專(zhuān)利名稱(chēng)：拋光裝置和拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種拋光裝置和拋光方法，更加具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及借助拋光帶來(lái)拋光基體如半導(dǎo)體晶片的一種拋光裝置和拋光方法。
背景技術(shù)：
至今，采用具有磨粒的拋光帶來(lái)拋光形成在半導(dǎo)體晶片中的凹槽部分。更加具體地說(shuō)，拋光帶與半導(dǎo)體晶片的凹槽部分產(chǎn)生接觸，并且沿著垂直于晶片表面的方向運(yùn)動(dòng)以拋光晶片凹槽部分。
在傳統(tǒng)的方法中，拋光帶在拋光負(fù)荷的作用下沿著晶片的凹槽部分進(jìn)行變形。拋光帶的邊緣部分根據(jù)拋光情況可以擦傷晶片的凹槽部分。相應(yīng)地，根據(jù)拋光情況，晶片在凹槽部分可以產(chǎn)生裂縫或者受到不均勻的拋光。此外，如果拋光帶沒(méi)有充分變形，那么接觸晶片的拋光帶區(qū)域減小了，以致難以進(jìn)行穩(wěn)定的拋光工作。在這種情況下，實(shí)現(xiàn)均勻的拋光是困難的。此外，不使用拋光帶的整個(gè)表面來(lái)進(jìn)行拋光是不經(jīng)濟(jì)的。此外，如果在拋光彎曲表面時(shí)接觸晶片的拋光帶的區(qū)域較小，那么晶片需要被分成許多較小區(qū)域，這些較小區(qū)域順序地被拋光。相應(yīng)地，完成該拋光過(guò)程需要許多時(shí)間。
因此，如果在拋光晶片的凹槽部分時(shí)不合適地設(shè)定拋光條件，那么產(chǎn)生了一些問(wèn)題如拋光帶的邊緣部分擦傷晶片或者不均勻地進(jìn)行拋光。為了克服這些問(wèn)題，可以使拋光帶變薄以符合凹槽部分的形狀。但是，在使拋光帶變薄時(shí)，對(duì)張力的阻力減小了。因此，拋光帶具有薄度限制。

發(fā)明內(nèi)容
由于上面缺點(diǎn)而產(chǎn)生了本發(fā)明。因此，本發(fā)明的第一目的是提供在沒(méi)有因?yàn)閽伖鈳У膾伖舛羵w的情況下可以均勻地、高速地拋光基體如半導(dǎo)體晶片的凹槽部分等等的一種拋光裝置和一種拋光方法。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種拋光裝置，該拋光裝置在沒(méi)有由于拋光而擦傷基體的情況下可以實(shí)現(xiàn)均勻的、高速的拋光。拋光裝置具有拋光帶；供給卷軸，用于把拋光帶供給到接觸部分中，在該接觸部分上，拋光帶與要被拋光的一部分基體產(chǎn)生接觸；及拾取卷軸，用于纏繞來(lái)自接觸部分的拋光帶。該拋光裝置還具有第一導(dǎo)向部分，具有導(dǎo)向表面以給來(lái)自供給卷軸的拋光帶導(dǎo)向，從而把拋光帶直接供給到接觸部分中；第二導(dǎo)向部分，具有導(dǎo)向表面以給直接從接觸部分供給來(lái)的拋光帶導(dǎo)向，從而把拋光帶供給到拾取卷軸中；及驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，它被構(gòu)造成使拋光帶和基體彼此相對(duì)進(jìn)行運(yùn)動(dòng)。第一導(dǎo)向部分的導(dǎo)向表面和第二導(dǎo)向部分的導(dǎo)向表面中的至少一個(gè)具有與要被拋光的該一部分基體的形狀相對(duì)應(yīng)的形狀。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種拋光方法，該方法在沒(méi)有由于拋光而擦傷基體的情況下可以實(shí)現(xiàn)均勻的、高速的拋光。根據(jù)這種拋光方法，拋光帶被供給到第一導(dǎo)向部分的導(dǎo)向表面中。拋光帶從第一導(dǎo)向部分的導(dǎo)向表面直接地供給到接觸部分中，在該接觸部分上，拋光帶與要被拋光的一部分基體產(chǎn)生接觸。拋光帶從接觸部分直接地供給到第二導(dǎo)向部分的導(dǎo)向表面中。借助第一導(dǎo)向部分的導(dǎo)向表面和第二導(dǎo)向部分的導(dǎo)向表面中的至少一個(gè)將一部分拋光帶變形，從而與要被拋光的該一部分基體的形狀相對(duì)應(yīng)。要被拋光的該一部分基體和拋光帶彼此相對(duì)進(jìn)行運(yùn)動(dòng)以拋光該一部分基體。
更加具體地說(shuō)，當(dāng)拋光帶與要被拋光的一部分半導(dǎo)體基體產(chǎn)生接觸，并且該基體和拋光帶彼此相對(duì)進(jìn)行運(yùn)動(dòng)以拋光該一部分基體時(shí)，一部分拋光帶變形從而與要被拋光的該一部分基體的形狀相對(duì)應(yīng)。例如，一部分拋光帶與形成在半導(dǎo)體基體的邊緣部分上的凹槽部分產(chǎn)生接觸，及拋光帶沿著垂直于基體表面的方向運(yùn)動(dòng)以拋光凹槽部分。那時(shí)，一部分拋光帶沿著拋光帶的寬度方向進(jìn)行變形從而與凹槽部分的形狀相對(duì)應(yīng)。
根據(jù)本發(fā)明，使拋光帶變形，從而在拋光一部分半導(dǎo)體基體之前與半導(dǎo)體基體的該一部分如凹槽部分的形狀相一致。因此，拋光帶很可能變成與要被拋光的基體的整個(gè)部分產(chǎn)生均勻接觸。相應(yīng)地，該基體不太可能由于拋光而被擦傷。因此，可以實(shí)現(xiàn)均勻的和高速的拋光。
結(jié)合附圖的下面描述使本發(fā)明的上面的和其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)變得更加清楚，這些附圖借助例子示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。


圖1是平面視圖，它示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的拋光裝置；圖2是沿著圖1的線II-II所截取的橫剖視圖；圖3是前視圖，它示出了圖1的拋光裝置中的拋光機(jī)構(gòu)；圖4是橫剖視圖，它示出了圖3的拋光機(jī)構(gòu)的第一導(dǎo)向部分；圖5是沿著圖3的線V-V所截取的橫剖視圖；圖6是平面視圖，它示出了在使用圖3的拋光機(jī)構(gòu)時(shí)在晶片的凹槽部分和拋光帶之間的接觸狀態(tài)；圖7是平面視圖，它示出了本發(fā)明第二實(shí)施例的拋光裝置；
圖8是后視圖，它示出了圖7的拋光裝置中的第一導(dǎo)向部分；圖9是沿著圖8的線IX-IX所截取的橫剖視圖；圖10是橫剖視圖，它示出了在圖7的拋光裝置中晶片的傾斜部分和拋光帶之間的接觸狀態(tài)；圖11是平面視圖，它示出了本發(fā)明第三實(shí)施例的拋光裝置；圖12A-12E是側(cè)橫剖視圖，它們示出了圖11的拋光裝置和晶片一起中的每個(gè)拋光頭部；圖13是晶片的邊緣部分的放大橫剖視圖；圖14是橫剖視圖，它示出了拋光頭部被設(shè)置成在圖11的拋光裝置中拋光晶片的邊緣部分的狀態(tài)；圖15是拋光頭部與晶片產(chǎn)生接觸的那一部分的放大橫剖視圖；圖16A和16B是透視圖，它們示出了生產(chǎn)本發(fā)明第三實(shí)施例的拋光裝置中的拋光頭部的方法；圖17A是后視圖，它示出了圖8的第一導(dǎo)向部分的變形；圖17B和17C是圖17A所示的第一導(dǎo)向部分的橫剖視圖；圖18A-18E是側(cè)橫剖視圖，它們示出了第三實(shí)施例的拋光頭部的變形；圖19是前視圖，它示出了圖3的拋光機(jī)構(gòu)的第一變形；圖20A是沿著圖19的線A-A所截取的橫剖視圖；圖20B是沿著圖19的線B-B所截取的橫剖視圖；圖20C是沿著圖19的線C-C所截取的橫剖視圖；圖21是平面視圖，它示出了在使用圖19的拋光機(jī)構(gòu)時(shí)在晶片的凹槽部分和拋光帶之間的接觸狀態(tài)；圖22是前視圖，它示出了圖3的拋光機(jī)構(gòu)的第二變形；圖23A是沿著圖22的線A-A所截取的橫剖視圖；
圖23B是沿著圖22的線B-B所截取的橫剖視圖；圖23C是沿著圖22的線C-C所截取的橫剖視圖；圖24是側(cè)橫剖視圖，它示出了圖3的拋光機(jī)構(gòu)的第三變形；及圖25是側(cè)橫剖視圖，它示出了操縱圖24的拋光機(jī)構(gòu)的狀態(tài)。
具體實(shí)施例方式
在下面參照?qǐng)D1到25詳細(xì)地描述本發(fā)明的拋光裝置的實(shí)施例。在圖1到25，相同或者相應(yīng)的零件用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示，并且沒(méi)有重復(fù)地描述。
圖1是示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的拋光裝置的平面視圖，及圖2是沿著圖1的線II-II所截取的橫剖視圖。本實(shí)施例中的拋光裝置用來(lái)拋光形成在半導(dǎo)體片的邊緣部分中的凹槽部分。拋光裝置具有用來(lái)拋光半導(dǎo)體片10的凹槽部分11的拋光機(jī)構(gòu)20，該凹槽部分11被水平地保持在工作臺(tái)(未示出)上。
如圖1和2所示那樣，拋光機(jī)構(gòu)20具有拋光帶21，該拋光帶具有磨粒；供給卷軸22，它把拋光帶21供給到接觸部分30中，在該接觸部分30上，拋光帶21與要拋光的一部分片10形成接觸；拾取卷軸23，它纏繞來(lái)自接觸部分30的拋光帶21；第一導(dǎo)向部分(導(dǎo)向輥)24，它給來(lái)自供給卷軸22的拋光帶21導(dǎo)向以把拋光帶21直接供給到接觸部分30中；及第二導(dǎo)向部分(導(dǎo)向輥)25，它給直接從接觸部分30所供給來(lái)的拋光帶21進(jìn)行導(dǎo)向，從而把拋光帶21供給到拾取卷軸23中。因此，從供給卷軸22中供給拋光帶21，該拋光帶21由第一導(dǎo)向部分24來(lái)導(dǎo)向，然后供給到接觸部分30中，從而與要被拋光的一部分晶片10形成接觸，隨后借助第二導(dǎo)向部分25來(lái)導(dǎo)向，及借助拾取卷軸23來(lái)纏繞。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25基本上具有相同的結(jié)構(gòu)。
在多個(gè)導(dǎo)向部分(導(dǎo)向輥)設(shè)置在供給卷軸22和接觸部分30之間或者設(shè)置在拾取卷軸23和接觸部分30之間的情況下，使接觸部分30設(shè)置于它們之間的、設(shè)置成最靠近拋光帶21上的接觸部分30的一對(duì)導(dǎo)向部分(導(dǎo)向輥)與上述第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25相對(duì)應(yīng)。
第一導(dǎo)向部分24設(shè)置在位于晶片10前表面上方的位置上，而第二導(dǎo)向部分25設(shè)置在位于晶片10后表面下方的位置上。拋光帶21沿著垂直于晶片10表面的方向在第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25之間延伸。一定的張力被施加到位于第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25之間的拋光帶21上，從而在接觸部分30上把拋光帶21壓靠在半導(dǎo)體晶片10的凹槽11上。整個(gè)拋光機(jī)構(gòu)20被構(gòu)造成，在這樣的狀態(tài)下借助驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未示出)沿著垂直方向(垂直于晶片10的表面的方向)進(jìn)行運(yùn)動(dòng)，以致拋光帶21與晶片10的凹槽部分11形成接觸。拋光液體供給噴嘴26設(shè)置在晶片10的上方和下方，從而把拋光液體(純水、酸或者堿)分別噴射到晶片10的前表面和后表面上。
圖3是示出了拋光機(jī)構(gòu)20的前視圖。如圖3所示那樣，第一導(dǎo)向部分24具有用來(lái)給拋光帶導(dǎo)向的導(dǎo)向表面241和一對(duì)法蘭242，這一對(duì)法蘭使導(dǎo)向表面241設(shè)置在它們之間。導(dǎo)向表面241不是平坦的而是彎曲的。更加具體地說(shuō)，設(shè)置在法蘭242之間的導(dǎo)向表面241具有與晶片10內(nèi)的凹槽部分11的凹形相對(duì)應(yīng)的凸形。
圖4是圖3的第一導(dǎo)向部分24的橫剖視圖，該導(dǎo)向部分借助垂直于拋光帶21的供給方向(圖3中的方向Z)的平面來(lái)剖開(kāi)。如圖4所示，第一導(dǎo)向部分24的導(dǎo)向表面241在垂直于拋光帶21的供給方向的橫截面上具有一定的曲率。更加具體地說(shuō)，第一導(dǎo)向部分24的導(dǎo)向表面241包括彎曲表面，該彎曲表面沿著拋光帶21的寬度方向進(jìn)行彎曲。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)向部分24的導(dǎo)向表面241和法蘭242相互形成一體。
在一定壓力下，拋光帶21鄰接彎曲的導(dǎo)向表面241。導(dǎo)向表面241的曲率在垂直于拋光帶21的供給方向的橫截面上不是零。相應(yīng)地，通過(guò)導(dǎo)向表面241的拋光帶21沿著拋光帶21的寬度方向進(jìn)行彎曲，如圖5所示那樣。更加具體地說(shuō)，拋光帶21在通過(guò)第一導(dǎo)向部分24之后沿著寬度方向被彎曲成弧形橫截面。
在拋光帶21因此而被彎曲時(shí)，如圖6所示，沿著寬度方向彎曲的拋光帶21與晶片10中的凹槽部分11的整個(gè)表面產(chǎn)生均勻接觸。在那種狀態(tài)下，拋光機(jī)構(gòu)20借助驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)沿著垂直方向進(jìn)行運(yùn)動(dòng)以通過(guò)拋光帶21均勻地拋光凹槽部分11。
以下面方式來(lái)纏繞拋光帶21。首先，以上述方式使具有一定長(zhǎng)度的拋光帶21彎曲。彎曲部分與晶片10的凹槽部分11產(chǎn)生接觸。借助拋光機(jī)構(gòu)20的振動(dòng)來(lái)拋光凹槽部分11。在拋光進(jìn)行一定的時(shí)間期間之后，只有拋光帶21的一定長(zhǎng)度被纏繞，因此最近所供給的、拋光帶21的一部分以上面方式被彎曲。因此，拋光帶21的該新部分與半導(dǎo)體晶片10的凹槽部分11產(chǎn)生接觸。重復(fù)這些過(guò)程，因此拋光帶21的新部分總是與凹槽部分21產(chǎn)生接觸。
此外，在借助拋光機(jī)構(gòu)20的振動(dòng)拋光凹槽部分11時(shí)，連續(xù)地、小量地供給拋光帶21。在這種情況下，不必中斷拋光過(guò)程來(lái)纏繞拋光帶21。
在本實(shí)施例中，用拋光機(jī)構(gòu)20來(lái)拋光晶片10。厚度為50μm且寬度為8mm的拋光帶被用作拋光帶21，在該拋光帶中，顆粒尺寸大小為#4000的鉆石研磨顆粒連接到聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹(shù)脂中。在以10mm/min的速度連續(xù)地供給拋光帶21時(shí)，進(jìn)行拋光。拋光帶21被供給到要被拋光的一部分(接觸部分30)中，因此在拋光帶21通過(guò)第一導(dǎo)向部分24之后，借助第一導(dǎo)向部分24變形的形狀得到保持。在供給側(cè)和拋光帶21的拉伸側(cè)之間施加張力。在1kgf的負(fù)荷作用下，使拋光帶21壓靠在晶片10的凹槽部分11上。拋光機(jī)構(gòu)20一分鐘30次地垂直振動(dòng)，從而因此拋光晶片10。其結(jié)果是，凹槽部分11得到滿意的拋光而不會(huì)由于拋光而被擦傷。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的拋光裝置，使用了具有彎曲導(dǎo)向表面241的第一導(dǎo)向部分24，并且在一定壓力的作用下使拋光帶21鄰接第一導(dǎo)向部分24。因此，在拋光之前，沿著半導(dǎo)體晶片10中的凹槽部分11的彎曲部分使拋光帶21彎曲。相應(yīng)地，拋光帶21可以與凹槽部分11的整個(gè)表面產(chǎn)生均勻接觸。其結(jié)果是，半導(dǎo)體晶片10的凹槽部分11變成不太可能由于拋光而被擦傷。因此，可以實(shí)現(xiàn)均勻的和高速的拋光。
圖7是平面視圖，它示出了本發(fā)明第二實(shí)施例的拋光裝置。本實(shí)施例的拋光裝置用來(lái)拋光處于晶片邊緣部分處的傾斜部分。拋光裝置具有用來(lái)拋光水平地保持在旋轉(zhuǎn)臺(tái)(未示出)上的半導(dǎo)體晶片10的傾斜部分12的拋光機(jī)構(gòu)50。
如圖7所示那樣，拋光機(jī)構(gòu)50具有拋光帶121，它具有研磨顆粒；供給卷軸122，它把拋光帶121供給到接觸部分130中，在該接觸部分處，拋光帶121與要被拋光的一部分晶片10產(chǎn)生接觸；拾取卷軸123，它纏繞來(lái)自接觸部分130的拋光帶121；第一導(dǎo)向部分54，它給來(lái)自供給卷軸122的拋光帶121進(jìn)行導(dǎo)向，從而把拋光帶121直接供給到接觸部分130中；第二導(dǎo)向部分(導(dǎo)向輥)55，它給直接從接觸部分130中所供給的拋光帶121進(jìn)行導(dǎo)向，從而把拋光帶121供給到拾取卷軸123中；拋光頭部58；及驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未示出)，它使旋轉(zhuǎn)臺(tái)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
半導(dǎo)體晶片10、供給卷軸122和拾取卷軸123可以繞著各自的軸相互平行地進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。拋光帶121由供給卷軸122來(lái)供給，借助第一導(dǎo)向部分54和第二導(dǎo)向部分55來(lái)導(dǎo)向，及借助拾取卷軸123來(lái)纏繞。半導(dǎo)體晶片10被構(gòu)造成以這樣的狀態(tài)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，以致在該臺(tái)被旋轉(zhuǎn)時(shí)，拋光帶121與晶片10的傾斜部分12產(chǎn)生接觸。
圖8是后視圖，它示出了第一導(dǎo)向部分54；及圖9是沿著圖8的線IX-IX所截取的橫剖視圖。如圖8和9所示那樣，第一導(dǎo)向部分54包括導(dǎo)向件541，它具有梯形橫截面；及一對(duì)柱形輥542和543，它們沿著導(dǎo)向件541的側(cè)表面設(shè)置。拋光帶121借助導(dǎo)向件541的上表面來(lái)導(dǎo)向并且借助輥542和543被壓靠在導(dǎo)向件541的側(cè)表面上。
通過(guò)這種布置，從供給卷軸122中所供給的拋光帶121通過(guò)第一導(dǎo)向部分54，從而變形成與晶片10的傾斜部分12的橫截面相同的形狀。然后，拋光帶121在接觸部分130處與晶片10的傾斜部分12產(chǎn)生接觸，在那里，拋光帶121借助拋光頭部58被壓靠在晶片10的傾斜部分12上。因此，如圖10所示那樣，拋光帶121與傾斜部分12的整個(gè)表面(邊緣表面，上部?jī)A斜部和下部?jī)A斜部)產(chǎn)生均勻接觸。在那個(gè)狀態(tài)下，傾斜部分12借助旋轉(zhuǎn)晶片10可以被有效地拋光。用來(lái)拋光的拋光帶121借助第二導(dǎo)向部分55恢復(fù)到基本上是平坦的形狀，然后借助拾取卷軸123來(lái)纏繞。
用本實(shí)施例的拋光機(jī)構(gòu)50來(lái)拋光晶片10。在以10mm/min的速度連續(xù)地供給拋光帶121時(shí)，拋光帶121被壓靠在晶片10的傾斜部分12上，在1kgf負(fù)荷的作用下，該晶片以500rpm進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從而拋光晶片10的傾斜部分12。其結(jié)果是，可以滿意地拋光晶片10的傾斜部分12。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的拋光裝置，由于拋光帶121被變形成與半導(dǎo)體晶片10的傾斜部分12相對(duì)應(yīng)，因此拋光帶121與傾斜部分12的整個(gè)表面產(chǎn)生接觸。相應(yīng)地，擦傷變得不太可能由拋光來(lái)產(chǎn)生，并且可以實(shí)現(xiàn)均勻的、高速的拋光。此外，可以同時(shí)拋光傾斜部分12的邊緣表面、上傾斜部和下傾斜部，因此拋光時(shí)間可以被縮短。
圖11是平面視圖，它示出了本發(fā)明第三實(shí)施例的拋光裝置。就第二實(shí)施例的拋光裝置而言，本實(shí)施例的拋光裝置用來(lái)拋光處于晶片邊緣部分的傾斜部分。拋光裝置具有用來(lái)拋光水平地保持在旋轉(zhuǎn)臺(tái)(未示出)上的半導(dǎo)體晶片10的傾斜部分12的拋光機(jī)構(gòu)150。
如在第二實(shí)施例的拋光裝置50的情況一樣，拋光機(jī)構(gòu)150具有，用于供給和纏繞拋光帶121(供給卷軸122和拾取卷軸123)的機(jī)構(gòu)；及使拋光帶121的形狀變形成與傾斜部分12的橫截面相同的形狀(第一導(dǎo)向部分54)的機(jī)構(gòu)。在上述第二實(shí)施例中，如圖7所示那樣，借助單一的拋光頭部58來(lái)拋光晶片10的傾斜部分12。在本實(shí)施例中，借助多個(gè)拋光頭部581-585來(lái)拋光晶片10的傾斜部分12。
更加具體地說(shuō)，本實(shí)施例的拋光裝置具有多個(gè)拋光頭部，更加具體地說(shuō)，是5個(gè)拋光頭部581-585。拋光頭部581-585以相同的間隔設(shè)置，從而繞著晶片的中心具有預(yù)定的角度。每個(gè)拋光頭部581-585具有這樣的機(jī)構(gòu)，即該機(jī)構(gòu)改變?cè)搾伖忸^部相對(duì)于晶片表面的角度，而與其它拋光頭部無(wú)關(guān)。更加具體地說(shuō)，5個(gè)拋光頭部581-585可以被設(shè)計(jì)成任意地調(diào)整它們的角度。此外，拋光負(fù)荷也可以獨(dú)立地設(shè)定。
圖12A到12E是側(cè)橫剖視圖，它們示出了圖11中的每個(gè)拋光頭部581-585和晶片10。如圖12A到12E所示那樣，5個(gè)拋光頭部581-585以預(yù)定角度與晶片10產(chǎn)生接觸。每個(gè)拋光頭部581-585把一部分拋光帶121壓靠在晶片10的一部分傾斜部分12上，該一部分拋光帶被變形成與傾斜部分12相同的形狀。在拋光帶121通過(guò)5個(gè)拋光頭部581-585時(shí)，可以拋光傾斜部分12的整個(gè)表面。
在變形成(彎曲成)梯形橫截面(它不包括沿著寬度方向的下側(cè))的拋光帶121中，如圖9所示，拋光帶121在梯形的三表面的邊緣處折疊。在這些折疊部分上可以產(chǎn)生不充分的拋光。相應(yīng)地，在本實(shí)施例中，拋光帶121在多個(gè)位置上被壓靠在晶片10上，從而可以完全地拋光上述這些邊緣。在逐漸從上表面轉(zhuǎn)換到晶片10下表面上的一些部分上擠壓拋光帶121。因此，在拋光帶121通過(guò)多個(gè)拋光頭部581-585時(shí)，拋光帶121可以平穩(wěn)地符合傾斜部分12，因此可以防止產(chǎn)生皺紋和折縫。
拋光頭部581-585可以獨(dú)立地把拋光帶121壓靠在晶片10上，并且也可以獨(dú)立地移離晶片10。例如，五個(gè)拋光頭部581-585中的三個(gè)可以被用來(lái)把拋光帶121壓靠在晶片10上，同時(shí)它們中的兩個(gè)與晶片10分離開(kāi)。此外，拋光頭部581-585可以被設(shè)計(jì)成任意地調(diào)整它們的角度。例如，所有五個(gè)拋光頭部581-585可以被設(shè)定成具有相同的角度。此外，拋光頭部581-585可以被如此地結(jié)合起來(lái)，以致它們中的兩個(gè)使拋光帶121壓靠在晶片10的上表面上，一個(gè)使拋光帶121壓靠在晶片10的側(cè)表面上，及兩個(gè)使拋光帶121壓靠在晶片10的下表面上。拋光頭部581-585可以被如此地形成，以致在該一部分晶片10通過(guò)第一拋光頭部581之后和在一部分晶片10通過(guò)最后的拋光頭部585之前，在從上表面、側(cè)表面和下表面移動(dòng)的部分上拋光晶片10。此外，借助合適地調(diào)整拋光頭部581-585的角度，晶片10可以通過(guò)拋光頭部581-585，因此依次地拋光了晶片10的側(cè)表面、上表面和下表面。
圖13是晶片10的邊緣部分的放大橫剖視圖。一般地，晶片10的傾斜部分12涉及晶片10的邊緣部分的傾斜部分B。設(shè)置在傾斜部分B的邊緣和上表面D之間的區(qū)域E(晶片10的裝置形成在該區(qū)域內(nèi))被稱(chēng)為邊緣部分。
圖14示出了這樣的例子，即在該例子中，拋光該邊緣部分E。更加具體地說(shuō)，如圖14所示那樣，五個(gè)拋光頭部中的中心拋光頭部583沿著垂直于中心軸線的方向被壓靠在晶片10上，其中該中心軸線沿著晶片10的厚度進(jìn)行延伸，從而拋光邊緣部分E。在這種情況下，具有較大帶寬的拋光帶用作拋光帶121，從而蓋住晶片10的邊緣部分。因此，拋光頭部可以被構(gòu)造成借助改變拋光頭部的角度來(lái)不僅拋光傾斜部分B而且也拋光邊緣部分E。相應(yīng)地，通過(guò)多個(gè)拋光頭部來(lái)同時(shí)拋光傾斜部分B和邊緣部分E。
在本實(shí)施例中，使用了五個(gè)拋光頭部581-585。在這五個(gè)拋光頭部的兩側(cè)上可以加入額外的拋光頭部，因此拋光機(jī)構(gòu)具有七個(gè)拋光頭部。兩個(gè)拋光頭部可以用來(lái)，在拋光期間借助改變拋光頭部的角度來(lái)拋光晶片的整個(gè)表面。因此，可以對(duì)拋光頭部進(jìn)行各種各樣的改進(jìn)。
圖15是拋光頭部581與晶片10產(chǎn)生接觸的一部分的放大橫剖視圖。如圖15所示那樣，拋光頭部581具有用來(lái)把拋光帶121壓靠在半導(dǎo)體晶片10上的彈性件59和用來(lái)支撐彈性件59的支撐件57。彈性件59由材料如橡膠或者海綿形成減少對(duì)晶片10的損害。在使用相同的拋光帶121時(shí)，借助改變彈性件59的硬度，可以調(diào)整拋光性能如拋光表面粗糙度、拋光率和拋光輪廓。
此外，具有不同彈性的彈性件59可以各自連接到多個(gè)拋光頭部581-585上。例如，拋光頭部可以使用軟的彈性件來(lái)把拋光帶121壓靠在晶片10的上表面上，而拋光頭部可以使用硬的彈性件來(lái)把拋光帶121壓靠在晶片10的側(cè)表面上。此外，在拋光頭部具有相同角度時(shí)，拋光頭部的彈性件的硬度可以變化從而在晶片10通過(guò)拋光頭部時(shí)改變拋光性能。
圖16A和16B是這樣的視圖，這些視圖示出形成拋光頭部的方式，彈性件59以該方式中連接到支撐件57上。如圖16A所示那樣，支撐件57具有形成來(lái)安裝彈性件59的那一部分。彈性件59被插入到支撐件57的下部中，如沿著橫向的箭頭所示那樣。如圖16B所示那樣，彈性件59被安裝在支撐件57的下部中以形成拋光頭部。因此所形成的拋光頭部具有即使由于在拋光期間晶片的旋轉(zhuǎn)或者帶的供給而施加橫向力也可以防止彈性件59在支撐件57的一側(cè)上移動(dòng)的結(jié)構(gòu)。
如上所述那樣，根據(jù)本發(fā)明的拋光裝置，通過(guò)可以調(diào)整相對(duì)于晶片10的角度的多個(gè)拋光頭部，可以進(jìn)行拋光以符合晶片10傾斜部分12的形狀。因此，可以調(diào)整晶片10的形狀。此外，在每個(gè)拋光頭部581-585中可以調(diào)整拋光負(fù)荷。相應(yīng)地，借助把拋光負(fù)荷設(shè)定成與拋光頭部581-585的角度相對(duì)應(yīng)，可以進(jìn)行拋光以與傾斜部分12的形狀相符合。因此，可以調(diào)整晶片10的形狀。
此外，提供彈性件59以把拋光帶121壓靠在晶片10上。對(duì)多個(gè)拋光頭部581-585中的每一個(gè)可以改變彈性件59的材料或者硬度。相應(yīng)地，當(dāng)晶片10通過(guò)拋光頭部581-585時(shí)，該硬度可以改變。因此，尤其可以控制晶片10的拋光粗糙度。
在這里，可以使用如圖17A到17C所示那樣的第一導(dǎo)向部分64，而不是上述第二和第三實(shí)施例中的第一導(dǎo)向部分54。如圖17A到17C所示那樣，第一導(dǎo)向部分64包括導(dǎo)向件641，它具有梯形橫截面；及兩對(duì)柱形輥642、643和644、645，這些輥沿著導(dǎo)向件641的側(cè)表面設(shè)置。兩對(duì)輥642、643和644、645沿著拋光帶121的供給方向設(shè)置。在這個(gè)例子中，拋光帶121借助導(dǎo)向件641的上表面來(lái)導(dǎo)向，該導(dǎo)向件641具有梯形橫截面，借助前面輥642和643來(lái)變形，及通過(guò)后面的輥644和645進(jìn)一步變形。因此，拋光帶121可以被變形以符合第三實(shí)施例中所示的五個(gè)拋光角度。
此外，如圖18A到18E所示的拋光頭部581-585可以用作第三實(shí)施例的拋光頭部的變形。在這個(gè)例子中，拋光頭部581-585的角度是固定的，但是在各自拋光頭部581-585的彈性件591-595中可以改變接觸拋光帶121的表面角度。因此，拋光帶121以各自的預(yù)定角度被壓靠在晶片10上。如上所述那樣，使拋光帶121壓靠在晶片10上的彈性件591-595的表面是傾斜的。這些彈性件591-595連接到拋光頭部581-585上。相應(yīng)地，可以方便地實(shí)現(xiàn)具有多個(gè)角度的拋光。因此，無(wú)需用來(lái)改變拋光頭部的角度的上述機(jī)構(gòu)。
圖19是前部視圖，它示出了上述第一實(shí)施例中的拋光機(jī)構(gòu)20的第一變形20a。拋光機(jī)構(gòu)20a采用了具有基本上是平坦的導(dǎo)向表面251的第二導(dǎo)向部分125，而不是圖3中所示的第二導(dǎo)向部分25，該導(dǎo)向部分125在垂直于拋光帶21的供給方向的橫截面上具有零曲率。其它零件與圖3所示的拋光機(jī)構(gòu)20相同。
通過(guò)這種布置，拋光帶21與第一導(dǎo)向部分24的彎曲導(dǎo)向表面241產(chǎn)生接觸，同時(shí)一定的張力被施加到拋光帶21上。相應(yīng)地，拋光帶21在第一導(dǎo)向部分24的附近沿著第一導(dǎo)向部分24的導(dǎo)向表面241彎曲成弧形，如圖20A所示那樣。此外，拋光帶21與基本上是平坦的、第二導(dǎo)向部分125的導(dǎo)向表面251產(chǎn)生接觸，同時(shí)一定的張力被施加到拋光帶21上。相應(yīng)地，拋光帶21沿著第二導(dǎo)向部分125的導(dǎo)向表面251在第二導(dǎo)向部分125附近基本上變成平坦的，如圖20C所示那樣。因此，在第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分125之間的拋光帶21從弧形21a變形成基本是平坦的形狀21c。在接觸晶片10的接觸部分處的拋光帶21在弧形形狀21a和基本上是平坦的形狀21c之間具有中間形狀21b，如圖20B所示那樣。
如圖21所示那樣，使拋光帶21從弧形形狀21a擴(kuò)寬成基本上是平坦的形狀21c的力F被施加到中間形狀21b上。相應(yīng)地，當(dāng)拋光帶21被壓靠在半導(dǎo)體晶片10的凹槽部分11上時(shí)，沿著寬度方向的拋光帶21的端部可靠地符合凹槽部分11。因此，即使晶片10中的凹槽部分11的形狀具有變形，但是拋光帶21可以可靠地符合凹槽部分11的形狀。
在圖19所示的例子中，第一導(dǎo)向部分24可以用第二導(dǎo)向部分125來(lái)互換。更加具體地說(shuō)，在垂直于拋光帶21供給方向的橫截面上曲率為零的、基本上是平坦的導(dǎo)向表面可以形成在第一導(dǎo)向部分中，及在垂直于拋光帶21供給方向的橫截面上曲率不為零的導(dǎo)向表面可以形成在第二導(dǎo)向部分中。這些結(jié)構(gòu)也可以實(shí)現(xiàn)與上面例子相同的效果。
圖22是前視圖，它示出了拋光機(jī)構(gòu)20的第二變形20b。拋光機(jī)構(gòu)20b采用了具有導(dǎo)向表面241a的第一導(dǎo)向部分124，而不是圖3所示的第一導(dǎo)向部分24，其中第一導(dǎo)向部分124在垂直于拋光帶21供給方向的橫截面的中心部分具有較大的曲率。其它元件與圖3所示的拋光機(jī)構(gòu)20相同。
如圖22所示那樣，第一導(dǎo)向部分124的導(dǎo)向表面241a具有弧形形狀，該形狀在垂直于拋光帶21供給方向的橫截面的中心部分處具有較大曲率；及線性形狀，它從弧形形狀的兩側(cè)延伸到法蘭242上。在這個(gè)例子中，第二導(dǎo)向部分25的導(dǎo)向表面在垂直于拋光帶21供給方向的橫截面上也具有不是零的曲率。第一導(dǎo)向部分124中的導(dǎo)向表面241a的中心部分處的曲率大于第二導(dǎo)向部分25中的導(dǎo)向表面的曲率。
通過(guò)這種布置，拋光帶21與第一導(dǎo)向部分124的彎曲導(dǎo)向表面241a產(chǎn)生接觸，同時(shí)一定張力被施加到拋光帶21上。相應(yīng)地，拋光帶21在第一導(dǎo)向部分124附近彎曲成弧形形狀，該弧形形狀沿著第一導(dǎo)向部分124的導(dǎo)向表面241a具有較大的曲率，如圖23A所示那樣。此外，拋光帶21與第二導(dǎo)向部分25的導(dǎo)向表面產(chǎn)生接觸，同時(shí)一定張力被施加到拋光帶21上。相應(yīng)地，拋光帶21在第二導(dǎo)向部分25附近彎曲成弧形形狀，該弧形形狀沿著第二導(dǎo)向部分25的導(dǎo)向表面具有較小曲率，如圖23C所示那樣。
因此，在第一導(dǎo)向部分124和第二導(dǎo)向部分25之間的拋光帶21從具有較大曲率的弧形形狀21d變形成具有較小曲率的弧形形狀21f。在接觸晶片10的接觸部分處的拋光帶21在弧形形狀21d和弧形形狀21f之間具有中間形狀21e，如圖23B所示那樣。
把拋光帶21從弧形形狀21d擴(kuò)寬到弧形形狀21f的力被施加到中間形狀21e中。相應(yīng)地，在拋光帶21被壓靠在半導(dǎo)體晶片10的凹槽部分11上時(shí)，沿著寬度方向的拋光帶21的端部可靠地符合凹槽部分11。因此，即使晶片10中的凹槽部分11的形狀具有改變，但是拋光帶21可以可靠地符合凹槽部分11的形狀。
如上所述，這種變形20b可以實(shí)現(xiàn)與前述第一變形20a相同的效果。在這個(gè)例子中，第一導(dǎo)向部分和第二導(dǎo)向部分的導(dǎo)向表面的曲率可以被調(diào)整從而把接觸部分處的拋光帶曲率調(diào)整到理想值。因此，拋光帶21可以可靠地符合凹槽部分11的形狀。在圖22所示的例子中，第一導(dǎo)向部分124可以用第二導(dǎo)向部分25來(lái)互換。
圖24是側(cè)橫剖視圖，它示出了拋光機(jī)構(gòu)20的第三變形20c。如圖24所示那樣，拋光機(jī)構(gòu)20c除了圖3所示的第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25之外還具有第三導(dǎo)向部分224和第四導(dǎo)向部分225。第三導(dǎo)向部分224被設(shè)置在第一導(dǎo)向部分24的上游，并且具有導(dǎo)向表面以給來(lái)自供給卷軸22拋光帶21導(dǎo)向，從而把拋光帶21直接供給到第一導(dǎo)向部分24中。此外，第四導(dǎo)向部分225設(shè)置在第二導(dǎo)向部分25的下游并且具有導(dǎo)向表面以給從第二導(dǎo)向部分25所直接供給來(lái)的拋光帶21導(dǎo)向從而把拋光帶21供給到拾取卷軸23中。
在只通過(guò)第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25來(lái)供給拋光帶21時(shí)，如圖3所示，根據(jù)拋光過(guò)程的進(jìn)展，拋光帶21可以從導(dǎo)向表面的中心部分滑動(dòng)到靠近每個(gè)法蘭的的部分中，因?yàn)榈谝粚?dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25的導(dǎo)向表面被彎曲。
圖24所示的第三導(dǎo)向部分224和第四導(dǎo)向部分225用來(lái)防止拋光帶21在第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25的導(dǎo)向表面上滑動(dòng)。第三導(dǎo)向部分224和第四導(dǎo)向部分225的導(dǎo)向表面在垂直于拋光帶21供給方向的橫截面上基本上是平坦的。如圖24所示那樣，在拋光帶21沒(méi)有與晶片10形成接觸時(shí)，拋光帶21從第三導(dǎo)向部分224的導(dǎo)向表面供給到第一導(dǎo)向部分24的導(dǎo)向表面中的方向基本上與拋光帶21從第一導(dǎo)向部分24的導(dǎo)向表面供給到第二導(dǎo)向部分25的導(dǎo)向表面中的方向相同。類(lèi)似地，在拋光帶21沒(méi)有與晶片10產(chǎn)生接觸時(shí)，拋光帶21從第一導(dǎo)向部分24的導(dǎo)向表面供給到第二導(dǎo)向部分25的導(dǎo)向表面中的方向基本上與拋光帶21從第二部分25的導(dǎo)向表面供給到第四導(dǎo)向部分225的導(dǎo)向表面中的方向相同。在因此而布置第三導(dǎo)向部分224和第四導(dǎo)向部分225時(shí)，可以防止拋光帶21在第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25的導(dǎo)向表面上滑動(dòng)。
在晶片10與拋光機(jī)構(gòu)20c相分離時(shí)，如圖24所示，第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25在導(dǎo)向表面的頂部上與拋光帶21形成滑動(dòng)接觸。在晶片10被壓靠在拋光帶21上(或者拋光帶21被壓靠在晶片10)時(shí)，如圖25所示那樣，拋光帶21借助第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25的導(dǎo)向表面沿著寬度方向彎曲。拋光帶21借助基本上平坦的第三導(dǎo)向部分224的導(dǎo)向表面被支撐在第一導(dǎo)向部分24的上游，并且借助基本上平坦的第四導(dǎo)向部分225的導(dǎo)向表面被支撐在第二導(dǎo)向部分25的下游。相應(yīng)地，可以防止拋光帶21在第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25的導(dǎo)向表面上滑動(dòng)。
在這個(gè)拋光機(jī)構(gòu)20c中，第一導(dǎo)向部分24和第二導(dǎo)向部分25的導(dǎo)向表面可以具有相同的曲率或者可以具有不同的曲率，從而應(yīng)付凹槽形狀的變形。
本發(fā)明不局限于前述實(shí)施例。例如，要拋光的一部分不局限于半導(dǎo)體晶片的凹槽部分或者傾斜部分并且可以是借助與拋光帶相接觸來(lái)拋光的任何部分。此外，在拋光半導(dǎo)體晶片的凹槽部分時(shí)拋光帶以滑動(dòng)接觸進(jìn)行運(yùn)動(dòng)的方向不局限于垂直晶片表面的方向，并且相對(duì)于垂直晶片表面的方向是傾斜的。
盡管詳細(xì)地示出和描述了本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施例，但是應(yīng)該知道，在沒(méi)有脫離附加權(quán)利要求的范圍的情況下可以進(jìn)行各種變形和改變。
本發(fā)明適合用在借助拋光帶來(lái)拋光基體如半導(dǎo)體晶片的拋光裝置中。
權(quán)利要求
1.一種拋光裝置，包括拋光帶；供給卷軸，用于把所述拋光帶供給到接觸部分中，在該接觸部分上，所述拋光帶與要被拋光的一部分基體產(chǎn)生接觸；拾取卷軸，用于纏繞來(lái)自接觸部分的所述拋光帶；第一導(dǎo)向部分，具有導(dǎo)向表面以給來(lái)自所述供給卷軸的所述拋光帶導(dǎo)向，從而把所述拋光帶直接供給到接觸部分中；第二導(dǎo)向部分，具有導(dǎo)向表面以給直接從接觸部分供給來(lái)的所述拋光帶導(dǎo)向，從而把所述拋光帶供給到所述拾取卷軸中；及驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，被構(gòu)造成使所述拋光帶和基體彼此相對(duì)進(jìn)行運(yùn)動(dòng)；其中，所述第一導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面和所述第二導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面中的至少一個(gè)具有與要被拋光的該一部分基體的形狀相對(duì)應(yīng)的形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面和所述第二導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面中的所述至少一個(gè)沿著所述拋光帶的寬度方向彎曲。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的拋光裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面和所述第二導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面在垂直于所述拋光帶的供給方向的橫截面上具有不同的曲率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面和所述第二導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面中的一個(gè)具有彎曲表面，該彎曲表面至少沿著所述拋光帶的寬度方向進(jìn)行彎曲；其中所述第一導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面和所述第二導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面中的另一個(gè)沿著所述拋光帶的寬度方向基本上是平坦的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，還包括第三導(dǎo)向部分和第四導(dǎo)向部分中的至少一個(gè)，其中第三導(dǎo)向部分具有導(dǎo)向表面，該導(dǎo)向表面沿著所述拋光帶的寬度方向基本上是平坦的，從而給來(lái)自所述供給卷軸的所述拋光帶導(dǎo)向，以把所述拋光帶直接供給到所述第一導(dǎo)向部分中；第四導(dǎo)向部分具有導(dǎo)向表面，該導(dǎo)向表面沿著所述拋光帶的寬度方向基本上是平坦的，從而給直接從所述第二導(dǎo)向部分供給來(lái)的所述拋光帶導(dǎo)向，以把所述拋光帶供給到所述拾取卷軸中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)向部分包括導(dǎo)向件，具有梯形橫截面，該梯形橫截面與所述拋光帶產(chǎn)生接觸；及一對(duì)輥，它們沿著所述導(dǎo)向件的表面設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，還包括至少一個(gè)拋光頭部，從而把所述拋光帶壓靠在要被拋光的該一部分基體上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的拋光裝置，其特征在于，所述拋光頭部包括用于把所述拋光帶壓靠在要被拋光的該一部分基體上的彈性件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，還包括用于把所述拋光帶以獨(dú)立設(shè)置的接觸角度壓靠在要被拋光的該一部分基體上的多個(gè)拋光頭部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光裝置，其特征在于，所述多個(gè)拋光頭部中的每一個(gè)具有用于把所述拋光帶壓靠在要被拋光的該一部分基體上的彈性件；其中所述多個(gè)拋光頭部的所述彈性件具有不同的彈性。
11.一種拋光方法，包括把拋光帶供給到第一導(dǎo)向部分的導(dǎo)向表面中；把所述拋光帶從所述第一導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面直接地供給到接觸部分中，在該接觸部分上，所述拋光帶與要被拋光的一部分基體產(chǎn)生接觸；把所述拋光帶從接觸部分直接地供給到第二導(dǎo)向部分的導(dǎo)向表面中；借助所述第一導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面和所述第二導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面中的至少一個(gè)使一部分所述拋光帶變形，從而與要被拋光的該一部分基體的形狀相對(duì)應(yīng)；及要被拋光的該一部分基體和所述拋光帶彼此相對(duì)進(jìn)行運(yùn)動(dòng)以拋光該一部分基體。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的拋光方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面和所述第二導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面中的所述至少一個(gè)沿著所述拋光帶的寬度方向彎曲。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的拋光方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面和所述第二導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面在垂直于所述拋光帶的供給方向的截面上具有不同的曲率。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的拋光方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面和所述第二導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面中的一個(gè)具有彎曲表面，該彎曲表面至少沿著所述拋光帶的寬度方向進(jìn)行彎曲，其中所述第一導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面和所述第二導(dǎo)向部分的所述導(dǎo)向表面中的另一個(gè)沿著所述拋光帶的寬度方向基本上是平坦的。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的拋光方法，其特征在于，要被拋光的該一部分基體包括形成在基體的邊緣部分上的凹槽部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的拋光方法，其特征在于，還包括借助至少一個(gè)拋光頭部把所述拋光帶壓靠在要被拋光的該一部分基體上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的拋光方法，其特征在于，所述拋光頭部通過(guò)彈性件把所述拋光帶壓靠在要被拋光的該一部分基體上。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的拋光方法，其特征在于，還包括借助多個(gè)拋光頭部以獨(dú)立設(shè)置的接觸角度把所述拋光帶壓靠在要被拋光的該一部分基體上。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的拋光方法，其特征在于，要被拋光的該一部分基體包括基體的傾斜部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的拋光方法，其特征在于，要被拋光的該一部分基體還包括基體的邊緣部分。
全文摘要
一種拋光裝置具有拋光帶(21)；供給卷軸(22)，用于把拋光帶(21)供給到接觸部分(30)中，在該接觸部分上，拋光帶(21)與基體(10)的凹槽部分(11)產(chǎn)生接觸；及拾取卷軸(23)，用于纏繞來(lái)自接觸部分(30)的拋光帶(21)。該拋光裝置還具有第一導(dǎo)向部分(24)，它具有導(dǎo)向表面(241)從而把拋光帶(21)直接供給到接觸部分(30)中；及第二導(dǎo)向部分(25)，它具有導(dǎo)向表面，從而把拋光帶(21)供給到拾取卷軸(23)中。第一導(dǎo)向部分(24)的導(dǎo)向表面(241)和/或第二導(dǎo)向部分(25)的導(dǎo)向表面具有與基體(10)的凹槽部分(11)的形狀相對(duì)應(yīng)的形狀。
文檔編號(hào)B24B21/00GK101040370SQ20058003480
公開(kāi)日2007年9月19日 申請(qǐng)日期2005年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月15日
發(fā)明者窪田壯男, 重田厚, 豐田現(xiàn), 高橋圭瑞, 福岡大作, 伊藤賢也 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝, 株式會(huì)社荏原制作所