專利名稱：：濺射靶及氧化物燒結(jié)體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于使透明導(dǎo)電膜成膜的濺射靶及氧化物燒結(jié)體的制造方法，所述透明導(dǎo)電膜是非晶態(tài)膜、用弱酸蝕刻可以容易地制作布線圖案、另外電阻低且透射率高、還可以容易地結(jié)晶化。
背景技術(shù)：
：由于氧化銦-氧化錫(111203-Sn02的復(fù)合氧化物，以下稱為"ITO")膜其可見光透射性高而且導(dǎo)電性高，所以作為透明導(dǎo)電膜被廣泛地用于液晶顯示裝置和防止玻璃結(jié)露用發(fā)熱膜、紅外線反射膜等，但是存在難以形成非晶態(tài)膜的問題。另一方面，作為成為非晶態(tài)膜的膜已知有氧化銦-氧化鋅(izo)透明導(dǎo)電膜，但是這種膜比ITO膜的透明性差，存在發(fā)黃的問題。因此，本發(fā)明人在先曾提出在作為透明導(dǎo)電膜的ITO膜中添加硅在規(guī)定的條件下成膜的非晶態(tài)的透明導(dǎo)電膜(參照專利文獻(xiàn)1)，但是若添加硅，存在有高電阻化傾向的問題。
發(fā)明內(nèi)容專利文獻(xiàn)l:特開2005-135649號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求書)
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述情況，本發(fā)明的課題在于，提供用于使透明導(dǎo)電膜成膜的濺射耙及氧化物燒結(jié)體的制造方法，所述透明導(dǎo)電膜是非晶態(tài)膜、用弱酸蝕刻可以容易地制作布線圖案、另外電阻低且透射率高、還可以容易地結(jié)晶化。為了解決上述課題本發(fā)明反復(fù)進(jìn)行種種研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，用添加鋇的氧化銦系濺射靶成膜的透明導(dǎo)電膜是低電阻、透明性優(yōu)良的非晶態(tài)膜，用弱酸蝕刻可以容易地制作布線圖案，另外可以容易地結(jié)晶化，從而完成了本發(fā)明。為了解決上述課題，本發(fā)明的第1實(shí)施方式是一種形成非晶狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜的濺射靶，其特征在于，具備含有氧化銦和根據(jù)需要的錫、同時(shí)含有鋇的氧化物燒結(jié)體。按照該第1實(shí)施方式，可以得到一種濺射靶，其可以使是含有鋇的氧化銦系透明導(dǎo)電膜、低電阻、透明性優(yōu)良、成膜時(shí)是非晶態(tài)膜、用弱酸性蝕刻劑可進(jìn)行蝕刻的膜成膜。本發(fā)明的第2實(shí)施方式是第1實(shí)施方式所述的濺射靶，其特征在于，上述氧化物燒結(jié)體含有氧化銦相和含鋇氧化物相。按照該第2實(shí)施方式，成為可以確實(shí)地得到是含有鋇的非晶態(tài)的透明導(dǎo)電膜、更良好的膜的濺射靶。本發(fā)明的第3實(shí)施方式是第1或第2實(shí)施方式所述的濺射靶，其特征在于，在上述氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于l摩爾的銦含有0.00001摩爾以上、低于0.IO摩爾的鋇。按照該第3實(shí)施方式，通過添加規(guī)定量的鋇，成為可以確實(shí)地得到是電阻特別低、透明性優(yōu)良的非晶態(tài)膜的、用弱酸性的蝕刻劑可蝕刻的透明導(dǎo)電膜的濺射靶。本發(fā)明的第4實(shí)施方式是第1~3的任一實(shí)施方式所述的濺射靶，其特征在于，在上述氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于l摩爾的銦含有Q~0.3摩爾的錫。按照該第4實(shí)施方式，可以使以氧化銦作為主體、根據(jù)需要含有氧化錫的透明導(dǎo)電膜成膜。本發(fā)明的第5實(shí)施方式是第1~4的任一實(shí)施方式所述的濺射靶，其特征在于，可以形成電阻率是1.Ox10_4~1.0x10_3Qcm的透明導(dǎo)電膜。按照該第5實(shí)施方式，可以得到使具有規(guī)定電阻率的透明導(dǎo)電膜成膜的濺射靶。本發(fā)明的第6實(shí)施方式是第1~5的任一實(shí)施方式所述的濺射靶，其特征在于，相對(duì)于1摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9xl(T2Ln(x)-6.7xl(T2)的值、小于等于(-2.0x1(Tln(x)-4.6x10—D的值、除去y-0的范圍，其中，x表示相對(duì)于l摩爾銦的鋇的摩爾比。按照該第6實(shí)施方式，由于作為用這樣的濺射靶成膜的非晶態(tài)膜的電阻率達(dá)到最低的氧分壓的最佳氧分壓和退火后的結(jié)晶孔膜的電阻率達(dá)到最低的氧分壓(在退火溫度下成膜時(shí)的最佳氧分壓)不同，所以通過在退火后達(dá)到低電阻的氧分壓下使非晶態(tài)膜成膜、其后退火，就可以得到低電阻、透明性高的膜。另外，藉此可以提高在此后工序中的耐腐蝕性和耐濕性、耐環(huán)境性。本發(fā)明的第7實(shí)施方式是第1~5的任一實(shí)施方式所述的濺射靶，其特征在于，相對(duì)于1摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9xlO_2Ln(x)-6.7x10—2)的值、小于等于(-2.0x1(T'Ln(x)-4.6x10—"的值、除去y-0的范圍，而且在小于等于0.22的范圍，其中，x表示相對(duì)于l摩爾銦的鋇的摩爾比。按照該第7實(shí)施方式，非晶態(tài)膜的蝕刻速率特別高，成為有利于制作布線圖案的膜。本發(fā)明的第8實(shí)施方式是第7實(shí)施方式所述的濺射靶，其特征在于，具有相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在小于等于(5.9xl(TLn(x)+4.9X10-1)的值的范圍，其中，x表示相對(duì)于l摩爾銦的鋇的摩爾比。按照該第8方式，用濺射靶成膜的非晶態(tài)膜的蝕刻速率更高，成為有利于制作布線圖案的膜。本發(fā)明的第9實(shí)施方式是第8實(shí)施方式所述的濺射靶，其特征在于，相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在0.08以上的范圍、相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比x是在0.025以下的范圍。按照該第9實(shí)施方式，用濺射靶成膜的非晶態(tài)膜的退火后的電阻率非常低，可以制作電阻率在3.0x10"Qcm以下的低電阻的膜。本發(fā)明的第10實(shí)施方式是一種氧化物燒結(jié)體的制造方法，是用干式法或濕式法將In源、Ba源及根據(jù)需要成為Sn源的原料的粉末混合、成形后，進(jìn)行燒成而得到含有氧化銦和根據(jù)需要的錫、同時(shí)含有鋇的氧化物燒結(jié)體的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，以鋇-銦復(fù)合氧化物作為Ba源而使用。按照該第10實(shí)施方式，可以得到含有氧化銦和根據(jù)需要的錫、同時(shí)含有鋇的燒結(jié)體中的氣孔可減少而且致密的氧化物燒結(jié)體。本發(fā)明的第11實(shí)施方式是第10實(shí)施方式所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，以將111203和BaC03混合、焙燒得到的鋇-銦復(fù)合氧化物作為Ba源使用。按照第11實(shí)施方式，通過將Iri203和BaC03混合、焙燒，可以比較容易地得到成為Ba源的BalnA等的鋇-銦復(fù)合氧化物。本發(fā)明的第12實(shí)施方式是第IO或第11實(shí)施方式所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，將鋇-銦復(fù)合氧化物、111203和Sn02混合、粉碎、成形并脫脂及燒成。按照該第12實(shí)施方式，可以更簡(jiǎn)單且確實(shí)地得到燒結(jié)體中的氣孔可減少且致密的氧化物燒結(jié)體。本發(fā)明的第13實(shí)施方式是第10~12的任一方式所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，得到的氧化物燒結(jié)體含有氧化銦相和含鋇氧化物相。按照該第13實(shí)施方式，成為可以確實(shí)得到是非晶態(tài)的含有鋇的透明導(dǎo)電膜的更良好的膜的氧化物燒結(jié)體。本發(fā)明的第14實(shí)施方式是第10~13的任一實(shí)施方式所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，在得到的氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于1摩爾的銦含有0.00001摩爾以上、低于0.IO摩爾的鋇。按照第14實(shí)施方式，通過添加規(guī)定量的鋇，成為可以確實(shí)得到是非晶態(tài)膜的、用弱酸性的蝕刻劑可蝕刻的透明導(dǎo)電膜的氧化物燒結(jié)體。本發(fā)明的第15實(shí)施方式是第10~14的任一實(shí)施方式所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，在得到的氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于1摩爾的銦含有0~0.3摩爾的錫。按照該第15實(shí)施方式，可以形成能夠得到規(guī)定電阻率的透明導(dǎo)電膜的氧化物燒結(jié)體。本發(fā)明的第16實(shí)施方式是第10~15的任一實(shí)施方式所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，得到的氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9x10—2Ln(x)-6.7x10_2)的值、小于等于(-2.Oxl(T'Ln(x)-4.6X10-1)的值、除去y-O的范圍，其中，x表示相對(duì)于l摩爾銦的鋇的摩爾比。按照該第16實(shí)施方式，由于作為成膜的非晶態(tài)膜的電阻率達(dá)到最低的氧分壓的最佳氧分壓和退火后的結(jié)晶化膜的電阻率達(dá)到最低電阻的氧分壓(或者在退火溫度下成膜時(shí)的最佳氧分壓)不同，所以通過在退火后達(dá)到低電阻的氧分壓下使非晶態(tài)膜成膜，其后退火，可以得到低電阻、透明性高的膜。另外，藉此可以提高在此后工序中的耐腐蝕性和耐濕性、耐環(huán)境性。本發(fā)明的第17實(shí)施方式是第10~15的任一實(shí)施方式所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，得到的氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9x10—2Ln(x)-6.7x10—2)的值、小于等于(-2.0x10-(x)-4.6xl(T1)的值、除去y-O的范圍，而且在小于等于0.22的范圍，其中，x表示相對(duì)于l摩爾銦的鋇的摩爾比。按照該第17實(shí)施方式，成膜的膜的非晶態(tài)膜的蝕刻速率特別高，有利于制作布線圖案。本發(fā)明的第18實(shí)施方式是第17實(shí)施方式所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，使用得到的氧化物燒結(jié)體相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在小于等于(5.9xl(T2Ln(x)+4.9xl(T1)的值的范圍的濺射靶成膜，其中，x表示相對(duì)于l摩爾銦的鋇的摩爾比。按照該第18實(shí)施方式，成膜的膜的非晶態(tài)膜的蝕刻速率更高，更有利于制作布線圖案。本發(fā)明的第19實(shí)施方式是第18實(shí)施方式所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，得到的氧化物燒結(jié)體的相對(duì)于1摩爾銦的錫9的摩爾比y是在0.08以上的范圍、相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比x是在0.025以下的范圍。按照該第19實(shí)施方式，成膜的非晶態(tài)膜的退火后的電阻率非常低，可以得到電阻率在3.0x10—4Qcm以下的低電阻的膜。按照本發(fā)明，具有以下效果可得到通過形成在氧化銦中添加鋇的膜，可以使是非晶態(tài)膜的、用弱酸蝕刻可以容易地制作布線圖案、另外電阻低且透射率高、還可以容易結(jié)晶化的透明導(dǎo)電膜成膜的濺射靶以及氧化物燒結(jié)體的制造方法。圖l是表示本發(fā)明的實(shí)施例1、2及比較例1的靶的粉末XRD圖形的圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的靶表面的蝕刻面的SEM像(倍率5000倍)的圖。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施例1、2及比較例1的氧分壓和電阻率的關(guān)系的圖。圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的退火前后的薄膜XRD圖形的圖。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的退火前后的薄膜XRD圖形的圖。圖6是表示本發(fā)明的比較例1的退火前后的薄膜XRD圖形的圖。圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的退火前后的透射光譜的圖。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的退火前后的透射光鐠的圖。圖9是表示本發(fā)明的比較例1的退火前后的透射光鐠的圖。圖10是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A32的組成的各溫度下的薄膜XRD的結(jié)果的圖。圖11是表示本發(fā)明的試驗(yàn)例5的結(jié)果的圖。圖12是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A7的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖13是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A9的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖14是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A13的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖15是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A20的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖16是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A21的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖17是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A22的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖18是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A23的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖19是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A31的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖20是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A32的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖21是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A33的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖22是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖23是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A42的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖24是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A43的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖25是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A58的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖26是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A59的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖27是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A60的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖28是表示本發(fā)明的試驗(yàn)實(shí)施例A4、A6、A35的在室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖。圖29是表示本發(fā)明的試驗(yàn)例6的結(jié)果的圖。圖30是表示本發(fā)明的試驗(yàn)例5及試驗(yàn)例6的結(jié)果的圖。圖31是表示本發(fā)明的試驗(yàn)例7的結(jié)果的圖。具體實(shí)施例方式用于形成本發(fā)明的氧化錮系透明導(dǎo)電膜的透明導(dǎo)電膜用濺射靶是以氧化銦作為主體、根據(jù)需要含有錫、而且含有鋇的氧化物燒結(jié)體，鋇只要以其氧化物本身或者作為復(fù)合氧化物或者作為固溶體存在都可以，對(duì)其就沒有特別的限定，但是優(yōu)選具有含有氧化銦(ln203)相、含鋇氧化物相和根據(jù)需要的Iri4SnA2的組成。通過使其成為這樣的組成，就可以確實(shí)地使含有鋇且非晶態(tài)的膜成膜。這里，特別是所謂含鋇氧化物相是指在以Cu作為輻射源的粉末XRD圖形中在26=25~28。及33~35。處具有多個(gè)峰，其結(jié)構(gòu)不能確定的含鋇的氧化物，但并不限定于這樣的含鋇氧化物。另外，其詳細(xì)的情況將在后述，但是可以確認(rèn)，至少在以作為鋇-銦復(fù)合氧化物一例的Balri204作為Ba源使用而制造的場(chǎng)合，在只含有作為含鋇氧化物一種的BaSn03相的組成的情況下，不能得到低電阻、透射率高的膜。用于沉積透明導(dǎo)電膜的賊射靼中的鋇含量?jī)?yōu)選在相對(duì)于1摩爾銦含有0.00001以上、小于0.IO摩爾的范圍內(nèi)。理由是如果比此范圍少，添加效果不顯著，另外，如果比此范圍多，就變成不是含有氧化銦相和含鋇氧化物相的組成，成為形成的透明導(dǎo)電膜有電阻升高的傾向和顏色變差的傾向的原因。另外，用上述的濺射靶形成的透明導(dǎo)電膜中的鋇的含量具有與使用的濺射靶中的含量相同的含量。另外，用于沉積透明導(dǎo)電膜的濺射靶中的錫含量?jī)?yōu)選在相對(duì)于1摩爾銦含有0~0.3摩爾的范圍內(nèi)。含有錫時(shí)，優(yōu)選用相對(duì)于l摩爾銦含有0.001~0.3摩爾范圍的濺射靶來成膜。只要在該范圍內(nèi)，就可以恰當(dāng)?shù)乜刂茷R射靶的栽流子電子密度和遷移率，使導(dǎo)電性保持在良好的范圍內(nèi)。另外，超過該范圍添加時(shí)，因趨向于濺射靶的載流子電子的遷移率降低同時(shí)導(dǎo)電性劣化而不佳。另外，用上述的濺射耙形成的透明導(dǎo)電膜中的鋇的含量具有與使用的濺射靶中的含量相同的含量。由于這樣的'踐射靶具有用DC磁控濺射可濺射程度的電阻值，所以可以用比較廉價(jià)的DC磁控濺射來濺射，無須說，也可以使用高頻磁控濺射裝置。通過使用這樣的透明導(dǎo)電膜用濺射靶，可以形成相同組成的氧化銦系透明導(dǎo)電膜。該氧化銦系透明導(dǎo)電膜的組成分析也可以全量溶解單膜用ICP進(jìn)行分析。另外，膜自身形成元件的場(chǎng)合等，也可以根據(jù)需要由FIB等切出該部分的斷面，用SEM和TEM等附屬的元素分析裝置(EDS和WDS、俄歇分析等)確定。本發(fā)明的氧化銦系透明導(dǎo)電膜因含有規(guī)定量的鋇，所以根據(jù)鋇的含量而不同，通過在室溫以上比結(jié)晶溫度低的溫度條件下，例如比200。C低的溫度條件下，優(yōu)選比150'C低的條件下，更優(yōu)選比IO(TC低的溫度條件下進(jìn)行成膜，可以以非晶態(tài)狀的狀態(tài)成膜。另外，這樣的非晶態(tài)膜具有可以用弱酸性的蝕刻劑進(jìn)行蝕刻的優(yōu)點(diǎn)。這里，在本說明書中，蝕刻包含在制作布線圖案工序中，用于得到規(guī)定的圖案。另外，得到的透明導(dǎo)電膜的電阻率依鋇的含量而不同，電阻率為1.0x10—4~1.0x10畫3Qcm。另外，成膜的膜的結(jié)晶化溫度依含有的鋇的含量而不同，含有量越高，結(jié)晶化溫度也越高，但是通過在100400。C的溫度條件下進(jìn)行退火可以使其結(jié)晶化。由于通常在半導(dǎo)體制造工藝中使用這樣的溫度范圍，所以也可以在這樣的工藝中使其結(jié)晶化。另外，在該溫度范圍中，優(yōu)選在IO(TC~300。C下結(jié)晶化，更優(yōu)選在150°C~250°(:下結(jié)晶化，特別優(yōu)選在200°C250'C下結(jié)晶化。這里，按照這樣通過退火使其結(jié)晶化后的透明導(dǎo)電膜可以提高短波長(zhǎng)側(cè)的透射率，例如波長(zhǎng)400~500nm的平均透射率在85%以上。另外，由此，還可以不存在IZO中成為問題的所謂發(fā)黃膜的問題。另外，通常優(yōu)選短波長(zhǎng)側(cè)的透射率越高越好。另一方面，結(jié)晶化的透明導(dǎo)電膜提高了耐蝕刻性，用在非晶態(tài)膜上可蝕刻的弱酸性蝕刻劑不能進(jìn)行蝕刻。藉此，可以提高后工序中的耐腐蝕性和設(shè)備自身的耐環(huán)境性。這樣在本發(fā)明中，由于通過改變鋇的含量可以將成膜后的結(jié)晶化溫度設(shè)定為希望的溫度，所以既可以按照成膜后不進(jìn)行結(jié)晶化溫度以上的溫度的熱處理那樣進(jìn)行，維持非晶態(tài)狀態(tài)；也可以在成膜后制作布線圖案后，以結(jié)晶化溫度以上的溫度進(jìn)行熱處理而結(jié)晶化來改變耐蝕刻特性。另外可以看出，用本發(fā)明的濺射靶使含有鋇的氧化銦系透明導(dǎo)電膜成膜時(shí)，根據(jù)濺射靶的組成范圍、根據(jù)溫度改變最佳氧分壓，在退火后達(dá)到低電阻的溫度、氧分壓下使非晶態(tài)膜成膜，其后，通過進(jìn)行退火而結(jié)晶化，就可以形成低電阻的透明導(dǎo)電膜。也就是說，可以得知，在相對(duì)于1摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9xl(T2Ln(x)-6.7xl02)的值、小于等于(-2.0x10—1n(x)-4.6xl(T1)的值、除去y-0的范圍時(shí)(其中，x表示相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比)，作為成膜的非晶態(tài)膜的電阻率達(dá)到最低的氧分壓的最佳氧分壓和退火后的結(jié)晶化膜的電阻率達(dá)到最低電阻的氧分壓(或者在退火溫度下成膜時(shí)的最佳氧分壓)不同。因此，以在該范圍內(nèi)、在退火后達(dá)到低電阻的氧分壓下成膜的方法可以得到如下好處得到低電阻的透明導(dǎo)電膜，或者即使是電阻相同也可以以低的氧濃度成膜。另外，依其組成而蝕刻速率不同，在相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y在大于等于(-2.9x10—2Ln(x)-6.7x10-2)的值、小于等于(-2.Ox10-(x)-4.6x10—D的值、除去y=0、而且小于等于0.22的范圍時(shí)(其中，x表示相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比)，蝕刻速率特別高，詳細(xì)情況將在后述，但是例如，使用將草酸濃度為50g/L的溶液加熱到30X:的蝕刻劑時(shí)的蝕刻速率為3A/sec以上。另外，其中，錫的摩爾比y在小于等于(5.9xl(T2Ln(x)+4.9x10—^的值的范圍(其中，x表示相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比)，則蝕刻速率更高，使用將草酸濃度為50g/L的溶液加熱到30。C的蝕刻劑時(shí)的蝕刻速率為4A/sec以上。在這樣的蝕刻速率的范圍內(nèi)制作布線圖案時(shí)，可以得到良好的圖案。另外，蝕刻速率的上限值一般是30A/sec左右。另外，可以得知，在這樣蝕刻速率高的組成范圍內(nèi)，具有電阻特別低的范圍。也就是說，可以得知，在蝕刻速率高的范圍內(nèi)，在相對(duì)于1摩爾銦的錫的摩爾比y是0.08以上、相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比x是0.025以下的范圍時(shí)，可以^使電阻率為3.0x10"Qcm以下的透明導(dǎo)電膜成膜而優(yōu)選。因此，通過使用這樣組成范圍的濺射靶或者使這樣組成范圍的透明導(dǎo)電膜成膜，就可以使成膜時(shí)是非晶態(tài)狀態(tài)、蝕刻速率高、成膜后進(jìn)行結(jié)晶化、其耐蝕刻性優(yōu)良而且低電阻的透明導(dǎo)電膜成膜。以下，說明本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的制造方法，但是對(duì)于本發(fā)明的用于濺射耙的氧化物燒結(jié)體的制造方法并不特別地限定于這些說明。首先，作為構(gòu)成本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的初始材料通常是ln203、Sn02、BaC03的粉末，但是優(yōu)選預(yù)先將ln203和BaC03焙燒制成作為鋇-銦復(fù)合氧化物的一種的Baln204、將111203和Sn02與其混合使用。這是由于可以防止起因于由BaC03的分解產(chǎn)生氣體而發(fā)生的氣孔。另外，也可以以它們的單體、化合物、復(fù)合氧化物等作為原料。使用單體、化合物的場(chǎng)合要經(jīng)過預(yù)先制成氧化物這樣的工序。將這些原料粉以希望的配合率混合，其成形方法沒有特別地限制，可以4吏用歷來公知的各種濕式法或者干式法。作為干式法可以舉出冷壓(ColdPress)法和熱壓(HotPress)法等。用冷壓法時(shí)，將混合粉填充在成形型中制作成形體、燒成。用熱壓法時(shí)，使混合粉在成形型內(nèi)燒成、燒結(jié)。作為濕式法，例如優(yōu)選使用過濾式成形法(參照特開平11-286002號(hào)公報(bào))。這種過濾式成形法使用用于使來自陶瓷原料漿料的水分減壓排水得到成形體的由非水溶性材料制成的過濾式成形模，該過濾式成形模由具有1個(gè)以上的排水孔的成形用陰模、載置在該成形用陰模上方的具有透水性的過濾器和通過用于密封該過濾器的密封材料從上面?zhèn)葕A持的成形用模框構(gòu)成，上述成形用陰模、成形用?？颉⒚芊獠牧虾瓦^濾器按照可以各自拆卸那樣組裝，使用只能從該過濾器側(cè)使?jié){料中的水分減壓排水的過濾式成形模，調(diào)制包含混合粉、離子交換水和有機(jī)添加劑的漿料，將該漿料注入過濾式成形模中，使?jié){料中的水分只從該過濾器側(cè)減壓排水制作成形體，使得到的陶瓷成形體干燥脫脂后燒成。用冷壓法和濕式法成形的成形體的燒成溫度優(yōu)選是1300~1650。C，更優(yōu)選是15001650'C，其氣氛是大氣氣氛、氧氣氛、非氧化性氣氛或者真空氣氛等。另一方面，熱壓法的場(chǎng)合，優(yōu)選在1200。C左右燒結(jié)，其氣氛是非氧化性氣氛和真空氣氛等。另外，對(duì)于各方法燒成后，實(shí)施用于成形.加工成規(guī)定尺寸的才幾械加工而制成靶。實(shí)施例以下根據(jù)實(shí)施例說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。(濺射靶制造例1)準(zhǔn)備純度>99.99%的111203粉、Sn02粉和純度〉99.9%的BaC03粉。首先，以BET=27m7g的ln20*58.5wt%及BET=1.3m7g的BaC03粉41.4wt。/。的比率準(zhǔn)備總量200g，在干燥狀態(tài)下用球磨機(jī)混合，在大氣中IIOO匸下焙燒3小時(shí)，得到Balri204粉。然后，以上述Balri204粉5.5wt%、BET=15m2/g的111203粉84.7wt%和BET-1.5m7g的Sn02粉9.8wt。/。的比率準(zhǔn)備總量約1.Okg(相對(duì)于l摩爾In，Ba相當(dāng)于約0.02摩爾，Sn相當(dāng)于約0.IO摩爾)，將其用球磨機(jī)混合。其后，添加作為粘結(jié)劑的PVA水溶液并混合、干燥、進(jìn)行冷壓得到成形體。將該成形體在大氣中600X:下以60。C/h升溫脫脂10小時(shí)，然后在氧氣氛中160(TC下燒成8小時(shí)，得到燒結(jié)體。具體地說，燒成條件是從室溫至800。C以100X:/h升溫，從800。C至1600。C以400。C/h升溫，保持8小時(shí)后，從1600匸至室溫以IOO'C/h的條件冷卻。其后加工該燒結(jié)體，得到密度為6.20g/cm3的靶，該靶的體積電阻率是3.18x10_3Qcm。(濺射靶制造例2)除了以Baln20*2.5wt%、BET-15m7g的111203粉83.6wt%和BETM.5m7g的Sn。2粉13.9wt。/。的比率(相對(duì)于l摩爾In,Ba相當(dāng)于約O.Ol摩爾，Sn相當(dāng)于約0.15摩爾)進(jìn)行以外，其它與制造例l同樣制作靶，并且同樣進(jìn)行成膜。另外，該靶的密度為6.74g/cm3，體積電阻率是2.92xl(T3Qcm。(濺射靶制造例3)除了以BalnA粉25.4wt%、BET=4.7mVg的111203粉65.5wt%和BET=1.5mVg的Sn02粉9.lwt。/。的比率(相對(duì)于1摩爾In，Ba相當(dāng)于約O.IO摩爾，Sn相當(dāng)于約0.IO摩爾)進(jìn)行以外，其它與制造例1同樣制作靶，并且同樣進(jìn)行成膜。另外，該靶的密度為6.81g/cm3，體積電阻率是5.62x10—4Qcm。(實(shí)施例1、2及比較例1)將各制造例1~3的靶作為實(shí)施例1、2及比較例1的靶，將其粉碎制成粉末狀，測(cè)定以Cu作為輻射源的粉末XRD。將它們的XRD圖示于圖1。其結(jié)果可以確認(rèn)，在實(shí)施例l、2的耙中，雖然結(jié)構(gòu)不能確定，但是在26=25~28°和33~35。處檢測(cè)出多個(gè)含鋇氧化物的峰，由111203相及InSnA2相和含有鋇的氧化物構(gòu)成。與此相反，在比較例1的靶中，雖然檢測(cè)出作為含鋇氧化物的一種的BaSn03相，但是卻沒有與實(shí)施例1、2同樣地，見察到在26=25~28°和33~35。處具有多個(gè)峰的含鋇氧化物的峰，確認(rèn)由111203相及BaSn03相構(gòu)成。另外，可以看出，雖然比較例1中檢測(cè)出的BaSn03相的峰與111203相的峰重疊，但是由于與實(shí)施例比較其峰強(qiáng)度不同，所以存在BaSn03相。另外，對(duì)于實(shí)施例2,將靶表面進(jìn)行鏡面研磨后，用硝酸系的蝕刻劑進(jìn)行蝕刻，用掃描俄歇顯微鏡(SAM)進(jìn)行乾表面的蝕刻組織的觀察和元素分析。蝕刻面的SEM像(倍率5000倍)示于圖2。其結(jié)果確認(rèn)，靶表面的蝕刻組織是可認(rèn)為是以氧化銦為主成分的結(jié)晶相(圖中的(1)和(2))和亮度不同的2種析出相((3)和(4)及(5)和(6))。然后，對(duì)于這些相，在圖2所示的(1)~(6)的點(diǎn)上進(jìn)行元素分析(定性及半定量)。其結(jié)果示于表1。其結(jié)果可以判明，首先，含有Ba的點(diǎn)只是亮度低的析出相的(3)和(4)。另外這些點(diǎn)的主成分是0，還含有In和Sn。從而可以判明，該析出相可以認(rèn)為是由XRD測(cè)定確認(rèn)的含鋇氧化物，它成為Ba、In及Sn的復(fù)合氧化物的形態(tài)。另外，由于(1)和(2)的主成分是0和In,雖然也含有Sn，但是少量的，所以可以認(rèn)為，該相是固溶Sn的氧化銦相。另外，位于亮度高的析出相的(5)和(6)，其主成分是O,也含有In和Sn，但是由In和Sn的含有比例可以i人為是Iri4SnA2相。另外11^!13012的各元素的理論比例如下所示。111^113012的各元素的理論含有比例為In:21.lat%Sn:15.8at%0:63.2at%表1<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>(實(shí)施例1、2及比較例1)在4英寸的DC磁控濺射裝置中分別裝入各制造例的濺射靶，基板溫度為IO(TC，在0~2.Osccm范圍內(nèi)以每0.5sccm改變一次氧分壓(相當(dāng)于0~6.46xl(T5Torr(8.6xl(T3pa))，同時(shí)j吏含鋇氧化銦系膜(IT0-Ba0)成膜，得到實(shí)施例l、2及比較例1的透明導(dǎo)電膜。濺射的條件如下所述，得到厚度1200A的膜。靼的尺寸。=4in.t=6咖賊射方式DC磁控'踐射排氣裝置回轉(zhuǎn)泵+低溫泵達(dá)到的真空度4.Ox10-8[Torr](5.3x10"[Pa])Ar氣壓力:3.Ox10-3[Torr](4.0xl(T1[Pa〗)氧壓力0~6.6xl(T5[Torr](0~8.6x10—3[Pa〗)基板溫度IOO'C濺射功率130W(功率密度1.6W/cm2)使用基板Corning#1737(液晶顯示器用玻璃)t=0.8mm氧分壓(Torr)和成膜的各透明導(dǎo)電膜的電阻率p(ncm)的關(guān)系示于圖3。由該結(jié)果可以看出，無論哪一種情況都存在最佳氧分壓。但是還可以看出，如比較例1那樣增大鋇的添加量時(shí)，最佳氧分壓時(shí)的電阻率增大。(試驗(yàn)例1)將實(shí)施例1、2及比較例1中在100。C下成膜時(shí)的最佳氧分壓下制造的透明導(dǎo)電膜分別切成13mm方形大小，在大氣中300。C下將這些試樣退火1小時(shí)。退火前后的薄膜XRD圖形示于圖4~圖6。其結(jié)果可以確認(rèn)，根據(jù)退火前的XRD圖形，ioot:下成膜的實(shí)施例1及實(shí)施例2的場(chǎng)合，成膜時(shí)是非晶態(tài)膜，但是通過在300X:下退火1小時(shí)后結(jié)晶化。與此相反，比較例1的場(chǎng)合，無論在成膜時(shí)還是退火后都是非晶態(tài)的原樣。(試驗(yàn)例2)測(cè)定成膜的各透明導(dǎo)電膜的在IOOC成膜時(shí)的最佳氧分壓下成膜時(shí)的電阻率p(Qcm)。另外，對(duì)試驗(yàn)例1的退火后的試樣也測(cè)定其電阻率。將這些結(jié)果示于表2。該結(jié)果表明，實(shí)施例l、2的場(chǎng)合是10—4多，但比較例l的場(chǎng)合，電阻率顯著升高。另外可以看出，實(shí)施例l、2的試樣即使在30(TC下退火1小時(shí)，其電阻率也幾乎不變化，更確切是有一些變小，但是比較例l通過退火電阻率上升，存在耐熱性問題。(試驗(yàn)例3)將實(shí)施例1、2及比較例1中在100r成膜時(shí)的最佳氧分壓下制造的透明導(dǎo)電膜分別切成13mm方形大小，測(cè)定其透射光譜。另外，對(duì)試驗(yàn)例1的退火后的膜也同樣測(cè)定其透射光鐠。將這些結(jié)果示于圖7~圖9。另外，將各試樣的平均透射率示于表2。由這些結(jié)果可以看出，通過在300r下退火1小時(shí)，成膜后退火前的透射光鐠的吸收端向短波長(zhǎng)側(cè)位移，顏色得到改善。另外可以看出，比較例1通過退火不結(jié)晶化，透射性相同。(試驗(yàn)例4)將實(shí)施例1、2及比較例1中在IO(TC成膜時(shí)的最佳氧分壓下制造的透明導(dǎo)電膜分別切成10x50nun的大小，作為蝕刻液4吏用ITO-(草酸系，關(guān)東化學(xué)(林)制)(草酸濃度SOg/L)，在溫度SO。C下，確認(rèn)是否可以蝕刻。另外，對(duì)于試驗(yàn)例1的退火后的試樣也同樣進(jìn)行確認(rèn)。將這些結(jié)果，可蝕刻者以"，，表示，不可蝕刻者以"x"表示，示于表2n該結(jié)果表明，由于實(shí)施例l、2中是非晶態(tài)膜，所以用弱酸性的蝕刻劑可以蝕刻，但是由于退火后結(jié)晶化，所以就不能蝕刻。另外可以確認(rèn)，比較例1的場(chǎng)合，由于退火前后都是非晶態(tài)膜，所以無論哪種情況都可以蝕刻。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>(、減射耙制造例A1~A60)準(zhǔn)備純度>99.99%的111203粉、Sn02粉和純度〉99.9%的BaC0s粉。首先，以BET=27m7g的111203粉58.5wt%;^BET=1.3m7g的BaC03粉41.4wt。/。的比率準(zhǔn)備總量200g,在干燥狀態(tài)下用球磨機(jī)混合，在大氣中IIO(TC下焙燒3小時(shí)，得到Baln20|然后，使上述Baln204粉、BET-5mVg的111203粉和BET=1.5mVg的Sn02粉以相對(duì)于l摩爾In、Ba和Sn相當(dāng)于下述表3和表4中所占有的摩爾的比率準(zhǔn)備總量約1.Okg,將其用球磨機(jī)混合。其后，添加作為粘結(jié)劑的PVA水溶液并混合、干燥、進(jìn)行冷壓得到成形體。將該成形體在大氣中600。C下以60t:/h升溫脫脂IO小時(shí)，然后在氧氣氛中1600。C下燒成8小時(shí)，得到燒結(jié)體。具體地說燒成條件是從室溫至800。C以100。C/h升溫，從800。C至1600。C以400。C/h升溫，保持8小時(shí)后，從160(TC至室溫以100。C/h的條件冷卻。其后加工該燒結(jié)體，得到靶。此時(shí)的密度和體積電阻率，例如A32的組成分別是6.88g/cm3、2.81x10_4Qcm，A22的組成分別是6.96g/cm3、2.87xl(T4Qcm。(試驗(yàn)實(shí)施例A1~A60)在4英寸的DC磁控濺射裝置中分別裝入各制造例Al~A60的濺射靶，基板溫度為室溫(約20°C)，使氧分壓在0~3.Osccm范圍內(nèi)變化(相當(dāng)于0~1.1xl(T2Pa)，同時(shí)得到試驗(yàn)實(shí)施例A1A60的透明導(dǎo)電膜。濺射的條件如下所述，得到厚度1200A的膜。耙的尺寸<t>=4in.t=6mm濺射方式DC》茲控濺射排氣裝置回轉(zhuǎn)泵+低溫泵達(dá)到的真空度5.3x10-6[pa]Ar壓力:4.0x10-1[pa]氧壓力0~1.1xl(T2[Pa]基板溫度室溫濺射功率130W(功率密度1.6W/cm2)使用基板Corning#1737(液晶顯示器用玻璃)t-0.8mm對(duì)于試驗(yàn)實(shí)施例A1A60，求出其室溫成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系，同時(shí)測(cè)定成膜的非晶態(tài)膜的蝕刻速率、250C退火后的電阻率與成膜時(shí)的氧分壓的關(guān)系和其平均透射率。下述表2和表3中示出了各試樣的相對(duì)于l摩爾In的Ba及Sn的摩爾比、室溫成膜時(shí)的結(jié)晶狀態(tài)(非晶態(tài)膜記為a、結(jié)晶化膜記為c)，同時(shí)示出了非晶態(tài)膜的結(jié)晶化溫度。表3和表4中，所謂成膜時(shí)電阻率是指室溫成膜時(shí)的最佳氧分壓下的膜的電阻率(參照試驗(yàn)例5)。所謂蝕刻速率是指用ITO-05N(草酸濃度50g/L)、在液溫3(TC下蝕刻室溫成膜的非晶態(tài)膜時(shí)的膜的蝕刻速率(參照試驗(yàn)例6)。另外所謂退火后電阻率是指在250匸退火后達(dá)到最低電阻的氧分壓下進(jìn)行成膜、實(shí)施250。C退火時(shí)的膜的電阻率(參照試驗(yàn)例5)。另外，所謂退火后的平均透射率表示在250。C退火后達(dá)到最低電阻的氧分壓下進(jìn)行成膜、實(shí)施250。C退火時(shí)的膜的波長(zhǎng)400~500nin的平均透射率。另外，表3和表4所示的結(jié)晶化溫度按照以下那樣求出。使在250。C退火后達(dá)到最低電阻的氧分壓下室溫成膜的膜從IOO'C至30(TC(如果需要至450。C)以每50。C的間隔在大氣中進(jìn)行1小時(shí)退火，用薄膜XRD分析其膜。通過升高退火溫度，對(duì)于顯示室溫成膜的非晶態(tài)膜的暈狀峰(halopeak)檢測(cè)其衍射線。將其剛出現(xiàn)的溫度定為結(jié)晶化溫度。作為其一例，將A32組成的各溫度的薄膜XRD結(jié)果示于圖10中。圖IO是從下至上表示100。C、150匸、200C、250X:、300C的薄膜XRD的圖，該場(chǎng)合的結(jié)晶化溫度是200T。另外，作為求出結(jié)晶化溫度的其它方法也可以使用高溫薄膜XRD法。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>(試驗(yàn)例5)使用各制造例A1~A60的濺射靼，求出在室溫(約20r)下的氧分壓和在該分壓下成膜的膜的電阻率的關(guān)系并求出最佳氧分壓，同時(shí)根據(jù)將在各氧分壓下成膜的膜在2501C下退火后的電阻率和成膜氧分壓的關(guān)系、以退火后的電阻率達(dá)到最低電阻的氧分壓作為250t;下進(jìn)行成膜時(shí)的最佳氧分壓，判斷兩個(gè)最佳氧分壓是否不同，不同者記為，大體相同者記為A，示于圖11。其結(jié)果表明，在相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9xl(r2Ln(x)-6.7x10—2)的值、小于等于(-2.0x10—(x)-4.6x10-的值、除去y-O的范圍時(shí)(其中，x表示相對(duì)于l摩爾銦的鋇的摩爾比)，成膜后的非晶態(tài)膜達(dá)到低電阻的成膜氧分壓和退火后的膜達(dá)到低電阻的成膜氧分壓不同，或者說250"C時(shí)的最佳氧分壓與室溫時(shí)的最佳氧分壓不同。也就是說，在該組成范圍內(nèi)，不是以由剛成膜后的電阻率求出的最佳氧分壓，而是以在退火后的結(jié)晶化的膜達(dá)到最低電阻的氧分壓成膜才可以使退火后的膜的電阻率低，從而更優(yōu)選。這里，將關(guān)于成為該范圍內(nèi)的試驗(yàn)實(shí)施例的A7、A9、A13、A20、A21、A22、A23、A31、A32、A33、A40、A42、A43、A58、A59、A60的表示室溫下成膜時(shí)的氧分壓和電阻率的關(guān)系的曲線圖示于圖12~圖27中。另夕卜，在曲線圖中，O表示剛成膜后的膜的電阻率，*表示"0。C下退火后的電阻率?？梢钥闯觯瑢?duì)于大部分的試樣，其250C下的退火后的膜達(dá)到低電阻的氧分壓比室溫的氧分壓低，優(yōu)選在低氧分壓下的成膜，但是對(duì)于A58~A60，其250X:下的退火后的膜達(dá)到低電阻的氧分壓卻比室溫的氧分壓高，用高氧分壓成膜可得到低電阻的透明導(dǎo)電膜而優(yōu)選。另外，可以認(rèn)為，250。C退火后的膜達(dá)到低電阻的氧分壓與25(TC成膜時(shí)的最佳氧分壓大體一致。另外，關(guān)于A2、A9、A24等結(jié)晶化溫度高的試樣，即使進(jìn)行250。C的退火也不結(jié)晶化，或者在250。C下進(jìn)行退火時(shí)的最低電阻率也比在室溫成膜的最佳氧分壓下的電阻率高。將在室溫成膜的最佳氧分壓下成膜的試樣進(jìn)行250X:退火時(shí)，電阻會(huì)進(jìn)一步變高。因此，以在退火溫度下達(dá)到最低電阻的氧分壓對(duì)室溫成膜的試樣進(jìn)行退火的一方，結(jié)果具有最低電阻。另外，無須說，對(duì)于這些試樣，以其結(jié)晶化溫度，例如，在400r下退火時(shí)，優(yōu)選在退火后的電阻率達(dá)到最低的氧分壓下進(jìn)行成膜。考慮該場(chǎng)合時(shí)，優(yōu)選鋇的摩爾比x低于0.05?？梢哉J(rèn)為，該試驗(yàn)例5中的250。C退火后的膜達(dá)到低電阻的氧分壓與250'C成膜時(shí)的最佳氧分壓大體一致。另外，作為剛成膜后的膜達(dá)到低電阻的氧分壓和250。C退火后的膜達(dá)到低電阻的氧分壓相同的例子的A4、A6、A35的曲線圖示于圖28。另外，可以認(rèn)為，對(duì)于這些試樣，室溫成膜時(shí)的最佳氧分壓和250匸成膜時(shí)的最佳氧分壓相同。(試驗(yàn)例6)與試驗(yàn)例4同樣，將以室溫成膜時(shí)的最佳氧分壓制造的透明導(dǎo)電膜分別切成10x50mm的大小，作為蝕刻液使用ITO-05N(草酸系，關(guān)東化學(xué)(株)制)(草酸濃度sog/L)，在溫度為^。C下測(cè)定蝕刻速率，低于3A/sec記為"▲，，，3A/sec以上、低于4A/sec記為，4A/sec以上記為"O"，結(jié)果示于圖29。由該結(jié)果可以看出，在相對(duì)于1摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9x10-2Ln(x)-6.7xl0—2)的值、而且小于等于0.22的范圍(其中，x表示相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比)，蝕刻速率在3A/sec以上，特別是在小于等于(5.9x10—2Ln(x)+4.9X10-1)的值的范圍，在4A/sec以上。由此，將與試驗(yàn)例5的結(jié)果合在一起的結(jié)果示于圖30。也就是說，由該結(jié)果可以看出，相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9x10—2Ln(x)-6.7x1(T2)的值、小于等于(-2.0x10—In(x)-4.6x10—^的值、除去y-O的范圍，而且在小于等于0.22的范圍(其中，x表示相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比)，室溫和作為退火溫度的250。C下的最佳氧分壓不相同，而且蝕刻速率在3A/sec以上，特別是在小于等于(5.9x10—2Ln(x)+4.9x1(T1)的值的范圍，蝕刻速率在4A/sec以上。(試驗(yàn)例7)對(duì)于圖30的優(yōu)選范圍內(nèi)的試驗(yàn)實(shí)施例的試樣，在退火后達(dá)到低電阻的氧分壓下使非晶態(tài)膜成膜，其后，進(jìn)行退火并測(cè)定結(jié)晶化的透明導(dǎo)電膜的電阻率，將3.OxlO-4Qcm以下的用o表示，比其大的用O表示。該結(jié)果示于圖31中。該結(jié)果表明，在相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是O.08以上，相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比x是0.025以下的范圍的試樣其電阻率非常低，在3.0x10—4Qcm以下。另外，與試驗(yàn)例5的結(jié)果合起來看時(shí)，可以看出，即使對(duì)于在退火溫度例如250"C的最佳氧分壓下室溫成膜、其后進(jìn)行退火而結(jié)晶化的膜，其電阻率也在3.Oxl(T4Qcm以下。權(quán)利要求1.一種濺射靶，是形成非晶態(tài)狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜的濺射靶，其特征在于，具備含有氧化銦和根據(jù)需要的錫、同時(shí)含有鋇的氧化物燒結(jié)體。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射靶，其特征在于，上述氧化物燒結(jié)體含有氧化銦相和含鋇氧化物相。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濺射乾，其特征在于，在上述氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于1摩爾的銦含有0.00001摩爾以上、低于0.10摩爾的鋇。4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項(xiàng)所述的濺射靶，其特征在于，在上述氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于l摩爾的銦含有0~0.3摩爾的錫。5.根據(jù)權(quán)利要求1~4的任一項(xiàng)所述的濺射靶，其特征在于，可以形成電阻率是1.0xl(T4~1.0x10_3Qcm的透明導(dǎo)電膜。6.根據(jù)權(quán)利要求1~5的任一項(xiàng)所述的濺射靶，其特征在于，相對(duì)于1摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9xl(T2Ln(x)-6.7xl(T2)的值、小于等于(-2.0x10—(x)-4.6xl(T1)的值、除去y-0的范圍，其中，x表示相對(duì)于l摩爾銦的鋇的摩爾比。7.根據(jù)權(quán)利要求1~5的任一項(xiàng)所述的濺射靶，其特征在于，相對(duì)于1摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9x10—2Ln(x)-6.7x1(T2)的值、小于等于(-2.OxKrln(x)-4.6x1(T1)的值、除去y-0的范圍，而且在小于等于0.22的范圍，其中，x表示相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的濺射靶，其特征在于，相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在小于等于(5.9xlO—2Ln(x)+4.9x10—"的值的范圍，其中，x表示相對(duì)于l摩爾銦的鋇的摩爾比。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的濺射靶，其特征在于，相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在0.08以上的范圍、相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比x是在0.025以下的范圍。10.—種氧化物燒結(jié)體的制造方法，是用干式法或濕式法將In源、Ba源及根據(jù)需要成為Sn源的原料粉末混合、成形后進(jìn)行燒成而得到含有氧化銦和根據(jù)需要的錫、同時(shí)含有鋇的氧化物燒結(jié)體的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，以鋇-銦復(fù)合氧化物作為Ba源使用。11.根據(jù)權(quán)利要求IO所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，以將111203和BaC03混合、焙燒得到的鋇-銦復(fù)合氧化物作為Ba源使用。12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，將鋇-銦復(fù)合氧化物、111203和Sn02混合、粉碎、成形并脫脂及燒成。13.根據(jù)權(quán)利要求10~12的任一項(xiàng)所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，得到的氧化物燒結(jié)體含有氧化銦相和含鋇氧化物相。14.根據(jù)權(quán)利要求10~13的任一項(xiàng)所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，在得到的氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于l摩爾的銦含有0.00001摩爾以上、低于0.IO摩爾的鋇。15.根據(jù)權(quán)利要求10~14的任一項(xiàng)所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，在得到的氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于l摩爾的銦含有0~0.3摩爾的錫。16.根據(jù)權(quán)利要求10~15的任一項(xiàng)所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，得到的氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9xl(T2Ln(x)-6.7xi(T2)的值、小于等于(-2.0xl(T(x)-4.6xl(T1)的值、除去y-0的范圍，其中，x表示相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比。17.根據(jù)權(quán)利要求10~15的任一項(xiàng)所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，得到的氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在大于等于(-2.9x10—2Ln(x)-6.7x10—2)的值、小于等于(-2.Oxloin(x)-4.6xl(T1)的值、除去y-0的范圍，而且在小于等于0.22的范圍，其中，x表示相對(duì)于l摩爾銦的鋇的摩爾比。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，得到的氧化物燒結(jié)體中，相對(duì)于l摩爾銦的錫的摩爾比y是在小于等于(5.9xl(T2Ln(x)+4.9x10—^的值的范圍，其中，x表示相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，得到的氧化物燒結(jié)體的相對(duì)于1摩爾銦的錫的摩爾比y是在0.08以上的范圍、相對(duì)于1摩爾銦的鋇的摩爾比x是在0.025以下的范圍。全文摘要本發(fā)明提供一種用于使低電阻、透明性優(yōu)良、非晶態(tài)的、用弱酸蝕刻可以比較容易地制作布線圖案、而且可以比較容易結(jié)晶化的透明導(dǎo)電膜成膜的濺射靶及氧化物燒結(jié)體的制造方法。該濺射靶是可以形成非晶態(tài)狀態(tài)的透明導(dǎo)電膜的濺射靶，具備含有氧化銦和根據(jù)需要的錫、同時(shí)含有鋇的氧化物燒結(jié)體。文檔編號(hào)C23C14/34GK101316944SQ20078000038公開日2008年12月3日申請(qǐng)日期2007年4月2日優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日發(fā)明者宮下德彥,高橋誠(chéng)一郎申請(qǐng)人:三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社