專(zhuān)利名稱(chēng)：基片冷卻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
基片冷卻裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種基片冷卻裝置，特別涉及一種用于在鍍膜工藝中對(duì)鍍 膜基片進(jìn)行快速冷卻的基片冷卻裝置。背景技術(shù)：
在鍍膜工藝中，特別是在多層鍍膜工藝中， 一般都要求在中間過(guò)程中對(duì)基 片進(jìn)行快速冷卻，以便防止膜層高溫曝露在大氣中或者工藝引起基片反常升溫
而造成膜層損壞。眾所周知，熱量傳播方式有三種輻射、傳導(dǎo)和對(duì)流。由于 真空鍍膜過(guò)程中分子極度稀薄，對(duì)流帶走的熱量也極少。再由于基片與冷卻板 之間的溫差不是太高，所以輻射傳熱也很少。由于依靠輻射和對(duì)流的方式在真 空中進(jìn)行基片降溫，達(dá)不到快速降溫的目的，目前業(yè)界普遍采用傳導(dǎo)方式對(duì)真 空中的基片進(jìn)行降溫，即采用冷卻板與基片直接接觸的方式進(jìn)行降溫。這種接 觸式降溫方法利用冷卻板把基片的熱量帶走。而是這種傳導(dǎo)式降溫的缺點(diǎn)是 基片與冷卻板直接接觸，容易造成基片破損或表面劃傷。導(dǎo)致良品率下降。

實(shí)用新型內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有鍍膜工藝中的傳導(dǎo)降溫方法需要將基片與冷卻板直接接觸， 容易造成基片破損或表面劃傷的技術(shù)問(wèn)題。本實(shí)用新型提出一種基于輻射和/或 對(duì)流的能夠快速降溫的非接觸式基板冷卻裝置。
本實(shí)用新型解決現(xiàn)有鍍膜工藝中的傳導(dǎo)降溫方法需要將基片與冷卻板直接 接觸，容易造成基片破損或表面劃傷的技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是提供一 種基片冷卻裝置，該基片冷卻裝置包括密封的基片冷卻室；用于在基板冷卻 室中支撐并傳送基片的基片支撐架；至少一個(gè)冷卻板以及對(duì)至少一個(gè)冷卻板進(jìn) 行冷卻的冷卻系統(tǒng)；其中該至少一個(gè)冷卻板和基片之間成一定間隙，基片冷卻 裝置進(jìn)一步設(shè)置有用于輸入導(dǎo)熱氣體的氣體管道。
根據(jù)本實(shí)用新型 一優(yōu)選實(shí)施例，至少一個(gè)冷卻板為以 一定間隔相對(duì)兩塊冷 卻板，基片設(shè)置在兩塊冷卻板之間。
根據(jù)本實(shí)用新型 一優(yōu)選實(shí)施例，兩個(gè)冷卻板之間進(jìn)一步設(shè)置隔墊。
根據(jù)本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例，冷卻系統(tǒng)包括設(shè)置在冷卻板內(nèi)的用于傳輸
冷卻液體的冷卻通道；將冷卻通道連接到基片冷卻室外部的進(jìn)液管和出液管以 及對(duì)冷卻通道、用于循環(huán)進(jìn)液管和出液管內(nèi)的冷卻液體的低溫冷卻泵。
根據(jù)本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例，冷卻液體為溫度低于_ 160。C的超低溫冷卻液體。
根據(jù)本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例，導(dǎo)熱氣體為氦氣、氫氣或二者的混合物。 根據(jù)本實(shí)用新型 一優(yōu)選實(shí)施例，導(dǎo)熱氣體的流量保證基片冷卻室的真空度 為10托。
才艮據(jù)本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例，基片冷卻裝置進(jìn)一步包括對(duì)至少一個(gè)冷卻 板的溫度進(jìn)行感應(yīng)的溫度探頭。
本實(shí)用新型的有益效果是，通過(guò)采用上述結(jié)構(gòu)，將基片和冷卻板間隔設(shè)置 并利用導(dǎo)熱氣體的對(duì)流將基板上的熱量迅速帶到冷卻板上，由此對(duì)基片進(jìn)行快 速冷卻，同時(shí)冷卻時(shí)冷卻源不需要接觸基片，從而防止了基片表面劃傷，提高 了產(chǎn)品的良品率。

圖l是本實(shí)用新型基片冷卻裝置一實(shí)施例的截面示意圖； 圖2是本實(shí)用新型基片冷卻裝置另一實(shí)施例的截面示意圖； 圖3是圖2所示基片冷卻裝置的冷卻時(shí)間和基片溫度的關(guān)系曲線。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。 圖1所示，圖1是本實(shí)用新型基片冷卻裝置一實(shí)施例的截面示意圖。在本 實(shí)施例中，基片冷卻裝置l包括密封的基片冷卻室ll;用于在基板冷卻室ll 中支撐并傳送基片2的基片支撐架17;冷卻板12以及對(duì)冷卻板12進(jìn)行冷卻的 冷卻系統(tǒng)，在本實(shí)施例中，冷卻系統(tǒng)包括設(shè)置在冷卻板12內(nèi)的用于傳輸冷卻 液體的冷卻通道121;將冷卻通道121連接到基片冷卻室11外部的進(jìn)液管13和 出液管14以及用于循環(huán)冷卻通道121、進(jìn)液管13和出液管14內(nèi)的冷卻液體的 低溫冷卻泵15。此外，基片冷卻裝置1進(jìn)一步包括用于輸入導(dǎo)熱氣體的氣體管 道18和對(duì)冷卻板12的溫度進(jìn)行感應(yīng)的溫度探頭16。
使用時(shí)，使冷卻板12和基片2之間形成一定間隙，該間隙尺寸是1.25 mm
-5mm,優(yōu)選是2.25mm左右。利用冷卻通道121、進(jìn)液管13、出液管14以及低 溫冷卻泵15所形成低溫冷卻系統(tǒng)對(duì)冷卻板12進(jìn)行冷卻。其中，冷卻液體優(yōu)選 為溫度在-16(TC以下的超低溫冷卻液體， -使冷卻板12溫度降至-5(TC到-200°C (通常是-130°C)。氣體管道18放進(jìn)熱導(dǎo)熱系數(shù)比較高的導(dǎo)熱氣體， 一般采用 氦氣、氫氣或其混合氣體。導(dǎo)熱氣體的流量要保證基本冷卻室11內(nèi)的真空度達(dá) 到10托左右。在這個(gè)真空度下，氦氣或氫氣能夠使熱量的傳遞速度上升500%。 導(dǎo)熱氣體充滿基片2和冷卻板12中間并形成對(duì)流。高導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱氣體將基 片2的熱量迅速被帶到冷卻板12上，從而對(duì)基片2進(jìn)行快速冷卻，使基片2的 表面溫度迅速下降，從而達(dá)到基片2表面溫度迅速下降的工藝要求。
如圖2所示，圖2是本實(shí)用新型基片冷卻裝置另一實(shí)施例的截面示意圖。 在本實(shí)施例中，基片冷卻裝置3內(nèi)設(shè)置有以一定間隔相對(duì)的兩個(gè)冷卻板31、 33。 此外，在冷卻板31、 33之間進(jìn)一步設(shè)置隔墊32,該隔墊32的作用是保證對(duì)稱(chēng) 分布的兩塊冷卻板3溫度相同；其次是確?；?與冷卻板31、 32之間形成合 理的空隙。這種對(duì)稱(chēng)式設(shè)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)更快并且更均勻的降溫。
如圖3所示，圖3是圖2所示基片冷卻裝置的冷卻時(shí)間和基片溫度的關(guān)系 曲線。從圖3中可以看出，基片溫度隨時(shí)間迅速下降。
本實(shí)用新型利用-16(TC超低溫冷卻液體對(duì)冷卻板進(jìn)行冷卻，然后利用高導(dǎo) 熱系數(shù)刀刃氣體(氦氣或氫氣)的對(duì)流使基片的熱量迅速被帶到冷卻板上，從 而對(duì)基片進(jìn)行快速冷卻。在冷卻過(guò)程中，冷卻源(冷卻板)不需要接觸基片， 從而避免基片表面劃傷以提高產(chǎn)品的良品率。
在上述實(shí)施例中，僅對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了示范性描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人 員在不脫離本實(shí)用新型所保護(hù)的范圍和精神的情況下，可根據(jù)不同的實(shí)際需要 設(shè)計(jì)出各種實(shí)施方式。
權(quán)利要求1.一種基片冷卻裝置，所述基片冷卻裝置包括密封的基片冷卻室；用于在所述基板冷卻室中支撐并傳送基片的基片支撐架；至少一個(gè)冷卻板以及對(duì)所述至少一個(gè)冷卻板進(jìn)行冷卻的冷卻系統(tǒng)；其特征在于所述至少一個(gè)冷卻板和所述基片之間成一定間隙，所述基片冷卻裝置進(jìn)一步設(shè)置有用于輸入導(dǎo)熱氣體的氣體管道。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的基片冷卻裝置，其特征在于所述至少一個(gè)冷卻 板為以一定間隔相對(duì)兩塊冷卻板，所述基片設(shè)置在所述兩塊冷卻板之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基片冷卻裝置，其特征在于所述兩個(gè)冷卻板之 間進(jìn)一步設(shè)置隔墊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3所述的基片冷卻裝置，其特征在于所述冷卻 系統(tǒng)包括設(shè)置在所述冷卻板內(nèi)的用于傳輸冷卻液體的冷卻通道；將所述冷卻通 道連接到所述基片冷卻室外部的進(jìn)液管和出液管以及對(duì)所述冷卻通道、用于循 環(huán)所述進(jìn)液管和所述出液管內(nèi)的冷卻液體的低溫冷卻泵。
5. 才艮據(jù)權(quán)利要求4所述的基片冷卻裝置，其特征在于所述冷卻液體為溫 度低于-16(TC的超低溫冷卻液體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的基片冷卻裝置，其特征在于所述導(dǎo)熱氣體為氦 氣、氫氣或二者的混合物。
7. 4艮據(jù)權(quán)利要求1所述的基片冷卻裝置，其特征在于所述導(dǎo)熱氣體的流 量保證所述基片冷卻室的真空度為10托。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片冷卻裝置，其特征在于所述基片冷卻裝置 進(jìn)一步包括對(duì)所述至少 一個(gè)冷卻板的溫度進(jìn)行感應(yīng)的溫度探頭。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種基片冷卻裝置，該基片冷卻裝置包括密封的基片冷卻室；用于在基板冷卻室中支撐并傳送基片的基片支撐架；至少一個(gè)冷卻板以及對(duì)至少一個(gè)冷卻板進(jìn)行冷卻的冷卻系統(tǒng)；其中該至少一個(gè)冷卻板和基片之間成一定間隙，基片冷卻裝置進(jìn)一步設(shè)置有用于輸入導(dǎo)熱氣體的氣體管道。通過(guò)采用上述結(jié)構(gòu)，將基片和冷卻板間隔設(shè)置并利用導(dǎo)熱氣體的對(duì)流將基板上的熱量迅速帶到冷卻板上，由此對(duì)基片進(jìn)行快速冷卻，同時(shí)冷卻時(shí)冷卻源不需要接觸基片，從而防止了基片表面劃傷，提高了產(chǎn)品的良品率。
文檔編號(hào)C23C14/50GK201006893SQ20062001797
公開(kāi)日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2006年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月28日
發(fā)明者莊炳河, 生 許 申請(qǐng)人:深圳豪威真空光電子股份有限公司