專利名稱：：絕緣膜研磨用cmp研磨劑、研磨方法、通過該研磨方法研磨的半導(dǎo)體電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及絕緣膜研磨用CMP研磨劑、使用該研磨劑進行研磨的研磨方法以及通過該研磨方法進行研磨的半導(dǎo)體電子部件。
背景技術(shù)：
：在現(xiàn)在的超大規(guī)模集成電路中，具有提高封裝密度的傾向，并且也正在研究、開發(fā)各種微細(xì)加工技術(shù)。設(shè)計規(guī)則已經(jīng)達到了亞半微米(sub-halfmicron)的級別。為了滿足這種嚴(yán)格的微細(xì)化要求而開發(fā)的技術(shù)之一為化學(xué)機械研磨(CMP:ChemicalMechanicalPolishing)技術(shù)。由于該技術(shù)能夠在半導(dǎo)體裝置的制造過程中，將施加曝光的層完全平坦化，并且減輕曝光技術(shù)的負(fù)擔(dān)，使產(chǎn)率穩(wěn)定，因此是在進行例如層間絕緣膜、BPSG膜的平坦化、淺溝槽隔離等時所必須的技術(shù)。以往，在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，作為用于使等離子體-CVD(ChemicalVaporDeposition,化學(xué)氣相沉積法)、低壓-CVD等方法所形成的氧化石圭絕緣膜等無機絕緣膜層平坦化的CMP研磨劑，一般考慮熱解法二氧化硅類的研磨劑。熱解法二氧化硅類的研磨劑，通過使二氧化硅粒子在四氯硅酸中熱分解等的方法發(fā)生粒成長，并進行pH調(diào)整而制造。但是，其存在以下問題熱解法二氧化硅本身附著在研磨基板上，即使洗滌，該附著物也無法完全除去。此外，在以往使層間絕緣膜平坦化的CMP技術(shù)中，存在以下問題研磨速度對基板上的浮皮研磨膜圖案具有高依賴性，并且根據(jù)圖案密度差或尺寸差的大小，凸部的研磨速度有很大差異，以及，由于對凹部也進行了研磨，因此無法實現(xiàn)晶片面內(nèi)整體的高水平的平坦化。此外，在使層間絕緣膜平坦化的CMP技術(shù)中，需要在層間絕緣膜的中部結(jié)束研磨，其一般采用根據(jù)研磨時間來進行研磨量控制的工藝管理方法。但是存在以下問題不僅根據(jù)圖案的高低差形狀變化，而且，根據(jù)研磨布的狀態(tài)等，研磨速度也產(chǎn)生顯著變化，因此工藝管理困難。在設(shè)計規(guī)則為0.3,以上的生產(chǎn)中，在集成電路內(nèi)的元件分離中使用LOCOS(硅的局部氧化)。然后，加工尺寸進一步微細(xì)化的話，就需要元件隔離寬度窄的技術(shù)，并且正在使用淺溝槽隔離。在淺溝槽隔離中，為了除去基板上形成的多余的氧化硅膜而使用CMP,并且為了使研磨停止，在氧化硅膜的下面形成研磨速度慢的停止膜。停止膜使用氮化硅等，并希望氧化硅膜與停止膜的研磨速度比值大。另一方面，作為光罩、透鏡等的玻璃表面研磨劑，使用氧化鈰研磨劑。氧化鈰粒子與二氧化硅粒子或氧化鋁粒子相比，其硬度較低，因此，不易對研磨表面產(chǎn)生損傷，從而對拋光鏡面研磨是有用的。然而，由于玻璃表面研磨用氧化鈰研磨劑使用含有鈉鹽的分散劑，因此不適合直接用作半導(dǎo)體用研磨劑。此外，氧化鈰研磨劑在價格方面和熱解法二氧化硅研磨劑相比，其價格高，因此較多是以研磨粒濃度為低濃度的情況使用。因此，氧化鈰研磨劑存在以下問題在研磨初期階段將被研磨面研磨平坦的能力低，和熱解法二氧化硅研磨劑相比，氧化鈰研磨劑的研磨時間變長到不必要的程度。因此，如特開2005-159351號公報所述，提出了在以消除被研磨面高低差為目的的初期粗切削工序中，使用含有高濃度熱解法二氧化硅的研磨劑進行研磨，然后，在通過停止膜的氮化硅使研磨停止的工序中，使用含有低濃度氧化鈰粒子的研磨劑進行研磨的工藝。本發(fā)明目的在于4是供一種在使層間絕緣膜、BPSG膜、淺溝槽隔離用絕緣膜或配線間的絕緣膜平坦化的CMP技術(shù)中，能夠高效并且高速地進行Si02膜或SiOC膜等絕緣膜研磨的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，使用該研磨劑進行研磨的方法以及通過該研磨方法進行研磨的半導(dǎo)體電子部件。
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明涉及(1)一種絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于含有氧化鈰粒子、分散劑、側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子和水。此外，本發(fā)明涉及(2)如所述(1)所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，在氧化鈰粒子量和研磨條件相同的情況下，與不含權(quán)利要求1所述的研磨劑中的側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的研磨劑相比，研磨速度為1.2倍以上。此外，本發(fā)明涉及(3)如所述(1)或(2)所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子，是聚合由下述通式(I)或下述通式(II)所表示的聚合性氨基化合物的至少一種以上而形成的聚合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(式(I)中，R!表示氫、低級烷基、苯基、千基、卣素取代的低級烷基、氰基，R2表示C廣C!8的亞烷基，R3表示氫或dds的烷基，R4表示C廣Cw的烷基。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(式(n)中，Rs表示氫、低級烷基、苯基、節(jié)基、卣素取代的低級烷基、氰基，&表示氫或C廣C,8的烷基，R表示C廣ds的亞烷基，Rs表示氫或C廣ds的烷基，R9表示dQg的烷基。)此外，本發(fā)明涉及(4)如所述(1)~(3)任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子，是聚合由下述通式(III)所表示的化合物的至少一種以上和所述(3)所述的聚合性氨基化合物而形成的聚合物,<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>(式(m)中，R,o表示氫、低級烷基、苯基、千基、鹵素取代的低級烷基、氰基，Ru和R^表示氫或C廣ds的烷基、低級羥基亞烷基、?；?，R和R12也可以互相結(jié)合起來形成嗎啉代基、硫代嗎啉代基、吡咯烷基(pyrrolidine))、1-派咬基(piperidino)。)此外，本發(fā)明涉及(5)如所述(1)~(4)任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的添加量，相對于100重量份研磨劑，為0.00001重量份1重量份。此外，本發(fā)明涉及(6)如所述(1)~(5)任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于進一步含有水溶性非離子性化合物。此外，本發(fā)明涉及(7)如所述(6)所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于所述水溶性非離子性化合物的添加量，相對于100重量份研磨劑，為0.00001重量^f分1重量份。此外，本發(fā)明涉及(8)如所述(1)~(7)任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于所述氧化鈰粒子的平均粒徑為80nm1000nm，并且氧化鈰粒子的添加量，相對于IOO重量份研磨劑，為0.1重量份~15重量份。此外，本發(fā)明涉及(9)如所述(1)所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于在研磨前適當(dāng)混合含有所述氧化鈰粒子、所述分散劑和水的氧化鈰漿料(A液)和含有所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子和水的添加液(B液)，然后供給。此外，本發(fā)明涉及(10)如所述(6)所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于在研磨前適當(dāng)混合含有氧化鈰粒子、所述分散劑和水的氧化鈰漿料(A液)和含有所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子、水和水溶性非離子性化合物的添加液(c液)，然后供給。此外，本發(fā)明涉及(11)一種基板的研磨方法，其特征在于，將形成有被研磨膜的基板按壓在研磨臺的研磨布上，一邊將所述(l)~(IO)任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑供給至研磨膜與研磨布之間，一邊移動基板和研磨臺來研磨被研磨膜。此外，本發(fā)明涉及(12)如所述(1)~(10)任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，通過所述氧化鈰粒子和所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子均勻吸附在研磨布上，并且氧化鈰粒子在被研磨膜上均勻起作用，研磨速度的均勻性為0.1%~10%。此外，本發(fā)明涉及(13)如所述(6)所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于在研磨結(jié)束時，通過用水或水溶液洗去吸附在研磨布上的所述氧化鈰粒子，能夠?qū)⒈谎心セ迳洗嬖诘难心ト毕萁档椭?0%以下。此外，本發(fā)明涉及(14)如所述(1)~(10)或所述(12)~(13)任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，在所述氧化鈰粒子量、研磨條件相同的情況下，與不含所述(l)~(10)或所述(12)~(13)任一項所述的研磨劑中的所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的研磨劑相比，研磨速度為1.2倍以上。此外，本發(fā)明涉及(15)如所述(1)~(10)或所述(12)~(13)任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，在所述氧化鈰粒子量、研磨條件相同的情況下，與不含所述(l)~(10)或所述(12)~(13)任一項所述的研磨劑中的水溶性高分子的研磨劑相比，具有高低差的絕緣膜表面的凸部的研磨速度為1.5倍以上。此外，本發(fā)明涉及(16)如所述(1)~(10)或所述(12)~(15)任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于能夠用作含有熱解法二氧化硅為主成分的平坦化研磨劑的替代研磨劑。此外，本發(fā)明涉及(17)—種研磨方法，其特征在于，在初期的高低差粗切削工序中使用以熱解法二氧化硅為主成分的研磨劑研磨的研磨工藝中，使用所述(l)~(10)或所述(12)~(16)任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑進行研磨。此外，本發(fā)明涉及(18)—種研磨方法，其特征在于使用所述(l)~(10)或所述(12)~(16)任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑來研磨形成有具有高低差的被研磨膜的基板。此外，本發(fā)明涉及(19)如所述(18)所述的研磨方法，其特征在于所述被研磨膜至少含有SiCM莫、SiOC膜、BPSG膜。此外，本發(fā)明涉及(20)如所述(18)或(19)所述的研磨方法，其特征在于，形成有具有高低差的被研磨膜的基板是電子部件。此外，本發(fā)明涉及(21)—種半導(dǎo)體電子部件，其特征在于通過所述(ll)或所述(17)~(20)任一項所述的研磨方法研磨。此外，本發(fā)明涉及(22)—種基板的研磨方法，是將形成有被研磨膜的基板按壓在研磨臺的研磨布上，一邊將CMP研磨劑供給至被研磨膜與研磨布之間，一邊移動基板和研磨臺來研磨被研磨膜，其特征在于所述CMP研磨劑含有氧化鈰粒子，并且使該氧化鈰粒子被保持在研磨布上。此外，本發(fā)明涉及(23)如所述(22)所述的基板的研磨方法，其特征在于所述氧化鈰粒子通過側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子而被保持在研磨布上。此外，本發(fā)明涉及(24)如所述(22)所述的基板的研磨方法，其特征在于所述氧化鈰粒子通過側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子和水溶性非離子性化合物而被保持在研磨布上。此外，本發(fā)明涉及(25)如所述(22)~(24)任一項所述的基板的研磨方法，其特征在于在研磨過程中或研磨結(jié)束時，使用水或水溶液洗滌研磨布。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種在使層間絕緣膜、BPSG膜、淺溝槽隔離用絕緣膜或配線間的絕緣膜平坦化的CMP技術(shù)中，能夠高效并且高速地進行Si02膜或SiOC膜等絕緣膜研磨的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，使用該研磨劑進行研磨的方法以及通過該研磨方法進行研磨的半導(dǎo)體電子部件。此外，根據(jù)本發(fā)明，可以在迄今為止需要熱解法二氧化硅研磨劑、氧化鈰研磨劑和多種研磨劑的研磨工藝中，僅用本發(fā)明的CMP研磨劑進行研磨。進一步，根據(jù)本發(fā)明，可以提供在生產(chǎn)能力以及價格方面都沒有問題的絕緣膜研磨用CMP研磨劑。圖l是表示氧化鈰粒子、添加劑成分的吸附機理的概圖。具體實施例方式本發(fā)明的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于含有氧化鈰粒子、分散劑、側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子和水。本發(fā)明中可用作研磨粒的氧化鈰粒子，沒有特別限制，例如，可以通過氧化碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、草酸鹽等鈰化合物而得到。在通過TEOS-CVD(TetraEthylOrthoSilicate—ChemicalVaporDeposition,正義圭酉菱乙酉旨一4匕學(xué)氣相沉積)法等形成的氧化硅絕緣膜的研磨中所用的氧化鈰研磨劑，其一次粒徑越大，并且結(jié)晶變形越少，也就是說結(jié)晶性越好，則越可以高速研磨，但是存在容易產(chǎn)生研磨損傷的傾向。因此，本發(fā)明中所用的氧化鈰粒子，其微晶粒徑優(yōu)選為5nm以上300nm以下。此外，在用于半導(dǎo)體電子部件的研磨時，優(yōu)選將堿金屬和卣素類的含有率優(yōu)選抑制在氧化鈰粒子中的10ppm以下。本發(fā)明中，作為制備氧化鈰粒子的方法，可以使用燒成碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、草酸鹽等鈰化合物的方法或通過過氧化氬等氧化的方法等。燒成溫度優(yōu)選為350。C以上卯(TC以下。由于通過上述方法制造的氧化鈰粒子凝集，因此優(yōu)選進行機械粉碎。作為粉碎方法，優(yōu)選通過噴射磨等進行的干式粉碎方法或通過行星型球磨機或珠磨機等進行的濕式粉碎方法。噴射磨，在例如，化學(xué)工業(yè)論文集，第6巻第5號，1980年，527-532頁中說明。本發(fā)明的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，可以通過，例如，將氧化鈰粒子、^t劑和水配合，制作分散有氧化鈰粒子的分散液，接著，添加側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子而得到，但這只是一個例子，各成分的添加順序沒有特別限定。在分散氧化鈰粒子時，分散液中的氧化鈰粒子的濃度沒有特別限定，但是從分散液的容易處理的觀點考慮，優(yōu)選為0.5重量％以上20重量％以下。本發(fā)明中所用的分散劑，由于用于半導(dǎo)體芯片的研磨，因此優(yōu)選將鈉離子、鉀離子等堿金屬和鹵素、硫的含有率抑制在10ppm以下，例如，優(yōu)選含有丙烯酸銨鹽作為聚合成分的高分子分散劑，并特別優(yōu)選聚丙烯酸銨。此外，可以使用所述含有丙烯酸銨鹽的高分子分散劑和含有選自水溶性陰離子性分散劑、水溶性非離子性分散劑、水溶性陽離子性分散劑、水溶性兩性分散劑中的至少一種的分散劑，并且即使使用兩種以上的分散劑，也沒有問題。作為水溶性陰離子性分散劑，可以列舉，例如月桂基硫酸三乙醇胺、月桂基硫酸銨、聚氧乙烯烷基醚硫酸三乙醇胺、特殊聚羧酸型高分子分散劑等。作為水溶性非離子性分散劑，可以列舉，例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油酰醚、聚氧乙烯高級醇醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧鏈烯烷基醚、聚氧乙烯衍生物、聚氧乙烯山梨聚糖單月桂酸酯、聚氧乙烯山梨聚糖單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨聚糖單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨聚糖三硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨聚糖單油酸酯，聚氧乙烯山梨聚糖三油酸酯、四油酸聚氧乙烯山梨糖醇、聚乙二醇單月桂酸酯、聚乙二醇單硬脂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯、聚乙二醇單油酸酯、聚氧乙烯烷基胺、聚氧乙烯硬化蓖麻油、烷基烷醇酰胺化合物等。作為水溶性陽離子性分散劑，可以列舉，例如聚乙烯基吡咯烷酮，椰子胺乙酸酯、硬脂胺乙酸酯等，并且，作為水溶性兩性分散劑，可以列舉，例如月桂基甜菜堿、硬脂基甜菜堿、月桂基二甲基胺氧化物、2-烷基-N-羧基甲基-N-羥基乙基咪唑鐵甜菜堿等。分散劑的添加量，從CMP研磨劑中的氧化鈰粒子的分散性和防止沉降，以及研磨損傷和分散劑添加量的關(guān)系考慮，其相對于100重量份氧化鈰粒子，優(yōu)選為0.01重量^f分以上2.0重量份以下的范圍，并更優(yōu)選為0.2重量份以上1.2重量份以下。分散劑的分子量，優(yōu)選為100-50,000，更優(yōu)選為1,000~IO，OOO。當(dāng)分散劑的分子量不足100時，在研磨氧化硅膜或氮化硅膜時，存在無法得到充分的研磨速度的傾向，并且當(dāng)分散劑的分子量超過50,000時，存在粘度變高，CMP研磨劑的保存穩(wěn)定性降低的傾向。作為將這些氧化鈰粒子分散在水中的方法，除了使用通常的攪拌機進行分散處理之外，還可以使用均質(zhì)器、超聲波分散機、濕式球磨機等。如此制作的CMP研磨劑中的氧化鈰粒子的平均粒徑優(yōu)選為80~l，OOOnm，更優(yōu)選為80~300nm。當(dāng)氧化鈰粒子的平均粒徑不足O.Ol(im時，存在有研磨速度降低的傾向，而當(dāng)其超過1.0jim時，存在有容易產(chǎn)生研磨損傷的傾向。本發(fā)明中的側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子，是聚合由下述通式(I)或下述通式(II)所表示的聚合性氨基化合物的至少一種以上而形成的聚合物。H<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(式(I)中，R,表示氫、低級烷基、苯基、卡基、卣素取代的低級烷基、氰基，R2表示d-ds的亞烷基，R3表示氫或C廣d8的烷基，R4表示C廣C,8的烷基。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(式(n)中，Rs表示氫、低級烷基、苯基、爺基、囟素取代的低級烷基、氰基，R6表示氫或C廣Ci8的烷基，R7表示dC"的亞烷基，Rs表示氫或C廣ds的烷基，R9表示C廣C!8的烷基。)所述通式(I)的R,或式(II)的R5中的低級烷基是碳原子數(shù)為1~5的烷基，例如曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、特丁基、戊基等，其中優(yōu)選碳原子數(shù)為1~3的烷基，更優(yōu)選曱基。此外，所述通式(I)的R,或式(II)的r5中的囟素取代的低級烷基是碳原子數(shù)為15的烷基的氫原子被由素取代的基團，例如，一氟曱基、一氯曱基、一溴曱基、二氟甲基、二氯甲基、二溴曱基、三氟曱基、三氯甲基、三溴曱基、三氟乙基、三氯乙基、五氟乙基、四氟丙基、七氟丙基、八氟戊基等，其中優(yōu)選為氟取代的低級烷基，并更優(yōu)選為二氟曱基、三氟曱基。此外，所述通式(I)的R2或式(II)的R是dC!8的亞烷基，例如，亞曱基、二亞曱基、三亞曱基、四亞曱基、五亞曱基、六亞曱基、七亞曱基、八亞曱基、九亞曱基、十亞曱基、十一亞曱基、十二亞曱基、十三亞曱基、十四亞曱基、十五亞曱基、十六亞曱基、十七亞曱基、十八亞曱基等，其中優(yōu)選C廣Cs的亞烷基，更優(yōu)選dC3的亞烷基。所述通式(I)的R3、R4、式(II)的119、Rg的C廣ds的烷基，例如為曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、特丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基等，其中優(yōu)選dC5的烷基，并更優(yōu)選dC3的烷基。作為由通式(I)或(II)所表示的聚合性氨基化合物的具體例子，舉例有丙烯酸氨基乙酯、丙烯酸N-曱基氨基乙酯、丙烯酸N,N-二曱基氨基乙酯、丙烯酸N-乙基氨基乙酯、丙烯酸N,N-二乙基氨基乙酯、丙烯酸N-曱基氨基丙酉旨、丙烯酸N,N-二甲基氨基丙酯、丙烯酸N-乙基氨基丙酯、丙烯酸氨基丙酯、丙烯酸N-乙基氨基丙酯、丙烯酸N,N-二乙基氨基丙酯、曱基丙烯酸氨基乙酯、曱基丙烯酸N-曱基氨基乙酯、曱基丙烯酸N,N-二曱基氨基乙酯、曱基丙烯酸N-乙基氨基乙酯、曱基丙烯酸N,N-二乙基氨基乙酯、曱基丙烯酸氨基丙酯、甲基丙烯酸N-曱基氨基丙酯、曱基丙烯酸N,N-二曱基氨基丙酯、曱基丙烯酸N-乙基氨基丙酯、曱基丙烯酸N,N-二乙基氨基丙酯、氨基丙基丙烯酰胺、N-曱基氨基丙基丙烯酰胺、N，N-二曱基氨基丙基丙烯酰胺、N-乙基氨基丙基丙烯酰胺、N,N-二乙基氨基丙基丙烯酰胺、氨基丙基曱基丙烯酰胺、N-曱基氨基丙基曱基丙烯酰胺、N,N-二曱基氨基丙基甲基丙烯酰胺、N-乙基氨基丙基曱基丙烯酰胺、N，N-二乙基氨基丙基曱基丙烯酰胺等。其中，優(yōu)選為N，N-二取代的聚合性氨基化合物，更優(yōu)選為丙烯酸N，N-二曱基氨基乙酯、曱基丙烯酸N,N-二曱基氨基丙酯、N，N-二曱基氨基丙基曱基丙烯酰胺。本發(fā)明中，這些通式(I)或通式(II)所表示的聚合性氨基化合物，可以以1種單獨使用或2種以上組合使用。此外，本發(fā)明的側(cè)^漣上具有氨基的水溶性高分子，也可以是通式(I)或通式(II)所表示的聚合性氨基化合物和能夠聚合的其它單體聚合而形成的共聚物。作為這種單體成分，舉例有丙烯酸、dds的丙烯酸酯、曱基丙烯酸、C廣ds的曱基丙烯酸酯、乙烯基醇、丙烯腈、乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、下述通式(III)所表示的化合物，它們可以單獨使用，也可以兩種以上組合使用。通式(III)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>(式(III)中，Ru)表示氬、低級烷基、苯基、卡基、卣素取代的低級烷基、氰基，Ru和R!2表示氫、C廣Cw的烷基、低級羥基亞烷基、酰基，R和Ru也可以互相結(jié)合起來形成嗎啉代基、硫代嗎啉代基、吡咯烷基、1-哌啶基。)所表示的化合物中的低級烷基、卣素取代的低級烷基、C廣ds的烷基，可以舉例和所述通式(I)或通式(II)所舉例的基團相同的基團。作為通式(III)的低級羥基亞烷基，舉例有羥基亞甲基、羥基亞乙基、羥基亞丙基、羥基亞丁基、羥基亞戊基等，其中，優(yōu)選為QC3的低級羥基亞烷基，更優(yōu)選為羥基亞甲基。作為通式(m)的?；e例有乙?；⒈；⒍□；?、異丁?；?，其中，優(yōu)選為乙酰基。作為由通式(III)所表示的化合物的具體例子，舉例有丙烯酰胺、曱基丙烯酰胺、N-曱基丙烯酰胺、N-乙基丙烯酰胺、N-丙基丙烯酰胺、N-異丙基丙烯酰胺、N-丁基丙烯酰胺、N-異丁基丙烯酰胺、N-特丁基丙烯酰胺、N-庚基丙烯酰胺，N-辛基丙烯酰胺、N-特辛基丙烯酰胺、N-十二烷基丙烯酰胺、N-十八烷基丙烯酰胺、N-羥曱基丙烯酰胺、N-乙?；０贰-二丙酮基丙歸酰胺、N-甲基甲基丙烯酰胺，N-乙基甲基丙烯酰胺、N-丙基曱基丙烯酰胺、N-異丙基曱基丙烯酰胺、N-丁基曱基丙烯酰胺、N-異丁基曱基丙烯酰胺、N-特丁基曱基丙烯酰胺、N-庚基曱基丙烯酰胺、N-辛基曱基丙烯酰胺、N-特辛基曱基丙烯酰胺、N-十二烷基曱基丙烯酰胺、N-十八烷基曱基丙烯酰胺、N-羥曱基曱基丙烯酰胺、N-乙?；鶗趸０?、N-二丙酮基曱基丙烯酰胺、N,N-二曱基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺、N,N-二丙基丙烯酰胺、N,N-二異丙基丙烯酰胺、N，N-二丁基丙烯酰胺、N,N-二異丁基丙烯酰胺、N,N-二特丁基丙烯酰胺、N,N-二庚基丙烯酰胺、N,N-二辛基丙烯酰胺、N,N-二特辛基丙烯酰胺、N,N-二(十二烷基)丙烯酰胺、N，N-二(十八烷基)丙烯酰胺、N，N-二羥曱基丙烯酰胺、N，N-二乙?；０?、N,N-二丙酮基丙烯酰胺、N,N-二曱基曱基丙烯酰胺、N，N-二乙基甲基丙烯酰胺、N,N-二丙基曱基丙烯酰胺、N,N-二異丙基曱基丙烯酰胺、N，N-二丁基曱基丙烯酰胺、N,N-二異丁基曱基丙烯酰胺、N,N-二特丁基曱基丙烯酰胺、N，N-二庚基曱基丙烯酰胺、N,N-二辛基曱基丙烯酰胺、N，N-二特辛基曱基丙烯酰胺、N,N-二(十二烷基)曱基丙烯酰胺、N,N-二(十八烷基)甲基丙烯酰胺、N,N-二羥甲基甲基丙烯酰胺,N，N-二乙酰基曱基丙烯酰胺、N,N-二丙酮基曱基丙烯酰胺、丙烯酰哌啶、丙烯酰嗎啉、丙烯酰硫代嗎啉、丙烯酰吡咯烷等。其中，優(yōu)選為N,N-二取代的化合物，更優(yōu)選為N,N-二曱基丙烯酰胺或丙烯酰嗎啉。本發(fā)明的側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子，可以通過使用由通式(I)或通式(II)所表示的聚合性氨基化合物，和任意能夠聚合的其它單體，并使用自由基聚合等一般的已知方法聚合而得到。本發(fā)明的側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的重均分子量優(yōu)選為500以上，更優(yōu)選為500~1，000，000,特別優(yōu)選為500-5,000。當(dāng)所述重均分子量不足500時，存在有無法充分吸附至被膜的傾向。側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的添加量，相對于100重量份CMP研磨劑，優(yōu)選為0.00001重量份以上1重量份以下的范圍，更優(yōu)選為0.0001重量份以上0.5重量^f分以下的范圍。如果側(cè)鏈上具有氮基的水溶性高分子的添加量過少，則有無法得到高速研磨特性的傾向，而如果其過多，則有研磨劑的粘度上升，流動性下降的傾向。此外，本發(fā)明中所形成的絕緣膜研磨用高速CMP研磨劑，也可以和其它的水溶性聚合物結(jié)合使用。作為水溶性聚合物，只要其重均分子量為500以上，則沒有特別限制，例如，可以列舉海藻酸、果膠酸、羧曱基纖維素、瓊脂、可得然膠、支鏈淀粉等多糖類、聚天冬氨酸、聚谷氨酸、聚賴氨酸、聚蘋果酸、聚曱基丙烯酸、聚曱基丙烯酸銨鹽、聚曱基丙烯酸鈉鹽、聚酰胺酸、聚馬來酸、聚衣康酸、聚富馬酸、聚對苯乙烯羧酸、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、氨基聚丙烯酰胺、聚丙烯酸銨鹽、聚丙烯酸鈉鹽、聚酰胺酸、聚酰胺酸銨鹽、聚酰胺酸鈉鹽、聚乙醛酸等聚羧酸及其鹽、聚乙烯基醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚丙烯醛等的乙烯基類聚合物等。本發(fā)明的CMP研磨劑，可以進一步含有水溶性非離子性化合物。水溶性非離子性化合物，優(yōu)選分子量為100~l，OOO，OOO的物質(zhì)，更優(yōu)選為100-100,000的物質(zhì)。當(dāng)水溶性非離子性化合物的分子量超過1,000,000時，存在有CMP研磨劑的粘度上升，引起氧化鈰粒子凝集的傾向。當(dāng)水溶性非離子性化合物的分子量不足100時，有在室溫下不是液體的傾向。此處，所謂水溶性非離子性化合物的"水溶性"，表示在100g純水中，非離子性化合物溶解0.01g以上。當(dāng)非離子性化合物溶解0.01g時，未見到懸浮成分的狀態(tài)為溶解。如果溶解于純水的非離子性化合物的濃度低，則洗滌性的效果降低，因此不優(yōu)選。此外，所謂水溶性非離子性化合物的"非離子性"，表示在將極微量的氧化鈰粒子分散于僅含有水溶性非離子性化合物的水溶液中的狀態(tài)下的氧化鈰粒子的電位，界達電位(zetapotential)優(yōu)選為-15mV~+15mV,更優(yōu)選為-5mV~+5mV。當(dāng)界達電位超過+15mV時，存在半導(dǎo)體基板的絕緣膜和作為研磨粒子的氧化鈰粒子間的附著性變高的傾向；當(dāng)界達電位不足-15mV時，存在氧化鈰粒子的研磨能力顯著降低的傾向。作為水溶性非離子性化合物，可以列舉，例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油酰醚、聚氧乙烯高級醇醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧鏈烯烷基醚、聚氧乙烯衍生物、聚氧乙烯山梨聚糖單月桂酸酯、聚氧乙烯山梨聚糖單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨聚糖單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨聚糖三硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨聚糖單油酸酯，聚氧乙烯山梨聚糖三油酸酯、四油酸聚氧乙烯山梨糖醇、聚乙二醇單月桂酸酯、聚乙二醇、聚乙二醇單硬脂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯、聚乙二醇單油酸酯、聚氧乙烯烷基胺、聚氧乙烯硬化蓖麻油、丙二醇單丙基醚、乙二醇二曱基乙酸酯、l-癸炔、5-癸炔基-2,4，7,9-四曱基-5-癸炔基-4,7-二醇、2,4，7,9-四曱基-5-癸炔基_4,7_二醇乙氧基化物、丙二醇單丙基醚、乙二醇單曱基乙酸酯等。其中，優(yōu)選聚氧乙烯山梨聚糖三硬脂酸酯、聚乙二醇、聚乙二醇單硬脂酸酯、5-癸炔基-2,4，7,9-四曱基-5-癸炔基-4,7-二醇。另外，本發(fā)明中，分散劑，和側(cè)鏈上具有氨基的水溶性聚合物、水溶性非離子性化合物或其它水溶性聚合物，各自存在兼具兩者機能的物質(zhì)。這時，作為分散劑，和側(cè)鏈上具有氨基的水溶性聚合物、水溶性非離子性化合物或其它水溶性聚合物，各自可以使用相同的物質(zhì)，也可以使用不同的物質(zhì)。當(dāng)用作側(cè)鏈上具有氨基的水溶性聚合物、水溶性非離子性化合物或其它水溶性聚合物時，與用作分散劑相比，很多情況下需要增大含有量，因此為了抑制氧化鈰粒子的凝集，而以雙液保存，并且在以單液保存時，優(yōu)選降低pH。水溶性非離子性化合物的添加量，相對于100重量份CMP研磨劑，優(yōu)選為0.00001重量份以上1重量份以下，更優(yōu)選為0.01重量份以上0.5重量份以下，進一步優(yōu)選為0.03重量《分以上0.2重量份以下。當(dāng)水溶性非離子性的添力口量不足0.00001重量份時，存在有洗滌性效果變小，并且晶片表面上產(chǎn)生較多研磨缺陷的傾向；而當(dāng)其超過l重量份時，存在有CMP研磨劑的粘度上升，以及產(chǎn)生氧化鈰粒子凝集的傾向。本說明書中，所謂"研磨缺陷"，表示研磨時產(chǎn)生的缺陷，其包括被研磨面的研磨損傷、在被研磨面上附著有研磨?；蚋叻肿踊衔锏哪z狀物等附著物等。CMP研磨劑中所含的氧化鈰粒子的平均粒徑，優(yōu)選為80~l，000nm,更優(yōu)選為100-400nrn,進一步優(yōu)選為130~300nm。當(dāng)氧化鈰粒子的平均粒徑不足80nm時，存在有無法得到期望的高速研磨速度的傾向；當(dāng)氧化鈰粒子的平均粒徑超過l,OOOnm時，存在有在晶片表面上產(chǎn)生較多研磨缺陷的可能性。氧化鈰粒子的添加量，相對于100重量份CMP研磨劑，優(yōu)選為0.1重量份以上15重量4分以下，更優(yōu)選為0.1重量份以上1重量份以下，進一步優(yōu)選為0.2重量份以上1.2重量份以下。當(dāng)所述氧化鈰粒子的添加量不足0.1重量份時，存在有無法得到需要的研磨速度的傾向；當(dāng)其超過15重量份時，存在有產(chǎn)生研磨缺陷的傾向。此外，在本發(fā)明的CMP研磨劑中，除了上述的各成分外，還可以在不損害研磨劑作用效果的范圍內(nèi)，添加染料、顏料等著色劑，pH調(diào)整劑等通常添加于研磨劑中的添加劑。本發(fā)明的CMP研磨劑的pH,優(yōu)選為4以上10以下，更優(yōu)選為5以上9以下。PH可以通過-烕成分適當(dāng)調(diào)整。本發(fā)明的CMP研磨劑，可以作為含有氧化鈰粒子、分散劑、側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子和水的單液式研磨劑保存。此外，還可以作為分成含有氧化鈰粒子、分散劑和水的氧化鈰漿料(A液)，和含有側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子和水的添加液(B液)的雙液式研磨劑，或分成含有氧化鈰粒子、分散劑和水的氧化鈰漿料(A液)，和含有側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子、水和水溶性非離子性化合物的添加液(C液)的雙液式研磨劑保存。上述單液式研磨劑或雙液式研磨劑的任一種都可以得到穩(wěn)定的特性。此外，當(dāng)作為雙液式研磨劑保存時，可以通過任意改變該雙液的配合而調(diào)整研磨速度等的特性。在雙液式研磨劑的情況下，通過以下方法來使用使用分別的配管輸送氧化鈰漿料和添加液，將這些配管合流，并在即將到供給配管出口之前供給至研磨臺上的方法；在即將研磨前混合氧化鈰漿料和添加液的方法；分別將氧化鈰漿料和添加液供給至研磨臺上，并在研磨臺上混合的方法等。此外，在雙液式研磨劑的情況下，即使在另加水的狀態(tài)下研磨，也沒有問題。本發(fā)明的CMP研磨劑，其氧化鈰粒子和側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子均勻地吸附在研磨布上。吸附的方法，認(rèn)為是氧化鈰粒子通過側(cè)鏈上具有氨基的水溶性化合物而附著在研磨布上的形式。此外，本發(fā)明的CMP研磨劑，其氧化鈰粒子、側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子和水溶性非離子性化合物均勻地吸附在研磨布上。吸附的方法，認(rèn)為是氧化鈰粒子通過側(cè)鏈上具有氨基的水溶性化合物和水溶性非離子性化合物而附著在研磨布上的形式。因此，形成了在整個研磨布上保持有等量的氧化鈰粒子的狀態(tài)，并且氧化鈰粒子在被研磨膜上均勻地起作用，提高了研磨速度分布的均勻性。此處，所謂的"均勻性"，是由研磨形成有8英寸的p-TEOS膜(厚度為ljim)的Si晶片時，被研磨的膜厚分布(65點的測定結(jié)果)的標(biāo)準(zhǔn)偏差值/平均研磨膜厚值(百分?jǐn)?shù))表示，該數(shù)值優(yōu)選為0.1~10%。所述數(shù)值越小，則表示均勻性越好，因此當(dāng)所述數(shù)值超過10%時，存在有對半導(dǎo)體元件的生產(chǎn)率產(chǎn)生影響的傾向。為了使其不超過10%,對CMP研磨劑的組成進行適當(dāng)選擇。本發(fā)明的CMP研磨劑，通過在研磨結(jié)束時用水或水溶液洗去吸附在研磨布上的氧化鈰粒子，可以降低存在于被研磨基板上的研磨缺陷。作為水，優(yōu)選純水。作為水溶液，可以列舉，例如硝酸水溶液、疏酸水溶液、氨水、非離子性化合物水溶液等。作為操作方法，例如，在研磨結(jié)束時在研磨布上流過210秒鐘的純水，并在未施加研磨荷重的情況下，使保持形成有被研磨膜的基板的支架和研磨布(臺)旋轉(zhuǎn)，從而認(rèn)為除去了氧化鈰粒子、側(cè)鏈上具有氨基的水溶性化合物、水溶性非離子性化合物，并降低附著在被研磨膜表面上的缺陷成分。就除去包括殘存在研磨布上的研磨粒子的研磨劑構(gòu)成成分的目的來說，水溶性非離子性化合物是有效的。水溶性非離子性化合物，具有在研磨時對研磨不起作用，并且發(fā)揮容易最快地吸附在研磨布上的性質(zhì)，接觸研磨布并吸附的功能(參照圖1)。如圖1所示，在水溶性非離子性化合物1的上層，按側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子2、氧化鈰粒子3的順序進行吸附，與其接觸的研磨基板表面上的被研磨膜4,因所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的效果而可以高效且高速地進行研磨。也就是說，在研磨中由于是以夾心結(jié)構(gòu)圍繞氧化鈰粒子3，因此氧化鈰粒子3在研磨中被保持。另一方面，研磨結(jié)束時，通過所述水溶性非離子性化合物1的作用，并在大量的水或水溶液5的存在下，存在于研磨布上的水溶性非離子性化合物1溶出，存在于研磨布上的所有成分被洗脫，因此具有降低研磨缺陷的作用。也就是說，研磨結(jié)束時，通過添加水或水溶液5，將水溶性非離子性化合物1從研磨布、被研磨膜4上剝離，并除去被夾心結(jié)構(gòu)圍繞氧化鈰粒子3。含有水溶性非離子性化合物的CMP研磨劑，和不含水溶性非離子性化合物的CMP研磨劑相比，研磨缺陷變?yōu)?0%以下。由于研磨缺陷關(guān)系到器件制造時引起生產(chǎn)率降低的結(jié)果，因此更優(yōu)選研磨缺陷少。本發(fā)明的研磨方法，其特征在于，將形成有被研磨膜的基板按壓在研磨臺的研磨布上，一邊將所述CMP研磨劑供給至被研磨膜與研磨布之間，一邊移動基板和研磨臺以研磨被研磨膜。作為研磨對象的被研磨膜絕緣膜，可以舉例有氧化硅絕緣膜、氮化硅絕緣膜等無機絕緣膜。作為這種無沖幾絕緣膜的制作方法，可以列舉低壓CVD法、等離子體CVD法等。通過低壓CVD法形成氧化硅絕緣膜的方法，一般使用單硅烷(SiH4)、三曱基硅烷(CH3SiH)等作為Si源，并使用氧氣(02)、二氮化硅(N20)等作為氧源。該SiH4-02類氧化反應(yīng)可以在400。C以下的低溫下進行。根據(jù)情況，在CVD后在IOO(TC或以下的溫度下進行熱處理。為了通過高溫回流使表面平坦化而摻雜磷時，優(yōu)選使用SiH4-02-PH3類反應(yīng)氣體。等離子體CVD法具有能夠在低溫下進行在通常的熱平衡下需要高溫的化學(xué)反應(yīng)的優(yōu)點。在等離子體發(fā)生法中，可以例舉電容耦合型和感應(yīng)耦合型兩種。作為反應(yīng)氣體，可以列舉使用SiH4作為Si源，NzO作為氧源的SiH4-N20類氣體，和使用四乙氧基硅烷(TEOS)作為Si源的TEOS-02類氣體(TEOS-等離子體CVD法)?；鍦囟葍?yōu)選為250~40(TC的范圍，反應(yīng)壓力優(yōu)選為67-400Pa的范圍。如此所述，在使用本發(fā)明的CMP研磨劑的氧化硅絕緣膜中，也可以摻雜磷、硼等元素。同樣地，通過低壓CVD法形成氮化硅絕緣膜的方法，使用二氯硅烷(SiH2Cl2)作為硅源，并使用氨(NH3)作為氮源。該SiH2Cl2-NH3類氧化反應(yīng)可以在90(TC的高溫下進行。等離子體CVD法可以列舉使用SiRt作為Si源，NH3作為氮源的SiH4-NH3類氣體作為反應(yīng)氣體?；鍦囟葍?yōu)選為300°C~400°C。作為研磨的裝置，可以使用保持半導(dǎo)體基板的支架和貼附有研磨布(墊子)且具有安裝了可變更旋轉(zhuǎn)數(shù)的馬達等的研磨臺的一般研磨裝置。作為研磨布，可使用一般的無紡布、發(fā)泡聚氨酯、多孔質(zhì)氟樹脂等，其沒有特別限制。并且，在研磨布上，為了積累CMP研磨劑也可以施行溝加工。對于研磨條件，沒有限制，但是研磨臺的旋轉(zhuǎn)速度優(yōu)選是200mirT1以下的低旋轉(zhuǎn)，以使半導(dǎo)體基板不飛出，并且施加于半導(dǎo)體基板的壓力優(yōu)選為0.098MPa(lkg/cm"以下，以使研磨后不會產(chǎn)生損傷。研磨期間，使用泵等將CMP研磨劑連續(xù)地供給至研磨布。該供給量沒有限制，但優(yōu)選為使研磨布的表面經(jīng)常地被CMP研磨劑覆蓋。研磨結(jié)束后的半導(dǎo)體基板，優(yōu)選在流動的水中充分洗凈后，使用旋轉(zhuǎn)干燥器等將附著在半導(dǎo)體基板上的水滴甩落而使其干燥。如此形成平坦化的淺溝槽后，在氧化硅絕緣膜層上形成鋁配線，并再次通過上述方法在該配線之間以及配線上形成氧化硅絕緣膜，然后，使用上述CMP研磨劑進行研磨，由此消除絕緣膜表面的凹凸，使半導(dǎo)體基板的整個表面形成平滑表面。通過以規(guī)定次數(shù)重復(fù)該工序，而制造具有所希望層數(shù)的半導(dǎo)體。此處所謂的研磨速度，表示通過所述研磨方法研磨所述研磨基板時的膜厚減少量，通常是將每分鐘的研磨量數(shù)值化。本發(fā)明中所形成的絕緣膜研磨用高速CMP研磨劑，在氧化鈰粒子量、研磨條件相同的情況下，與不含所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的研磨劑相比，研磨速度為1.2倍以上。作為本發(fā)明中所謂的具有凸部的基板，可以使用在半導(dǎo)體基板即形成有電路元件和布線圖的階段的半導(dǎo)體基板、形成有電路元件的階段的半導(dǎo)體基板等半導(dǎo)體基板上形成有氧化硅絕緣膜層或氮化硅絕緣膜層的基板。通過使用上述CMP研磨劑研磨在這種半導(dǎo)體基板上所形成的氧化硅絕緣膜層，可以消除氧化硅絕緣膜層的表面凹凸，并迅速地使半導(dǎo)體基板的整個表面形成平滑表面。此外，本發(fā)明中所謂的凸部的研磨速度，表示研磨具有所述凹凸的基板的凸部時的研磨速度。此處所謂的研磨速度，表示在研磨連續(xù)存在100|im寬的凸部/100pm寬的凹部的高低差基板時，凸部部分每分鐘的膜厚減少量。高低差量沒有限制，優(yōu)選為0.2~5|im的范圍。本發(fā)明的CMP研磨劑，在氧化鈰粒子量、研磨條件相同的情況下，與不含所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的研磨劑相比，研磨速度為1.5倍以上。本發(fā)明的CMP研磨劑，可以用作通常作為半導(dǎo)體用平坦化研磨劑而供給的含有熱解法二氧化硅為主成分的平坦化研磨劑的替代研磨劑。由于能夠以高速研磨凸部，因此與以熱解法二氧化硅為主成分的研磨劑相比，其生產(chǎn)能力優(yōu)異，并且由于便宜，因此在成本方面也優(yōu)異。本發(fā)明的CMP研磨劑，可以有效作為所述以熱解法二氧化硅為主成分的研磨劑的替代研磨劑，而用于使用以熱解法二氧化硅為主成分的研磨劑進行初期的高低差粗切削工序的研磨工藝。只要研磨對象是具有高低差的絕緣膜基板，則其種類就沒有問題，但通常是指稱作淺溝槽結(jié)構(gòu)、ILD結(jié)構(gòu)、IMD結(jié)構(gòu)等絕緣膜結(jié)構(gòu)。此外，在淺溝槽結(jié)構(gòu)研磨的情況下，優(yōu)選在用本發(fā)明的CMP研磨劑進行研磨后，使用特許第3462052號公報、特許第3649279號公報中所記載的包含氧化鈰粒子、分散劑、聚丙烯酸和純水的研磨劑。在包含氧化鈰粒子、分散劑、聚丙烯酸和純水的研磨劑的情況下，由于在氮化硅絕緣膜上不進行研磨，具有自動停止的效果，因此優(yōu)選在初期的高低差粗切削工序中使用本發(fā)明的CMP研磨劑進行研磨后，使用具有自動停止效果的所述包含氧化鈰粒子、分散劑、聚丙烯酸和純水的研磨劑進行拋光研磨。在使用本發(fā)明的CMP研磨劑進行研磨的基板的表面上所形成的被研磨膜，是絕緣膜，優(yōu)選至少含有Si02、SiOC、BPSG膜。具有規(guī)定配線的配線板上所形成的氧化硅絕緣膜、玻璃等無機絕緣膜等絕緣膜，希望形成相對于基板總面積的1%以上。通過本發(fā)明的研磨方法進行研磨的電子部件，優(yōu)選為半導(dǎo)體電子部件，更優(yōu)選為半導(dǎo)體元件，但是并不限于半導(dǎo)體元件，還可以研磨ITO等無機導(dǎo)電膜、由玻璃和結(jié)晶質(zhì)材料所構(gòu)成的光學(xué)集成電路光學(xué)轉(zhuǎn)換元件.光波導(dǎo)、光導(dǎo)纖維的端面、閃爍器等光學(xué)用單晶、固態(tài)激光器單晶、藍(lán)色激光LED用藍(lán)寶石基板、SiC、GaP、GaAS等半導(dǎo)體單晶、其它磁盤用玻璃基板、磁頭等。此外，作為所述電子部件，可以列舉半導(dǎo)體元件、多層配線板等具有絕緣膜的設(shè)備。具體來說，在半導(dǎo)體元件中，可以用作表面保護膜(鈍化膜)、緩沖被膜、層間絕緣膜等。另一方面，在多層配線板中，可以適當(dāng)用作層間絕緣膜。更具體來說，作為半導(dǎo)體元件，可以列舉二極管、晶體管、化合物半導(dǎo)體、熱敏電阻、可變電阻、閘流晶體管等單獨半導(dǎo)體、DRAM(動態(tài).隨機.存取-存儲器)、SRAM(靜態(tài).隨機存取.存儲器)、EPROM(可擦除可編程只讀.存儲器)、MASKROM(光罩.只讀存儲器)、EEPROM(電可擦除可編程.只讀'存儲器)、閃存器等存儲元件、微處理器、DSP、ASIC等理論電路元件、MMIC(單片.微波集成電路)所代表的化合物半導(dǎo)體等集成電路元件、混合集成電路(混合IC)、發(fā)光二極管、電荷耦合器件等光電轉(zhuǎn)換器等。此外，作為多層配線板，可以列舉MCM這樣的高密度配線板。實施例(氧化鈰粒子的制作)將2kg碳酸鈰水合物放入鉑制容器中，并在空氣中在80(TC燒成2小時，得到約lkg黃白色的粉末。通過X射線書f射法對該粉末進行物相鑒定后，確認(rèn)為氧化鈰。燒成粉末粒徑為30~100nm。用掃描式電子顯微鏡觀察燒成粉末粒子的表面，觀察氧化鈰的晶粒邊界。測定晶粒邊界所圍的氧化鈰一次粒徑，其體積分布的中央值為190nm,最大值為500nm。接著，使用噴射磨對lkg所得的氧化鈰粉末進行干式粉石爭。用掃描式電子顯樣i鏡觀察粉碎的粒子時看到，除了與一次粒徑同尺寸的小粒子之外，混合存在有1~3pm的大的粉碎殘留粒子以及0.5~1,的粉碎殘留粒子。(水溶性高分子的合成)以下所示的配合比例，表示重量份。合成例1將300份去離子水放入1升的燒瓶中，在氮氣氣氛下邊攪拌邊升溫至90。C后，將l份聚合引發(fā)劑(和光純藥工業(yè)林式會社制，商品名VA-061)溶解于80份丙烯酸N,N-二曱基氨基乙酯和20份丙烯酰嗎啉中的溶液用1小時注入燒瓶中。然后，在卯。C保溫5小時后，冷卻至3(TC下并取出，得到水溶性高分子(I)溶液。測定其不揮發(fā)成分，其結(jié)果為25重量％。進一步，將GPC柱(日立化成工業(yè)林式會社制，W550)連接至具有差示折射儀(抹式會社日立制作所制，L-3300)的HPLC泵(抹式會社日立制作所制，L-7100)，并使用0.3MNaCl作為移動相，測定所得的水溶性高分子(I)的分子量，其結(jié)果是水溶性高分子(I)的重均分子量為78,000(聚乙二醇換算值)。合成例2除了使用20份N,N-二曱基丙烯酰胺代替20份丙烯酰嗎啉外，和合成例1同樣操作，得到水溶性高分子(II)溶液。測定其不揮發(fā)成分，其結(jié)果為25重量％。進一步，與合成例1的方法同樣地進行分子量測定，其結(jié)果是水溶性高分子(II)的重均分子量為58,000(聚乙二醇換算值)。合成例3除了使用80份曱基丙烯酸N,N-二曱基氨基丙酯代替80份丙烯酸N，N-二甲基氨基乙酯外，和合成例1同樣操作，得到水溶性高分子(III)溶液。測定其不揮發(fā)成分，其結(jié)果為25重量％。進一步，與合成例1的方法同樣地進行分子量測定，其結(jié)果是水溶性高分子(III)的重均分子量為250,000(聚乙二醇換算值)。合成例4除了使用100份N,N-二曱基氨基丙基丙烯酸酰胺代替80份丙烯酸N，N-二甲基氨基乙酯和20份丙烯酰嗎啉外，和合成例1同樣操作，得到水溶性高分子(IV)溶液。測定其不揮發(fā)成分，其結(jié)果為25重量％。進一步，和合成例1的方法同樣地進行分子量測定，其結(jié)果是水溶性高分子(IV)的重均分子量為100,000(聚乙二醇換算值)。合成例5除了使用80份甲基丙烯酸N,N-二曱基氨基丙酯代替80份丙烯酸N，N-二曱基氨基乙酯外，和合成例l同樣操作，得到水溶性高分子(V)溶液。測定其不揮發(fā)成分，其結(jié)果為25重量％。進一步，和合成例1的方法同樣地進行分子量測定，其結(jié)果是水溶性高分子(V)的重均分子量為74,000(聚乙二醇換算值)。合成例6除了使用95份丙烯酰嗎啉和5份N,N-二曱基氨基丙基丙烯酰胺代替80份丙烯酸N,N-二曱基氨基乙酯和20份丙烯酰嗎啉外，和合成例1同樣操作，得到水溶性高分子(VI)溶液。測定其不揮發(fā)成分，其結(jié)果為25重量％。進一步，和合成例1的方法同樣地進行分子量測定，其結(jié)果是水溶性高分子(VI)的重均分子量為280,000(聚乙二醇換算值)。合成例7除了使用95份N,N-二曱基丙烯酰胺和5份曱基丙烯酸N,N-二曱基氨基丙酯代替80份丙烯酸N,N-二曱基氨基乙酯和20份丙烯酰嗎啉外，和合成例1同樣操作，得到水溶性高分子(VII)溶液。測定其不揮發(fā)成分，其結(jié)果為25重量％。進一步，和合成例1的方法同樣地進行分子量測定，其結(jié)果是水溶性高分子(VII)的重均分子量為450,000(聚乙二醇換算值)。合成例8除了使用95份N，N-二曱基丙烯酰胺和5份丙烯酸N,N-二曱基氨基乙酯代替80份丙烯酸N,N-二曱基氨基乙酯和20份丙烯酰嗎啉外，和合成例1同樣操作，得到水溶性高分子(VIII)溶液。測定其不揮發(fā)成分，其結(jié)果為25重量％。進一步，和合成例1的方法同樣地進行分子量測定，其結(jié)果是水溶性高分子(vm)的重均分子量為180,000(聚乙二醇換算值)。合成例9除了使用95份N,N-二曱基丙烯酰胺和5份N，N-二曱基氨基丙基丙烯酸酰胺代替80份丙烯酸N，N-二曱基氨基乙酯和20份丙烯酰嗎啉外，和合成例1同樣操作，得到水溶性高分子(IX)溶液。測定其不揮發(fā)成分，其結(jié)果為25重量％。進一步，和合成例l的方法同樣地進行分子量測定，其結(jié)果是水溶性高分子(IX)的重均分子量為380,000(聚乙二醇換算值)。(研磨劑的制作)實施例1將lkg上述制作的氧化鈰粒子、23g聚丙烯酸銨鹽水溶液(重均分子量為9000,40重量％水溶液)和8977g去離子水混合，邊攪拌邊進行10分鐘超聲波分散。使用l微米過濾器過濾所得的漿料，再加入去離子水，得到固體成分為5重量％的氧化鈰漿料。氧化鈰漿料的pH值為8.3。將漿料粒子稀釋至適當(dāng)濃度，使用激光散射式粒度分布計(MasterSizerMicroplus，Malvern制)，以折射率為1.93進行測定，結(jié)果是粒徑的中央值為190nm。將600g上述氧化鈰漿料(固體成分5重量％)、3.6g合成例1的水溶性高分子(I)溶液和2396.4g去離子水混合，制作研磨劑(A)(固體成分1重量％)。研磨劑(A)的pH為8.1。此外，將研磨劑(A)中的粒子稀釋至適當(dāng)濃度，使用激光散射式粒度分布計(MasterSizerMicroplus,Malvern制)，以折射率為1.93進行測定，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。(絕緣膜層的研磨)使用SEMATECH制864晶片(直徑為cf)200mm)，作為未形成圖案且形成有l(wèi)pm的P-TEOS膜的晶片(無圖案晶片，blanketwafer),和形成有淺溝槽結(jié)構(gòu)的圖案CMP評價用試驗晶片。溝槽深度為500nm，在活性部位上通過LP-CVD法所形成的氮化硅膜的膜厚為150nm,并且通過TEOS-等離子體CVD法在整個晶片所形成的氧化硅膜的膜厚為600nm。將上述各晶片設(shè)置在研磨裝置(AppliedMaterials制Mirra)的、貼附有安裝所保持基板用的吸附墊的支架上。另一方面，在直徑為4)480mm的研磨臺上貼附Rodale公司制造的多孔質(zhì)聚氨酯樹脂制的研磨墊IC-1000(K溝)。使絕緣膜表面朝下，將所述支架架設(shè)在該墊上，進一步，作為加工荷重，分別將膜(membrane)、固定環(huán)(retainerring)、內(nèi)管(innertube)壓力設(shè)定為3.3、4.4、3.3psi。一邊以200mL/分鐘的速度將研磨劑(A)滴至研磨臺上，一邊分別以93min"和87min—'的條件使研磨臺和晶片運動，將各晶片研磨40秒鐘。將研磨后的晶片在0.5%稀氟酸中浸漬1分鐘，然后，一邊流過純水，一邊用PVA刷子洗凈，然后干燥。之后，使用光干涉式膜厚裝置(大日本只夕一乂制造林式會社(DainipponScreenMfg.)制，RE-3000),測定無圖案晶片的殘余膜厚、凸部的絕緣膜的殘余膜厚。并由初期膜厚和殘余膜厚的差確定40秒鐘的研磨量。實施例2除了使用合成例2的水溶性高分子(II)溶液代替水溶性高分子(I)溶液外，通過和實施例1相同的方法進4亍操作，制作研磨劑(B)(固體成分1重量％)。研磨劑(B)的pH為8.3。并且，通過和實施例1相同的方法，測定研磨劑(B)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(B)代替研磨劑(A)外，通過和實施例l相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表l所示的結(jié)果。實施例3除了使用合成例3的水溶性高分子(in)溶液代替水溶性高分子(i)溶液外，通過和實施例1相同的方法進行操作，制作研磨劑(C)(固體成分1重量％)。研磨劑(C)的pH為8.2。并且，通過和實施例1相同的方法，測定研磨劑(C)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(C)代替研磨劑(A)夕卜，通過和實施例1相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表l所示的結(jié)果。實施例4除了使用1.2g合成例4的水溶性高分子(IV)溶液和2398.8g去離子水代替3.6g水溶性高分子(I)溶液和2396.4g去離子水外，通過和實施例1相同的方法進行操作，制作研磨劑(D)(固體成分1重量％)。研磨劑(D)的pH為8.3。并且，通過和實施例1相同的方法，測定研磨劑(D)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(D)代替研磨劑(A)夕卜，通過和實施例1相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表l所示的結(jié)果。實施例5除了使用12g合成例5的水溶性高分子(V)溶液和2388g去離子水代替3.6g水溶性高分子(1)溶液和2396.4g去離子水外，通過和實施例l相同的方法進行操作，制作研磨劑(E)(固體成分1重量％)。研磨劑(E)的pH為8.4。并且，通過和實施例l相同的方法，測定研磨劑(E)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(E)代替研磨劑(A)外，通過和實施例l相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表l所示的結(jié)果。實施例6除了使用合成例6的水溶性高分子(VI)溶液代替水溶性高分子(I)溶液外，通過和實施例1相同的方法進行操作，制作研磨劑(F)(固體成分1重量％)。研磨劑(F)的pH為8.4。并且，通過和實施例1相同的方法，測定研磨劑(F)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(F)代替研磨劑(A)外，通過和實施例l相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表l所示的結(jié)果。實施例7除了使用6.0g合成例7的水溶性高分子(VII)溶液和2394g去離子水代替3.6g水溶性高分子(I)溶液和2396.4g去離子水外，通過和實施例1相同的方法進行操作，制作研磨劑(G)(固體成分1重量％)。研磨劑(G)的pH為8.3。并且，通過和實施例1相同的方法，測定研磨劑(G)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(G)代替研磨劑(A)夕卜，通過和實施例l相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表l所示的結(jié)果。實施例8除了使用合成例8的水溶性高分子(VIII)溶液代替水溶性高分子(I)溶液外，通過和實施例l相同的方法進行操作，制作研磨劑(H)(固體成分1重量％)。研磨劑(H)的pH為8.5。并且，通過和實施例1相同的方法，測定研磨劑(H)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(H)代替研磨劑(A)夕卜，通過和實施例1相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表1所示的結(jié)果。實施例9除了使用合成例9的水溶性高分子(IX)溶液代替水溶性高分子(I)溶液外，通過和實施例l相同的方法進行操作，制作研磨劑(I)(固體成分1重量％)。研磨劑(I)的pH為8.4。并且，通過和實施例l相同的方法，測定研磨劑(I)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(I)代替研磨劑(A)夕卜，通過和實施例l相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表1所示的結(jié)果。比壽交例1除了使用2400g去離子水代替3.6g水溶性高分子(I)溶液和2396.4g去離子水外，通過和實施例1相同的方法進行操作，制作研磨劑(J)(固體成分1重量％)。研磨劑(J)的pH為8.3。并且，通過和實施例l相同的方法，測定研磨劑(J)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值為190nm。除了使用研磨劑(J)代替研磨劑(A)外，通過和實施例l相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表l所示的結(jié)果。比專支例2除了使用45g聚丙烯酸銨水溶液(重均分子量為9000,40重量％水溶液)和2355g去離子水代替3.6g水溶性高分子(I)溶液和2396.4g去離子水外，通過和實施例1相同的方法進行操作，制作研磨劑(K)(固體成分1重量％)。研磨劑(K)的pH為7.0。并且，通過和實施例l相同的方法，測定研磨劑(K)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值為190nm。除了使用研磨劑(K)代替研磨劑(A)夕卜，通過和實施例1相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表1所示的結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>如表1所示，可知在使用不含水溶性高分子的研磨劑(J)的比較例1和使用含有聚丙烯酸銨的研磨劑(K)的比較例2中，40秒研磨后的研磨量少至109~124nm，無法高速研磨，此外，高低差大至412~414nm,無法研磨平坦，并且到氮化硅膜露出所需要的時間為120~180秒，其需要長的研磨時間。與此相反，可知在使用本發(fā)明的含有側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的研磨劑(A)~(K)的實施例19中，40秒研磨后的研磨量多達244343nm，是以比較例1和2的2"f咅以上的高速進行研磨，并且，高低差小至223~336，并且可以研磨平坦，到氮化硅膜露出所需要的時間為70-105秒的短時間。實施例10將lkg上述制作的氧化鈰粒子、23g聚丙烯酸銨鹽水溶液(重均分子量為9000,40重量％水溶液)和8977g去離子水混合，邊攪拌邊進行10分鐘超聲波分散。使用1微米過濾器過濾所得的漿料，再加入去離子水，由此得到固體成分為5重量％的氧化鈰漿料。氧化鈰漿料的pH值為8.3。此外，將漿料粒子稀釋至適當(dāng)濃度，^使用激光散射式粒度分布計(MasterSizerMicroplus，Malvern制)，以折射率為1.93進行測定，結(jié)果是粒徑的中央值為190nm。將300g上述氧化鈰漿料(固體成分5重量％)、3.6g合成例7的水溶性高分子(VII)溶液、1.5g聚乙二醇(重均分子量為20000)和2694.9g去離子水混合，制作研磨劑(L)(固體成分0.5重量％)。研磨劑(L)的pH為8丄此外，將研磨劑(L)中的粒子稀釋至適當(dāng)濃度，使用激光散射式粒度分布計(MasterSizerMicroplus,Malvern制)，以折射率為1.93進行測定，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。(絕緣膜層的研磨)使用SEMATECH制864晶片(直徑為(})200mm),作為未形成圖案且形成有l(wèi)pm的P-TEOS膜的晶片(無圖案晶片)，和形成有淺溝槽結(jié)構(gòu)的圖案CMP評價用試驗晶片。溝槽深度為500nm,在活性部分上通過LP-CVD法所形成的氮化硅膜的膜厚為150nm，通過TEOS-等離子體CVD法在整個晶片所形成的氧化硅膜的膜厚為600nm。將上述各晶片設(shè)置在研磨裝置(AppliedMaterials制Mirra)的、貼附有安裝所保持基板用的吸附墊的支架上，另一方面，在直徑為4)480mm的研磨臺上貼附Rodale公司制造的多孔質(zhì)聚氨酯樹脂制的研磨墊IC-1000(K溝)。使絕緣膜表面朝下，將所述支架架設(shè)在該墊上，進一步，作為加工荷重，分別將膜、固定環(huán)、內(nèi)管壓力設(shè)定為3.3、4.4、3.3psi。一邊以200mL/分鐘的速度將研磨劑(L)滴至研磨臺上，一邊分別以93min一1和87min-1的條件使研磨臺和晶片運動，將各晶片研磨40秒鐘。將研磨后的晶片在0.5%稀氟酸中浸漬1分鐘，然后，一邊流過純水，一邊用PVA刷子洗凈，然后干燥。之后，使用光干涉式膜厚裝置(大日本只夕！J—》制造株式會社制，RE-3000),測定無圖案晶片的殘余膜厚、凸部的絕緣膜的殘余膜厚。并由初期膜厚和殘余膜厚的差確定40秒鐘的研磨量。此外，使用KLATencor公司制造的"Surfscan6220"和奧林巴斯(才卩7^久)公司制造的"LA-2000",統(tǒng)計研磨后的P-TEOS膜中0.2pm以上的研磨損傷。概括這些結(jié)果并示于表2。參考例1除了不混合聚乙二醇，以及使用2696.4g去離子水外，通過和實施例10相同的方法進行操作，制作研磨劑(M)(固體成分0.5重量％)。研磨劑(M)的pH為8.1。并且，通過和實施例IO相同的方法，測定研磨劑(M)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值為l卯nm。除了使用研磨劑(M)代替研磨劑(L)外，通過和實施例IO相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表2所示的結(jié)果。實施例11除了使用合成例2的水溶性高分子(II)溶液代替水溶性高分子(VII)溶液外，通過和實施例IO相同的方法進行操作，制作研磨劑(N)(固體成分0.5重量％)。研磨劑(N)的pH為8.3。并且，通過和實施例IO相同的方法，測定研磨劑(N)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(N)代替研磨劑(L)夕卜，通過和實施例IO相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表2所示的結(jié)果。實施例12除了使用合成例3的水溶性高分子(III)溶液代替水溶性高分子(VII)溶液外，通過和實施例IO相同的方法進行操作，制作研磨劑(O)(固體成分0.5重量％)。研磨劑(O)的pH為8.2。并且，通過和實施例IO相同的方法，測定研磨劑(O)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(O)代替研磨劑(L)夕卜，通過和實施例IO相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表2所示的結(jié)果。實施例13除了使用2.4g合成例9的水溶性高分子(IX)溶液代替水溶性高分子(VII)溶液，以及使用3.0g聚乙二醇單硬脂酸酯和2398.8g去離子水代替聚乙二醇外，通過和實施例IO相同的方法進行操作，制作研磨劑(P)(固體成分0.5重量%)。研磨劑(P)的pH為8.3。并且，通過和實施例IO相同的方法，測定研磨劑(P)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(P)代替研磨劑(L)夕卜，通過和實施例IO相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表2所示的結(jié)果。實施例14除了使用4.8g水溶性高分子(VII)溶液，以及使用4.8g5-癸炔基-2，4,7，9-四曱基-5-癸炔基-4,7-二醇和2690.4g去離子水代替聚乙二醇外，通過和實施例10相同的方法進刊4喿作，制作研磨劑(Q)(固體成分0.5重量％)。研磨劑(Q)的pH為8.4。并且，通過和實施例IO相同的方法，測定研磨劑(Q)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(Q)代替研磨劑(L)夕卜，通過和實施例IO相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表2所示的結(jié)果。實施例15除了使用3.6g合成例2的水溶性高分子(II)溶液代替水溶性高分子(VII)溶液，以及使用3.6g聚氧乙烯山梨聚糖三硬脂酸酯和2692.8g去離子水代替聚乙二醇外，通過和實施例IO相同的方法進行操作，制作研磨劑(R)(固體成分0.5重量％)。研磨劑(R)的pH為8.4。并且，通過和實施例10相同的方法，測定研磨劑(R)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(R)代替研磨劑(L)夕卜，通過和實施例IO相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表2所示的結(jié)果。實施例16除了使用4.8g合成例3的水溶性高分子(ni)溶液代替水溶性高分子(vn)溶液，以及使用3.6g聚氧乙烯山梨聚糖三硬脂酸酯和2691.6g去離子水代替聚乙二醇外，通過和實施例IO相同的方法進行操作，制作研磨劑(S)(固體成分0.5重量％)。研磨劑(S)的pH為8.3。并且，通過和實施例IO相同的方法，測定研磨劑(S)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(S)代替研磨劑(L)外，通過和實施例IO相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表2所示的結(jié)果。實施例17除了使用6.0g合成例9的水溶性高分子(IX)溶液代替水溶性高分子(VII)溶液外，通過和實施例IO相同的方法進行操作，制作研磨劑(T)(固體成分0.5重量％)。研磨劑(T)的pH為8.5。并且，通過和實施例IO相同的方法，測定研磨劑(T)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值都為190nm。除了使用研磨劑(T)代替研磨劑(L)夕卜，通過和實施例IO相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表2所示的結(jié)果。比專支例3將lkg上述制作的氧化鈰粒子、23g聚丙烯酸銨鹽水溶液(重均分子量為9000，40重量％水溶液)和8977g去離子水混合，邊攪拌邊進行10分鐘超聲波分散。使用1微米過濾器過濾所得的漿料，再加入去離子水，由此得到固體成分為5重量％的氧化鈰漿料。氧化鈰漿料的pH值為8.3。將300g上述氧化鈰漿料(固體成分5重量％)和2700g去離子水混合，制作研磨劑(U)(固體成分0.5重量％)。研磨劑(U)的pH為8.3。并且，通過和實施例IO相同的方法，測定研磨劑(U)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值為190nm。除了使用研磨劑(U)代替研磨劑(L)外，通過和實施例IO相同的方法，進行絕緣膜層的研磨，得到如表2所示的結(jié)果。比專交例4將300g比較例3的氧化鈰漿料(固體成分5重量％)、45g聚丙烯酸銨水溶液(40重量％水溶液)和2655g去離子水混合，制作氧化鈰研磨劑(V)(固體成分0.5重量％)。研磨劑(V)的pH為7.0。并且，通過和實施例IO相同的方法，測定研磨劑(V)中的粒徑，結(jié)果是粒徑的中央值為190nm。除了使用研磨劑(V)代替研磨劑(L)夕卜，通過和實施例IO相同的方法,進行絕緣膜層的研磨，得到如表2所示的結(jié)果。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>如表2所示，可知在使用比較例3和4的研磨劑時，40秒研磨后的研磨量為109~124nm，是低速的，并且，P-TEOS無圖案膜的研磨速度也是低速的，低至240~290nm/min。與此相反，如表2所示可知，使用本發(fā)明實施例10~17的研磨劑，40秒研磨后的研磨量為244~343nm,是以比較例3和4的2倍以上的高速進行研磨。此外，可知P-TEOS無圖案膜的研磨速度是高速的，為590~850nm/min,進一步，P-TEOS上的缺陷數(shù)，和參考例l相比，降低至90%以內(nèi)。權(quán)利要求1.一種絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，含有氧化鈰粒子、分散劑、側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子和水。2.如權(quán)利要求1所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其在氧化鈰粒子量和研磨條件相同的情況下，與不含權(quán)利要求1所述的研磨劑中的所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的研磨劑相比，研磨速度為1.2倍以上。3.如權(quán)利要求1或2所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子，是聚合由下述通式(I)或下述通式(II)所表示的聚合性氨基化合物的至少一種以上而成的聚合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式(I)中，R,表示氫、低級烷基、苯基、芐基、卣素取代的低級烷基、氰基，R2表示C廣C,8的亞烷基，R3表示氫或C廣ds的烷基，R4表示C廣Qg的烷基；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>(II)式(n)中，Rs表示氫、低級烷基、苯基、芐基、鹵素取代的低級烷基,氰基，R6表示氬或Q-d8的烷基，R7表示QC!8的亞烷基，Rs表示氫或C廣C,8的烷基，R9表示C廣C,8的烷基。4.如權(quán)利要求1~3任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子，是聚合由下述通式(III)所表示的化合物的至少一種以上和權(quán)利要求3所述的聚合性氨基化合物而成的聚合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(III)式(m)中，R,o表示氫、低級烷基、苯基、節(jié)基、卣素取代的低級烷基、氰基，Ru和R。表示氫、d-C!8的烷基、低級羥基亞烷基、?；?，Rn和Rn也可以互相結(jié)合起來形成嗎啉代基、^克代嗎啉代基、吡咯烷基、l-哌咬基。5.如權(quán)利要求1~4任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的添加量，相對于100重量份研磨劑，為0.00001重量份~1重量份。6.如權(quán)利要求15任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于進一步含有水溶性非離子性化合物。7.如權(quán)利要求6所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，所述水溶性非離子性化合物的添加量，相對于IOO重量J分研磨劑，為0.00001重量份~1重量份。8.如權(quán)利要求1-7任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，所述氧化鈰粒子的平均粒徑為80nm~1000nm,并且氧化^沛粒子的添加量，相對于100重量份研磨劑，為0.1重量份~15重量份。9.如權(quán)利要求1所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，在研磨前適當(dāng)混合含有所述氧化鈰粒子、所述分散劑和水的氧化鈰漿料(A液)和含有所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子和水的添加液(B液)，然后供給。10.如權(quán)利要求6所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，在研磨前適當(dāng)混合含有氧化鈰粒子，所述分散劑和水的氧化鈰漿料(A液)和含有所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子、水和水溶性非離子性化合物的添加液(c液)，然后供給。11.一種基板的研磨方法，其特征在于，將形成有被研磨膜的基板按壓在研磨臺的研磨布上，一邊將權(quán)利要求1~10任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑供給至研磨膜與研磨布之間，一邊移動基板和研磨臺來研磨被研磨膜。12.如權(quán)利要求1~IO任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，通過所述氧化鈰粒子和所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子均勻吸附在研磨布上，并且氧化鈰粒子在被研磨膜上均勻起作用，研磨速度的均勻性為0.1%~10%。13.如權(quán)利要求6所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其中，在研磨結(jié)束時，通過用水或水溶液洗去吸附在研磨布上的所述氧化鈰粒子，能夠?qū)⒈谎心セ迳洗嬖诘难心ト毕萁档椭?0%以下。14.如權(quán)利要求1~10或權(quán)利要求12-13任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，在所述氧化鈰粒子量、研磨條件相同的情況下，與不含權(quán)利要求1~10或權(quán)利要求12~13任一項所述的研磨劑中的所述側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子的研磨劑相比，研磨速度為1.2倍以上。15.如權(quán)利要求1~10或權(quán)利要求12-13任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于，在所述氧化鈰粒子量、研磨條件相同的情況下，與不含權(quán)利要求1~10或權(quán)利要求12~13任一項所述的研磨劑中的水溶性高分子的研磨劑相比，具有高低差的絕緣膜表面的凸部的研磨速度為1.5倍以上。16.如權(quán)利要求1~10或權(quán)利要求12-15任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，其特征在于能夠用作含有熱解法二氧化硅為主成分的平坦化研磨劑的替代研磨劑。17.—種研磨方法，其特征在于，在初期的高低差粗切削工序中使用以熱解法二氧化硅為主成分的研磨劑研磨的研磨工藝中，使用權(quán)利要求1~10或權(quán)利要求12~16任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑進行研磨。18.—種研磨方法，其特征在于，使用權(quán)利要求1~IO或權(quán)利要求12~17任一項所述的絕緣膜研磨用CMP研磨劑來研磨形成有具有高低差的被研磨膜的基板。19.如權(quán)利要求18所述的研磨方法，其特征在于，所述被研磨膜至少含有SiCM菱、SiOC膜、BPSG膜。20.如權(quán)利要求18或19所述的研磨方法，其特征在于，所述形成有具有高低差的被研磨膜的基板是電子部件。21.—種半導(dǎo)體電子部件，其特征在于，通過權(quán)利要求11或權(quán)利要求17~20任一項所述的研磨方法研磨得到。22.—種基板的研磨方法，其為，將形成有被研磨膜的基板按壓在研磨臺的研磨布上，一邊將CMP研磨劑供給至被研磨膜與研磨布之間，一邊移動基板和研磨臺來研磨被研磨膜的方法，其特征在于，所述CMP研磨劑含有氧化鈰粒子，該氧化鈰粒子被保持在研磨布上。23.如權(quán)利要求22所述的基板的研磨方法，其特征在于，所述氧化鈰粒子通過側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子而被保持在研磨布上。24.如權(quán)利要求22所述的基板的研磨方法，其特征在于，所述氧化鈰粒子通過側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子和水溶性非離子性化合物而被保持在研磨布上。25.如權(quán)利要求22~24任一項所述的基板的研磨方法，其特征在于，在研磨過程中或研磨結(jié)束時，使用水或水溶液洗滌研磨布。全文摘要本發(fā)明提供一種在使層間絕緣膜、BPSG膜、淺溝槽隔離用絕緣膜或配線間的絕緣膜層平坦化的CMP技術(shù)中，能夠高效并且高速地進行SiO₂膜或SiOC膜等絕緣膜研磨的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，使用該研磨劑進行研磨的方法以及通過該研磨方法進行研磨的半導(dǎo)體電子部件。含有氧化鈰粒子、分散劑、側(cè)鏈上具有氨基的水溶性高分子和水的絕緣膜研磨用CMP研磨劑，使用該研磨劑進行研磨的研磨方法，以及通過該研磨方法進行研磨的半導(dǎo)體電子部件。文檔編號B24B37/00GK101375376SQ20078000393公開日2009年2月25日申請日期2007年1月31日優(yōu)先權(quán)日2006年1月31日發(fā)明者小山直之,山岸智明,榎本和宏,深澤正人申請人:日立化成工業(yè)株式會社