專利名稱：改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷及制作硅基液晶顯示器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硅基液晶(LCOS)顯示器的制作方法，特別涉及改善微反射 鏡間介質(zhì)層缺陷的方法。
背景技術(shù)：
近幾年來(lái)，在液晶(LCD)業(yè)界出現(xiàn)了許多新技術(shù)，其中較熱門(mén)的技術(shù) 是珪基液晶顯示器(LCOS, Liquid Crystal on Silicon)技術(shù)。LCOS (Liquid Crystal on Silicon)屬于新型的反射式micro LCD投影技術(shù)，其結(jié)構(gòu)是在硅基 片上長(zhǎng)電晶體，利用半導(dǎo)體工藝制作驅(qū)動(dòng)面板(又稱為CMOS-LCD),然后 在電晶體上透過(guò)研磨技術(shù)磨平，并鍍上鋁當(dāng)作微反射鏡，形成CMOS基板， 然后將CMOS基板與含有透明電極之上玻璃基板貼合，再抽入液晶，進(jìn)行封 裝測(cè)試。
與傳統(tǒng)的LCD及數(shù)字光學(xué)工藝(DLP, Digital Light Processing)技術(shù)相 比，LCOS具有下列技術(shù)優(yōu)勢(shì)a.光利用效率高LCOS與LCD技術(shù)類似，主 要的差別就是LCOS屬反射式成像，所以光利用效率可達(dá)40%以上，與DLP 相當(dāng)，而穿透式LCD^f叉有3%左右；b.體積小LCOS可將驅(qū)動(dòng)IC等外圍線 路完全整合至CMOS基板上，減少外圍IC的數(shù)目及封裝成本，并使體積縮?。?c.分辨率高由于LCOS的晶體管及驅(qū)動(dòng)線路都制作于硅基片內(nèi)，位于反射面 之下，不占表面面積，所以僅有像素間隙占用開(kāi)口面積，不像穿透式LCD的 薄膜晶體管(TFT, Thin Film Transistor)及導(dǎo)線皆占用開(kāi)口面積，故LCOS 不論分辨率或開(kāi)口率都會(huì)比穿透式LCD高；d.制造技術(shù)較成熟LCOS的制 作可分為前道的半導(dǎo)體CMOS制造及后道的液晶面板貼合封裝制造。前道的半導(dǎo)體CMOS制造已有成熟的設(shè)計(jì)、仿真、制作及測(cè)試技術(shù)，所以目前良率 已可達(dá)90%以上，成本極為低廉；至于后道的液晶面板貼合封裝制造，雖然 目前的良率只有30%,但由于液晶面板制造已發(fā)展得相當(dāng)成熟，理論上其良 率提升速率應(yīng)遠(yuǎn)高于數(shù)字微鏡芯片(DMD, Digital Micromirror Device ),所 以LCOS應(yīng)比DLP更有機(jī)會(huì)成為技術(shù)的主流。因此LCOS技術(shù)在數(shù)碼相機(jī)、 數(shù)碼攝像機(jī)、投影機(jī)外、監(jiān)視器、大尺寸電視、移動(dòng)電話等應(yīng)用市場(chǎng)，都深 具發(fā)展?jié)摿Α?br> 現(xiàn)有硅基液晶顯示器微反射鏡的制作方法，如圖l所示，在包含驅(qū)動(dòng)電路 等結(jié)構(gòu)的硅基底101上用濺射方法形成金屬層102，其中金屬層的材料為鋁銅 合金(銅含量為0.5%);在金屬層102上涂覆光阻層104,對(duì)光阻層104進(jìn)行曝 光及顯影處理，形成開(kāi)口圖形107。
如圖2所示，以光阻層104為掩膜，蝕刻金屬層102,形成溝槽105。
如圖3所示，先對(duì)光阻層104進(jìn)行灰化處理；再用堿性溶液進(jìn)一步去除灰 化后殘留的光阻層104;用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法在金屬層102上形 成介質(zhì)層106,用于器件間的隔離，并且將介質(zhì)層106填滿溝槽105，由于介質(zhì) 層106沉積于金屬層102上和填滿溝槽105后的高度不一致，因此介質(zhì)層106在 溝槽105處有開(kāi)口 110,由于高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法的偏壓強(qiáng)為 2200W 2800W,使開(kāi)口 IIO的高寬比也不夠大，即開(kāi)口110寬度不夠大，為 10000埃 13000埃，同時(shí)；用旋涂法在介質(zhì)層106上形成光阻層111,由于光阻 層111的流動(dòng)性能要比介質(zhì)層106好，從而在溝槽105內(nèi)形成光阻層要比介質(zhì)層 上形成的厚，同時(shí)由于蝕刻介質(zhì)層106和蝕刻光阻層111的選擇比不同，這樣 在后續(xù)蝕刻工藝中，溝槽105與介質(zhì)層106界面處，不會(huì)因?yàn)楸煌耆g刻而造 成凹陷。如圖4所示，對(duì)光阻層111和介質(zhì)層106進(jìn)行等離子體化學(xué)蝕刻，形成微反 射鏡108陣列，由于蝕刻介質(zhì)層106速率和蝕刻光阻層111的蝕刻速率不同，同 時(shí)開(kāi)口 IIO寬度不夠大，蝕刻后使與溝槽105相鄰的金屬層102上殘留介質(zhì)層側(cè) 墻109。
在如下中國(guó)專利申請(qǐng)200310122960還可以發(fā)現(xiàn)更多與上述技術(shù)方案相關(guān) 的信息，用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣介層填充滿溝槽。
如圖5所示，用電子掃描顯微鏡(SEM)在放大倍數(shù)為100000倍時(shí)觀察微 反射鏡面，由于蝕刻介質(zhì)層的速率和蝕刻光阻層的速率不同，同時(shí)沉積介質(zhì) 層時(shí)，溝槽內(nèi)的介質(zhì)層比金屬層上的介質(zhì)層低，因此在溝槽上出現(xiàn)開(kāi)口，由 于高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法的偏壓為2200W 2800W時(shí)，在溝槽內(nèi)沉積 介質(zhì)層形成的開(kāi)口高寬比不夠大，即開(kāi)口寬度不夠大，蝕刻后使與溝槽相接 的金屬層上殘留介質(zhì)層側(cè)墻(橢圓內(nèi)所示)。
現(xiàn)有技術(shù)由于與溝槽相接的金屬層上殘留介質(zhì)層側(cè)墻，使微反射鏡面產(chǎn) 生漫反射，降低了微反射鏡的反射率，進(jìn)而影響微反射鏡的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法，防止 與溝槽相接的金屬層上產(chǎn)生殘留絕介質(zhì)層側(cè)墻。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供 一 種改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法， 包括下列步驟首先提供帶有金屬層的硅基底，所述金屬層中包含貫穿金屬 層的溝槽；在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層，所述沉積法的偏壓強(qiáng)為 3000W 3500W;在介質(zhì)層上形成光阻層；蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層， 形成微反射鏡陣列。
實(shí)施例中，所述沉積法為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法。所述高密度 等離子體化學(xué)氣相沉積法所需的氣體為SiH4、 02和Ar。所述沉積時(shí)間為50秒 70秒。所述沉積溫度為320°C 380°C。所述光阻層的厚度為800埃~1000 埃。
本發(fā)明提供一種制作硅基液晶顯示器的方法，包括下列步驟首先提供 包含晶體管和電容器的硅基底，在硅基底上依次形成有像素開(kāi)關(guān)電路層、導(dǎo) 電層、絕緣層及金屬層，所述金屬層中包含貫穿金屬層的溝槽；在金屬層上 及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層，所述沉積法的偏壓強(qiáng)為3000W 3500W;在介質(zhì)層上形 成光阻層；蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層，形成微反射鏡陣列。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，以上方案具有以下優(yōu)點(diǎn)在微反射鏡上及溝槽內(nèi)沉積 介質(zhì)層，所述沉積法的偏壓強(qiáng)為3000W 3500W。沉積法的偏壓強(qiáng)在為 3000W 3500W時(shí)，等離子體產(chǎn)生的濺射率較高，使介質(zhì)層在溝槽處的開(kāi)口高 寬比增大，即開(kāi)口寬度較大，開(kāi)口寬度為20000埃 25000埃，在后續(xù)蝕刻工 藝中在與溝槽相接的金屬層上不產(chǎn)生絕介質(zhì)層側(cè)墻，進(jìn)而減少了微反射鏡漫 反射，提高微反射鏡反射率。


圖1至圖4是現(xiàn)有制作硅基液晶顯示器微反射鏡的示意圖5是現(xiàn)有制作的硅基液晶顯示器微反射鏡的電鏡圖6是本發(fā)明改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的實(shí)施例流程圖7是本發(fā)明制作硅基液晶顯示器的實(shí)施例流程圖8至圖ll是本發(fā)明改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的實(shí)施例示意圖12是本發(fā)明實(shí)施例改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷后的電鏡圖13至圖20是本發(fā)明制作硅基液晶顯示器過(guò)程中改善微反射鏡間介質(zhì) 層缺陷的實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明在微反射鏡上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層，所述沉積法的偏壓強(qiáng)為
3000W 3500W。沉積法的偏壓強(qiáng)在為3000W 3500W時(shí)，等離子體產(chǎn)生的濺 射率較高，使介質(zhì)層在溝槽處的開(kāi)口高寬比較大，即開(kāi)口寬度較大，開(kāi)口寬 度為20000埃 25000埃，在后續(xù)蝕刻工藝中在與溝槽相接的金屬層上不產(chǎn)生 絕介質(zhì)層側(cè)墻，進(jìn)而減少了微反射鏡反射率。
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)方式做詳細(xì)的說(shuō)明。
圖6是本發(fā)明改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的實(shí)施例流程圖。如圖6所示， 執(zhí)行步驟SIOI,首先提供帶有金屬層的硅基底，所述金屬層中包含貫穿金屬 層的溝槽；執(zhí)行步驟S102,在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層，所述沉積法的 偏壓強(qiáng)為3000W 3500W;執(zhí)行步驟S103，在介質(zhì)層上形成光阻層；執(zhí)行步 驟S104,蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層，形成微反射鏡陣列。
圖7是本發(fā)明制作硅基液晶顯示器的實(shí)施例流程圖。如圖7所示，執(zhí)行 步驟S201，首先提供包含晶體管和電容器的硅基底，在硅基底上依次形成有 像素開(kāi)關(guān)電路層、導(dǎo)電層、絕緣層及金屬層，所述金屬層中包含貫穿金屬層 的溝槽；執(zhí)行步驟S202，在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層，所述沉積法的偏 壓強(qiáng)為3000W 3500W;執(zhí)行步驟S203，在介質(zhì)層上形成光阻層；執(zhí)行步驟 S204，蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層，形成微反射鏡陣列。
圖8至圖ll是本發(fā)明改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的實(shí)施例示意圖。如圖 8所示，在包含驅(qū)動(dòng)電路等結(jié)構(gòu)的硅基底201上用濺射方法形成厚度為1300 埃至3100埃，反射率在90%以上的金屬層202,其中金屬層202的材料為銅 鋁合金(銅含量為0.5%);在金屬層202上用旋涂法形成光阻層204,對(duì)光阻 層204進(jìn)行曝光及顯影處理，形成開(kāi)口圖形207。
本實(shí)施例中，金屬層202的具體厚度例如1300埃、1400埃、1500埃、 1600埃、1700埃、1800埃、1900埃、2000埃、2100埃、2200埃、2300埃、 2400埃、2500埃、2600埃、2700埃、2800埃、2900埃、3000?；?100埃等，其中優(yōu)選為3000埃。金屬層202的反射率最佳可達(dá)92%。
如圖9所示，以光阻層204為掩膜，用干法蝕刻法蝕刻金屬層202,直至 將金屬層202穿透，形成溝槽205。
如圖IO所示，用等離子體氧氣在溫度為240。C至280。C時(shí)，對(duì)光阻層204 進(jìn)行灰化處理；用PH值為10至11的NEKC溶液清洗灰化后殘留的光阻層 204;用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法，將偏壓強(qiáng)設(shè)置在3000W 3500W， 以加強(qiáng)等離子體產(chǎn)生的'減射率，在金屬層202上形成厚度為3000埃至4000 埃的介質(zhì)層206,所述介質(zhì)層206的材料優(yōu)選氧化硅，用于器件間的隔離，并 且將介質(zhì)層206填滿溝槽205,由于介質(zhì)層206沉積于金屬層202上和填滿溝 槽205后的高度不一致，因此介質(zhì)層206在溝槽205處有開(kāi)口 210,由于用高 密度等離子體化學(xué)氣相沉積法，將現(xiàn)有技術(shù)所用的偏壓強(qiáng)2200W 2800W增 大，設(shè)置為3000W 3500W，使開(kāi)口 210的高寬比增大，即開(kāi)口210的寬度從 現(xiàn)有的10000埃 13000埃增大至20000埃~25000埃；用旋涂法在介質(zhì)層206 上形成厚度為800埃 1000埃的光阻層211,由于光阻層211的流動(dòng)性能要比 介質(zhì)層206好，從而在溝槽205內(nèi)形成光阻層211要比介質(zhì)層206上形成的 厚，同時(shí)由于蝕刻介質(zhì)層206和蝕刻光阻層211的選擇比不同，這樣在后續(xù) 蝕刻工藝中，溝槽205內(nèi)的介質(zhì)層206不會(huì)因?yàn)檫^(guò)蝕刻而造成凹陷。
本實(shí)施例中，用等離子體氧氣在溫度為240。C 280。C時(shí)對(duì)光阻層204進(jìn)行 灰化處理，具體溫度例如240。C、 250。C、 260 。C、 270。C或280。C等。但是用 等離子體氧氣不能完全清除光阻層204,因此需要用堿性溶液去除殘留的光阻 層204。
本實(shí)施例中，所述高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法所需的氣體為SiH4、 02和Ar;沉積所需時(shí)間為50秒 70秒，具體例如50秒、60秒或70秒等； 沉積所需溫度為320。C 380。C,具體例如320。C、 330°C、 340°C、 350°C、 360°C、 370。C或380。C等。本實(shí)施例中，介質(zhì)層206的厚度具體例如3000埃、3200埃、3400埃、 3600埃、3800埃或4000埃等。
本實(shí)施例中，光阻層211的厚度具體例如800埃、850埃、900埃、950 ?；?000埃等。
如圖ll所示，對(duì)光阻層211和介質(zhì)層206進(jìn)行蝕刻至露出金屬層202,形成 微反射鏡面208陣列，由于介質(zhì)層206在溝槽205處的開(kāi)口210的高寬比增大， 即開(kāi)口210寬度增大。因此在后續(xù)蝕刻工藝中，在與溝槽邊緣相接的金屬層202 上不再產(chǎn)生介質(zhì)層側(cè)墻。
圖12是本發(fā)明實(shí)施例改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷后的電鏡圖。如圖12所 示，用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法在金屬層上形成介質(zhì)層，由于將偏壓 乂人2200W 2800W增大至3000W 3500W,使介質(zhì)層在溝槽處的開(kāi)口寬度從 10000埃 13000埃增大至20000埃 25000埃。因此，在后續(xù)蝕刻工藝中在與溝 槽相鄰的金屬層上不產(chǎn)生絕介質(zhì)層側(cè)墻。用電子掃描顯微鏡(SEM)在放大 倍數(shù)為80000倍時(shí)觀察微反射鏡間的介質(zhì)層，可以看到與溝槽邊纟^目鄰的金屬 層上平滑，沒(méi)有介質(zhì)層側(cè)墻。
圖13至圖20是本發(fā)明制作硅基液晶顯示器過(guò)程中改善微反射鏡間介質(zhì) 層缺陷的實(shí)施例示意圖。如圖13所示，首先在石圭基底301上形成像素開(kāi)關(guān)電 路層302,所述內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電路為MOS晶體管304和電容器305相串聯(lián)組成的 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，形成像素開(kāi)關(guān)電路層302，像素開(kāi)關(guān)電路層302包括層間絕 緣層306和鑲嵌在層間絕緣層306內(nèi)的接地墊層308、信號(hào)墊層309和連接墊 層310以及連接上、下導(dǎo)電層的通孔，所述接地墊層308接地信號(hào)，信號(hào)墊 層309是為驅(qū)動(dòng)電路的MOS晶體管304施加電壓，信號(hào)墊層309通過(guò)通孔和 下層驅(qū)動(dòng)電路的MOS晶體管304的漏端電連接，則MOS晶體管304的源端 和電容器305的一端通過(guò)連接墊層310和通孔相電連接(即為上電極)，第一 電容器的另一端通過(guò)通孔和接地墊層308電連接(即為下電極)。
9然后在層間絕緣層306上形成導(dǎo)電層312,所述導(dǎo)電層312為一層或者多 層導(dǎo)電材料構(gòu)成，比較優(yōu)化的導(dǎo)電層312依次采用金屬鈦、氮化鈦、鋁銅合 金、金屬鈥和氮化鈦組成的多層結(jié)構(gòu)，比較優(yōu)化的厚度范圍為1000埃至6000 埃。
如圖14所示，在導(dǎo)電層312上采用現(xiàn)有的光刻技術(shù)形成圖案化第一光阻 層(圖未示)；以第一光阻層為掩膜，采用現(xiàn)有蝕刻技術(shù)在導(dǎo)電層312中形成 島狀的連接鏡面墊層313和光屏蔽層312a，形成所述光屏蔽層312a的目的是 防止漏光進(jìn)入硅基片中的電路器件，則影響電路性能以及壽命，因此需要專 門(mén)用一層金屬來(lái)遮光。所述連接鏡面墊層313和光屏蔽層312a之間的間隙 313a使得連接鏡面墊層313和光屏蔽層312a相互絕緣隔離，所述連接鏡面墊 層313通過(guò)連接墊層310和通孔與像素開(kāi)關(guān)電路層的MOS晶體管304的源端 相電連接。
參照?qǐng)D15,去除第一光阻層；在光屏蔽層312a、連接鏡面墊層313上以 及間隙313a內(nèi)采用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)形成介電層314，由于 要填充滿間隙313a，在所述介電層314表面對(duì)著間隙313a處產(chǎn)生凹槽，所述 形成的介電層314的厚度范圍為200 nm至1000nm,介電層314的材料為氧 化硅、氮化硅、氮氧化硅以及他們的組合，也可以是由比如氧化鉿、氧化鋁、 氧化鋯等高k介質(zhì)組成的介電層314。
參照?qǐng)D16,用化學(xué)機(jī)械拋光法研磨介電層314直至將介電層314表面的 凹槽去除，使介電層314平坦化，進(jìn)而使后續(xù)沉積的膜層表面平整。
參照?qǐng)D17，采用現(xiàn)有光刻技術(shù)在介電層314上形成圖案化第二光阻層(未 圖示)；然后以第二光阻層為掩膜，蝕刻介電層314至露出連接鏡面墊層313, 形成開(kāi)口 320,所述開(kāi)口 320暴露出部分連接鏡面墊層313;用化學(xué)氣相沉積 法在介電層314上形成金屬鴒層319,且將金屬鴿層319填充滿開(kāi)口 320，形 成鴒插塞與連接鏡面墊層313連通。如圖18所示，用化學(xué)機(jī)械拋光法研磨金屬鎢層319至露出介電層314; 用濺射方法在介電層314上形成厚度為1300埃至3100埃，反射率在90%以 上的金屬層322,其中金屬層322的材料為銅鋁合金(銅含量為0.5%);在金 屬層322上用旋涂法形成光阻層324，對(duì)光阻層324進(jìn)行曝光及顯影處理，形 成開(kāi)口圖形326,在用以定義后續(xù)溝槽。
本實(shí)施例中，金屬層322的具體厚度例如1300埃、1400埃、1500埃、 1600埃、1700埃、1800埃、1900埃、2000埃、2100埃、2200埃、2300埃、 2400埃、2500埃、2600埃、2700埃、2800埃、2900埃、3000?；?100埃 等，其中優(yōu)選為3000埃。金屬層322的反射率最佳可達(dá)92%。
如圖19所示，以光阻層324為掩膜，用干法蝕刻法蝕刻金屬層322直至 露出介電層314，形成溝槽；用等離子體氧氣在溫度為240。C至28(TC時(shí)，對(duì) 光阻層324進(jìn)行灰化處理；用PH值為10至11的NEKC溶液清洗灰化后殘 留的光阻層324;用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法，將偏壓強(qiáng)設(shè)置在 3000W 3500W,以加強(qiáng)等離子體產(chǎn)生的濺射率，在金屬層322上形成厚度為 3000埃至4000埃的介質(zhì)層328,所述介質(zhì)層328的材料優(yōu)選氧化硅，用于器 件間的隔離，并且將介質(zhì)層328填滿溝槽，由于介質(zhì)層328沉積于金屬層322 上和填滿溝槽后的高度不一致，因此介質(zhì)層328在溝槽328處有開(kāi)口 329,由 于用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法，將現(xiàn)有技術(shù)所用的偏壓強(qiáng) 2200W 2800W增大，i殳置為3000W 3500W， 4吏開(kāi)口 329的高寬比增大，即 使開(kāi)口 329的寬度從現(xiàn)有的10000埃 13000埃增大至20000埃 25000埃；用 旋涂法在介質(zhì)層328上形成厚度為800埃~1000埃的光阻層330,由于光阻層 330的流動(dòng)性能要比介質(zhì)層328好，從而在溝槽內(nèi)形成光阻層330要比介質(zhì)層 328上形成的厚，同時(shí)由于蝕刻介質(zhì)層328和蝕刻光阻層330的選擇比不同， 這樣在后續(xù)蝕刻工藝中，溝槽內(nèi)的介質(zhì)層328不會(huì)因?yàn)檫^(guò)蝕刻而造成凹陷。
本實(shí)施例中，用等離子體氧氣對(duì)光阻層324進(jìn)行灰化的具體溫度例如240°C、 250°C、 260°C、 270。C或280。C等。但是用等離子體氧氣不能完全清除 光阻層324，因此需要用堿性溶液去除殘留的光阻層324。
本實(shí)施例中，所述高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法所需的氣體為SiH4、 02和Ar;沉積所需時(shí)間為50秒 70秒，具體例如50秒、60秒或70秒等； 沉積所需溫度為320。C 380。C ，具體例如320。C 、 330°C 、 340°C 、 350°C 、 360°C 、 370。C或380。C等。
本實(shí)施例中，介質(zhì)層328的厚度具體例如3000埃、3200埃、3400埃、 3600埃、3800?；?000埃等。
本實(shí)施例中，光阻層330的厚度具體例如800埃、850埃、900埃、950 埃或1000埃等。
如圖20所示，對(duì)光阻層330和介質(zhì)層328進(jìn)行蝕刻至露出金屬層322,形成 微反射鏡面332陣列，由于介質(zhì)層328在溝槽處的開(kāi)口329的高寬比增大，即開(kāi) 口329寬度增大。因此在后續(xù)蝕刻工藝中，在與溝槽邊緣相接的金屬層322上 不再產(chǎn)生介質(zhì)層側(cè)墻。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā) 明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法，其特征在于，包括下列步驟首先提供帶有金屬層的硅基底，所述金屬層中包含貫穿金屬層的溝槽；在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層，所述沉積法的偏壓強(qiáng)為3000W～3500W；在介質(zhì)層上形成光阻層；蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層，形成微反射鏡陣列。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法，其特征在于所 述沉積法為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法，其特征在于所 述高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法所需的氣體為SiH4、 02和Ar。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法，其特征在于所 述沉積時(shí)間為50秒 70秒。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法，其特征在于所 述沉積溫度為320°C 380°C。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法，其特征在于所 述光阻層的厚度為800埃 1000埃。
7. —種制作硅基液晶顯示器的方法，其特征在于，包括下列步驟 首先提供包含晶體管和電容器的石圭基底，在^^圭基底上依次形成有像素開(kāi)關(guān)電路層、導(dǎo)電層、絕緣層及金屬層，所述金屬層中包含貫穿金屬層的溝槽； 在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層，所述沉積法的偏壓強(qiáng)為3000W 3500W; 在介質(zhì)層上形成光阻層；蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層，形成微反射鏡陣列。
全文摘要
一種改善微反射鏡間介質(zhì)層缺陷的方法，包括下列步驟首先提供帶有金屬層的硅基底，所述金屬層中包含貫穿金屬層的溝槽；在金屬層上及溝槽內(nèi)沉積介質(zhì)層，所述沉積法的偏壓強(qiáng)為3000W～3500W；在介質(zhì)層上形成光阻層；蝕刻光阻層和介質(zhì)層至露出金屬層，形成微反射鏡陣列。本發(fā)明還提供一種制作硅基液晶顯示器的方法。介質(zhì)層在溝槽處的開(kāi)口高寬比及開(kāi)口寬度較大，在后續(xù)蝕刻工藝中在與溝槽相接的金屬層上不產(chǎn)生絕介質(zhì)層側(cè)墻，進(jìn)而減少了微反射鏡漫反射，提高微反射鏡反射率。
文檔編號(hào)C23C16/448GK101315502SQ20071004135
公開(kāi)日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2007年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月28日
發(fā)明者向陽(yáng)輝, 曾賢成 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司