專利名稱：：一種具有耐腐蝕膜的稀土永磁體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種稀土永磁體的制造方法，具體地說，涉及一種具有耐腐蝕膜的稀土永磁體的制造方法。
背景技術(shù)：
：目前行業(yè)內(nèi)離子鍍鋁的專利都是解決無壓力狀態(tài)下的濕熱環(huán)境下的耐腐蝕問題。對于高壓濕熱試驗的耐腐蝕性能并沒有做過細致研究。例如中國專利申請?zhí)枮?9800747.1、其發(fā)明名稱為"耐腐蝕性永磁體及其制造方法"；中國專利申請?zhí)枮?6192129.3、其發(fā)明名稱為"用于超高真空的永磁體及其制造方法"；中國專利申請?zhí)枮?7198134.5、其發(fā)明名稱為"耐蝕永磁體及其制備方法"，以及中國專利申請?zhí)枮?9118337.1、其發(fā)明名稱為"具有耐腐蝕膜的鐵-硼-稀土基永磁體及其制造工藝"均公開了一種解決無壓力狀態(tài)下的濕熱環(huán)境下的耐腐蝕問題。此外，中國專利申請?zhí)枮?00410098355.1采用了電弧蒸發(fā)和電場加速兩種技術(shù)，但是這只能是一種技術(shù)的簡單改進，可以提高粒子能量，從而提高鍍膜的結(jié)合力。但是電弧技術(shù)屬于離子鍍技術(shù)的一種，其主要原理是在通過弧光放電技術(shù)轟擊固定靶材，從而產(chǎn)生離子沉積在工件表面。但是這種技術(shù)最大的缺點是容易在鍍層表面產(chǎn)生大的液滴顆粒。這些大顆粒不僅僅對產(chǎn)品外觀產(chǎn)生不利影響，同時這些大顆粒位置將會成為鍍層被腐蝕的缺陷區(qū)域。因此，這種技術(shù)對于小件釹鐵硼產(chǎn)品并不適用。因此，該現(xiàn)有技術(shù)中提到的第三實施例中只是對于電弧蒸發(fā)粒子提供了一種加速電場，并且主要作用提高粒子能量，可以認為是電弧蒸發(fā)技術(shù)的改進。對于電弧蒸發(fā)的電流采取方波函數(shù)，力圖降低電弧技術(shù)產(chǎn)生液滴的數(shù)量，是對于蒸發(fā)過程的一種調(diào)整。該現(xiàn)有技術(shù)并不具有重復性。因此，急需解決在高壓、濕熱條件下具有耐腐蝕性能的產(chǎn)品。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明正是為了解決上述問題而提出的。本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種具有耐腐蝕膜的稀土永磁體的制造方法，所述制造方法包括如下步驟(1)對稀土永磁體工件的表面施以噴砂處理；(2)對噴砂過的永磁體工件進行抽真空，在惰性氣體下利用離子源對磁體進行離化轟擊；(3)離化轟擊后，在真空條件下，對鋁材進行蒸發(fā)，將蒸發(fā)源垂直方向勻速往復運動；并且在蒸發(fā)過程中同時開啟電弧電源轟擊鉻靶材，在裝載工件和真空室金屬外殼爐體上加載一定的轟偏電壓，形成離子流，使鋁材蒸發(fā)的鋁蒸汽離化，以使永磁體工件的表面形成鍍層沉積。其中，在噴砂過程中，噴砂磨料為60150目，壓縮空氣為0.30.7Mpa。其中，對噴砂過的永磁體工件進行抽真空至3x10—3Pa。其中，所述惰性氣體包括氬氣、氮氣、氖氣。其中，在轟擊功率《2kw條件下進行離子源轟擊。最好，開啟離子源對磁體離化轟擊15~30分鐘，離子源電源功率為12kw。其中，在蒸發(fā)過程中真空度為0.1Pa3.0Pa。其中，其中，在蒸發(fā)時，蒸發(fā)源在垂直方向勻速往復運動，且蒸發(fā)距離是變化范圍在020mm，速度調(diào)整范圍在110mm/min。最好，在蒸發(fā)過程中同時開啟電弧電源轟擊鉻靶塊，其轟擊電流設(shè)置為畫A。其中，在所述蒸發(fā)源下方加入可傳動的機械部分，該可傳動的機械部分是在蒸發(fā)源下方加入一個一個齒輪鏈條連接一個微型電機，通過電機帶動齒輪運動從而帶動蒸發(fā)源在垂直方向往復運動，并可以通過調(diào)整電機功率調(diào)節(jié)齒輪傳動速度，實現(xiàn)蒸發(fā)源速度的可調(diào)。其中，所述轟偏電壓為方波函數(shù)。在本發(fā)明如上所述的方法中，該方法的整個工藝流程是噴砂一抽真空一離子轟擊一蒸發(fā)鋁一同時加載方波電壓及熱弧Cr靶材轟擊兩種離化工藝提高蒸發(fā)中鋁金屬的離化率達到提高鍍層結(jié)合力的效果，并因此改善了產(chǎn)品在高壓、濕熱條件下的耐腐蝕性能。下面將說明本發(fā)明的工藝過程中的改進部分。1、噴砂是材料鍍膜的前處理工序過程。傳統(tǒng)的噴砂是一個通用技術(shù)，應用范圍廣泛，主要用于鋼鐵材料，其對于磨料的使用(包括磨料類別和磨料尺寸)并沒有特別的技術(shù)參數(shù)和相關(guān)專利。在本專利中，對于釹鐵硼材料脆性較大的特點，對于磨料的尺寸和壓縮空氣的壓力必須要有針對性的要求，分別為噴砂磨料粒度在60150;壓縮空氣壓力為0.30.7MPa。噴砂磨料選擇為2、離子源轟擊試驗參數(shù)?，F(xiàn)有技術(shù)一般很少單獨涉及離子源轟擊技術(shù)本身。但是對于釹鐵硼磁體，由于其脆性和溫度限制，本發(fā)明的轟擊功率應該不大于2kw。3、同時使用離子蒸發(fā)法和熱弧技術(shù)使鋁蒸汽離化沉積。離子蒸發(fā)法是在一定的真空度下，在裝載工件和爐體上加載一定的轟偏電壓，形成離子流，使蒸發(fā)的鋁蒸汽離化，然后沉積到工件表面。離子蒸發(fā)法是一種成熟、傳統(tǒng)的離子鍍技術(shù)，主要適用于小產(chǎn)品。但是由于沉積過程中放電的電流密度較高，容易產(chǎn)生液滴狀斑點。而本發(fā)明僅利用熱弧技術(shù)本身的高電流密度產(chǎn)生的高能Cr離子提高蒸發(fā)過程中的鋁蒸汽的離化率，而不是直接將熱弧技術(shù)本身產(chǎn)生的粒子沉積在磁體表面。這樣提高了蒸發(fā)過程中粒子的能量，顯著改善磁體的結(jié)合力，同時又不會產(chǎn)生熱弧技術(shù)中的液滴現(xiàn)象，而影響鍍膜磁體的耐腐蝕能力。因此，本發(fā)明是將離子蒸發(fā)法和熱弧技術(shù)兩者結(jié)合使用，而現(xiàn)有技術(shù)中并沒有這兩種技術(shù)混合使用的。4、離子鍍膜過程中，真空度在0.1Pa3Pa。由于本發(fā)明屬于兩種離子鍍技術(shù)混合使用，而兩種技術(shù)的真空度范圍并不一樣，因此從技術(shù)實現(xiàn)的角度，首要解決的問題就是統(tǒng)一兩者的真空度。真空度一方面影響蒸發(fā)粒子的自由程，真空度越低，自由程越小，到達磁體表面的能量損失越多；同時真空度又影響粒子的初始能量和離化的穩(wěn)定性，真空度越高，粒子的初始能量越低，且離化放電過程都不穩(wěn)定，二者相矛盾。因此，最終要選擇一個使兩套技術(shù)兼容的真空度范圍，該范圍應該在0.1Pa3.0Pa之間。5、離子蒸發(fā)偏壓為方波函數(shù)。傳統(tǒng)的離子蒸發(fā)技術(shù)中(如AbarIpsen公司的離子鍍設(shè)備Ivadizer)，蒸發(fā)偏壓為固定值，一般起到兩個作用一是產(chǎn)生輝光、離化粒子；二是吸引帶電粒子，加速沉積。而對于本發(fā)明，由于是同時使用離子蒸發(fā)法和熱弧技術(shù)這兩種技術(shù)的混合使用，離化率由于熱弧技術(shù)的使用已經(jīng)可以很高，而且過高的離化率會使離子能量過高導致空間內(nèi)的離化粒子形成離化層而難以加載高電壓。因此，加載固定數(shù)值的電壓會容易產(chǎn)生火花，同時降低粒子吸引作用，影響帶電粒子的沉積效應。因此，本發(fā)明加載轟偏電壓是以方波形式，在離化率較低的情況下，使用高電壓促進離化，加速吸引；而在高離化率的情況下，采用較低偏壓反而提高了帶電粒子沉積能量。因此，這也是本發(fā)明作出的重要改進。6、蒸發(fā)時，蒸發(fā)源在垂直方向勻速往復運動，且速度可調(diào)。對于離子鍍技術(shù)，蒸發(fā)距離是重要的影響因素。蒸發(fā)距離太小，會導致蒸發(fā)均勻性變差，繞射能力下降，從而影響磁體鍍膜的結(jié)合力；蒸發(fā)距離太遠，則會增加粒子能量的損失，造成沉積能量過低。因此，合適的蒸發(fā)距離對于改善鍍膜結(jié)合力是非常關(guān)鍵的。對于傳統(tǒng)的離子鍍技術(shù)(仍參考AbarIpsen公司離子鍍設(shè)備Ivadizer)，蒸發(fā)源是固定位置的，蒸發(fā)距離不可變。但是對于我們的設(shè)備，通過在蒸發(fā)源下方加入可傳動的機械部分，該可傳動的機械部分是在蒸發(fā)源下方加入一個一個齒輪鏈條連接一個微型電機，通過電機帶動齒輪運動從而帶動蒸發(fā)源在垂直方向往復運動，并可以通過調(diào)整電機功率調(diào)節(jié)齒輪傳動速度，實現(xiàn)蒸發(fā)源速度的可調(diào)。使蒸發(fā)源在垂直方向上勻速往復運動，蒸發(fā)距離可以不斷變化。經(jīng)本發(fā)明改進后，由于蒸發(fā)距離的不斷變化，將會綜合提高帶電粒子的繞射能力和直射能量，從而提高磁體和鍍膜之間的結(jié)合力，改善磁體在高壓環(huán)境下的耐腐蝕性能。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的制造方法可以顯著改善磁體表面膜層與磁體的結(jié)合力，使磁體在120。C、100%濕度、兩個大氣壓PCT的高壓加速腐蝕試驗下表現(xiàn)出優(yōu)異的抗腐蝕性。特別是，本發(fā)明通過細化離子鍍噴砂前處理和離子轟擊前處理工8藝參數(shù)，改善了基體和膜層的結(jié)合力。此外，通過同時使用離子蒸發(fā)法和熱弧技術(shù)，并且在離子蒸發(fā)過程中將轟偏電壓改善為方波電壓轟擊，蒸發(fā)時垂直方向可以勻速移動，且蒸發(fā)距離是變化的、速度大小可調(diào)。這些改進都大大提高了鍍膜過程中的離化率，從而提高鍍膜粒子的能量，使之顯著改善基體與膜層的結(jié)合力，使高壓加速腐蝕試驗結(jié)果得到明顯改觀。圖1表示實施例1中離子蒸發(fā)的方波轟偏電壓加載曲線。圖2表示實施例2中離子蒸發(fā)的恒定轟偏電壓加載曲線。具體實施例方式以下將結(jié)合實施例對本發(fā)明做進一步說明，本發(fā)明的實施例僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案，并非限定本發(fā)明。實施例l將06長3的圓片燒結(jié)釹鐵硼磁體放入噴砂機中，選擇粒度為60目的氧化鋁磨料，在0.7MPa的壓縮空氣壓力下，對磁體噴砂15分鐘，確保完整清除磁體表面的氧化皮和油污。將噴砂完的磁體放入鍍膜機真空室中，抽真空至3x10'3Pa，充入氬氣至3.0Pa，開啟離子源對磁體離化轟擊15分鐘，離子源電源功率為2kw。離化結(jié)束后，對鋁材開始加熱蒸發(fā)，并將蒸發(fā)源垂直方向往復運動速度設(shè)置為10mm/min，蒸發(fā)源與產(chǎn)品之間的蒸發(fā)距離隨著蒸發(fā)源垂直方向不斷往復運動而變化，蒸發(fā)距離的不斷變化可以改善蒸發(fā)材料的自由程以改善蒸發(fā)的均勻性。同時，在蒸發(fā)過程中同時開啟電弧電源轟擊鉻靶塊，其轟擊電流設(shè)置為100A。并且將偏壓電源設(shè)置為如圖1所示的方波函數(shù)。鍍膜2小時后自然冷卻即可得到完整的、具有優(yōu)良耐蝕性的鋁鍍層。鍍鋁產(chǎn)品在120。C、100%濕度、兩個大氣壓PCT加速試驗環(huán)境條件放置96小時以上產(chǎn)品外觀無明顯變化，磁性能無顯著變化。具體結(jié)果見表1。同時，對比本實施例產(chǎn)品鍍層厚度和其它條件不變、偏壓電源恒定為IOOOV條件(具體加載方式見圖2)下產(chǎn)品鍍層厚度可知無論是產(chǎn)品之間還是同一產(chǎn)品的正反兩面的厚度一致性都得到了很大的提高。說明方波電壓技術(shù)顯著改善了鍍膜的穩(wěn)定性和繞射性。參見表1:實施例1中鍍鋁產(chǎn)品及鍍鋁產(chǎn)品加速試驗后磁性能比較；和表2實施例1中恒定偏壓和方波偏壓鍍鋁產(chǎn)品鍍膜厚度比較。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>實施例2將OS長4的圓片燒結(jié)釹鐵硼磁體放入噴砂機中，選擇粒度為80目的氧化鋁磨料，在0.4MPa的壓縮空氣壓力下，對磁體噴砂15分鐘，確保完整清除磁體表面的氧化皮和油污。同實施例1一樣將噴砂完的磁體放入鍍膜機真空室中，抽真空至3xl(T3Pa。充入氮氣至1.3Pa，開啟離子源對磁體離化轟擊30分鐘，離子源電源功率為2kw。關(guān)閉離子源后調(diào)節(jié)氮氣流量計將真空調(diào)整至0.7Pa，并對鋁材開始加熱蒸發(fā)，并將蒸發(fā)源垂直方向往復運動速度設(shè)置為3mm/min，蒸發(fā)源與產(chǎn)品之間的蒸發(fā)距離隨著蒸發(fā)源垂直方向不斷往復運動而變化，蒸發(fā)距離的不斷變化可以改善蒸發(fā)材料的自由程以改善蒸發(fā)的均勻性。蒸發(fā)過程中同時開啟電弧電源轟擊鉻靶塊，其轟擊電流設(shè)置為100A，這一過程中始終開啟偏壓電源，其電壓設(shè)置同實施例1的方波函數(shù)(參見圖1)。鍍膜2小時后自然冷卻即可得到完整的、具有優(yōu)良耐蝕性的鋁鍍層，鍍鋁產(chǎn)品在120°C、100%濕度、兩個大氣壓PCT加速試驗環(huán)境條件放置96小時以上產(chǎn)品外觀無明顯變化，磁性能無顯著變化。具體結(jié)果見表3。同時，對比本實施例產(chǎn)品鍍層厚度和其它條件不變、偏壓電源恒定為1000V條件下產(chǎn)品鍍層厚度可知無論是產(chǎn)品之間還是同一產(chǎn)品的正反兩面的厚度一致性都得到了很大的提高。說明方波電壓技術(shù)顯著改善了鍍膜的穩(wěn)定性和繞射性。參見表3:實施例2中鍍鋁產(chǎn)品及鍍鋁產(chǎn)品加速試驗后磁性能比較；和表4實施例2中恒定偏壓和方波偏壓鍍鋁產(chǎn)品鍍膜厚度比較。表3Br(kGs)Hcj(kOe)(BH)max(MGsOe)鍍鋁產(chǎn)品13.117.1640.86鍍鋁產(chǎn)品PCT后13.017.9440.21表4產(chǎn)品1(pm)產(chǎn)品2(pm)產(chǎn)品3(jim)正面反面正面反面正面反面恒定電壓15.0418.1516.5719.1316.0518.71方波電壓17.0017.0517.1417.2117.3317.42實施例3將OS長3的圓片燒結(jié)釹鐵硼磁體放入噴砂機中，選擇粒度為150目的氧化鋁磨料，在0.3MPa的壓縮空氣壓力下，對磁體噴砂15分鐘，確保完整清除磁體表面的氧化皮和油污。將噴砂完的磁體放入鍍膜機真空室中，抽真空至3x10—3Pa，充入氖氣至0.1Pa，開啟離子源對磁體離化轟擊15分鐘，離子源電源功率為lkw。離化結(jié)束后，對鋁材開始加熱蒸發(fā)，并將蒸發(fā)源垂直方向往復運動速度設(shè)置為lmm/min，蒸發(fā)源與產(chǎn)品之間的蒸發(fā)距離隨著蒸發(fā)源垂直方向不斷往復運動而變化，蒸發(fā)距離的不斷變化可以改善蒸發(fā)材料的自由程以改善蒸發(fā)的均勻性。同時，在蒸發(fā)過程中同時開啟電弧電源轟擊絡(luò)耙塊，其轟擊電流設(shè)置為IOOA。并且將偏壓電源設(shè)置為如圖1所示的方波函數(shù)。鍍膜2小時后自然冷卻即可得到完整的、具有優(yōu)良耐蝕性的鋁鍍層，鋁產(chǎn)品在12(TC、100%濕度、兩個大氣壓PCT加速試驗環(huán)境條件放置96小時以上產(chǎn)品外觀無明顯變化，磁性能無顯著變化。具體結(jié)果見表5同時，對比本實施例產(chǎn)品鍍層厚度和其它條件不變、偏壓電源恒定為IOOOV條件下產(chǎn)品鍍層厚度可知無論是產(chǎn)品之間還是同一產(chǎn)品的正反兩面的厚度一致性都得到了很大的提高。說明方波電壓技術(shù)顯著改善了鍍膜的穩(wěn)定性和繞射性。參見表5實施例3中鍍鋁產(chǎn)品及鍍鋁產(chǎn)品加速試驗后磁性能比較；和表6實施例3中恒定偏壓和方波偏壓鍍鋁產(chǎn)品鍍膜厚度比較。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>從上述實施例可以看出本發(fā)明是電弧蒸發(fā)技術(shù)鍍膜，但是現(xiàn)有技術(shù)(中國專利申請?zhí)枮?00410098355.1)采用了電弧蒸發(fā)和電場加速兩種技術(shù)，但是這只能是一種技術(shù)的簡單改進，可以提高粒子能量，從而提高鍍膜的結(jié)合力。但是電弧技術(shù)屬于離子鍍技術(shù)的一種，其主要原理是在通過弧光放電技術(shù)轟擊固定靶材，從而產(chǎn)生離子沉積在工件表面。但是這種技術(shù)最大的缺點是容易在鍍層表面產(chǎn)生大的液滴顆粒。這些大顆粒不僅僅對產(chǎn)品外觀產(chǎn)生不利影響，同時這些大顆粒位置將會成為鍍層被腐蝕的缺陷區(qū)域。因此，這種技術(shù)對于小件釹鐵硼產(chǎn)品并不適用。簡單地說，該現(xiàn)有技術(shù)只是對于電弧蒸發(fā)粒子提供了一種加速電場，并且主要作用提高粒子能量，并沒有涉及到兩種離子鍍技術(shù)的聯(lián)合應用。而本發(fā)明采用了同時使用離子蒸發(fā)法和熱弧技術(shù)這兩種技術(shù)。本發(fā)明的電弧技術(shù)產(chǎn)生的離子并不是鍍膜材料直接沉積，而是利用電弧技術(shù)產(chǎn)生高能粒子轟擊電阻蒸發(fā)產(chǎn)生的鍍層材料原子，提高鍍層材料原子的能量，而同時加載的直流電壓則有兩個不同作用，一是提高粒子能量，另一個是對于粒子沉積方向產(chǎn)生一定約束，有助于鍍層沉積的完整和優(yōu)化。因此，本發(fā)明的特點之一在于兩種技術(shù)的結(jié)合，既提高了粒子能量又可以避免電弧技術(shù)的缺點。另外，本發(fā)明對于外加電場使用了方波函數(shù)。該現(xiàn)有技術(shù)也提到的方波函數(shù)，該方波函數(shù)是對于電弧蒸發(fā)的電流采取方波函數(shù)，力圖降低電弧技術(shù)產(chǎn)生液滴的數(shù)量，是對于蒸發(fā)過程的一種調(diào)整。本發(fā)明中的電壓作用則是加速和定向兩個作用，而電壓采取方波函數(shù)的主要原因是可以充分提高鍍膜過程的繞射性和穩(wěn)定性，是鍍膜過程中的一個改進，兩者從變動參數(shù)到作用機理是完全不同的。本發(fā)明通過上面的實施例進行舉例說明，但是，本發(fā)明并不限于14這里所描述的特殊實例和實施方案。在這里包含這些特殊實例和實施方案的目的在于幫助本領(lǐng)域中的技術(shù)人員時間本發(fā)明。任何本領(lǐng)域中的技術(shù)人員很容易在不脫離分發(fā)明精神和范圍的情況下進行進一步的改進和完善，因此分發(fā)明只受到本發(fā)明權(quán)利要求的內(nèi)容和范圍的限制，其意圖涵蓋所有包括在由附錄權(quán)利要求所限定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的備選方案和等同方案。權(quán)利要求1、一種具有耐腐蝕膜的稀土永磁體的制造方法，所述制造方法包括如下步驟(1)對稀土永磁體工件的表面施以噴砂處理；(2)對噴砂過的永磁體工件進行抽真空，在惰性氣體下利用離子源對磁體進行離化轟擊；(3)離化轟擊后，在真空條件下，對鋁材進行蒸發(fā)，將蒸發(fā)源垂直方向勻速往復運動；并且在蒸發(fā)過程中同時開啟電弧電源轟擊鉻靶塊，在裝載工件和真空室金屬外殼爐體上加載一定的轟偏電壓，形成離子流，使鋁材蒸發(fā)的鋁蒸汽離化，以使永磁體工件的表面形成鍍層沉積。2、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在噴砂過程中，噴砂磨料為60~150目，壓縮空氣為0.30.7Mpa。3、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，對噴砂過的永磁體工件進行抽真空至3x10—3Pa。4、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，所述惰性氣體包括氬氣、氮氣、氖氣。5、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在轟擊功率《2kw條件下進行離子源轟擊。6、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在蒸發(fā)過程中真空度為0.卜3.0Pa。7、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在蒸發(fā)時，蒸發(fā)源在垂直方向勻速往復運動，且蒸發(fā)距離是變化范圍在020mm，速度調(diào)整范圍在110mm/min。8、如權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，在所述蒸發(fā)源下方加入可傳動的機械部分，該可傳動的機械部分是在蒸發(fā)源下方加入一個一個齒輪鏈條連接一個微型電機。9、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，所述轟偏電壓為方波函數(shù)。10、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在蒸發(fā)過程中同時開啟電弧電源轟擊鉻靶塊，其轟擊電流設(shè)置為100A。全文摘要本發(fā)明提供了一種具有耐腐蝕膜的稀土永磁體的制造方法，所述方法包括對稀土永磁體工件的表面施以噴砂處理；對噴砂過的永磁體工件進行抽真空，在惰性氣體下利用離子源對磁體進行離化轟擊；離化轟擊后，在真空條件下，對鋁材進行蒸發(fā)；并且在蒸發(fā)過程中同時開啟電弧電源轟擊鉻靶塊，加載一定的轟偏電壓，形成離子流，使鋁材蒸發(fā)的鋁蒸汽離化，以使永磁體工件的表面形成鍍層沉積。本發(fā)明顯著地改善了磁體表面膜層與磁體的結(jié)合力，以使磁體在120℃、100％濕度、兩個大氣壓PCT的高壓、加速腐蝕試驗下表現(xiàn)出優(yōu)異的抗腐蝕性。文檔編號C23C28/00GK101469428SQ20071030397公開日2009年7月1日申請日期2007年12月24日優(yōu)先權(quán)日2007年12月24日發(fā)明者湛王,王浩頡,胡伯平,饒曉雷申請人:北京中科三環(huán)高技術(shù)股份有限公司