的方法制備Pt/Si的SEM圖(即未加入金離子的化學(xué)鍍液)可以 看出鉑顆粒在硅表面分散非常稀疏，且粒徑大小在200-500 nm范圍內(nèi)分布。通過(guò)2寸 該條件制備的Pt/Si電極在甲醇溶液中進(jìn)行掃描后得到的CV圖(如圖3a)可知，在 掃描第一圈時(shí)有較明顯的氧化電流，然而對(duì)甲醇特征氧化峰的電流不明顯，同時(shí)在回 掃時(shí)也未發(fā)現(xiàn)特征氧化峰，且經(jīng)過(guò)50圈掃描后氧化電流衰減表現(xiàn)非常明顯。說(shuō)明l專 統(tǒng)制備的Pt/Si電極其穩(wěn)定性和催化特性都較低，在經(jīng)過(guò)多圈的掃描后鉑顆粒與硅的 作用力較低，非常容易從硅基體上發(fā)生脫落，導(dǎo)致氧化電流的快速衰減。
圖lb、 c、 d是經(jīng)過(guò)處理的硅片在本發(fā)明化學(xué)鍍液中經(jīng)過(guò)3、 10、 15min后的SEM 圖，圖le是經(jīng)沉積15min后的EDX能譜圖，可以看出在溶液中添加了金離子后在 3min時(shí)就明顯地發(fā)生了沉積反應(yīng)，且顆粒尺寸微小、分布均勻，表面未發(fā)生覆蓋的 區(qū)域較多。隨著時(shí)間的延長(zhǎng)如10min時(shí)，表面的覆蓋度明顯提高，在沉積15分鐘后 表面基本發(fā)生的完全的覆蓋，與傳統(tǒng)方法相比較可明顯看出在相同的時(shí)間內(nèi)鉑的硅片 表面致密度具有明顯地提高，經(jīng)過(guò)EDX能譜表明在沉積發(fā)生15分鐘后的薄膜主要成 份為鉑，未發(fā)現(xiàn)有金的成份，這主要是與金的含量很低有關(guān)，儀器的監(jiān)測(cè)限的限制未 能監(jiān)測(cè)到金的存在，說(shuō)明該薄膜的純度非常高。圖lf是H2PtCl6與HAuCLt濃度高時(shí)， 鍍液溫度為5(TC，化學(xué)鍍時(shí)間為15分鐘的SEM圖，可以看出在高濃度的H2PtCl6和 HAuCU溶液中以及長(zhǎng)時(shí)間的沉積條件下，其表面所生成的薄膜的團(tuán)聚現(xiàn)象更為明顯。 在對(duì)加入金元素的Pt/Si電極對(duì)甲醇的電催化測(cè)試后表面，在發(fā)生沉積3min時(shí)該P(yáng)t/Si 電極就已經(jīng)對(duì)甲醇具備了良好的催化活性，經(jīng)過(guò)50圈掃描后甲醇的氧化峰比較明顯， 峰電流也較大(如圖3b)。圖3b是經(jīng)過(guò)沉積10min后的該電極的CV圖，可見(jiàn)掃描第 50圈的峰電流比掃描第一圈峰電流有微弱的下降,這可能是與溶液中甲醇濃度的在掃 描中的減少有關(guān)，但甲醇的特征峰電流未發(fā)生明顯的下降，10min沉積的甲醇的峰電 流明顯高于3min沉積的峰電流。在降低鉑離子的濃度以及HF酸的濃度后也可實(shí)現(xiàn) 對(duì)甲醇的電化學(xué)催化，如圖3d為，為實(shí)施例4的Pt/Si電極在濃度為2MMeOH+0.5M H2S04溶液中掃描第50圈的循環(huán)伏安(CV)圖。雖然鉑離子的濃度以及HF酸的濃 度相對(duì)較低，但仍可見(jiàn)明顯的甲醇的氧化峰的存在，且穩(wěn)定性相對(duì)較好。以上結(jié)果表 明，本發(fā)明的實(shí)驗(yàn)配方經(jīng)過(guò)多次掃描后其穩(wěn)定性良好，這說(shuō)明金粒子與硅的強(qiáng)相互作 用可提高其與硅的穩(wěn)定性，鉑在該晶籽表上再成核后會(huì)提高鉑與硅的粘附力強(qiáng)度，從 而提高鉑催化劑的使用壽命。圖2是OCP-t圖，中曲線2是有HzPtCl6與HAuCU存在的溶液中，可見(jiàn)開(kāi)路電 位隨著化學(xué)鍍液的加入發(fā)生了快速的下降，說(shuō)明硅表面發(fā)生了快速地沉積，而單純的 H2PtCl6 (曲線])或HAuCU (曲線3)的開(kāi)路電位下降不明顯，說(shuō)明所發(fā)生的沉積速 率較慢，由此可見(jiàn)在溶液中加入了余離子后可提高鉑的沉積速率。
權(quán)利要求
1、一種在硅表面化學(xué)鍍鉑的方法，其特征在于包括以下步驟(1)、先對(duì)硅表面進(jìn)行清洗處理；(2)、然后在氟化氫與氟化氨溶液中進(jìn)行刻蝕處理；(3)、將經(jīng)過(guò)刻蝕后的硅片置于HF與H2PtCl6以及HAuCl4的混合溶液中浸泡3～15分鐘，濃度分別是，HF為1-10M，H2PtCl6為3.8×10-4～3.8×10-5M，HAuCl4為4.0×10-5M～4.0×10-7M，鍍液溫度為20-50℃；(4)、之后用水清洗，即可得到密度高的納米級(jí)鉑薄膜。
全文摘要
一種在硅表面化學(xué)鍍鉑的方法，屬于化學(xué)鍍鉑的技術(shù)領(lǐng)域，具體是在硅片上化學(xué)鍍粘附性強(qiáng)、致密高的金屬鉑的方法。該方法是在氫氟酸溶液中加入了氯金酸和氯鉑酸，從而可在硅表面快速誘發(fā)致高密度的鉑的沉積，并可實(shí)現(xiàn)在硅表面鉑薄膜層的完全覆蓋，得到致密、牢固、均勻、顆粒微小的鉑鍍層。該方法操作簡(jiǎn)單、成本低廉、表面鉑顆粒分布均勻。
文檔編號(hào)C23C18/31GK101654777SQ20091003494
公開(kāi)日2010年2月24日 申請(qǐng)日期2009年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月8日
發(fā)明者浩 佟, 張校剛 申請(qǐng)人:南京航空航天大學(xué)