技術(shù)編號：3248879
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在腔室內(nèi)從噴淋頭噴出含有TiCLt氣體的處理氣體，在 配置在腔室內(nèi)的被處理基板的表面形成Ti系膜的Ti系膜的成膜方法和 計算機可讀取的存儲介質(zhì)。背景技術(shù)在半導體器件的制造工序中，在作為被處理基板的半導體晶片(以 下簡稱為晶片)上實施成膜處理、蝕刻處理等的各種氣體處理。這樣 的氣體處理是通過將晶片收容在腔室內(nèi)，使腔室內(nèi)減壓，并提供反應 性氣體(腐蝕性氣體)，例如提供含有C1、 F等鹵素的處理氣體來進行 的。例如在Ti、 TiN等的Ti系膜的CVD成...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。