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一種卷繞鍍膜機的制作方法

文檔序號:3252858閱讀:261來源:國知局
專利名稱:一種卷繞鍍膜機的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種真空鍍膜設備,尤其涉及一種真空卷繞連續(xù)鍍膜機。
背景技術(shù)
導電的金屬箔、高分子薄膜等柔性材料是真空鍍膜常用的基材,廣泛用于泡沫電極、柔性線路板、防護、裝飾、電磁屏蔽和防靜電等領(lǐng)域。這些柔性材料往往耐熱性能差,而通常的濺射和電弧等鍍膜的附著力強,為鍍膜工業(yè)所常用,卻因為其工藝發(fā)熱量大,限制了對耐熱性能差的基材鍍膜。
在已有技術(shù)中,如中國專利文獻CN2339589Y和CN02731450提出的“柔性卷繞鍍膜機”和“功能卷繞鍍膜機”等,所述的鍍膜機主要包括卷繞室、鍍膜室和輔助設備,鍍膜室主要由發(fā)射源和供氣管組成,輔助設備由排氣裝置、冷卻裝置等構(gòu)成。所采用的發(fā)射源多為平面圓形或矩形等,相對于工件的鍍膜長度來說都比較小,甚至小到相當于點發(fā)射源,難于實現(xiàn)大面積均勻鍍膜,還存在靶材的消耗不均勻等問題,造成浪費或鍍膜質(zhì)量不良等后果。
在本領(lǐng)域的已有的鍍膜設備中,均采用鍍膜靶包圍基材和以鍍膜腔體壁作為陽極結(jié)構(gòu),導致鍍膜靶的利用率低、污染大、膜-基之間的結(jié)合強度低和維護困難等問題,特別是雙面鍍膜很不方便。這些問題制約著卷繞鍍膜機的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型旨在克服卷繞鍍膜機的上述不足,提供一種低溫卷繞鍍膜機,可以在較小的蒸發(fā)功率下實現(xiàn)大面積均勻鍍膜,并可用于在不耐高溫的基材表面上單面或雙面鍍金屬或者化合物薄膜。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供了一種卷繞鍍膜機,用于柔性基材鍍膜,該卷繞鍍膜機包括真空鍍膜腔體和發(fā)射源,其中柔性基材在真空鍍膜腔體內(nèi)的傳送路徑部分或全部布置為U形半封閉或封閉空間,發(fā)射源設置在所述空間內(nèi)。其中U形開口方向可以向上、向下、向左、向右等。作為一種優(yōu)選方案,在所述的真空鍍膜腔體中設置有基材卷繞輥、冷卻輥和成品卷繞輥,所述的柔性基材可依次圍繞在所述的基材卷繞輥、冷卻輥和成品卷繞輥上,并形成所述的U形空間。所述的發(fā)射源設置在真空鍍膜腔體內(nèi),所述U形半封閉或封閉空間部分或全部地包圍所述發(fā)射源。從而使靶材的利用率高、對腔體污染少、便于維護。
優(yōu)選在真空鍍膜腔體中采用兩個以上分散設置的冷卻輥,對基材進行分散式冷卻,在鍍膜時間相對較長的工藝過程中,使剛開始升溫的基材溫度及時下降,以改善冷卻效果,防止溫度過高導致基材分解、變質(zhì)和放氣污染。
同時,所述的真空鍍膜腔體中設置有條狀離子源,對基體進行離子清洗,提高膜層與基體之間的結(jié)合力。
在所述的發(fā)射源之間優(yōu)選設置獨立陽極,使溫升降低;通過兩組或兩組一體電源,分別控制到達獨立陽極和鍍膜腔體壁的電子數(shù)量,以調(diào)控鍍膜空間內(nèi)等離子體(特別是其中的電子)分布、電場及溫度場分布等,提高鍍膜過程中工藝控制的穩(wěn)定性和工藝重現(xiàn)性。也可以只使用一組電源獨立連接在陰極靶與陽極之間。
發(fā)射源優(yōu)選定向發(fā)射的長柱形旋轉(zhuǎn)電弧或者長柱形旋轉(zhuǎn)磁控濺射,在較小的發(fā)射功率下實現(xiàn)大面積均勻鍍膜,并提高靶材利用率。
小功率定向發(fā)射源的發(fā)射方向指向柔性基材,發(fā)射源相對于柔性基材單向布置以單向鍍膜;或者發(fā)射源相對于柔性基材雙向布置,同時進行雙向鍍膜;便于選擇對基材進行雙面鍍膜或者單面鍍膜。
可沿上述發(fā)射源的表面法線方向,左右設置擋板(必要時通水冷卻)來形成與發(fā)射源對應的長條形孔,以降低發(fā)射源產(chǎn)生溫升對基體的影響。
由于采用上述的技術(shù)方案,本實用新型具有以下的有益效果按照本實用新型,采用基材包圍發(fā)射源和獨立陽極結(jié)構(gòu),使卷繞鍍膜機具有潔凈、高效、高質(zhì)量和成本低等特點;使用圓柱形或矩形的濺射或電弧定向長條發(fā)射源,可以在較小的發(fā)射功率下實現(xiàn)大面積均勻鍍膜;采用兩個以上的冷卻輥對基材進行分布式冷卻,以獲得更好的冷卻效果,適合于在不耐高溫的柔性基材表面沉積金屬、化合物和復合膜等高質(zhì)量的薄膜。


圖1為本實用新型卷繞鍍膜機的結(jié)構(gòu)示意圖。
1-真空鍍膜腔體,2-基材卷繞輥,3-條狀離子源,4-冷卻輥,5-發(fā)射源,6-獨立陽極,7-陽極電源,8-成品卷繞輥。
具體實施方式
現(xiàn)結(jié)合附圖對本實用新型做進一步的說明,但具體實施方式
中所描述的具體方案并不構(gòu)成對本發(fā)明保護范圍的限制。
參見圖1,在圓形或多邊形截面的真空鍍膜腔體1中,待鍍膜的柔性基材由基材卷繞輥2拉出后,可依次圍繞在冷卻輥4和成品卷繞輥8上,并形成幾處U形半封閉空間,所述的發(fā)射源5設置在真空鍍膜腔體1內(nèi),被基材大致包圍;從而使發(fā)射源5(濺射靶、電弧靶或其它蒸發(fā)源)的利用率高、對腔體污染少、便于維護;同時,真空鍍膜腔體1中設置有條狀離子源3,進行離子清洗,提高膜層與基材之間的結(jié)合力。
將發(fā)射源5的發(fā)射方向指向工件,相對于柔性基材單向布置以單向鍍膜;或者發(fā)射源5相對于柔性基材雙向布置,同時進行雙向鍍膜;發(fā)射源5優(yōu)選定向發(fā)射的長柱形旋轉(zhuǎn)電弧或者長柱形旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶,便于選擇雙面鍍膜工作模式或者單面鍍膜。
可沿上述發(fā)射源的表面法線方向,左右分別設置擋板(必要時通水冷卻)來形成與發(fā)射源對應的長條形孔,以降低發(fā)射源產(chǎn)生溫升對基體的影響。
本實用新型在發(fā)射源之間設置獨立陽極6,并通過兩組或兩組一體電源7,分別控制到達獨立陽極6和真空鍍膜腔體1壁的電子數(shù)量,以調(diào)控鍍膜空間內(nèi)等離子體(特別是其中的電子)分布、電場及溫度場分布等,提高鍍膜過程中工藝控制的穩(wěn)定性和工藝重現(xiàn)性;獨立陽極6可以降低鍍膜溫升。
如圖1所示,采用多個分布設置在真空鍍膜腔體中的多個冷卻輥4對基材進行分布式冷卻,在鍍膜時間相對較長的工藝過程中,使剛開始升溫的基材溫度及時下降,以改善冷卻效果,防止溫度過高導致基材分解、變質(zhì)和放氣污染。
按照本實用新型,采用基材包圍發(fā)射源和獨立陽極結(jié)構(gòu),使真空卷繞連續(xù)鍍膜機具有潔凈、高效、高質(zhì)量和成本低等特點;使用圓柱形或矩形的濺射或電弧定向長條發(fā)射源,可以在較小的發(fā)射功率下實現(xiàn)大面積均勻鍍膜,采用分布式冷卻方案適合于在不耐高溫的柔性基材表面沉積金屬、化合物和復合膜等高質(zhì)量的薄膜,具有顏色逼真、結(jié)合力強、耐候性好、成本低廉和適合大規(guī)模批量生產(chǎn)等多種優(yōu)點??蓮V泛用于帶狀海綿導電化處理、柔性電路板、裝飾、包裝、防護、防偽等行業(yè)及一些特殊領(lǐng)域。
權(quán)利要求1.一種卷繞鍍膜機,用于柔性基材鍍膜,該卷繞鍍膜機包括真空鍍膜腔體和發(fā)射源,其特征在于柔性基材在真空鍍膜腔體內(nèi)的傳送路徑部分或全部布置為U形半封閉或封閉空間,發(fā)射源設置在所述空間內(nèi)。
2.按照權(quán)利要求1所述的卷繞鍍膜機,其特征在于在所述的真空鍍膜腔體中設置有基材卷繞輥、冷卻輥和成品卷繞輥,所述的柔性基材可依次圍繞在所述的基材卷繞輥、冷卻輥和成品卷繞輥上,并形成所述U形空間;所述的發(fā)射源設置在所述真空鍍膜腔體內(nèi),所述U形空間部分或全部地包圍所述發(fā)射源。
3.按照權(quán)利要求2所述的卷繞鍍膜機,其特征在于所述冷卻輥為兩個以上分散設置的冷卻輥,對基材進行分散式冷卻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的卷繞鍍膜機,其特征在于在所述的發(fā)射源之間設有獨立陽極;所述的卷繞鍍膜機包括兩組或兩組一體的電源,分別控制到達獨立陽極和鍍膜腔體壁的電子數(shù)量。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的卷繞鍍膜機,其特征在于所述電源為一組電源獨立連接在陰極靶與陽極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的卷繞鍍膜機,其特征在于所述的發(fā)射源為定向發(fā)射的長柱形旋轉(zhuǎn)電弧或者長柱形旋轉(zhuǎn)磁控濺射靶。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞鍍膜機,其特征在于所述發(fā)射源的定向發(fā)射方向指向所述的柔性基材。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的卷繞鍍膜機,其特征在于所述發(fā)射源相對于柔性基材單向布置,進行單向鍍膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的卷繞鍍膜機,其特征在于所述發(fā)射源相對于柔性基材雙向布置,進行雙向鍍膜。
專利摘要本實用新型公開了一種卷繞鍍膜機,包括真空鍍膜腔體、柔性基材和多個發(fā)射源,在所述的真空鍍膜腔體中設置有基材卷繞輥、冷卻輥和成品卷繞輥,所述的柔性基材可依次圍繞在所述的基材卷繞輥、冷卻輥和成品卷繞輥上,并形成一U形半封閉或封閉空間,所述的發(fā)射源設置在真空鍍膜腔體內(nèi),所述空間部分或全部地包圍所述發(fā)射源。采用兩個以上的冷卻輥進行分布式冷卻,使發(fā)射源的利用率高、污染少、便于維護;同時,采用獨立陽極,通過兩組(或兩組一體)電源,分別控制到達獨立陽極和鍍膜腔體壁的電子數(shù)量,提高鍍膜過程中工藝控制的穩(wěn)定性和工藝重現(xiàn)性。適用于帶狀海綿導電化處理、柔性線路板、裝飾、包裝、防護、防偽等行業(yè)及一些特殊領(lǐng)域。
文檔編號C23C14/54GK2898056SQ20062000792
公開日2007年5月9日 申請日期2006年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月14日
發(fā)明者劉陽 申請人:北京實力源科技開發(fā)有限責任公司, 劉陽
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