專利名稱：用于濺鍍張力氮化硅膜的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及氮化硅膜的沉積，且更特定來說，涉及用于濺鍍張力氮化硅膜的 系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
本節(jié)意在向讀者介紹可能與下文描述且/或主張的本發(fā)明各個(gè)方面有關(guān)的技術(shù)的各 個(gè)方面。相信此論述內(nèi)容有助于向讀者提供背景信息，以便于更好地理解本發(fā)明的各個(gè) 方面。因此，應(yīng)理解，應(yīng)就此而論閱讀這些陳述，而不作為對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的承認(rèn)。
如大多數(shù)人通常知道的那樣，微處理器是在軟件程序的控制下執(zhí)行特定功能的本質(zhì) 上一般的裝置，所述軟件程序可存儲(chǔ)在耦合到微處理器和/或其它外圍裝置的一個(gè)或一 個(gè)以上存儲(chǔ)器裝置中。這些微處理器和存儲(chǔ)器裝置通常包含許多不同類型的集成電路， 所述集成電路通常由一種或一種以上半導(dǎo)體材料制成。所述集成電路一起工作以使微處 理器和/或存儲(chǔ)器裝置能夠在電子裝置內(nèi)實(shí)行和控制各種功能。通常通過任何數(shù)目的合 適的制造工藝將集成電路制造在半導(dǎo)體晶片表面上。這些制造工藝之一被稱為"分層"。 分層通常是指通過例如氧化的生長工藝或通過例如化學(xué)氣相沉積("CVD")或還稱為"濺 鍍"的物理氣相沉積("PVD")的沉積工藝，向晶片的表面添加材料。
可向晶片表面添加的許多合適的層之一是氮化硅("SiN")膜。在集成電路的制造 過程中，SiN膜有多種合適且有益的用途。舉例來說，SiN膜可用于形成最終鈍化層以 覆蓋完成的集成電路，以便保護(hù)下伏的集成電路及其組件。另外，SiN膜還可用作多金 屬化方案中的中間介電層，用作多晶硅與金屬化層之間的絕緣物，用作摻雜勢壘，用作 擴(kuò)散源，用作隔離區(qū)，且/或用作硅柵極結(jié)構(gòu)的一部分。
對(duì)于多種應(yīng)用，有益的是在室溫下或約室溫下沉積SiN膜，以使對(duì)SiN膜下面的 任何金屬層造成熱相關(guān)損害的可能性減到最小。直到最近，用于沉積室溫SiN膜的僅有 的技術(shù)還只是經(jīng)由效率相當(dāng)?shù)偷腃VD工藝。然而，新的發(fā)展已促進(jìn)了使用PVD或?yàn)R鍍 來沉積SiN膜。在濺鍍中，將工作氣體(例如氬氣)引入處理腔室中，所述處理腔室含 有待分層的晶片和所需膜材料制成的平板(稱為"目標(biāo)")。接著使用某種形式的電力來 使工作氣體的原子電離。接著，經(jīng)電離的氣體原子被吸引到目標(biāo)。當(dāng)經(jīng)電離的氣體原子 撞擊所述目標(biāo)時(shí)，其從目標(biāo)"擊出(knock off)"原子。這些被擊出的原子接著朝處理
腔室的底部降落，在底部處所述原子沉積在晶片的表面上以產(chǎn)生膜。
然而不利的是，SiN膜的濺鍍通常仍限于用壓縮應(yīng)力來濺鍍SiN膜。如所屬領(lǐng)域的 技術(shù)人員將了解，在壓縮應(yīng)力下的膜具有負(fù)膜應(yīng)力，且因此趨向于使集成電路的下伏層 彎曲成凸起形狀。然而，對(duì)于多種應(yīng)用，張力SiN膜(具有趨向于使下伏層彎曲成凹入 形狀的正膜應(yīng)力的SiN膜)將是有利的。舉例來說，用張力SiN膜構(gòu)造的負(fù)溝道金屬 氧化物半導(dǎo)體("NMOS")柵極結(jié)構(gòu)的性能優(yōu)于用壓縮SiN膜構(gòu)造的類似結(jié)構(gòu)的性能。 由此，將需要一種用于濺鍍張力SiN膜的系統(tǒng)和方法。

發(fā)明內(nèi)容
下文陳述在范圍上與原始主張的發(fā)明相當(dāng)?shù)哪承┓矫妗?yīng)理解，呈現(xiàn)這些方面只是 為了向讀者提供對(duì)本發(fā)明可能采用的某些形式的簡要概述，且這些方面無意限制本發(fā)明
的范圍。實(shí)際上，本發(fā)明可涵蓋下文可能沒有陳述的多個(gè)方面。
提供一種用于濺鍍張力氮化硅膜的系統(tǒng)和方法。更具體來說，在一個(gè)實(shí)施例中，提
供一種方法，其包括將氮?dú)庖胩幚砬皇抑?，其中所述處理腔室包含包括硅的目?biāo)；
將所述處理腔室放入金屬區(qū)與中毒區(qū)之間的過渡區(qū)中；以及向所述目標(biāo)施加電壓。


在閱讀以下具體實(shí)施方式
并參看附圖之后，可明白本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，在附圖中-
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)配置以濺鍍張力SiN膜的示范性處理腔室組合件的
圖2是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示范性SiN磁滯曲線的曲線圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例針對(duì)兩種示范性處理腔室壓力來說明氮?dú)饬髁颗cSiN膜應(yīng) 力之間的關(guān)系的曲線圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例針對(duì)處理腔室在金屬區(qū)、過渡區(qū)和中毒區(qū)中的操作來說明 處理腔室壓力與SiN膜應(yīng)力之間的關(guān)系的曲線圖；以及
圖5是說明用于濺鍍張力SiN膜的示范性技術(shù)的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下文將描述本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上特定實(shí)施例。為了提供對(duì)這些實(shí)施例的簡明描 述，在說明書中沒有描述實(shí)際實(shí)施方案的所有特征。應(yīng)了解，在對(duì)任何此類實(shí)際實(shí)施方 案的開發(fā)中(如在任何工程或設(shè)計(jì)項(xiàng)目中)，必須作出大量的實(shí)施方案特有的決策以實(shí) 現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如與系統(tǒng)相關(guān)和業(yè)務(wù)相關(guān)約束的相符性，所述約束可能在實(shí)施 方案之間變化。此外，應(yīng)了解，此開發(fā)努力可能較復(fù)雜且耗時(shí)，但仍將是受益于本發(fā)明
的所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)行設(shè)計(jì)、制作和制造的例行程序。
本文所描述的實(shí)施例中的一者或一者以上是針對(duì)用于濺鍍張力氮化硅("SiN")膜 的系統(tǒng)和/或方法。更特定來說，在一個(gè)實(shí)施例中，將閾值量的氮?dú)庖刖哂兄辽?.5 毫托("mT")壓力的處理腔室中。 一旦氮?dú)庖呀?jīng)被引入且處理腔室壓力被設(shè)定，就將 電壓施加到硅目標(biāo)以便于張力SiN膜的濺鍍。
最初參看圖1，說明根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的經(jīng)配置以濺鍍張力SiN膜的示范性處理腔室 組合件的框圖，并大體上用參考標(biāo)號(hào)IO來表示。組合件IO可包含處理腔室12、電壓 源14、氣體源16、可變閘閥18 (也稱為"節(jié)流閥")以及低溫泵20。在一個(gè)實(shí)施例中， 處理組合件腔室10可以是由加利福尼亞州圣克拉拉的應(yīng)用材料公司(Applied Materials Corporation)生產(chǎn)的EnduraTM系統(tǒng)的組件。然而在替代實(shí)施例中，處理腔室組合件10 可以是另一合適的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的一部分或可以是獨(dú)立的組合件。此外，將了解，不 希望處理腔室組合件IO的所說明的組件是排他性的。由此，在替代實(shí)施例中，在處理 腔室組合件10中可包含其它合適的組件，且/或可省略或替換所說明的組件中的一者或 一者以上。
處理腔室12還包含目標(biāo)22。在一個(gè)實(shí)施例中，目標(biāo)22包含硅或多晶硅制成的平 面形平板，其可浸漬有較低含量的另一種物質(zhì)(例如，硼)，以使目標(biāo)的傳導(dǎo)性足以進(jìn) 行濺鍍。然而在替代實(shí)施例中，目標(biāo)22可以是其它形狀和/或由其它合適材料組成。在 一個(gè)實(shí)施例中，硅或多晶硅平板安裝在金屬背襯板(metallic backing plate)(未圖示) 上，所述金屬背襯板可耦合到電壓源14，如所說明。如下文將更詳細(xì)論述，在一個(gè)實(shí) 施例中，電壓源14可經(jīng)配置以向金屬背襯板施加DC電壓，以便于濺鍍來自目標(biāo)22的 硅原子。在替代實(shí)施例中，電壓源14可包含脈沖DC電源。
處理腔室12還可包含排列在目標(biāo)22周圍和/或后方的磁體24。如所屬領(lǐng)域的技術(shù) 人員將了解，磁體24可經(jīng)配置以捕捉和/或吸持在目標(biāo)前方的電子，以增加處理腔室12 內(nèi)的濺鍍的效率。磁體24允許以較低壓力進(jìn)行濺鍍，這對(duì)于形成張力SiN膜可能是有 利的。還將了解，盡管以單數(shù)形式描述磁體24，但在替代實(shí)施例中，任一合適數(shù)目的 個(gè)別磁體可構(gòu)成磁體24。此外，在其它替代實(shí)施例中，可從處理腔室12省略磁體24。
暗空間遮蔽物(dark space shield, "DSS") 26可排列在目標(biāo)22的任一側(cè)。此暗空 間遮蔽物26與遮蔽物28組合可經(jīng)配置以保護(hù)處理腔室12的內(nèi)部，以免硅原子從目標(biāo) 22濺出。更具體來說，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，暗空間遮蔽物和遮蔽物28通常 是從目標(biāo)22接收濺出目標(biāo)22的那些原子的可消耗組件，所述原子具有不會(huì)沖擊位于處 理腔室底部處的晶片30的軌跡。換句話說，當(dāng)硅原子被擊出目標(biāo)22時(shí)，只有被擊出原
子的一個(gè)子集將被擊出，使得其軌跡沖擊晶片30。沒有落在晶片30上的那些原子將終 止于暗空間遮蔽物26或遮蔽物28上。最終，當(dāng)足夠的硅累積在暗空間遮蔽物26和遮 蔽物28上時(shí)，可更換這些組件。以此方式，暗空間遮蔽物26和遮蔽物28保護(hù)處理腔 室12的內(nèi)部。
如圖1中所說明，可包含硅晶片或其它合適半導(dǎo)體襯底的晶片30可擱置在基座32 上。在各種實(shí)施例中，晶片30不附接到基座32，可夾持到基座32，或可以靜電方式夾 到基座32。
接下來看處理腔室組合件10的操作，氣體源16可經(jīng)配置以將例如氬氣的工作氣體 供應(yīng)到處理腔室12中。另外，氣體源16還可將氮?dú)庖胩幚砬皇?2中。如下文將進(jìn) 一步描述，引入的氮?dú)庠试S形成SiN膜。在一個(gè)實(shí)施例中，工作氣體和氮?dú)鈨烧叩牧鲃?dòng) 均可由質(zhì)量流量控制器(mass flow controller, "MFC")控制。此外，在一個(gè)實(shí)施例中， 引入過程腔室12中的工作氣體和氮?dú)獾牧靠梢悦糠昼姌?biāo)準(zhǔn)立方厘米(standard cubic centimeters per minute ， " seem ，，)來測量<=
一旦已將工作氣體和氮?dú)庖胩幚砬皇?2中，閘閥18就可經(jīng)配置以將處理腔室設(shè) 定在處理壓力。舉例來說，閘閥18可經(jīng)配置以將處理腔室設(shè)定在或設(shè)定高于與過渡區(qū) 相關(guān)聯(lián)的壓力閾值，如下文進(jìn)一步描述。在一個(gè)實(shí)施例中，壓力閾值大于或等于6.5毫 托("mT")。然而將了解，閾值壓力等級(jí)可視氮?dú)夂?或氬氣的流速、腔室體積、抽吸 速度、沉積速率等等而變化。在一個(gè)實(shí)施例中，可調(diào)節(jié)閘閥18的位置，以便于產(chǎn)生處 于或高于腔室壓力閾值的處理壓力。然而將了解，在替代實(shí)施例中，可使用其它合適類 型的抽吸裝備來設(shè)定處理腔室12的壓力。
當(dāng)氣體源16正在將氬氣和氮?dú)馓峁┑教幚砬皇?2中，且低溫泵20正將腔室維持 在高于6.5 mT的壓力時(shí)，電壓源14可經(jīng)配置以向目標(biāo)22施加陰極電壓。在一個(gè)實(shí)施 例中，電壓源14可包含脈沖DC電源。如下文將進(jìn)一步描述，脈沖DC電源有利地在 一組處理?xiàng)l件下在處理腔室12內(nèi)形成過渡區(qū)。另外，脈沖DC電源還對(duì)濺出目標(biāo)12有 利，這當(dāng)在過渡區(qū)(下文更詳細(xì)描述)中操作時(shí)可形成介電SiN表面。在替代實(shí)施例中， 可使用例如RF電源的其它類型的電壓源，條件是其經(jīng)配置以提供過渡區(qū)，如下文所述。
如上文所述，向目標(biāo)22施加電壓可對(duì)工作氣體內(nèi)的氬原子進(jìn)行充電，以產(chǎn)生等離 子體34，其將來自目標(biāo)22的原子向下濺鍍到晶片30上。在硅原子從目標(biāo)22濺出時(shí)， 所述硅原子可在處理腔室12中與氮?dú)饨M合以形成氮化硅("SiN")，其形成SiN膜晶片 30。
如上文所述，氣體源16可經(jīng)配置以在濺鍍期間將氮?dú)庖胩幚砬皇?2中以形成
SiN膜。然而，作為反應(yīng)氣體引入的氮?dú)饪赡苡绊懩繕?biāo)22。更具體來說，引入的氮?dú)庖?將電離，且其將與硅目標(biāo)22反應(yīng)。如果與目標(biāo)22的反應(yīng)速率足夠快，B卩，比目標(biāo)22 的濺出快，那么目標(biāo)22上將存在氮化物表面的累積。此情形被稱為"中毒(poisoned)" 模式。在中毒模式下，到晶片30上的沉積顯著減少或完全停止。然而如果濺鍍是以足 夠高的速率發(fā)生，或如果腔室中沒有那么多的氮?dú)?，那么氮化物無法在目標(biāo)22的表面 上累積。此情形被稱為"金屬"或未中毒模式。術(shù)語金屬模式是從待濺鍍的第一材料中 的金屬的濺鍍的延期。由此將了解，本文所描述的金屬模式不涉及金屬的沉積。
一種檢測中毒模式的技術(shù)是監(jiān)視目標(biāo)22的陰極電壓，因?yàn)槟繕?biāo)22的陰極電壓受形 成于目標(biāo)22上的氮化物影響。更具體來說，將了解，目標(biāo)22的陰極電壓是從電壓源 14施加的功率除以流經(jīng)目標(biāo)22的電流所得商的函數(shù)。然而在中毒模式下，處理腔室中 氮?dú)獾牧繉?dǎo)致次級(jí)電子生成的增加，其增加了目標(biāo)電流并減小了陰極電壓。舉例來說， 圖2是說明根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的示范性SiN磁滯曲線42的曲線圖40。如圖2中所說明， 在大約10.4sccm的氮?dú)饬髁肯禄蛟诘陀诖蠹s10.4sccm的氮?dú)饬髁肯?，目?biāo)22上的陰 極電壓在380伏與390伏之間相對(duì)恒定。在此陰極電壓電平下，處理腔室12在金屬模 式(稱為金屬區(qū)44)下操作。在此金屬區(qū)44中，目標(biāo)22未中毒，且硅原子可在處理 腔室12內(nèi)從目標(biāo)22濺鍍。
如果氮?dú)饬髁窟_(dá)到某一等級(jí)(例如，大約14sccm)，那么目標(biāo)22可變?yōu)橹卸?，?處理腔室12將進(jìn)入中毒區(qū)46。在中毒區(qū)46中，目標(biāo)22的陰極電壓可充分下降(例如 在圖2中下降到310伏)，且目標(biāo)22的硅原子的濺鍍可顯著減少或停止，因?yàn)榈锢?積在目標(biāo)表面上的速度比其可濺出的速度快。
然而，如圖2還說明，在金屬區(qū)44與中毒區(qū)46之間存在過渡區(qū)48。當(dāng)處理腔室 12在過渡區(qū)48中時(shí)，目標(biāo)22的陰極電壓隨氮?dú)獾牧慷喈?dāng)快速地波動(dòng)。此外，如下 文將進(jìn)一步描述，當(dāng)處理腔室12內(nèi)的壓力高于6.5mT (針對(duì)一組腔室條件，如上文所 述)的閾值時(shí)，在過渡區(qū)期間濺鍍的SiN膜將是張力SiN膜；而金屬區(qū)或中毒區(qū)中的 濺鍍將產(chǎn)生壓縮SiN膜。
如上文所述，對(duì)于多種應(yīng)用，濺鍍張力SiN膜(趨向于使下伏層彎曲成凹入形狀的 具有正膜應(yīng)力的SiN膜)是有利的。舉例來說，用張力SiN膜構(gòu)造的負(fù)溝道金屬氧化 物半導(dǎo)體("NMOS")柵極結(jié)構(gòu)的性能優(yōu)于用壓縮SiN膜構(gòu)造的類似結(jié)構(gòu)的性能。然而 將了解，這只是濺鍍張力SiN膜的優(yōu)點(diǎn)的一個(gè)實(shí)例，且由此不希望是排他性的。
圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例針對(duì)兩種示范性處理壓力來說明氮?dú)饬髁颗cSiN膜應(yīng)力之間
的關(guān)系的曲線圖50。如表示針對(duì)5.3 mT腔室應(yīng)力的SiN膜應(yīng)力對(duì)氮?dú)饬髁康那€52
所示，SiN膜應(yīng)力針對(duì)從6sccm到21 sccm (即，在金屬區(qū)、過渡區(qū)和中毒區(qū)中)的氮 氣流量保持壓縮(即，負(fù))。然而，如曲線54所示，當(dāng)腔室壓力處于10.4mT時(shí)，當(dāng)處 理腔室12在過渡區(qū)中操作時(shí)，膜應(yīng)力變?yōu)閺埩?即，正)。
圖4中進(jìn)一步說明張力膜應(yīng)力與處理腔室12的壓力之間的這種關(guān)系，圖4描繪針 對(duì)處理腔室在過渡區(qū)(曲線62)中、中毒區(qū)46 (曲線64)中和金屬區(qū)48 (曲線66) 中的操作說明處理腔室壓力與SiN膜應(yīng)力之間關(guān)系的曲線圖60。如圖4所示，只有在 過渡區(qū)期間SiN膜的膜應(yīng)力才變?yōu)閺埩?即，正)。此外，如圖4所示，同樣只有在處 理腔室12中的處理壓力高于大約6.5mT時(shí)才將形成張力SiN膜。
接下來參看圖5，其說明展示用于根據(jù)一個(gè)實(shí)施例濺鍍張力SiN膜的示范性技術(shù)的 流程圖，且其一般由參考標(biāo)號(hào)70表示。在一個(gè)實(shí)施例中，技術(shù)70可由圖1中所說明的 處理腔室組合件10執(zhí)行。然而在替代實(shí)施例中，可使用其它合適的組合件和/或處理裝 置來執(zhí)行技術(shù)70。
如圖5的框72所指示，技術(shù)70可以氣體源16將氮?dú)夂蜌鍤庖胩幚砬皇?2中而 開始。如上文所述，以足以將處理腔室12放入過渡區(qū)48中的含量引入氮?dú)?。舉例來說， 在一個(gè)實(shí)施例中，氣體源可以8 sccm與14 sccm之間的流動(dòng)速率來引入氮?dú)?。然而?了解，引入處理腔室12中的氮?dú)獾牧靠梢暥喾N腔室和處理?xiàng)l件而定。由此，在替代實(shí) 施例中，其它的氮?dú)饬恳部蛇m合于將處理腔室12放入過渡區(qū)48中。
接下來，如框74所指示，將把處理腔室12內(nèi)的處理壓力設(shè)定為至少大約6.5mT。 在一個(gè)實(shí)施例中，可調(diào)節(jié)低溫泵20的操作和閘閥18的位置，以將處理腔室12的壓力 設(shè)定為至少6.5mT。最后，如框76所指示，電壓源14可向目標(biāo)22施加電壓。如上文 所述，在一個(gè)實(shí)施例中，電壓源14可包含經(jīng)配置以向目標(biāo)22施加DC電壓的時(shí)變脈沖 DC電源。有利的是，與RF電源不同，脈沖DC電源不需要匹配，且購買和/或操作的 費(fèi)用可能較少。最后，向目標(biāo)22施加電壓將導(dǎo)致形成等離子體34，從而便于將SiN膜 濺鍍到晶片30上。
盡管本發(fā)明可允許各種修改和替代形式，但已通過圖中的實(shí)例而展示并已在本文中 詳細(xì)描述了具體的實(shí)施例。然而應(yīng)理解，不希望本發(fā)明限于所揭示的特定形式。相反， 本發(fā)明將涵蓋屬于所附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有修改、等效物 和替代方案。
權(quán)利要求
1. 一種方法，其包括將氮?dú)庖胩幚砬皇抑?，其中所述處理腔室包含包括硅的目?biāo)；將所述處理腔室放入金屬區(qū)與中毒區(qū)之間的過渡區(qū)中；以及向所述目標(biāo)施加電壓。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述氮?dú)庖胨鎏幚砬皇抑邪ㄔ? sccm 與14 sccm之間進(jìn)行引入。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中將所述處理腔室放入過渡區(qū)中包括將所述處理 腔室的壓力設(shè)定為等于或大于大約6.5 mT。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中向所述目標(biāo)施加所述電壓包括向所述目標(biāo)施加 脈沖DC電壓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中向所述目標(biāo)施加所述電壓包括向金屬板施加所 述電壓。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包括將工作氣體引入所述處理腔室中。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其包括將張力SiN膜濺鍍到晶片上。
8. —種半導(dǎo)體制造裝置，其包括處理腔室，其包含包括硅的目標(biāo)，其中所述處理腔室經(jīng)配置以進(jìn)入金屬區(qū)與中 毒區(qū)之間的過渡區(qū)；氣體源，其經(jīng)配置以將氮?dú)庖胨鎏幚砬皇抑校灰约?電壓源，其經(jīng)配置以向所述目標(biāo)施加電壓。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述處理腔室經(jīng)配置以通過建立至少6.5mT的 處理壓力而進(jìn)入所述過渡區(qū)。
10.
11.
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述處理腔室包含低溫泵和可變閘閥。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述氣體源經(jīng)配置以便以至少10 sccm的速率將 氮?dú)庖胨鎏幚砬皇抑小?br> 14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述氣體源經(jīng)配置以便以不大于大約14 sccm 的速率將氮?dú)庖胨鎏幚砬皇抑小?br> 15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述處理腔室包括EnduraTM處理腔室。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述電壓源包括DC電壓源。
17. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述目標(biāo)包含金屬板，且其中所述電壓源經(jīng)配 置以向所述金屬板施加所述電壓。
18. —種張力氮化硅膜，其中通過以下過程來形成所述張力氮化硅膜將氮?dú)庖胩幚砬皇抑?，其中所述處理腔室包含包括硅的目?biāo)； 將所述處理腔室放入金屬區(qū)與中毒區(qū)之間的過渡區(qū)中；以及 向所述目標(biāo)施加電壓。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的張力氮化硅膜，其中將所述氮?dú)庖胨鎏幚砬皇抑邪?在8 sccm與14 sccm之間進(jìn)行弓l入。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的張力氮化硅膜，其中將所述處理腔室放入過渡區(qū)中包括將 所述處理腔室的壓力設(shè)定為等于或大于大約6.5 mT。
全文摘要
提供一種用于濺鍍張力氮化硅膜的系統(tǒng)和方法。更具體來說，在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種方法，其包括將氮?dú)庖胩幚砬皇抑?，其中所述處理腔室包含包括硅的目?biāo)；將所述處理腔室放入金屬區(qū)與中毒區(qū)之間的過渡區(qū)中；以及向所述目標(biāo)施加電壓。
文檔編號(hào)C23C14/06GK101395294SQ200780007656
公開日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2007年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月7日
發(fā)明者艾倫·麥克蒂爾 申請(qǐng)人:美光科技公司