專利名稱：：等離子體處理容器內部件以及等離子體處理裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及等離子體處理容器的再生方法、等離子體處理容器內部部件、等離子體處理容器內部部件的制造方法以及等離子體處理裝置。
背景技術：
：本發(fā)明涉及等離子體處理容器的再生方法和等離子體處理容器內部部件及其制造方法，以及等離子體處理裝置，特別是能夠將因在等離子體中使用而造成表面劣化的部件再生得如同新品一樣的等離子體處理容器的再生方法。在制造使用半導體和液晶等的設備的工序中，一般使用蝕刻裝置等等離子體處理裝置。在這些等離子體處理裝置內(等離子體處理容器內)，由于使用了CF4等活性氣體作為處理氣體，所以內部部件容易遭受化學損傷，而且由于存在由等離子體激發(fā)的離子等，很容易因腐蝕受損。因此，在過去，等離子體處理容器的內部部件是用等離子體消耗少的覆膜對鋁材等基材的表面進行覆蓋保護。特別是氧化鋁、稀土族氧化物等的噴鍍膜，因等離子體消耗少，而被用作覆膜。并且，在以鋁等為材料的等離子體處理容器內部部件的基材上，設置厚度為例如1.5mm的聚酰亞胺板，以保護該部件。另一方面，在這種等離子體處理裝置中，在處理室內的預定位置上配置有聚焦環(huán)或屏蔽環(huán)等許多具有導電性或絕緣性的可更換部件(下面稱為"裝置部件")。因此，在上述等離子體處理裝置中，由于處理室內生成的等離子體可使裝置部件的表面被削去而變形，所以需要將這樣的產生變形的部件作為消耗品而廢棄掉，換上新的部件。但是，噴鍍膜在長時間的使用后，不可避免地由表面開始劣化，膜厚減少，由于這種膜厚的減少狀況決定了內部部件的壽命，使用過的部件必須更換為新的，因此不經濟。而且噴鍍膜的表面有許多凹凸部分，特別是在凸起的部分，在等離子體處理容器內部部件的使用初期，容易形成與處理氣體反應生成的生成物顆粒，而有可能導致制品不合格。同樣，在設置聚酰亞胺等板的情況下，一旦表面劣化，也需要更換，而基材和樹脂板之間不可避免地會有間隙，存在著因密閉性差而使污物泄漏等問題。另外，對于上述可更換的裝置部件，在裝置部件因消耗而變形的情況下，如上所述，存在將該變形的部件作為消耗品廢棄掉、更換上新的部件的情況。但是，問題在于，如此經常用新部件更換所消耗的裝置部件會提高成本，且當新部件沒有庫存時，生產線不得不停止生產。鑒于現有等離子體處理容器的內部部件所具有的上述問題，本發(fā)明的目的在于，提供可再生出如同新品一樣的、新的且經過改良的等離子體處理容器的再生方法與等離子體處理容器的內部部件和等離子體處理容器的制造方法和等離子體處理裝置。其目的還在于提供一種等離子體處理容器的再生方法，使得即使在裝置部件的一部分形狀變形的情況下，也能夠以簡單的方法修復作為替代品的裝置部件。
發(fā)明內容為了解決上述問題，本申請的第一發(fā)明，其特征在于，在基材的表面覆蓋有氧化鋁、稀土族氧化物、聚酰亞胺或聚苯并咪唑中的任意一種噴鍍膜的等離子體處理容器內部部件的、隨著使用而發(fā)生劣化的噴鍍膜上，再噴鍍與上述噴鍍膜同樣的材料。由此就能夠使因在等離子體中使用而表面發(fā)生劣化的等離子體處理容器再生得如同新品一樣。作為更優(yōu)選的形態(tài)，在上述再噴鍍以前，也可以設置干冰噴射工序。這樣就可以抑制初期顆粒的產生。作為更優(yōu)選的形態(tài)，還可以在上述再噴鍍后設置干冰噴射工序。本申請的第二方面，是在配置于上述等離子體處理容器內預定位置的上述部件的一部分形狀發(fā)生改變的情況下，通過等離子體處理除去該變形的部件，然后，將制成變形之前的形狀的部件接合在除去了上述變形部分的地方。.按照上述方法，在裝置部件的一部分形狀發(fā)生變形的情況下，通過只將該變形部分更換為按照變形前的形狀制成的部件，就不需將該裝置部件整體換成新品，以簡單的操作就能夠將該裝置部件復原為原來的形狀。本申請的第三方面，是一種等離子體處理容器的內部部件，其特征在于，基材的表面覆有氧化鋁、稀土族氧化物、聚酰亞胺或聚苯并咪唑當中任何一種噴鍍膜，在噴鍍以后，對上述任何一種噴鍍膜進行干冰噴射。在本申請的第四方面，是等離子體處理容器內部部件的一種制造方法，其特征在于，該方法包括在基材表面覆蓋氧化鋁、稀土族氧化物、聚酰亞胺和聚苯并咪唑中的任何一種噴鍍膜的工序；和在噴鍍上述任何一種噴鍍膜后進行干冰噴射的工序。按照本發(fā)明的第三、第四方面，可以抑制初期顆粒的產生。而按照本發(fā)明的第三、第四方面，可提供在使用初期抑制顆粒的產生、在再噴鍍后功能也不退化的可再生得如同新品一樣的等離子體處理容器的內部部件及其制造方法。圖1為本發(fā)明第一、第二實施方式中的等離子體處理裝置的結構圖；圖2為本發(fā)明第一實施方式中的等離子體處理容器內部部件的剖面示意圖；圖3表示本發(fā)明第一實施方式中的等離子體處理容器再生經過的剖面示意圖；圖4表示本發(fā)明第二實施方式中的等離子體處理容器內部部件再生經過的剖面示意圖；圖5為本發(fā)明第三實施方式中作為等離子體裝置的蝕刻裝置的內部結構圖；圖6為聚焦環(huán)的剖面圖；圖7為本發(fā)明第三實施方式中的等離子體裝置用部件再生方法的一種實施方式的示意圖；圖8為屏蔽環(huán)的剖面圖；圖9為作為本發(fā)明第三實施方式的等離子體裝置用部件的修復方法的另一種實施方式的示意圖。符號說明100等離子體處理容器內部部件；110噴鍍膜；120基材；131、133、135噴鍍膜表面;210聚焦環(huán)(等離子體裝置用部件)；210a變形部分；210b新部件(等離子體裝置用部件)；222屏蔽環(huán)(等離子體裝置用部件)；222a變形部分；222b新部件(等離子體裝置用部件)。具體實施方式下面參照附圖，詳細說明本發(fā)明的可再生等離子體處理容器的再生方法與等離子體處理容器的內部部件及其制造方法，以及等離子體處理裝置的優(yōu)選實施方式。本發(fā)明的可再生等離子體處理容器內部部件，可用于等離子體處理裝置內的各種部件，例如f求〉一》K、擋板、聚焦環(huán)、絕緣環(huán)、屏蔽環(huán)、波紋管罩、電極等。下面主要以半導體制造裝置為例進行說明。(第一和第二實施方式)圖1為本發(fā)明第一、第二實施方式的等離子體裝置1的結構示意圖。等離子體裝置1中的處理室2，是例如由經過鋁氧化法處理的鋁等基材形成的圓筒狀處理容器，并接地。在處理室2內的底部設有陶瓷等的絕緣支持板3，在該絕緣支持板3的上部，設有用于放置例如直徑8英寸的半導體晶片等被處理基板的大致呈圓柱狀的基座支持臺4。在基座支持臺4上設有構成下部電極的基座5，并與高通濾波器(HPF)6相連。在基座支持臺4的內部設有熱交換室7，來自外部的熱交換介質通過熱交換介質輸入管8與熱交換介質排出管9進行循環(huán)，形成用基座5可將半導體晶片W維持在預定溫度的結構。并形成可通過溫度傳感器(未圖示)、溫度控制機構(圖中未顯示)自動地控制該溫度的結構。并且，在基座5上，設有用于吸附保持半導體晶片W的靜電卡盤11。該靜電卡盤11具有例如由聚酰亞胺樹脂從上下夾持住導電薄膜電極12的結構，當由設置在處理室2外部的直流電源13給電極12施加例如1.5kV的電壓時，通過庫侖力將晶片W吸附保持在靜電卡盤11上。當然，也可不采用這種靜電卡盤，而是采用由機械夾子等壓住晶片W的周邊部，將晶片W保持在基座5上的結構。另外，在絕緣板3、基座支持臺4、基座5以及靜電卡盤11上，在半導體晶片W的背面形成用于供給例如氦氣等介質的氣體通路14，利用氦氣等傳熱介質使半導體晶片W維持在預定的溫度。在基座5上的周邊，設有大致呈環(huán)狀的聚焦環(huán)15，用于將靜電卡盤11圍住。聚焦環(huán)15由例如導電硅制造，具有使等離子體中的離子有效地射入到半導體晶片W的功能。在處理室2內的上部，通過絕緣部件25和屏蔽環(huán)55支持著上部電極21。該上部電極21包括由例如鋁制成的電極支持體22、和與基座5平行相對的具有多個排出孔24的由例如硅制成的電極板23等?；?與上部電極21之間具有一定的間距，例如大約1060mm。在電極支持體22上設有氣體輸入口26，并連接著氣體供給管27。而且，通過閥門28和質量流量調節(jié)器29與處理氣體供給源30相連，向處理室2內輸入蝕刻氣體或其它處理氣體。作為處理氣體，可以使用例如氟碳氣體(CxFy)、氟代烴氣體(CpHqFr)等含有鹵族元素的氣體。在處理室2的下部，通過排氣管31連接著真空泵等排氣裝置35。排氣裝置35包括渦輪分子泵等真空泵，能夠使處理室2內抽成例如10mTorr1000mToiT的任意真空度。在處理室2的側壁，設有閘門32，在閘門32開啟的狀態(tài)下，將半導體晶片W送入到相鄰的裝載鎖定室(未圖示)之間。下面說明該等離子體裝置1的高頻電力供給系統(tǒng)。首先由第一高頻電源40輸出頻率約為27150MHz的高頻電力，通過耦合器41和供電棒33供給到上部電極21。且上部電極21連接著低通濾波器(LPF)42。通過這樣施加高頻電壓，就可使處理室2內形成處于優(yōu)選的離解狀態(tài)且高密度的等離子體，并能夠進行低壓條件下的等離子體處理。作為高頻電源40，可以使用例如60MHz的高頻電源。另一方面，由高頻電源50輸出的頻率為例如4MHz以下的高頻電力，通過耦合器51供給到組成下部電極的基座5。通過施加該范圍的頻率，就能夠起到對半導體晶片W不造成損害的適度離子化作用。在這樣的等離子體處理裝置1中，本實施方式中的等離子體處理容器的內部部件，可與在處理的過程中曝露在等離子體中的例如處理室2的內壁2a、絕緣支持板3、基座支持臺4、基座5、靜電卡盤ll、聚焦環(huán)15、絕緣部件25、屏蔽環(huán)55等相應。圖2是本實施方式中的等離子體處理容器內部部件100的剖面示意圖。(a)表示在剛剛噴鍍完噴鍍膜之后；(b)表示經C02噴射后。如圖2(a)所示，在以例如鋁為材料的等離子體處理容器的內部部件的基材120的表面形成噴鍍膜110。噴鍍膜110可以使用氧化鋁(八1203)、稀土族氧化物、聚酰亞胺和聚苯并咪唑等。過去，在將聚酰亞胺等樹脂用于基材保護的情況下，是在例如Al基材上設置厚度為1.5mm的聚酰亞胺板，當隨著在等離子體中的使用而劣化時就更換該樹脂。過去的噴鍍，是通過熱量與噴出速度造成的碰撞時的沖擊進行的，在此則是只通過由噴出速度造成的碰撞時的沖擊進行噴鍍。這樣，就能夠噴鍍出幾毫米左右厚度的膜，而作為噴鍍覆膜使用。在形成Al203噴鍍膜、￥203噴鍍膜時，優(yōu)選使用大氣等離子體噴鍍法，或者使用在實質上不含氧的環(huán)境下進行的等離子體噴鍍法，但也可使用高速火焰噴鍍、爆發(fā)噴鍍法等。這些剛剛完成噴鍍的膜呈凹凸非常多的狀態(tài)，如果就這樣將其用于等離子體處理容器內部，就會由于等離子體中離子的碰撞使得特別是在凸部的破碎層(裂紋層)中容易產生顆粒，有可能導致膜劣化。在此，如圖2(b)所示，如果對剛剛完成噴鍍的膜進行C02噴射，就可以使表面的凹凸部分平坦化，使等離子體處理容器的內部部件實現與在等離子體處理容器內使用一定時間后同樣的狀態(tài)，這樣就可抑制初期顆粒的產生。由該工序將圖2(a)的噴鍍膜表面131削去一定厚度tl。C02噴射是在例如壓力2.54.2kgf/cm2、噴嘴直徑16mm、噴嘴到噴鍍面距離15mm、干冰粒徑0.32.0mm、干冰流量0.5kg/min的條件下進行的。在使用例如￥203噴鍍膜的情況下，由C02噴射減少的膜厚t優(yōu)選為10um以下。圖3為本發(fā)明第一實施方式中的等離子體處理容器內部部件100再生過程的剖面示意圖。(a)表示初期狀態(tài)(使用前進行了<202噴射)；(b)表示在等離子體處理容器內使用后；(c)表示為了再生而進行C02噴射以后；(d)表示再噴鍍以后的狀態(tài)。在此，所謂再噴鍍，指的是在等離子體處理容器內使用以后，在等離子體處理前實施的在噴鍍膜上再次進行的噴鍍。如圖3(a)所示，在由例如Al等材料形成的等離子體處理容器內部部件100的基材120表面上形成噴鍍膜110，再通過C02噴射使表面平坦化。噴鍍膜110可以使用氧化鋁、稀土族氧化物、聚酰亞胺或聚苯并咪唑等。作為稀土族氧化物的Y203，可以以例如t=502,000m的厚度進行噴鍍，而對于聚酰亞胺或聚苯并咪唑，可以以例如t=23mm的厚度進行噴鍍。這是斟酌了防止損傷的效果與經濟性后認為較妥當的值。在將這些材料用于等離子體中的情況下，如圖3(b)所示，圖3(a)的噴鍍膜133的厚度被消耗的厚度為t2。在表1中，表示將由各種材料覆蓋的等離子體處理容器內部部件放置在等離子體處理裝置中的情況下的膜厚減少量t2。另外，所用的等離子體處理裝置為平行平板型等離子體蝕刻裝置，在室內壓力40mToiT，RF功率1500W，蝕刻氣體為CF4/Ar7O尸IOO/20/200的混合氣體的條件下放置20hr。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>SiO，355.0如表1所示，可知，即使在含有鹵素化合物的環(huán)境下，Y2〇3、A1203的耐等離子體腐蝕性也很好。特別是在上述條件下，在這4種膜當中，Y203噴鍍膜的消耗量最少，耐等離子體性優(yōu)異。下面說明對該Y203噴鍍膜進行C02噴射時的情況。C02噴射在壓力2.54.2kgf/cm2、噴嘴直徑16mm、噴嘴到噴鍍面距離15mm、干冰粒徑0.32.0mm、干冰流量0.5kg/min的條件下進行。當噴射時間為30sec和60sec時，噴射量分別是5um禾卩10um。通過這道工序，如圖3(c)所示，可使圖3(b)中的噴鍍膜表面135被削去t3的厚度，使表面產生的凹凸平坦化，并可以除去異物。另外，當噴鍍膜為Y203時、由C02噴射使膜厚的減少量t3為10nm以上，優(yōu)選為20ym以上。然后，如圖3(d)所示，用與噴鍍膜110同樣的材料進行再噴鍍。對于氧化鋁、稀土族氧化物、聚酰亞胺或聚苯并咪唑噴鍍膜，膜內的結晶不會隨著時間發(fā)生變化，通過再噴鍍，在銜接面上連續(xù)地形成新舊結晶，再生后如同新品。而且此后還可以再次進行C02噴射，使噴鍍膜表面的凹凸變平坦。如上所述，如果按照針對本發(fā)明第一實施方式中的初期顆粒實施了相應對策的可再生等離子體處理容器內部部件及其制造方法、以及等離子體處理容器內部部件的再生方法，就能夠提供可抑制初期顆粒的產生、且在使用后也能夠再生得如同新品一樣的等離子體處理容器的內部部件。除去使用后的等離子體處理容器內部部件表面的方法，優(yōu)選是例如在表面上不會殘留異物的C02噴射法，但也不限于此。如果使用不會給噴鍍膜或基材帶來損害的藥液等清洗表面能夠實現清潔，也可以使用氧化鋁或SiC等進行噴射，或者用砂粒等磨料進行研磨。而且，用藥液進行蝕刻的化學研磨法也有可能是適用的。圖4是表示第二實施方式中等離子體處理容器內部部件100再生經過的剖面示意圖。(a)表示初期狀態(tài)；(b)表示在等離子體處理容器內使用以后的狀態(tài)；(c)表示再噴鍍后的狀態(tài)。在本發(fā)明的第二實施方式中，不是與第一實施方式一樣地在等離子體處理容器內使用后進行C02噴射，而是在等離子體處理容器內使用后，用與使用前的噴鍍膜同樣的噴鍍膜進行再次噴鍍(再噴鍍)。本發(fā)明的第二實施方式的實施條件，除了進行C02噴射這一點以外，都與第一實施方式相同。由于不進行002噴射，而是使用與等離子體處理前的噴鍍膜相同的材料進行再噴鍍，所以，再噴鍍時的噴鍍膜具有更易附著的效果。這是因為在等離子體處理后具有凹凸形狀的狀態(tài)與比較平坦的狀態(tài)相比，再噴鍍時的噴鍍膜更容易附著。因此，因用于等離子體中而發(fā)生表面劣化的等離子體處理容器得以再生得如同新品一樣。(第三實施方式)下面根據附圖詳細說明本發(fā)明的第三實施方式。圖5是用作等離子體處理裝置的等離子體蝕刻裝置的內部結構圖，在該等離子體蝕刻裝置的裝置本體201的內部，即在處理室221內，在預定的位置配置有形成所設定形狀的多個各種裝置部件。具體說，在處理室221的下方配置有由導電材料形成的下部電極202，且在上述下部電極202上還載置著對作為被處理物的半導體晶片W保持吸附的靜電吸盤204，而該下部電極202被支持在能夠沿箭頭A的方向進行升降的升降軸205上。而且，升降軸205通過耦合器206連接著高頻電源207，而且，升降軸205貫穿由導電材料形成的環(huán)狀部件209。并且，下部電極202在由電極保持部件229保護，同時在該電極保護部件229和裝置本體201的底面之間，安裝著由不銹鋼等導電材料形成的可伸縮的波紋管(bdlows)208。并且，在下部電極202的上部側面，配置著由導電材料或絕緣材料形成的聚焦環(huán)210，且在該聚焦環(huán)210的底面垂直設置著第一波紋管蓋211，并設置由裝置本體201的底面向上的第二波紋管蓋211，其一部分與第一波紋管蓋211相重合。在處理室221的上方，在與上述下部電極202相對的方向上配置著由導電材料形成的上部電極213，該上部電極213通過耦合器214與高頻電源215相連。并且，貫穿上部電極213地設置著多個氣體排出孔216，通過氣體排出孔216向處理室供給源自設置在裝置本體201上面的氣體供給口217的含有CF(碳氟化合物)系氣體的活性氣體。艮口，氣體供給口217通過流量調節(jié)閥218和開關閥219與氣體供給源220相接，源自氣體供給源220的活性氣體通過開關閩219和流量調節(jié)閥218供給到氣體供給口217,再由氣體排出孔216排出并輸入到處理室221中。并且，由絕緣材料形成的屏蔽環(huán)222保持著上部電極213，而在屏蔽環(huán)222的周圍設有保護環(huán)223，且由該保護環(huán)223的外緣垂直設置屏蔽部件224。并且，還設有貫穿裝置本體201的底部的排出孔225，同時，該排出孔225與真空泵226相連，并設有貫穿裝置本體201下方的側面的被處理物搬送孔227，用于搬入、搬出半導體晶片W。在具有這種結構的等離子體蝕刻裝置中，通過未圖示的驅動機構使升降軸205沿箭頭A的方向移動，從而調節(jié)半導體晶片W的位置，然后，將該升降軸205用作供電棒，由高頻電源207、215向下部電極202和上部電極213施加例如13.56MHz的高頻電壓，從而產生輝光放電。另外，若處理室221通過真空泵226減壓到預定的真空環(huán)境，并由氣體供給源220向處理室221供給活性氣體，則通過上述輝光放電使活性氣體等離子化，由聚焦環(huán)210和屏蔽環(huán)222將等離子體控制在下部電極210和上部電極213之間，其結果是可對進行了預定屏蔽的半導體晶片W進行所希望的微細加工。另外，盡管通過這樣對半導體晶片W進行干蝕刻處理而進行微細加工，而另一方面，由于聚焦環(huán)210、屏蔽環(huán)222等曝露在等離子環(huán)境下的各種裝置部件的表面也因受到蝕刻而消耗，因此有必要根據其消耗的程度，用新的部件更換所消耗的裝置部件。但是，在通常用新的部件更換如此消耗的裝置部件時，會導致生產成本升高，或者在上述新部件沒有庫存時造成生產線不得不停產的情況。為此，在本發(fā)明的第三實施方式中，在各個結構部件的一部分發(fā)生變形的情況下，切除上述產生變形的部分，在切除了上述變形部分的部位熔融接合按變形前的形狀制成的部件。圖6是上述聚焦環(huán)210的剖面圖，該聚焦環(huán)210在通常是新部件的情況下，形成由內徑D1和外徑D2構成的環(huán)狀，且在內周面上具有臺階部230。該聚焦環(huán)210由鋁等導電材料或者Si02等絕緣材料制成，在由導電材料制成的情況下，具有提高半導體晶片W周邊等離子體均勻性的作用；在由絕緣材料制成的情況下，具有在半導體晶片W上形成高密度等離子體的作用，無論是哪種情況，由于該聚焦環(huán)210曝露在等離子環(huán)境中，所以通過該等離子環(huán)境對其表面迸行蝕刻而削去，其結果如圖7(a)所示，聚焦環(huán)210的一部分發(fā)生了變形，形成了變形部分210a。在此，在本實施方式中，如圖7(b)所示，一方面由其它途徑制造具有變形前尺寸和形狀的新部件210b，另一方面，沿著圖7(a)的切割線Cl切斷聚焦環(huán)210，以除去變形部分210a，并如圖7(c)的[B]所示，在與變形部分210a相應的部位熔融接合新部件210b，制造出內周面上具有與圖6相同的臺階部230的聚焦環(huán)210。因此，通過在等離子體蝕刻裝置的預定位置上配置這樣修復、制造的聚焦環(huán)210，就能夠重新進行所需的蝕刻處理。按照這樣的本實施方式，即使在因聚焦環(huán)210被蝕刻而使一部分形狀發(fā)生變形的情況下，也可僅通過除去變形部分210a更換上新部件210b而重新得到所需的聚焦環(huán)210，因而也就沒有必要經常用新的聚焦環(huán)更換變形的聚焦環(huán)，從而能以簡單的方法修復作為替代品的裝置部件，并可謀求降低成本。而且，不言而喻，本發(fā)明的第三實施方式，對于配置在等離子體蝕刻裝置中的其它裝置部件，例如屏蔽環(huán)222、保護環(huán)223、屏蔽部件224等同樣適用。圖8和圖9表示適于使用本發(fā)明第三實施方式的再生方法的屏蔽環(huán)222的情況。艮P，圖8為上述屏蔽環(huán)222的剖面圖，通常，在該屏蔽環(huán)222為新品的情況下，是由內徑D3和外徑D4形成環(huán)狀，且具有薄壁部231。而且，由于該屏蔽環(huán)222也和上述聚焦環(huán)210—樣，曝露在等離子環(huán)境中，因此如圖9(a)所示，會隨著時間產生變化，使薄壁部231的一部分被蝕刻，從而形成變形部分222a。因此，在本實施方式中，與聚焦環(huán)210的情況(圖7)—樣，如圖9(b)所示，一方面由其它途徑制造具有變形前的尺寸和形狀的新部件222b，另一方面，沿著圖9(a)的切割線C2切斷屏蔽環(huán)222，以除去變形部分222a，如圖9(c)的[E]所示，在與變形部分222a相應的部位熔融接合上新部件222b,制造出具有與圖8—樣的薄壁部231的屏蔽環(huán)222。因此，通過在等離子體蝕刻裝置的預定位置上配置這樣修復、制造的屏蔽環(huán)222，就能夠重新進行所需的蝕刻處理。這樣，與聚焦環(huán)210的情況一樣，即使在屏蔽環(huán)222因蝕刻而一部分形狀發(fā)生變形的情況下，也可通過僅除去變形部分222a并更換成新部件222b而得到所需的屏蔽環(huán)222，而沒有必要經常用新的聚焦環(huán)更換變形的聚焦環(huán)，從而用簡單的方法制造作為替代品的裝置部件，并可謀求降低成本。另外，本發(fā)明的第三實施方式并不限于上述實施方式。在上述實施方式中是以所謂離子加速式等離子體裝置為例進行說明，不言而喻，也可以采用例如磁場加速式等離子體裝置。如上所述，按照本發(fā)明，在基材的表面覆有氧化鋁、稀土族氧化物、聚酰亞胺或聚苯并咪唑中的任意一種噴鍍膜的等離子體處理容器內部部件的、隨著使用而發(fā)生劣化的噴鍍膜上，再噴鍍與上述噴鍍膜同樣的材料。由此就能夠將因在等離子體中使用而造成表面劣化的等離子體處理容器再生得如同新品一樣。并且，由于在因等離子體處理而造成配置在等離子體處理容器內預定位置上的部件的一部分形狀發(fā)生變形的情況下，在除去該變形部分后，將按照變形前的形狀制成的部件接合在除去了變形部分的部位，這樣，即使在裝置部件的一部分形狀發(fā)生變形的情況下，也沒有必要經常將產生變形的裝置部件更換為新的裝置部件，而可使用簡單的方法制造作為替代品的裝置部件，從而可謀求降低成本，并且還能夠盡量避免由于新部件沒有庫存而造成的生產線長時間停產的情況。而且，在等離子體處理容器內部部件的基材表面覆蓋氧化鋁、稀土族氧化物、聚酰亞胺或聚苯并咪唑的噴鍍膜，在使用前進行C02噴射使表面平滑，這樣，就能夠抑制初期顆粒的產生。上面參照了本發(fā)明的等離子體處理容器內部部件的再生方法及可再生的等離子體處理容器內部部件的優(yōu)選實施方式，但本發(fā)明并不限于這些例子。很明顯，只要是本領域的專業(yè)人員，都可以設想出各種處于本專利申請的范圍內所述的技術思想的范疇內的各種變更例或修正例，應該了解，它們當然都屬于本發(fā)明的技術范圍。產業(yè)上利用的可能性本發(fā)明能夠適用于因在等離子體中使用而造成表面劣化的等離子體處理容器的內部部件的再生，并可再生得如同新品一樣，特別是可適用于半導體裝置或LCD基板等的制造工藝。權利要求1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，使用如下所述的等離子體處理容器的再生方法進行等離子體處理，該等離子體處理容器的再生方法是向用稀土族氧化物、聚酰亞胺和聚苯并咪唑中的任何一種噴鍍膜覆蓋基材表面得到的等離子體處理容器的內部部件的、隨著在等離子體中的使用而劣化的噴鍍膜上，再噴鍍與所述噴鍍膜相同的材料。2.—種等離子體處理容器內部件，其特征在于，基材表面被稀土族氧化物、聚酰亞胺或聚苯并咪唑中的任意一種的噴鍍膜覆蓋，在因等離子體而劣化的所述噴鍍膜上，再噴鍍有與所述噴鍍膜同樣的材料。全文摘要本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置，其特征在于，使用如下所述的等離子體處理容器的再生方法進行等離子體處理，該等離子體處理容器的再生方法是向用稀土族氧化物、聚酰亞胺和聚苯并咪唑中的任何一種噴鍍膜覆蓋基材表面得到的等離子體處理容器的內部部件的、隨著在等離子體中的使用而劣化的噴鍍膜上，再噴鍍與所述噴鍍膜相同的材料。文檔編號C23C4/04GK101250680SQ200810083610公開日2008年8月27日申請日期2001年12月7日優(yōu)先權日2000年12月12日發(fā)明者今福光祐申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社