專利名稱：Ti系膜的成膜方法和存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在腔室內(nèi)從噴淋頭噴出含有TiCLt氣體的處理氣體，在 配置在腔室內(nèi)的被處理基板的表面形成Ti系膜的Ti系膜的成膜方法和 計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造工序中，在作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片(以 下簡稱為晶片)上實(shí)施成膜處理、蝕刻處理等的各種氣體處理。這樣 的氣體處理是通過將晶片收容在腔室內(nèi)，使腔室內(nèi)減壓，并提供反應(yīng) 性氣體(腐蝕性氣體)，例如提供含有C1、 F等鹵素的處理氣體來進(jìn)行 的。例如在Ti、 TiN等的Ti系膜的CVD成膜處理中，將晶片加熱到 例如70(TC左右，根據(jù)需要使處理氣體等離子體化，在規(guī)定的減壓條件 下，將作為處理氣體(成膜氣體)的TiCl4氣體和還原氣體等導(dǎo)入腔室 內(nèi)，進(jìn)行成股處理。另一方面，作為在腔室內(nèi)設(shè)置的噴淋頭的材料，目前使用A1合金 (例如JISA5052)、不銹鋼，但是在使用TiCU氣體等含有鹵素的氣體 的氣體處理中，作為這些構(gòu)成成分的A1、 Fe、 Cu等因氣體處理與副產(chǎn) 品的HC1、 HF等的鹵化氫反應(yīng)，生成這些金屬的卣化物。而這樣的金 屬鹵化物在保持在減壓的腔室內(nèi)具有高蒸氣壓性，容易氣化，由于在 腔室內(nèi)擴(kuò)散，在腔室內(nèi)變成顆粒，存在有成膜時(shí)進(jìn)入到堆積物中，存 在于晶片上形成金屬污染的問題。這樣的金屬污染混入到在晶片的接觸孔底部形成的Si擴(kuò)散層中， 容易在Si中擴(kuò)散，有可能造成耐電壓性能和電阻性等的晶體管特性惡 化。最近，在晶片上形成圖案的微細(xì)化不斷發(fā)展，接觸孔已細(xì)化到 (p0.13pm左右，Si擴(kuò)散層也細(xì)化到80nm左右。隨著這樣的Si擴(kuò)散層 的深度淺的接合(shallow jection)的使用，上述因金屬污染造成的晶體管特性惡化變得更顯著，日益強(qiáng)烈地要求減少金屬污染。減少這樣 的金屬污染特別是在用CVD進(jìn)行金屬成膜中非常重要。作為解決這樣問題的技術(shù)，在日本特開2003-313666號公報(bào)中公 開了用Ni等包覆噴淋頭等腔室內(nèi)部件的表面的技術(shù)。雖然Ni —旦與 含有鹵素的氣體接觸就生成鹵化物，但由于Ni的鹵化物的蒸氣壓低， 難以蒸發(fā)，所以在腔室內(nèi)難以變成顆粒，可以實(shí)現(xiàn)減少晶片的金屬污 染?？墒?，在這樣用Ni構(gòu)成噴淋頭表面的情況下，在Ti膜等成膜后， 有吋噴淋頭表面反應(yīng)，形成黑色的反應(yīng)物，該反應(yīng)物容易剝離，變成 顆粒。此外，因這樣的反應(yīng)物使噴淋頭可以分割的部位通過擴(kuò)散牢固 粘合。而且， 一旦形成這樣的化合物，在現(xiàn)有的干式清潔的條件下難 以去除。發(fā)明內(nèi)容木發(fā)明的目的在于提供一種Ti系股的成膜方法，在腔室內(nèi)設(shè)置有 至少表面山含Ni材料構(gòu)成的噴淋頭，作為處理氣體使用TiCl4，在這樣 形成Ti系脫的情況下，可以抑制在噴淋頭上形成反應(yīng)物，而且形成了 的反應(yīng)物也可以有效去除。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明人首先對在作為氣體噴出部件的噴淋 頭表面上形成的黑色反應(yīng)物進(jìn)行了研究。其結(jié)果確認(rèn)了為含有Ni和Ti 的物質(zhì)。由此認(rèn)識到作為處理氣體的TiCU和它被還原形成的TiClx、 Ti與構(gòu)成噴淋頭的Ni反應(yīng)，生成黑色的化合物。以這樣的認(rèn)識為基礎(chǔ)， 在本發(fā)明中，使成膜時(shí)的氣體噴出部件的溫度降低，且減少TiCU氣體 的供給量，抑制這樣的反應(yīng)，此外，通過使清潔時(shí)的溫度升高，例如 即使形成了上述這樣的化合物，也可以充分去除。艮口，根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)觀點(diǎn)，提供一種Ti系膜的成膜方法，是 在腔室內(nèi)，從至少表面由含Ni材料構(gòu)成的氣體噴出部件噴出含有TiCl4 氣體的處理氣體，在配置在腔室內(nèi)的被處理體的表面上形成Ti系膜的 Ti系膜成膜方法，包括使所述氣體噴出部件的溫度在30(TC以上并低 于450°C，并且使TiCU氣體的流量為1 12mL/min (sccm)或TiCl4 氣體的分壓為0.1 2.5Pa，在規(guī)定枚數(shù)的被處理體上形成Ti系膜的工序；和此后在所述腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài)下，使所述氣體噴出部件的溫度為200 300°C，向所述腔室內(nèi)導(dǎo)入氟系清潔氣體，對所述 腔室內(nèi)進(jìn)行清潔的工序。此外，根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)觀點(diǎn)，提供一種Ti系膜的成膜方法， 是在腔室內(nèi)，從至少表面由含Ni材料構(gòu)成的氣體噴出部件噴出含有 TiCl4氣體的處理氣體，在配置在腔室內(nèi)的被處理體的表面形成Ti系膜 的Ti系膜成膜方法，包括在所述氣體噴出部件是在表面上露出含Ni 材料的狀態(tài)的情況下，在所述腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài)下，將鈍 化用氣體供給至所述腔室內(nèi)，至少在所述氣體噴出部件表面形成鈍化 股的工序；使所述氣體噴出部件的溫度在300°C以上并低于450°C，并 且使TiCl/氣體的流量為1 12mL/min(sccm)或TiCl/氣體分壓為0.1 2.5Pa，在規(guī)定枚數(shù)的被處理體上形成Ti系膜的工序；和此后，在所述 腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài)下，使所述氣體噴出部件的溫度為200 300°C，向所述腔室內(nèi)導(dǎo)入氟系清洗氣體，對所述腔室內(nèi)進(jìn)行清潔的工 序。在上述第二個(gè)觀點(diǎn)中，作為所述鈍化用氣體，可以使用所述清潔 氣體。在上述第一或第二觀點(diǎn)中，優(yōu)選在形成所述Ti系膜之前，在所述 腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài)下，實(shí)施使含有TiCl/氣體的處理氣體從 所述氣體噴出部件噴出，至少在所述氣體噴出部件的表面形成預(yù)涂膜 的工序。此外，作為典型的實(shí)施方式，能夠多次反復(fù)進(jìn)行在所述規(guī)定枚數(shù) 的被處理體上形成Ti系膜的工序，和對所述腔室內(nèi)進(jìn)行清潔的工序。作為所述Ti系膜可以使用Ti膜，這種情況下，作為還原氣體可以 使用氫氣。此外，也可以在形成Ti膜后實(shí)施氮化處理。作為清潔氣體可以使用C1F3氣體。此外，作為氣體噴出部件，典 型的能夠使用與被處理體相對設(shè)置、形成有多個(gè)氣體噴出孔的噴淋頭。根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)觀點(diǎn)，提供一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其在計(jì)算機(jī)上運(yùn) 行，存儲(chǔ)有控制成膜裝置的程序，所述程序在執(zhí)行時(shí)，控制所述成膜 裝置進(jìn)行Ti系膜的成膜方法，該方法是在腔室內(nèi)，從至少表面由含Ni 材料構(gòu)成的氣體噴出部件噴出含有TiCl4氣體的處理氣體，在配置在腔室內(nèi)的被處理體的表面形成Ti系膜的Ti系膜的成膜方法，包括使所述氣體噴出部件的溫度在300。C以上并低于450°C，并且使TiCU氣體 的流量為1 12mL/min (sccm)或TiCl4氣體的分壓為0.1 2.5Pa，在 規(guī)定枚數(shù)的被處理體上形成Ti系膜的工序；和此后在所述腔室內(nèi)不存 在被處理體的狀態(tài)下，使所述氣體噴出部件的溫度為200 300°C，向 所述腔室內(nèi)導(dǎo)入氣系清潔氣體，對所述腔室內(nèi)進(jìn)行清潔的工序。根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)觀點(diǎn)，提供一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其在計(jì)算機(jī)上運(yùn) 行，存儲(chǔ)有控制成膜裝置的程序，所述程序在執(zhí)行吋，控制所述成膜 裝置進(jìn)行Ti系膜的成膜方法，該方法是在腔室內(nèi)，從至少表面由含Ni 材料構(gòu)成的氣體噴出部件噴出含有TiCU氣體的處理氣體，在配置在腔 室內(nèi)的被處理體的表面形成Ti系膜的Ti系膜的成膜方法，包括在所 述氣體噴出部件是在表面露出含Ni材料的狀態(tài)的情況下，在所述腔室 內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài)下，將鈍化用氣體供給至所述腔室內(nèi)，至少 在所述氣體噴出部件表面上形成鈍化膜的工序；使所述氣體噴出部件 的溫度在300'C以上并低于450。C，并且使TiCU氣體的流量為1 12mL/min (sccm)或TiCl4氣體分壓為0.1 2.5Pa，在規(guī)定枚數(shù)的被處 理體上形成Ti系膜的工序；和此后，在所述腔室內(nèi)不存在被處理體的 狀態(tài)下，使所述氣體噴出部件的溫度為200 300°C，向所述腔室內(nèi)導(dǎo) 入氟系清洗氣體，對所述腔室內(nèi)進(jìn)行清潔的工序。其中，在本發(fā)明中，氣體的流量單位使用mL/min，由于氣體因溫 度和氣壓體積變化很大，在本發(fā)明中，使用換算成標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)的值。此 外，換算成標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)的流量通常用sccm (Standard Cubic Centimeter per Minutes每分鐘標(biāo)準(zhǔn)立方厘米)標(biāo)記，所以同時(shí)記為sccm。其中的標(biāo)準(zhǔn) 狀態(tài)是溫度(TC (273.15K)、氣壓latm (101325Pa)的狀態(tài)(STP)。根據(jù)本發(fā)明，由于使氣體噴出部件的溫度為30(TC以上并低于 450。C的低的溫度，而且使TiCU氣體流量為l 12mL/min (sccm)的 低的流量或使TiCU氣體分壓為2.5Pa以下的低分壓，在規(guī)定枚數(shù)的被 處理體上形成Ti系膜，所以能夠抑制氣體噴出部件的Ni和Ti的反應(yīng)。 此外，此后用氟系的清潔氣體對腔室內(nèi)的清潔，在使氣體噴出部件的 溫度比現(xiàn)在高的200 300。C進(jìn)行，所以即使形成NiTi系化合物，也可 以清洗去除。因此，可以非常有效地消除由于形成NiTi層造成顆粒的問題、在部件之間產(chǎn)生擴(kuò)散粘合的問題。此外，通過形成鈍化膜，即 使在使用新的噴淋頭或化學(xué)再生清洗后的噴淋頭的情況下，也可以有效地抑制形成NiTi層。


圖1是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的Ti系膜的成膜方法的實(shí)施中使 用的Ti膜成膜裝置的一個(gè)例子的簡要剖面圖。圖2是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的Ti系膜的成膜方法的流程圖。圖3是表示在將噴淋頭上形成的黑色化合物的帶剝離后，X射線 衍射的Ni的峰強(qiáng)度和Ti的峰強(qiáng)度的圖。圖4A是表示顆粒的組成分析的結(jié)果的圖。圖4B是表示顆粒的組成分析的結(jié)果的圖。圖5是表示在本發(fā)明范圍外的條件下進(jìn)行成膜和清潔的情況下產(chǎn) 生顆粒的情況的圖。圖6是表示在本發(fā)明范圍內(nèi)的條件下進(jìn)行成膜或清潔的情況下產(chǎn) 生顆粒的情況的圖。
具體實(shí)施方式
下而參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行具體說明。 圖1是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的Ti系膜的成膜方法的實(shí)施中使 用的Ti膜成膜裝置的一個(gè)例子的簡要剖面圖。該Ti膜成膜裝置100具 有大體為圓筒形的腔室31。該腔室31在由鋁或鋁合金(例如JIS A 5052)構(gòu)成的基材的內(nèi)壁面上形成含Ni的內(nèi)壁層31c。含Ni的內(nèi)壁層 31c典型的是由純Ni或Ni基合金構(gòu)成。構(gòu)成內(nèi)壁層31c的Ni與含鹵 素的處理氣體反應(yīng)，形成低蒸氣壓金屬化合物。該內(nèi)壁層31c例如利 用離子鍍、鍍層、噴鍍等方法形成。在腔室31的內(nèi)部用于水平支撐作為被處理體的晶片W的基座32 被配置成由設(shè)置在其中央下部的圓筒形的支撐部件33支撐的狀態(tài)。在 基座32的外邊緣部設(shè)置有用于引導(dǎo)晶片W的導(dǎo)向環(huán)34。此外，在基 座32中埋入加熱器35，該加熱器35通過從加熱器電源36供電，將作 為被處理基板的晶片W加熱到規(guī)定溫度。在基座32的表面附近埋設(shè)有電極38，該電極38接地。其中，基座32可以由陶瓷例如A1N構(gòu)成， 在這種情況下，構(gòu)成陶瓷加熱器。在腔室31的頂壁31a上隔著絕緣部件39設(shè)置有作為氣體噴出部 件的噴淋頭40。該噴淋頭40由上層塊體40a、中層塊體40b、下層塊 體40c構(gòu)成，大體為圓盤狀。上層塊體40a具有水平部40d和環(huán)形支 撐部40e，其中，水平部40d與中層塊體40b和下層塊體40c—起構(gòu)成 噴淋頭主體部；該環(huán)形支撐部40e與該水平部40d的外圓周上方連接， 上層塊體40a做成凹形。由該環(huán)形支撐部40e支撐整個(gè)噴淋頭40。噴 淋頭40由含Ni的材料構(gòu)成，典型的是由純Ni或Ni基合金構(gòu)成。在 下層塊體40c上交替形成噴出氣體的噴出孔47和48。在上層塊體40a 的上而形成第一氣體導(dǎo)入口 41和第二氣體導(dǎo)入口 42。在上層塊體40a 屮從第一氣體導(dǎo)入口 41形成多個(gè)氣體通路43的分支。在中層塊體40b 屮形成氣休迎路45，上述氣體通路43通過在水平方向延仲的連通路 43a，與這些氣體通路45連通。此外，這些氣體通路45與下層塊體40c 的噴出孔47連通。并且，在上層塊體40a中，從第二氣體導(dǎo)入口 42 形成多個(gè)氣體通路44的分支。在中層塊體40b中形成氣體通路46，上 述氣體通路44與這些氣體通路46連通。此外，這些氣體通路46連接 在中層塊體40b內(nèi)在水平方向延伸的連通路46a上，該連通路46a與 下層塊體40c的多個(gè)噴出孔48連通。而上述第一和第二氣體導(dǎo)入口41、 42連接在氣體供給機(jī)構(gòu)50的氣體管路上。氣體供給機(jī)構(gòu)50具有提供作為清潔氣體的C1F3氣體的ClF/氣體 供給源51、提供作為Ti化合物氣體的TiCl4氣體的TiCU氣體供給源 52、提供Ar氣的Ar氣供給源53、提供作為還原氣體的H2氣的H2氣 供給源54、提供作為氮化氣體的NH3氣體的NH3氣體供給源55。 C1F3 氣體供給管路57連接在C1F3氣體供給源51上，TiCU氣體供給管路58 連接在TiCl4氣體供給源52上，Ar氣供給管路59連接在Ar氣供給源 53上，H2氣供給管路60連接在H2氣供給源54上，NH3氣體供給管路 60a連接在NH3氣體供給源55上。此外，雖然沒有圖示，但還有N2 氣供給源。而在各氣體管路上設(shè)置有兩個(gè)閥61，中間夾有質(zhì)量流量控 制器62和質(zhì)量流量控制器62。從TiCU氣體供給源52延伸的TiCU氣體供給管路58連接在上述第一氣體導(dǎo)入口 41上，從C1F3氣體供給源51延伸的C1F3氣體供給管 路57和從Ar氣供給源53延伸的Ar氣供給管路59連接在該TiCU氣 體供給管路58上。此外，從H2氣供給源54延伸的H2氣供給管路60 連接在上述第二氣體導(dǎo)入口 42上，從NH3氣體供給源55延伸的NH3 氣體供給管路60a連接在該H2氣供給管路60上。因此在處理吋，來 自TiCU氣體供給源52的TiCU氣體與來自Ar氣供給源53的Ar氣一 起，通過TiCl/氣體供給管路58，從噴淋頭40的第一氣體導(dǎo)入口 41 到達(dá)噴淋頭40內(nèi)，經(jīng)過氣體通路43、 45，從噴出孔47噴向腔室31內(nèi)， 另一方而，來自H2氣供給源54的H2氣通過H2氣供給管路60，從噴 淋頭40的第二氣體導(dǎo)入口 42到達(dá)噴淋頭40內(nèi)，經(jīng)過氣體通路44、46， 從噴出孔48噴向腔室31內(nèi)。即，噴淋頭40為TiCU氣體和&氣完全 獨(dú)立向腔室31內(nèi)提供的后混合型，它們噴出后混合，發(fā)生反應(yīng)。但并 不限于此，也可以是TiCl4和H2以混合后的狀態(tài)提供給腔室31內(nèi)的預(yù) 混合型。高頻T"源64通過匹配器63連接在噴淋頭40 J:，根據(jù)需耍從該高 頻ill源64向噴淋頭40提供高頻電力。通過從高頻i乜源64提供高頻電 力，使通過噴淋頭40向腔室31內(nèi)提供的氣體等離子體化，進(jìn)行成膜 處理。此外，在噴淋頭40的上層塊體40a的水平部40d上設(shè)置有用于加 熱噴淋頭40的加熱器75。加熱器電源76連接在該加熱器75上，通過 從加熱器電源76向加熱器75供電，將噴淋頭40加熱到希望的溫度。 在上層塊體40a的凹部設(shè)置有絕熱部件77，用于提高加熱器75的加熱 效率。在腔室31的底壁31b的中央部位形成圓形的孔65，在底壁31b 上設(shè)置有向下突出的排氣室66，以覆蓋該孔65。該排氣室66的內(nèi)側(cè) 用與上述內(nèi)壁層31c相同材料構(gòu)成的包覆層66a包覆。排氣管67連接 在排氣室66的側(cè)面，排氣裝置68連接在該排氣管67上。通過使排氣 裝置68動(dòng)作，可以使腔室31內(nèi)減壓到規(guī)定的真空度。在基座32上以相對于基座32能夠突出沒入的方式設(shè)置有支撐晶 片W使其升降的三根(圖上只顯示兩根)晶片支撐銷69，這些晶片支 撐銷69被固定在支撐板70上。晶片支撐銷69利用氣缸等驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)7112通過支撐板70升降。在腔室31的側(cè)壁上，在與腔室31鄰接設(shè)置的未圖示的晶片搬送 室之間，設(shè)置有用于進(jìn)行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口 72和開閉 該搬入搬出口 72的閘閥73。Ti膜成膜裝置IOO的構(gòu)成部連接在由微處理器(計(jì)算機(jī))構(gòu)成的 控制部80上而被控制。此外，用戶接口 81與控制部80連接，該用戶 接口由用于操作人員對Ti膜成膜裝置100進(jìn)行管理而進(jìn)行命令等的輸 入操作的鍵盤、使Ti膜成膜裝置100的運(yùn)轉(zhuǎn)情況可視化顯示的顯示器 等構(gòu)成。此外，在控制部80上連接有存儲(chǔ)部82，它存儲(chǔ)用于通過控制 部80的控制實(shí)現(xiàn)在Ti膜成膜裝置100中執(zhí)行的各種處理的控制程序、 用于對應(yīng)于處理?xiàng)l件在Ti膜成膜裝置100的各構(gòu)成部實(shí)行處理的程序， 即方案。方案也可以存儲(chǔ)到硬盤或半導(dǎo)休存儲(chǔ)器中，在裝入CDROM、 DVD等的可移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)中的狀態(tài)下，也可以安置在存儲(chǔ)部82的規(guī) 定位置。此外，也可以從其他的裝置例如通過專用ili線將方案適當(dāng)?shù)?傳送。然后根據(jù)需耍，用來自用戶接口 81的指示等從存儲(chǔ)部82調(diào)出 任意的方案，在控制部80執(zhí)行，在控制部80的控制下，在Ti膜成膜 裝置100中進(jìn)行所希望的處理。下而對以上這樣的用Ti膜成膜裝置100的本實(shí)施方式的Ti膜成膜 方法進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，如圖2所示，在噴淋頭是新的和化學(xué)再生清洗 后的噴淋頭的情況下，進(jìn)行預(yù)鈍化工序(pre passivation)(工序1)、成 膜工序(工序2)、清潔工序(工序3)。首先對工序1的預(yù)鈍化工序進(jìn)行說明。噴淋頭40是新的噴淋頭情況下和用加水NH3等進(jìn)行了化學(xué)再生清 洗后的噴淋頭的情況下，Ni或Ni合金在其表面露出，如在此狀態(tài)下直 接進(jìn)行預(yù)涂，TiCU氣體和Ni反應(yīng)，例如在純Ni噴淋頭的情況下，發(fā) 生以下的反應(yīng)，在Ti預(yù)涂層和噴淋頭之間容易生成黑色的NiTi層。Ni + TiCl4—NiTi+NiClJ + TiClx一旦形成這樣的NiTi層，預(yù)涂層容易剝落，變成顆粒。因此，在 導(dǎo)入新的噴淋頭或化學(xué)再生清洗后的噴淋頭作為噴淋頭40的情況下， 在成膜工序之前，從C1F3氣體供給源51向腔室31內(nèi)導(dǎo)入C1F3氣體，在原位置(in-situ)在噴頭40的表面形成作為保護(hù)膜的NiFx鈍化膜。
Ni + C1F3—NiFx (PF) +C12T (PF表示鈍化膜)
一旦形成該NiFx鈍化膜，此后在進(jìn)行TiCU氣體的供給時(shí)，不生 成NiTi等容易剝落的膜，由于生成氣體狀態(tài)的NiC1、、 TiFj屯化膜等， 所以難以產(chǎn)生膜剝落。
優(yōu)選的是該預(yù)鈍化工序在以下條件下進(jìn)行。
C1F3氣體流量100 2000mL/min (sccm)
Ai-氣流量100 2000mL/min (sccm)
N/氣流量100 2000mL/min (sccm)
壓力133.3 1333Pa
溫度150 500t:
吋問500 3600sec
其屮，氣體的流量單位使用mL/min，由于在此使用換算成標(biāo)準(zhǔn)狀 態(tài)的位(逝常用scan表示)，所以同吋記為sccm (以下同)。其中的標(biāo) 準(zhǔn)狀態(tài)使用上述的STP。
如上述這樣，預(yù)鈍化工序通過使用作為清潔氣體的C1F3氣體，不 用單獨(dú)設(shè)置氣體供給機(jī)構(gòu)，容易形成鈍化膜，因此優(yōu)選，只要能形成 有效的金屬氟化物的鈍化膜，也可以使用其他的含氟氣體。作為其他 的含氟氣體可以列舉，例如NF" HF、 F2、 C2F6、 C3F8。
此外，在此后的處理中，通過C1F3清潔工序，由于發(fā)生與上述相 同的反應(yīng)，形成NiFx鈍化膜，所以這樣的預(yù)鈍化工序僅僅在噴淋頭是 新的噴淋頭的情況和化學(xué)再生清洗后的噴淋頭的情況下是必要的。此 外，通過形成鈍化膜，由于可以抑制噴淋頭是新的噴淋頭的情況和化 學(xué)再生清洗后的噴淋頭的情況下的初期階段形成NiTi系化合物，所以 優(yōu)選進(jìn)行預(yù)鈍化工序，但不是必須的。
在這樣的預(yù)鈍化工序后，準(zhǔn)備下面的成膜工序，進(jìn)行Ti的預(yù)涂。 在預(yù)涂中，首先在腔室31內(nèi)不存在晶片W的狀態(tài)下，用排氣裝置68 使腔室31內(nèi)成為排氣狀態(tài)，向腔室31內(nèi)導(dǎo)入N2氣，同時(shí)用加熱器35 對腔室31進(jìn)行預(yù)加熱。在溫度穩(wěn)定時(shí)，以規(guī)定流量通過噴淋頭40導(dǎo) 入Ar氣、H2氣和TiCU氣體，通過用加熱器35、 75加熱，在腔室31內(nèi)壁、排氣室66內(nèi)壁和噴淋頭40上預(yù)涂Ti膜。該預(yù)涂的條件采用基 本上與以下說明的Ti堆積工序的條件相同的條件。在進(jìn)行預(yù)涂時(shí)，由 于在噴淋頭40的表面形成有NiF/鈍化膜，所以能夠抑制NiTi的形成。 工序2的成膜工序由Ti堆積工序(工序2-1 )、氮化工序(工序2-2) 構(gòu)成。
在工序2-1的Ti堆積工序中，將預(yù)涂后的腔室31內(nèi)調(diào)整到與通 過閘閥73連接的外部氛圍相同后，打開閘閥73，從真空狀態(tài)的未圖示 的晶片搬送室通過搬入搬出口 72將晶片W搬入到腔室31內(nèi)。然后， 向腔室31內(nèi)提供Ar氣，對晶片W進(jìn)行預(yù)加熱。在晶片的溫度大體穩(wěn) 定吋，使Ar氣、H2氣和TiCU氣體以規(guī)定流量在未圖示的預(yù)流動(dòng)管路 中流動(dòng)，進(jìn)行預(yù)送氣。然后，使氣體流量和壓力保持不變，切換到成 脫用管路，將這些氣體通過噴淋頭40導(dǎo)入腔室31內(nèi)。此吋，從高頻 電源64向噴淋頭40施加高頻電力，由此使被導(dǎo)入到腔室31內(nèi)的Ar 氣、H2氣和TiCl4氣體等離子體化。然后在被用加熱器35加熱到規(guī)定 溫皮的晶片W上，等離子體化的氣體反應(yīng)，在晶片W上堆積Ti，經(jīng) 過規(guī)定吋間后形成規(guī)定厚皮的Ti股。
在該工序中，設(shè)定用加熱器75加熱的噴淋頭40的溫度為30CTC 以上并低于450。C， TiCl4氣體的流量設(shè)定為1 12mL/min (sccm)以 下。
在現(xiàn)有技術(shù)中，關(guān)于噴淋頭40的溫度，考慮到重視預(yù)涂膜的質(zhì)量， 控制在450。C以上的溫度，此外，考慮到生產(chǎn)能力，關(guān)于TiCU氣體的 流量，盡可能的多。可是，已經(jīng)確認(rèn)了在噴淋頭40的溫度比較高的情 況下，或TiCU的流量大的情況下，在噴淋頭40的表面上，Ni和Ti容 易反應(yīng)，容易在噴淋頭40的表面上形成NiTi層。 一旦形成這樣的NiTi 層，就容易剝離，變成顆粒，此外，在噴淋頭40的構(gòu)成部件之間比較 容易擴(kuò)散粘合，存在有難以分開的不利情況。
與此相反，通過使噴頭40的溫度低于450°C，且TiCl4氣體的流 量在12mL/min (sccm)以下，可以抑制Ni和Ti的反應(yīng)。關(guān)于噴淋頭 40的溫度，使其低溫本身反應(yīng)能力降低，此外通過在Ti預(yù)涂膜上殘留 的氯可以阻礙與Ni的反應(yīng)。目前為了降低Ti預(yù)涂膜的氯含量，噴淋頭 采用比較高的溫度，而通過使其為低溫殘存一些氯，可以使Ni和Ti的反應(yīng)性降低。此外，關(guān)于TiCU氣體的流量，通過盡量減少有助于形
成NiTi系化合物的反應(yīng)的TiCU氣體，抑制該反應(yīng)。所以通過這樣抑 制Ni和Ti的反應(yīng)，難以形成NiTi層，可以顯著減少形成顆粒的問題 和擴(kuò)散粘合的問題。
此外，為了盡量減少有助于形成NiTi系化合物的反應(yīng)的TiCl/氣 體，也可以通過規(guī)定TiCl/氣體的分壓來代替規(guī)定TiCl4氣體的流量， 這種情況下，使TiCl/氣體的分壓為0.1 2.5Pa。通過這樣將TiCl/氣體 的分壓的上限規(guī)定為2.5Pa，能夠抑制Ni和Ti的反應(yīng)。
規(guī)定上述TiCl/氣體的流量典型的是適合300mm晶片的處理的情 況，而TiCl/氣體的分壓無論晶片的尺寸和裝置如何都可以適用。
使噴淋頭40的溫度的下限為300°C，是由于考慮了 Ti預(yù)涂膜的質(zhì) 量等。此外，使TiCl4氣體的流量的下限為lmL/min (sccm)、使TiCl4 氣體的分壓的下限為O.lPa是因?yàn)槿绻@些值更低，則成膜速率沒有實(shí) 用價(jià)位，難以確保所希望的生產(chǎn)能力。
更優(yōu)選的是噴淋頭的溫度范圍為380 450X:，更優(yōu)選的是TiCl4 氣體的流量為3 12mL/min (sccm)。此外，更優(yōu)選的是TiCl4氣體分 壓為0.4 2.0Pa的范圍。
Ti膜堆積工序的其他條件優(yōu)選的范圍如下。
i) 來自高頻屯源64的高頻電力 頻率300kHz 27MHz
功率100 1500W
ii) 用加熱器35加熱的基座32的溫度300 650°C Ar氣流量500 2000 mL/min (sccm)
iv) H2氣流量1000 5000 mL/min (sccm)
v) 腔室內(nèi)壓力133 1333Pa (卜10Torr)
此外，Ti堆積工序的時(shí)間根據(jù)要得到的膜厚適當(dāng)設(shè)定。 此后，實(shí)施工序2-2的氮化工序。在該氮化工序中，在上述Ti堆 積工序完成后，停止TiCl4氣體，成為H2氣和Ar氣仍流動(dòng)的狀態(tài)，將 腔室31內(nèi)(腔室壁和噴淋頭表面等)加熱到適當(dāng)溫度，并且使NH3 氣體作為氮化氣體流動(dòng)，同時(shí)從高頻電源64向噴淋頭40施加高頻電 力，使處理氣體等離子體化，利用等離子體化的處理氣體使在晶片W上形成的Ti薄膜的表面氮化。
氮化工序的優(yōu)選的條件如下。
i)來自高頻電源64的高頻電力 頻率300kHz 27MHz 功率500 1500W
Ii)用加熱器35加熱的基座32的溫度300 650°C
iii) Ar氣流量:0.8 2.0 L/min (訓(xùn) 2000sccm)
iv) H2氣流量1.5 4.5L/min (1500 4500sccm)
v) NH/氣體流量0.5 2.0L/min (500 2000sccm)
vi) 腔室內(nèi)壓力133 1333Pa (1 10Torr)
此外，此工序不是必須的，從防止Ti膜氧化等觀點(diǎn)，優(yōu)選進(jìn)行實(shí)施。
對規(guī)定塊數(shù)的晶片進(jìn)行上述工序2的成膜工序后，實(shí)施工序3的 潔潔工序。
在該工序中，在腔室內(nèi)不存在晶片的狀態(tài)下，向腔室31內(nèi)導(dǎo)入 ClF/氣休，進(jìn)行干式清潔。此吋在使噴淋頭40的溫度為200 30(TC這 樣比現(xiàn)有技術(shù)高的溫度下進(jìn)行。已經(jīng)確認(rèn)現(xiàn)有技術(shù)中，附著在噴淋頭 40、腔室壁上的Ti系附著物在170。C左右的比較低的溫度下可以進(jìn)行 清潔，但在形成有NiTi系化合物的情況下，在現(xiàn)有的清潔條件下無法 除去。所以，對有效去除NiTi系化合物的方法進(jìn)行了研究，其結(jié)果表 明，如上所述通過使噴淋頭40的溫度為比現(xiàn)在高的200 30(TC，通過 以下反應(yīng)能夠?qū)iTi系化合物分解去除。
NiTi + ClF3—TiFx+NiFx (PF) +C12T
由于可以這樣分解NiTi系化合物，所以即使在成膜工序2中在噴 淋頭40上多少形成一些NiTi層，也可以通過清潔工序3有效地去除， 可以進(jìn)一步減少在下面的預(yù)涂和成膜中，因NiTi系化合物造成的不利 情況。
在該清潔工序中，優(yōu)選的是將用加熱器35加熱的基座32的溫度 設(shè)定在100 30(TC的范圍。此外，C1F3氣體的流量優(yōu)選為100 2000 mL/min (sccm)。其中，在該清潔工序中，除了 C1F3以外還可以使用 NF3、 F2等其他的氟系氣體。在這樣的清潔工序后，在下次成膜之前，與上述的預(yù)鈍化工序后
相同，在噴淋頭40、腔室內(nèi)壁進(jìn)行預(yù)涂。預(yù)涂在與Ti堆積工序相同的
條件下進(jìn)行。
通過上述這樣在工序2的成膜工序中降低噴淋頭溫度、減少TiCl4 氣體的流量，可以減少在噴淋頭40上形成的NiTi層本身，并且例如在 工序2中即使形成NiTi層，在工序3的清潔工序中也可以將它們?nèi)コ?所以可以非常有效地消除因NiTi層形成長大造成的顆粒問題、部件之 間產(chǎn)生擴(kuò)散粘合的問題。此外，通過進(jìn)行預(yù)鈍化工序，即使在使用新 的噴淋頭或化學(xué)再生清潔后的噴淋頭的情況下，也可以有效地抑制 N汀i層的形成。
下而對確認(rèn)本發(fā)明效果的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行說明。
K中使用300mm晶片用的裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
首先針對進(jìn)行了預(yù)鈍化工序的噴淋頭和沒有進(jìn)行預(yù)鈍化的噴淋 頭，在使成股條件和清潔條件在本發(fā)明范圍外(噴淋頭溫度47(TC、 TiCL)流量18mL/min (sccm)、 Ar流量1600 mL/min (sccm)、 H2流 量3000 niL/min (sccm)、 TiCU分壓:2.59Pa、清潔溫度170°C)下， 進(jìn)行500塊的Ti成膜和此后的清潔，然后用目測觀察表面狀態(tài)(試樣 1、 2)。其結(jié)果確認(rèn)了在全部噴頭表面都形成黑色的反應(yīng)物，沒有進(jìn)行 預(yù)鈍化工序的試樣1在整個(gè)面上形成黑色反應(yīng)物，而進(jìn)行了預(yù)鈍化工 序的試樣2，形成反應(yīng)物的部分主要在中央的部分，減輕了一些。
然后，在上述預(yù)鈍化工序后在本發(fā)明范圍外的條件下進(jìn)行成膜和 清潔的試樣2的噴頭，和進(jìn)行預(yù)鈍化工序后，使成膜條件和清潔條件 在本發(fā)明范圍內(nèi)(噴淋頭溫度420°C、 丁iCU流量12mL/min (sccm)、 Ar 、 荒量1600mL/min (sccm)、 H2、 荒量3000mL/min (sccm)、 TiCl4 分壓L73Pa、清潔溫度250°C)下，進(jìn)行500枚的Ti成膜和此后的 清洗的噴頭(試樣3)，進(jìn)行帶剝離，觀察剝離狀態(tài)，并進(jìn)行剝離后的 帶的X射線衍射。其結(jié)果為成膜條件和清潔條件在本發(fā)明范圍外的試 樣2的噴淋頭中，黑色反應(yīng)物附著在帶上，而在本發(fā)明范圍內(nèi)的試樣3 的噴淋頭中，沒有發(fā)現(xiàn)附著的黑色反應(yīng)物。對它們進(jìn)行X射線衍射的 結(jié)果如圖3所示，對于本發(fā)明范圍外的試樣2，除了 Ti的衍射峰以外， 看到了Ni的衍射峰，Ni的衍射峰強(qiáng)度高，而本發(fā)明范圍內(nèi)的試樣3，僅有Ti的衍射峰，不能辨認(rèn)Ni的衍射峰。由此可以確認(rèn)黑色的反應(yīng)物
是NiTi系化合物，利用本發(fā)明范圍內(nèi)的條件，基本可以防止形成該反應(yīng)物。
然后，在進(jìn)行預(yù)鈍化工序后，對于在本發(fā)明范圍外的現(xiàn)有條件下
進(jìn)行成膜和清潔的情況(噴淋頭溫度470°C、 TiCU流量18mL/niin (sccm)、 Ar流量1600mL/min (sccm)、 H2流量3000mL/min (sccm)、 TiCU分壓:2.59Pa、清潔溫度170。C)、以及在本發(fā)明范圍內(nèi)的條件 下進(jìn)行成膜和清潔的情況(噴淋頭溫度420°C、 TiCU流量12mL/min (sccm)、 Ar流量1600mL/min (sccm)、 H2流量3000mL/min (sccm)、 TiCl4分壓1.73Pa、清潔溫度250°C)下，確認(rèn)了產(chǎn)生顆粒的情況。 其中，從清潔+預(yù)涂后到下次清潔+預(yù)涂后，進(jìn)行500枚左右的成膜處 理，調(diào)査顆粒的個(gè)數(shù)。此外，對于在本發(fā)明范圍外的條件下進(jìn)行成膜 和清潔吋的顆粒，用X射線衍射進(jìn)行組成分析。圖4A、 4B表示顆粒 的組成分析的結(jié)果，圖5和圖6分別表示在本發(fā)明范圍外和本發(fā)明范 闈內(nèi)的條件下進(jìn)行成股和清潔的情況下生成顆粒的情況。此外，在圖5、 6屮，白圈的圖示是存在于超過0.16pm的Si晶片上的顆粒(別名搬 送顆粒)，黑方塊的圖示是存在于超過2.0pm的Ti膜中的顆粒。
如圖4A、 4B所示，在現(xiàn)有條件下的處理吋產(chǎn)生的顆粒發(fā)現(xiàn)Ni和 Ti的峰，推測是在噴淋頭上形成的反應(yīng)物剝落的產(chǎn)物。此外，從圖5、 6可以確認(rèn)通過在本發(fā)明的條件下進(jìn)行成膜和清潔，與現(xiàn)有的條件相 比，可以使產(chǎn)生顆粒明顯減少。此外，雖然在圖6中有某幾個(gè)點(diǎn)顆粒 增加的部分，但可以看出這是在搬送待機(jī)時(shí)進(jìn)行的空轉(zhuǎn)產(chǎn)生的不規(guī)則 的來自搬送系統(tǒng)的顆粒，在穩(wěn)定狀態(tài)下幾乎沒有顆粒存在。 以上明確確認(rèn)了本發(fā)明的效果。
此外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，可以進(jìn)行各種變化。例如， 在上述實(shí)施方式中表示了使本發(fā)明用于形成Ti膜的情況，但本發(fā)明不 限于此，也可以用于使用TiCU氣體成膜的TiN膜等的其他的Ti系膜 的成膜中。此外，在上述實(shí)施方式中，由純Ni或Ni合金等的含鎳材 料構(gòu)成噴淋頭，但是也可以形成含鎳的包覆層。此外，作為被處理基 板不限于半導(dǎo)體晶片，例如也可以是液晶顯示裝置(LCD)用基板等 的其他物質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種Ti系膜的成膜方法，是在腔室內(nèi)，從至少表面由含Ni材料構(gòu)成的氣體噴出部件噴出含有TiCl4氣體的處理氣體，在配置在腔室內(nèi)的被處理體的表面形成Ti系膜的Ti系膜成膜方法，包括使所述氣體噴出部件的溫度在300℃以上并低于450℃，并且使TiCl4氣體的流量為1～12mL/min(sccm)或TiCl4氣體的分壓為0.1～2.5Pa，在規(guī)定枚數(shù)的被處理體上形成Ti系膜的工序；和此后，在所述腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài)下，使所述氣體噴出部件的溫度為200～300℃，向所述腔室內(nèi)導(dǎo)入氟系清潔氣體，對所述腔室內(nèi)進(jìn)行清潔的工序。
2. 根據(jù)權(quán)利耍求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，還包括在所述Ti系股的成脫之前，在所述腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài) 下，從所述氣休噴出部件噴出含有TiCU氣體的處現(xiàn)氣體，至少在所述 氣體噴出部件的表而形成預(yù)涂脫的工序。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 反復(fù)多次進(jìn)行在所述規(guī)定枚數(shù)的被處理體上的Ti系膜的成膜和所述腔室內(nèi)的清潔。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 所述Ti系膜是Ti膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 所述處理氣體含有氫氣作為還原氣體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 所述Ti系膜的成膜在形成Ti膜后實(shí)施氮化處理。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，所述清潔氣體是CIF3氣體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 所述氣體噴出部件是與被處理體相對設(shè)置，形成有多個(gè)氣體噴出孔的噴淋頭。
9. 一種Ti系膜的成膜方法，是在腔室內(nèi)，從至少表而由含Ni材 料構(gòu)成的氣體噴出部件噴出含有TiCU氣體的處理氣體，在配置在腔室 內(nèi)的被處理體的表面形成Ti系膜的Ti系膜成膜方法，包括在所述氣體噴出部件是在表面上露出含Ni材料的狀態(tài)的情況下， 在所述腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài)下，將鈍化用氣體供給至所述腔 室內(nèi)，至少在所述氣體噴出部件表面形成鈍化膜的工序；使所述氣體噴出部件的溫度在30(TC以上并低于45(TC，并且使 TiCU氣體的流量為1 12mL/min (sccm)或TiCU氣體分壓為0.1 2.5Pa，在規(guī)定枚數(shù)的被處理體上形成Ti系膜的工序；和此后，在所述腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài)下，使所述氣體噴出 部件的溫度為200 30(TC，向所述腔室內(nèi)導(dǎo)入氣系清潔氣體，對所述 腔室內(nèi)進(jìn)行清潔的工序。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 所述鈍化用氣體是所述清潔氣體。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于，還包括在所述Ti系膜的成膜之前，在所述腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài) 下，從所述氣體噴出部件噴出含有TiCU氣體的處理氣體，至少在所述 氣體噴出部件的表面形成預(yù)涂膜的工序。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 反復(fù)多次進(jìn)行在所述規(guī)定枚數(shù)的被處理體上的Ti系膜的成膜和所述腔室內(nèi)的清潔。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 所述Ti系膜是Ti膜。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 所述處理氣體含有氫氣作為還原氣體。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 所述Ti系膜的成膜在形成Ti膜后實(shí)施氮化處理。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 所述清潔氣體是CiF3氣體。
17. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的Ti系膜的成膜方法，其特征在于， 所述氣體噴出部件是與被處理體相對設(shè)置，形成有多個(gè)氣體噴出孔的噴淋頭。
18. —種存儲(chǔ)介質(zhì)，其在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行，存儲(chǔ)有控制成膜裝置的 程序，所述程序在執(zhí)行吋，控制所述成膜裝置進(jìn)行Ti系膜的成膜方法，該方法是在腔室內(nèi)，從至少表面由含Ni材料構(gòu)成的氣體噴出部件 噴出含有TiCl4氣體的處理氣體，在配置在腔室內(nèi)的被處理體的表而形 成Ti系膜的Ti系膜成膜方法，包括使所述氣體噴出部件的溫度在30(TC以上并低于450°C，并且使 TiCU氣體的流量為1 12mL/min (sccm)或TiCU氣體的分壓為0.1 2.5Pa，在規(guī)定枚數(shù)的被處理體上形成Ti系膜的工序；和此后，在所述腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài)下，使所述氣體噴出 部件的溫度為200 300°C，向所述腔室內(nèi)導(dǎo)入氟系清潔氣體，對所述 腔室內(nèi)進(jìn)行清潔的工序。
19. 一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行，存儲(chǔ)有控制成膜裝置的 程序，所述程序在執(zhí)行時(shí)，控制所述成膜裝置進(jìn)行Ti系膜的成膜方法，該方法是在腔室內(nèi)，從至少表面由含Ni材料構(gòu)成的氣體噴出部件 噴出含有TiCl4氣體的處理氣體，在配置在腔室內(nèi)的被處理體的表面形成Ti系膜的Ti系膜成膜方法，包括在所述氣體噴出部件是在表面上露出含Ni材料的狀態(tài)的情況下， 在所述腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài)下，將鈍化用氣體供給至所述腔室內(nèi)，至少在所述氣體噴出部件表面形成鈍化膜的工序；使所述氣體噴出部件的溫度在30(TC以上并低于450°C，并且使TiCU氣體的流量為1 12mL/min (sccm)或TiCl4氣體分壓為0.1 ，在規(guī)定枚數(shù)的被處理體上形成Ti系膜的工序；和此后，在所述腔室內(nèi)不存在被處理體的狀態(tài)下，使所述氣體噴出部件的溫度為200 300r，向所述腔室內(nèi)導(dǎo)入氟系清潔氣體，對所述腔室內(nèi)進(jìn)行潰潔的工序。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種Ti系膜的成膜方法，是在收納晶片(W)的腔室(31)內(nèi)，從至少表面由含有Ni的材料構(gòu)成的噴淋頭(40)噴出含有TiCl₄氣體的處理氣體，在配置在腔室(31)內(nèi)的晶片(W)的表面上形成Ti系膜時(shí)，使噴淋頭(40)的溫度在300℃以上并低于450℃，而且使TiCl₄氣體的流量為1～12mL/min(sccm)或TiCl₄氣體分壓為0.1～2.5Pa，在規(guī)定枚數(shù)的晶片(W)上形成Ti系膜；此后使噴淋頭(40)的溫度為200～300℃，向所述腔室(31)內(nèi)導(dǎo)入ClF₃氣體，清潔所述腔室(31)內(nèi)。
文檔編號C23C16/14GK101310040SQ20078000010
公開日2008年11月19日 申請日期2007年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月24日
發(fā)明者多田國弘, 成嶋健索, 若林哲 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社