專利名稱：研磨墊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種研磨墊，且特別是有關于一種具有較佳均勻度的研磨墊。
背景技術：
隨著科技產(chǎn)業(yè)的元件精密度提高，為了確保元件的可靠度，在制作集成電路元件或其他元件時，提供極度平坦的晶圓表面或基底表面是十分重要的。
在平坦化技術中研磨制程經(jīng)常為產(chǎn)業(yè)所使用，例如化學機械研磨法(chemicalmechanical polishing, CMP)是現(xiàn)今較常使用的全面性平坦化的技術。在研磨制程中所使用的研磨墊，其主要基材通常為高分子材料。研磨墊的制造過程，是由一些組成物經(jīng)過混合，及產(chǎn)生聚合反應所形成。在混合的過程，通常這些組成物可以彼此分散均勻。但在混合停止后，組成物貯存時或是在制造研磨墊的成型過程，某些組成物可能有聚集的現(xiàn)象，而無法維持混合過程的均勻分散狀態(tài)。經(jīng)聚合反應后形成之研磨墊，其均勻性因而受影響。
因此，需要一種較均勻的研磨墊以供產(chǎn)業(yè)的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種研磨墊，其組成物使研磨墊具有較佳的均勻度。本發(fā)明提出一種研磨墊，此研磨墊的組成物包括高分子基材、添加物及流變特性改變劑(rheology altering agent),其中添加物為選自于低密度添加物、高密度添加物及其組合所組成的群組，而流變特性改變劑之間具有一結構選自于氫鍵鍵結、締合、空間定向及其組合所組成的群組。
本發(fā)明另提出一種研磨墊，此研磨墊的組成物包括高分子基材、添加物及流變特性改變劑，其中添加物為選自于低密度添加物、高密度添加物及其組合所組成的群組，而流變特性改變劑使此組成物在施加高于過渡剪切速率狀態(tài)下具有低粘度及低于此過渡剪切速率狀態(tài)下具有高粘度。本發(fā)明另提出一種研磨墊，此研磨墊包括高分子基材、添加物及流變特性改變劑，其中流變特性改變劑于高分子基材中構成一網(wǎng)狀結構，而分布于高分子基材中的添加物為選自于低密度添加物、高密度添加物及其組合所組成的群組。
本發(fā)明的研磨墊，其組成物可以維持在均勻分散的狀態(tài)，進而使研磨墊的均勻性得以改善，并得到較佳的研磨效果。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1A至圖1C分別是依照本發(fā)明一實施例的研磨墊的剖面示意圖。
圖2所繪示為本發(fā)明的研磨墊組成物中加入流變特性改變劑后在不同剪切速率下的粘度變化曲線圖。
具體實施例方式
本發(fā)明所提出的一種研磨墊，其具有能夠使具有不同密度添加物的組成物減少因為密度差異而分層的機會，并可使添加物能均勻分散在高分子基材中。此研磨墊包括高分子基材、添加物以及流變特性改變劑。其中，添加物在研磨墊組成物中的重量百分比為介于0.1%至30%之間，且流變特性改變劑在研磨墊組成物中的重量百分比為介于0.5%至30%之間。在一實施例中，添加物在研磨墊中的重量百分比為介于1%至20%之間，且流變特性改變劑在研磨墊中的重量百分比為介于2%至20%之間。
高分子基材例如是聚酯(polyester)、聚醚(polyether)、聚胺酯(polyurethane)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚丁二烯(polybutadiene)、或其余經(jīng)由合適的熱固性樹脂(thermosetting resin)或熱塑性樹脂(therm叩lastic resin)所
合成的聚合物基材等。
添加物為選自于低密度添加物、高密度添加物及其組合所組成的群組。相對于一般的高分子基材的密度(密度約0.8~2.3 g/cm3)，添加物與高分子基材的密度差會大于高分子基材密度的20%，例如密度差達50%以上。
低密度添加物之密度約介于0.001至1.0 g/cn^之間。低密度添加物例如是微球體(microsphere)、不具反應性氣體或是發(fā)泡劑。其中，微球體例如是Advancell (Sekisui Chemical Company)或是Expancel (Akzo Nobel)等微細中空球(hallow micro-balloon); 或是核心具有液體的微囊體(liquid core micro-capsulate)， 如 Hydrocapsule (Analytical Research Systems, INC)。不具反應性氣體例如是二氧化 碳、干燥空氣、氮氣或氬氣。發(fā)泡劑包括無機發(fā)泡劑以及有機發(fā)泡劑。無機發(fā)泡劑 例如是水，而有機發(fā)泡劑例如是丙垸、丁烷、戊烷、二氯甲垸、氫化氟氯碳化物(如 HCFC-22、HCFC-141b等)或氫化氟碳化物(如HFC-134a、 HFC-365mfc、 HFC-227ea、 HFC-245fa等)。
高密度添加物的密度約介于1.2至8.0 g/ct^之間。高密度添加物例如是硏磨 顆粒，其可以為氧化鋁顆粒、氣相制程(fumed)或膠體(colloidal)氧化硅顆粒、氧化 鈰顆粒、陶瓷顆粒、鉆石顆?；蚱渌线m的研磨顆粒，以形成具有研磨顆粒添加于 高分子基材中的固定研磨顆粒研磨墊(fixed abrasive polishing pad)。
流變特性改變劑之間具有一結構選自于氫鍵鍵結、締合、空間定向及其組合 所組成的群組，流變特性改變劑可于高分子基材內(nèi)形成網(wǎng)狀結構使添加物均勻分 布。此外，流變特性改變劑具有使研磨墊的組成物在施加高于一過渡剪切速率狀態(tài) 下具有低粘度及低于此過渡剪切速率狀態(tài)下具有高粘度的特性。
詳言之，上述流變特性改變劑與高分子基材的前驅(qū)物(precursor)流體通過在結 構之間的交互作用，可以使流體具有假塑性(pseudoplasticity)、觸變性(thko加py)， 或是可有助于提高流體在靜止狀態(tài)下的粘度，流變特性改變劑因而能夠調(diào)整流體的 流變特性及粘度。流變特性改變劑有時亦可稱其為增稠劑(thickner)、抗沉降劑 (anti-settling agent)、流變調(diào)節(jié)齊ij (rheology modifier)、流變添加齊U (rheological additive)或觸變劑(thixotropic agent)。本發(fā)明的研磨墊及其組成物中的流變特性改變 劑可分為無機流變特性改變劑及有機流變特性改變劑兩類。
以下將分別說明上述的無機流變特性改變劑及有機流變特性改變劑。以下的 說明是用來詳述本發(fā)明以使此熟習該項技術者能夠據(jù)以實施，但并非用以限定本發(fā) 明的范圍。
無機流變特性改變劑
無機流變特性改變劑的組成成分包括表面具有氫氧基M-OH的氧化物。而且，
9無機流變特性改變劑單位表面積具有的氫氧基M-OH的數(shù)量介于0.5 M-OH/nm2至2 M-OH/nm2之間。上述表面具有氫氧基M-OH的氧化物例如是以分子式MxOy所表示的化合物，其中M為選自于硅、鋁、鈦、鋯、鈰、鎂、鈣及其組合所組成的群組。以二氧化硅為例，部分硅原子會帶有氫氧基(-OH)形成硅醇基(Si-OH)，硅醇基之間會形成氫鍵鍵結，產(chǎn)生網(wǎng)狀結構，而達到減少添加物發(fā)生懸浮或沈降，使添加物能于研磨墊及其組成物中均勻分布。
此外，在另一實施例中，無機流變特性改變劑還包括層狀硅酸鹽，實例可以為硅酸鎂(MgSi03)。將硅酸鎂加入流體并使其充份分散，可以經(jīng)由其表面具有的氫氧基(-OH)形成氫鍵連接，產(chǎn)生網(wǎng)狀結構，而達到減少添加物發(fā)生懸浮或沈降，使添加物能于研磨墊及其組成物中均勻分布。
有機流變特性改變劑
有機流變特性改變劑主要可分成乳化劑、溶脹型乳液、聚氨酯類增稠劑及疏水改性聚醚四類。
乳化劑包括陽離子型乳化劑、陰離子型乳化劑及非離子型乳化劑，其中較佳是使用非離子型乳化劑。非離子型乳化劑為選自于乙醇之脂肪酸酯、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、甘油、聚甘油、山梨醇、季戊四醇、甘油酯、蔗糖、脂肪胺與脂肪
酰胺、聚甘油醚與聚丙烯乙二醇醚所組成的群組。上述的聚甘油醚可以為脂肪酸酯之聚甘油醚(polyglycerol ethers of fatty acid esters),其例如是甘油酯(glycerides)或山梨醇酉旨(sorbitol esters)。
溶脹型乳液例如是疏水改性堿溶脹型乳液(HASE)。疏水改性堿溶脹型乳液(HASE)是屬于一種締合合成類的增稠劑，其具有堿性澎潤作用。亦即，疏水改性堿溶脹型乳液(HASE)在堿性的條件下，其分子鏈會伸展開，而形成網(wǎng)狀結構，因此其具有增稠的功效。
聚氨酯類增稠劑例如是疏水改性乙氧基聚氨酯流變改性劑(HEUR)。疏水改性乙氧基聚氨酯流變改性劑(HEUR)是一種締合合成類的增稠劑，且其外觀是呈煙霧狀而容易分散，通常會使用于無溶劑體系。疏水改性乙氧基聚氨酯流變改性劑(HEUR)是一種以聚乙二醇為基礎的低分子量聚合物，其通常含有經(jīng)由氨基甲酸連接之不同長度的聚乙二醇甘油酯單元，且其末端為疏水性基團。因此，非離子性的疏水改性乙氧基聚氨酯流變改性劑(HEUR)不須在堿性環(huán)境下即可在流體中形成網(wǎng)狀結構，并可恢復疏水連接。
疏水改性聚醚與上述的疏水改性堿溶脹型乳液(HASE)及疏水改性乙氧基聚氨酯流變改性劑(HEUR)具有相似的特性。疏水改性聚醚的疏水基能阻止解吸，并具有締合作用，因而亦可以形成網(wǎng)狀結構而達到增稠效果。
除此之外，有機流變特性改變劑也可以是長鏈狀并具有極性官能基的化合物，其中此類化合物為選自于酰胺類化合物、胺類化合物、碳酰二胺類化合物、胺基甲酸酯類化合物及其組合所組成的群組。其中，此類化合物的平均分子量約介于5000至500000之間，例如是介于50000至200000之間。舉例來說，含極性官能基的化合物可以使用BYKG)系列產(chǎn)品(BYK-Chemie)作為流變特性改變劑，例如BYK -410為具有脲/胺基甲酸酯成份，將BYK吸-410加入流體中可以通過空間定向作用而形成網(wǎng)狀結構，而達到減少添加物發(fā)生懸浮或沈降，使添加物能于研磨墊及其組成物中均勻分布。
接著，將說明以上述研磨墊的組成物應用于形成研磨墊的方法。以下所述的方法僅是為了詳細說明本發(fā)明的研磨墊的組成物在形成研磨墊時會產(chǎn)生的特性，以使熟習此項技術者能夠據(jù)以實施，但并非用以限定本發(fā)明的范圍。圖1A至圖1C分別是依照本發(fā)明一實施例的研磨墊的剖面示意圖。圖2所繪示為本發(fā)明的研磨墊組成物中加入流變特性改變劑后在不同剪切速率下的粘度變化曲線圖。
首先，混合高分子基材的前驅(qū)物流體、添加物與流變特性改變劑，并將其攪拌而形成研磨墊組成物的流體混合物。其中，高分子基材的前驅(qū)物流體選自酯類(ester)、醚類(ether)、胺酯類(urethane)、碳酸酯類(carbonate)、丙烯酸酯類(acrylate)、丁二烯類(butadiene)、或其余合適的熱固性樹脂或熱塑性樹脂。添加物為選自于低密度添加物、高密度添加物及其組合所組成的群組。而流變特性改變劑則選自如前所述的無機流變特性改變劑或有機流變特性改變劑。在一實施例中，流變特性改變劑之間具有一結構選自于氫鍵鍵結、締合、空間定向及其組合所組成的群組。
此外，如圖2所示，流變特性改變劑具有使流體混合物在施加高于一過渡剪切速率210狀態(tài)下具有一低黏度，及低于此過渡剪切速率210狀態(tài)下具有一高黏度的特性，例如流體混合物在低于此過渡剪切速率210時的黏度為高于此過渡剪切速率210的黏度的2倍以上，甚至是5倍以上。經(jīng)由高于過渡剪切速率210攪拌后，
11添加物與流變特性改變劑即可在流體混合物均勻分布。停止攪拌后，流變特性改變 劑所形成網(wǎng)狀結構，或使流體混合物的黏度提高的特性，可減少低密度添加物懸浮 于上層，及減少高密度添加物沉降于下層。因此，在組成物貯存時或是在制造研磨 墊的成型過程，添加物于流體混合物中仍可保持均勻分布。在一實施例中，此過渡
剪切速率為介于5至20 rpm之間，流體混合物在低于此過渡剪切速率(例如為2 rpm) 或靜止時的黏度為高于此過渡剪切速率(例如為100rpm)的黏度的IO倍以上。特別 說明的是，過渡剪切速率的區(qū)間范圍會隨組成物的用量或是桶槽尺寸不同而有不同 的區(qū)間范圍，但產(chǎn)業(yè)界常用的攪拌設備所提供的剪切速率通常可達1000 rpm以上， 因此可輕易超過此過渡剪切速率。上述流變特性改變劑所造成流變特性改變的特 性，是以粘度與剪切速率的關系作為說明，但并非用以限定本發(fā)明的范圍，熟習此 項技術者當知此特性亦可轉換成剪切力與剪切速率的關系，或是粘度與固定剪切速 率的施加時間的關系來表達。
承上述，若研磨墊組成物的流體混合物是處于貯存狀態(tài)，在制造研磨墊的過 程只要施加高于過渡剪切速率的攪拌，即可減少流體混合物的粘度，以便于使流體 混合物經(jīng)由聚合反應固化成型為研磨墊，例如是在模具中成型。由于添加物彼此間 被流變特性改變劑構成的網(wǎng)狀結構所隔離，因此添加物能均勻分布于研磨墊的高分 子基材內(nèi)。流變特性改變劑構成的網(wǎng)狀結構除了減少添加物因密度差異而產(chǎn)生懸浮 或沈降外，更可減少添加物間彼此聚集形成團塊(agglomeration)的機會。換句話說， 相較于相同添加量的添加物，但無流變特性改變劑所形成的研磨墊，本發(fā)明的研磨 墊中不同區(qū)域的密度具有較小的密度變異，及具有較少添加物團塊于本發(fā)明的研磨 墊中。
上述研磨墊的組成物可屬單液型(single-liquid type)反應系統(tǒng)，或?qū)匐p液型 (dual-liquid type)或多液型(multi-liquid type)反應系統(tǒng)中的其中之一混合物。另外， 上述組成物亦可包括觸媒或煉延長劑(chain extender)等成份，當為熟知本領域的技 術人員所周知，故于此不再贅述。至于后續(xù)完成研磨墊的細節(jié)尚可包括將其表面平 整化成為一研磨層，另可選擇在研磨層的研磨面上形成溝槽或表面圖案，及于研磨 面背面形成可固定于研磨臺上的固定層，另亦可選擇介于研磨層及固定層中另形成 一較軟的支撐層等程序。
最后所完成的研磨墊如圖1A至圖1C。舉例來說，如圖1A所示，在研磨墊110的組成物中，由于流變特性改變劑102a會在高分子基材100a中形成網(wǎng)狀結構， 因此低密度添加物104(如微細中空球)可以均勻分散在最后所完成的研磨墊110中。 如圖1B所示，當研磨墊120的組成物是使用高密度添加物106(如氧化鈰研磨顆粒) 時，通過流變特性改變劑102b在高分子基材100b中形成的網(wǎng)狀結構，亦可以使高 密度添加物106均勻分散在最后所完成的研磨墊120中。同樣地，如圖1C所示， 當研磨墊130的組成物中同時包括低密度添加物104c與高密度添加物106c時，流 變特性改變劑102c可在高分子基材100c中形成網(wǎng)狀結構，可以使低密度添加物 104c與高密度添加物106c均勻分散在最后所完成的研磨墊130中。
另一方面，本發(fā)明所提出的研磨方法，適于用以研磨一基底。首先，提供由 上述研磨墊組成物所形成的研磨墊。接著，對基底施加一壓力以將其壓置于研磨墊 上。然后，對基底及研磨墊提供一相對運動，以移除基底的部分表面，來達到平坦 化的效果。
由于研磨墊具有分布均勻的組成物，因此使用本發(fā)明的研磨方法可以獲得較 佳的研磨效果。此外，本發(fā)明的研磨方法還可選擇性地于研磨過程中供應研漿或溶 液，使此研磨方法成為化學機械研磨制程。
綜上所述，本發(fā)明的研磨墊可以使其組成物維持在均勻分散的狀態(tài)，進而使 研磨墊的均勻性得以改善。而使用此種具有均勻分布組成物的研磨墊進行研磨方 法，可有助于得到較佳的研磨效果。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬 技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許更動與 潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當以權利要求所界定的為準。
1權利要求
1. 一種研磨墊，具有一組成物，包括一高分子基材；一添加物，該添加物為選自于一低密度添加物、一高密度添加物及其組合所組成的群組；以及一流變特性改變劑，該流變特性改變劑之間具有一結構選自于氫鍵鍵結、締合、空間定向及其組合所組成的群組。
2. 如權利要求I所述的研磨墊，其特征在于，該添加物與該高分子基材的密度差大于該高分子基材密度的20%。
3. 如權利要求1所述的研磨墊，其特征在于，該低密度添加物包括微球體、不具反應性氣體或發(fā)泡劑。
4. 如權利要求1所述的研磨墊，其特征在于，該高密度添加物包括研磨顆粒。
5. 如權利要求1所述的研磨墊，其特征在于，該流變特性改變劑具有使該組成物在施加高于一過渡剪切速率狀態(tài)下具有一低黏度及低于該過渡剪切速率狀態(tài)下具有一高黏度的特性。
6. 如權利要求1所述的研磨墊，其特征在于，該流變特性改變劑包括無機流變特性改變劑。
7. 如權利要求6所述的研磨墊，其特征在于，該無機流變特性改變劑包括表面具有氫氧基M-OH的氧化物MxOy，該氧化物N^Oy中的M選自于硅、鋁、鈦、鋯、鈰、鎂、鈣及其組合所組成的群組。
8. 如權利要求7所述的研磨墊，其特征在于，該無機流變特性改變劑單位表面積具有的氫氧基M-OH的數(shù)量介于0.5 M-0H/nm2至2 M-OH/nm2之間。
9. 如權利要求6所述的研磨墊，其特征在于，該無機流變特性改變劑包括層狀硅酸鹽。
10. 如權利要求1所述的研磨墊，其特征在于，該流變特性改變劑包括有機流變特性改變劑。
11. 如權利要求IO所述的研磨墊，其特征在于，該有機流變特性改變劑包括乳化劑。
12. 如權利要求ll所述的研磨墊，其特征在于，該乳化劑為選陽離子型乳化劑、陰離子型乳化劑與非離子型乳化劑所組成之群組。
13. 如權利要求IO所述的研磨墊，其特征在于，該有機流變特性改變劑為選自于乙醇的脂肪酸酯、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、甘油、聚甘油、山梨醇、季戊四醇、甘油酯、蔗糖、脂肪胺、脂肪酰胺、聚甘油醚、聚丙烯乙二醇醚及其組合所組成的群組。
14. 如權利要求IO所述的研磨墊，其特征在于，該有機流變特性改變劑包括長鏈狀具有極性官能基的化合物，該化合物為選自于酰胺類化合物、胺類化合物、碳酰二胺類化合物、胺基甲酸酯類化合物及其組合所組成的群組。
15. 如權利要求14所述的研磨墊，其特征在于，該化合物的平均分子量為介于5000至500000之間。。
16. 如權利要求10所述的研磨墊，括溶脹型乳液。
17. 如權利要求16所述的研磨墊，括疏水改性堿溶脹型乳液。
18. 如權利要求10所述的研磨墊，括聚氨酯類化合物。
19. 如權利要求18所述的研磨墊，括疏水改性乙氧基聚氨酯化合物。
20. 如權利要求10所述的研磨墊，水改性聚醚化合物。
21. 如權利要求1所述的研磨墊，其特征在于，該有機流變特性改變劑包其特征在于，該有機流變特性改變劑包其特征在于，該有機流變特性改變劑包其特征在于，該有機流變特性改變劑包其特征在于，該流變特性改變劑包括疏其特征在于，該添加物在該組成物中的重量百分比為介于0.1%至30%之間，且該流變特性改變劑在該組成物中的重量百分比為介于0.5%至30%之間。
22. —種研磨墊，具有一組成物，包括一高分子基材；一添加物，該添加物為選自于一低密度添加物、 一高密度添加物及其組合所組成的群組；以及一流變特性改變劑，該流變特性改變劑使該組成物在施加高于一過渡剪切速 率狀態(tài)下具有一低粘度及低于該過渡剪切速率狀態(tài)下具有一高粘度。
23. 如權利要求22所述的研磨墊， 的密度差大于該高分子基材密度的20%。
24. 如權利要求22所述的研磨墊， 體、不具反應性氣體、或發(fā)泡劑。
25. 如權利要求22所述的研磨墊， 顆粒。
26. 如權利要求22所述的研磨墊, 倍以上。
27. 如權利要求22所述的研磨墊，其特征在于，該添加物與該高分子基材 其特征在于，該低密度添加物包括微球 其特征在于，該高密度添加物包括研磨 其特征在于，該高粘度為該低黏度之2 其特征在于，該流變特性改變劑之間具有一結構選自于氫鍵鍵結、締合、空間定向及其組合所組成的群組。
28. 如權利要求22所述的研磨墊，其特征在于，該流變特性改變劑包括無 機流變特性改變劑。
29. 如權利要求28所述的研磨墊，其特征在于，該無機流變特性改變劑包 括表面具有氫氧基M-OH的氧化物MxOy，該氧化物MxOy中的M選自于硅、鋁、 鈦、鋯、鈰、鎂、鈣及其組合所組成的群組。
30. 如權利要求29所述的研磨墊，其特征在于，該無機流變特性改變劑單 位表面積具有的氫氧基M-OH的數(shù)量介于0.5 M-OH/nm2至2 M-OH/nm2之間。
31. 如權利要求28所述的研磨墊，其特征在于，該無機流變特性改變劑包 括層狀硅酸鹽。
32. 如權利要求22所述的研磨墊，其特征在于，該流變特性改變劑包括有 機流變特性改變劑。
33. 如權利要求32所述的研磨墊，其特征在于，該有機流變特性改變劑包 括乳化劑。
34. 如權利要求33所述的研磨墊，其特征在于，該乳化劑為選陽離子型乳 化劑、陰離子型乳化劑與非離子型乳化劑所組成之群組。
35. 如權利要求32所述的研磨墊，其特征在于，該有機流變特性改變劑為 選自于乙醇的脂肪酸酯、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、甘油、聚甘油、山梨醇、季戊四醇、甘油酯、蔗糖、脂肪胺、脂肪酰胺、聚甘油醚、聚丙烯乙二醇醚及其組合 所組成的群組。
36. 如權利要求32所述的研磨墊，其特征在于，該有機流變特性改變劑包 括長鏈狀具有極性官能基的化合物，該化合物為選自于酰胺類化合物、胺類化合物、 碳酰二胺類化合物、胺基甲酸酯類化合物及其組合所組成的群組。
37. 如權利要求36所述的研磨墊，其特征在于，該化合物的平均分子量為介于5000至500000之間。。
38. 如權利要求32所述的研磨墊, 括溶脹型乳液。
39. 如權利要求38所述的研磨墊， 括疏水改性堿溶脹型乳液。
40. 如權利要求32所述的研磨墊， 括聚氨酯類化合物。
41. 如權利要求40所述的研磨墊， 括疏水改性乙氧基聚氨酯化合物。
42. 如權利要求32所述的研磨墊， 水改性聚醚化合物。
43. 如權利要求22所述的研磨墊，其特征在于, 其特征在于， 其特征在于， 其特征在于， 其特征在于，該有機流變特性改變劑包 該有機流變特性改變劑包 該有機流變特性改變劑包 該有機流變特性改變劑包 該流變特性改變劑包括疏其特征在于，該添加物在該組成物中的重量百分比為介于0.1%至30%之間，且該流變特性改變劑在該組成物中的重量百 分比為介于0.5%至30%之間。
44. 一種研磨墊，包括 一高分子基材；一流變特性改變劑，該流變特性改變劑于該高分子基材中構成一網(wǎng)狀結構；以及一添加物分布于該高分子基材中，該添加物為選自于一低密度添加物、 一高 密度添加物及其組合所組成的群組。
45. 如權利要求44所述的研磨墊，其特征在于，該流變特性改變劑之間具 有一結構選自于氫鍵鍵結、締合、空間定向及其組合所組成的群組。
46. 如權利要求44所述的研磨墊，其特征在于，該添加物為該網(wǎng)狀結構所隔離。
47. 如權利要求44所述的研磨墊，其特征在于，該研磨墊中不同區(qū)域的密 度，相較于相同添加量的添加物，但無流變特性改變劑所形成的研磨墊，具有較小 的密度變異。
48. 如權利要求44所述的研磨墊，其特征在于，該研磨墊相較于相同添加 量的添加物，但無流變特性改變劑所形成的研磨墊，具有較少添加物團塊于其中。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種研磨墊，其中研磨墊具有包括高分子基材、添加物及流變特性改變劑的組成物，此流變特性改變劑能夠使添加物能均勻分散在高分子基材中。
文檔編號B24D11/00GK101486169SQ20081000393
公開日2009年7月22日 申請日期2008年1月18日 優(yōu)先權日2008年1月18日
發(fā)明者施文昌, 王昭欽 申請人:智勝科技股份有限公司