專利名稱：有線基板支撐構(gòu)件和使用此構(gòu)件的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導體裝置的設(shè)備，并且具體而言涉及一種用于制造液晶顯示裝置的等離子設(shè)備的基板支撐構(gòu)件。
背景技術(shù)：
具有輕便性和低能耗的平板顯示(FPD)裝置已成為在現(xiàn)今信息時代被越來越多人所研究的課題。在各種類型的FPD裝置中，由于其具有高分辨率、顯示彩色圖像的能力和高質(zhì)量圖像顯示的優(yōu)點，液晶顯示(LCD)裝置通常被用于筆記本電腦和臺式電腦中。
一般而言，LCD裝置是無輻射裝置，其具有一個陣列基板、一個彩色過濾基板和一個插在所述陣列基板與所述彩色過濾基板之間的液晶層，并且其利用液晶層的光學各向異性來顯示圖像。另外，LCD裝置是通過重復下列步驟制成的將一個薄膜沉積到一個基板上的沉積步驟、使用一個光阻的光微影步驟、一個選擇性蝕刻步驟和對于所述基板的清潔步驟。LCD裝置制造過程的這些步驟在最佳狀態(tài)下可通過使用一個處理腔來執(zhí)行。一個其中的源氣體被高頻電源(high frequency power)激發(fā)為等離子態(tài)基團的等離子設(shè)備適用于LCD裝置的沉積、蝕刻和清潔步驟。目前，等離子增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備已被廣泛地用作等離子設(shè)備。
圖1為圖示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)用于液晶顯示裝置的等離子設(shè)備的橫截面示意圖。在圖1中，一個等離子設(shè)備包括一個具有蓋112和腔體114的處理腔100。穿過蓋112的中間部分和蓋112下方的墊板(未圖示)形成一個進氣管122。在所述墊板下方形成一個具有多個通孔(未圖示)的噴頭120。因此，源氣體被通過進氣管122注入到噴頭120中并通過所述多個通孔擴散到處理腔100中的基座130上方的空間。由于包括所述墊板和噴頭120的氣體擴散部件被連接到一個高頻(例如，射頻)電源部件124，所以源氣體被激發(fā)成等離子態(tài)。例如，所述氣體擴散部件的噴頭120可作為上電極以獲得等離子態(tài)的源氣體。此外，腔體114具有用于轉(zhuǎn)移基板“S”的槽閥146。
將基座130安置在腔體114中。在基板“S”被轉(zhuǎn)移到處理腔100中之后，基板“S”被放置在基座130上。一個用于在制造過程中加熱基板“S”的加熱器(未圖示)在基座130中形成并且連接到一個外部電源(未圖示)。例如，基座130可充當下電極以獲得等離子態(tài)的源氣體。一個基座支撐件134從基座130的后部中心部分延伸并且一個如發(fā)動機等的基座驅(qū)動部件144被連接到所述基座支撐件134以上下移動基座130。此外，穿過腔體114底部形成一個排氣管142。所述排氣管142連接到一個真空泵(未圖示)以排出在制造過程之后處理腔100中的剩余氣體和顆粒。
形成多個頂升銷150以垂直穿透基座130?；濉癝”由多個頂升銷150來支撐，并且在制造過程之前將基板“S”從一個機械臂(未圖示)轉(zhuǎn)移到基座130，并且在制造過程之后，將其從基座130轉(zhuǎn)移到所述機械臂。因此，當基板“S”被移入并移出處理腔100時，通過驅(qū)動部件144上下移動基座130，并且多個頂升銷150突出并凹進基座130的頂表面。結(jié)果，基板“S”被從多個頂升銷150轉(zhuǎn)移到基座130，反之亦然。
圖2A到2C為圖示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)用于液晶顯示裝置的等離子設(shè)備中的基板轉(zhuǎn)移過程的橫截面示意圖。在圖2A中，機械臂160上的基板“S”被移入處理腔100(圖1)并且被放置在基座130上。多個頂升銷150通過多個頂升銷孔136在基座130的頂表面上突出，并且基板“S”的底表面與多個頂升銷150相分離。接著，基板“S”通過向下移機械臂160接觸多個頂升銷150。
在圖2B中，機械臂160返回到處理腔100(圖1)的外部并且基板“S”由在基座130頂表面上突出的多個頂升銷150來支撐。
在圖2C中，由于基座130是通過一個基座驅(qū)動部件144(圖1)而被向上移動的，因而多個頂升銷150通過多個頂升銷孔136相對地向下移動。從而，所述基板“S”放置在基座130的頂表面上。頂升銷150在上部150a處具有比其他部分更大的直徑以防止頂升銷150與基座130的頂升銷孔136完全分離。類似地，頂升銷孔136同樣在上部136a處具有比其他部分更大的直徑。
盡管未圖示，其上具有基板“S”的基座130向上移動到處理腔100(圖1)的一反應區(qū)中，并且歸因于源氣體、高頻電源和熱而在基板“S”上形成一個薄膜。在薄膜形成后，通過向下移動基座130使得基板“S”被多個頂升銷150所支撐。接著，將機械臂160放置在基板“S”與多個頂升銷150之間并且基板“S”隨后被移出處理腔100(圖1)。
由于通過其中具有加熱器的基座形成所述多個頂升銷，所以在制造過程中，加熱器的熱會使多個頂升銷產(chǎn)生缺陷。具體而言，鄰近加熱器的頂升銷容易因高溫而破裂。另外，當基板被放置在多個頂升銷上時，所述基板可能由于滑動超過一個預定位置而產(chǎn)生缺陷。目前，隨著基板尺寸的增加，需要更多的頂升銷來支撐基板。當穿過基座中心位置的頂升銷有缺陷時，所述基板的相應中心部分便不受支撐，借此所述基板會彎折或破裂。
此外，由于基座具有對應于多個頂升銷的多個頂升銷孔，所以來自基座中加熱器的熱可通過多個頂升銷孔被釋放且并非完全傳遞到基板上。因而，不會獲得薄膜的最優(yōu)制造過程。另外，由于與多個頂升銷孔相鄰部分的等離子密度不同于其他部分，所以所述基板上的薄膜厚度不均勻。薄膜的不均勻厚度會使所得的LCD裝置粗劣。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明針對一種使用一個基板支撐構(gòu)件的等離子設(shè)備，其大體上排除了由相關(guān)技術(shù)的局限和缺陷所產(chǎn)生的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種有線基板支撐構(gòu)件和使用所述基板支撐構(gòu)件的等離子設(shè)備。
本發(fā)明的另一目的是提供一種基板支撐構(gòu)件和使用所述基板支撐構(gòu)件的等離子設(shè)備，其中制造過程的均勻性得到改進。
本發(fā)明的又一目的是提供一種基板支撐構(gòu)件和使用所述基板支撐構(gòu)件的等離子設(shè)備，其中在制造過程中，向基板均勻地傳遞熱并且均勻地形成等離子。
本發(fā)明的額外特征和優(yōu)勢將在隨后的描述中被陳述，并且從描述中可了解其部分內(nèi)容或通過實踐本發(fā)明而被了解。通過在所描述和其權(quán)利要求書以及隨圖所指出的特定結(jié)構(gòu)將了解并獲得本發(fā)明的目標和其他優(yōu)勢。
為達到這些和其他優(yōu)勢，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如所實施和廣泛描述的，一種用于支撐基板的構(gòu)件包括一個基座、一個在所述基座上方的支撐框架；和至少一個連接到所述支撐框架的線。
在另一方面，一種設(shè)備包括一個用于處理一個基板的處理腔；一個在所述處理腔中的基座；一個在所述基座上方的支撐框架；和至少一個連接到所述支撐框架的線。
另一方面，一種設(shè)備包括一個用于處理基板的處理腔、一個在所述處理腔中的基座、在所述基座上方的多條線，所述多條線連接到側(cè)壁與處理腔底表面的中的一個上，和一個連接到每條線的一端的張力控制部件。
另一方面，一種轉(zhuǎn)移設(shè)備中的基板的方法包括a)將一個其上具有基板的機械臂移入設(shè)備的一個處理腔中，所述機械臂安置在一個支撐框架的上方，多條線連接到所述支撐框架且一個基座在處理腔中的支撐框架下方；b)向下移動機械臂以使基板被多條線支撐；c)將機械臂移出處理腔；和d)向上移動基座以使基板被基座支撐。
應明了上文的概括性描述和下文的詳細描述都是示范性和說明性的，并且其旨在如權(quán)利要求書所主張的提供對本發(fā)明的進一步解釋。


所包括的用以提供對本發(fā)明的進一步理解且成為本說明書的組成部分的

了本發(fā)明的實施例且所述描述用以揭示本發(fā)明的原理。在所述附圖中圖1為圖示根據(jù)相關(guān)技術(shù)用于液晶顯示裝置的等離子設(shè)備的橫截面示意圖；圖2A到2C為圖示根據(jù)相關(guān)技術(shù)用于液晶顯示裝置的等離子設(shè)備中的基板轉(zhuǎn)移處理的橫截面示意圖；圖3為圖示根據(jù)本發(fā)明的一個示范實施例的等離子設(shè)備的橫截面示意圖；圖4A和4B分別為圖示根據(jù)本發(fā)明的一個示范實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的平面透視示意圖；圖5為沿圖4A的V-V線截取的橫截面示意圖；圖6A到6F為圖示根據(jù)本發(fā)明的一個示范實施例的一種轉(zhuǎn)移等離子設(shè)備中基板的方法的透視示意圖；圖7A到7F為圖示根據(jù)本發(fā)明的一個示范實施例的一種轉(zhuǎn)移等離子設(shè)備中基板的方法的橫截面示意圖；圖8為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的透視示意圖；圖9A到9B為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的轉(zhuǎn)移等離子設(shè)備中基板的方法的透視示意圖；圖10為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的等離子設(shè)備的橫截面示意圖；圖11為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的透視示意圖；圖12A到12D為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的轉(zhuǎn)移等離子設(shè)備中基板的方法的橫截面示意圖；圖13為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的等離子設(shè)備的橫截面示意圖；圖14A到14B分別為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的平面透視示意圖；圖15A到15B分別為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的平面透視示意圖；圖16A到16B為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的平面透視示意圖；圖17A到17F為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的轉(zhuǎn)移等離子設(shè)備中基板的橫截面示意圖；圖18和圖19為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的橫截面平面示意圖；圖20A到20F為轉(zhuǎn)移在具有圖18和19的基板支撐部件的等離子設(shè)備中基板的方法的橫截面示意圖；圖21A為圖示根據(jù)本發(fā)明的一個示范實施例的等離子設(shè)備中的基座和基板的橫截面示意圖；圖21B為圖示在圖21A基板上的薄膜的厚度的圖示；圖22和圖23為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的等離子設(shè)備中的基座的平面示意圖；圖24A為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的等離子設(shè)備中的基座和薄膜的橫截面示意圖；和圖24B為圖示在圖24A基板上的薄膜的厚度的圖示。
圖25A和25B為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例的在等離子設(shè)備中的基座中的多個線凹槽的橫截面示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)以優(yōu)選實施例詳細解釋參考，參考的實例在隨圖中說明。
因為本發(fā)明涉及諸如等離子增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備和蝕刻器的等離子設(shè)備，其中處理氣體在腔室中被激發(fā)成等離子態(tài)并且接觸基板，所以所述等離子設(shè)備可為用于液晶顯示(LCD)裝置或半導體裝置的制造設(shè)備。另外，基板可為用于LCD裝置的玻璃基板，或用于半導體裝置的晶片。
圖3為根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的等離子設(shè)備的橫截面示意圖。
在圖3中，等離子設(shè)備具有包括蓋312和腔體314的處理腔300。穿過蓋312的中心部分和蓋312下方的墊板(未圖示)形成一個進氣管322。具有多個通孔(未圖示)的噴頭320形成在墊板下方。因此，源氣體通過進氣管322而注入到噴頭320并且通過多個通孔擴散到處理腔中的基座330上方的空間中。因為包括所述墊板和噴頭320的氣體擴散部件被連接到高頻(如，射頻)電源部件324上，所以源氣體被激發(fā)成等離子態(tài)。例如，氣體擴散部件的噴頭320可以充當上電極以獲得源氣體的等離子態(tài)。另外，腔體314具有用于轉(zhuǎn)移基板“S”的槽閥346。在另一個示范性實施例中，源氣體通過處理腔300的側(cè)壁而注入到處理腔300中，并且氣體擴散部件可由一種在基座330的邊界部分上方的注射器類型而形成。
將基座330安置在腔體314中并且與噴頭320相分離。在基板“S”轉(zhuǎn)移到處理腔300中之后，基板“S”被放置在基座330上。一個連接到外部電源(未圖示)的加熱器(未圖示)在基座330中形成以在制造過程中加熱基板“S”。例如，基座330可以充當下電極以獲得源氣體的等離子態(tài)?；С屑?34從基座330的后部中心部分垂直延伸并且諸如發(fā)動機的基座驅(qū)動部件334連接到基座支撐件334以上下移動基座330。另外，通過腔體314的底部部分形成排氣管342。排氣管342連接到一個真空泵(未圖示)以排出處理腔300中的剩余氣體和粒子。
特別地，包括線352(圖4A)的基板支撐部件350安置在基座330上方。線352橫穿處理腔300的內(nèi)部空間并且支撐基板“S”。
圖4A和4B分別為圖示根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例中的等離子設(shè)備中的支撐部件的平面透視示意示。
在圖4A和4B中，基板支撐部件350包括多條線352、支撐框架354和支撐框架終端359。多條線352包括一條第一線352a和一條跨越第一線352a的第二線352b，并且支撐框架354具有包括第一、第二、第三和第四邊354a、354b、354c和354d的矩形形狀。根據(jù)在另一個實施例中具有不同形狀的基板，支撐框架354可以具有不同形狀。每條線352的兩端分別連接到支撐框架354的相對邊。支撐框架終端359在處理腔300(圖3)的側(cè)壁上形成，并且支撐框架354被放置在支撐終端359上。
當基板從(圖3的)處理腔300的外部轉(zhuǎn)移到基座330以及從基座330轉(zhuǎn)移到處理腔300(圖3)的外部時，多條線352大體接觸并支撐基板。例如，當基板具有包括兩個長邊和兩個短邊的矩形形狀時，多條線352可能包括與基板長邊平行的第一線352a和與基板短邊平行的第二線352b。第一線352a可對應于基板的長邊緣部分，并且第二線352b可對應于與處理腔300(圖3)的槽閥346(圖3)相對的基板短邊緣部分。第一線352a可能具有一條對應于基板中心部分的第一線。然而，當使用一條第一線時，由于在多條線352與基板330之間的轉(zhuǎn)移期間基板傾斜，基板可能產(chǎn)生缺陷。因此，至少兩條對稱第一線352a可以用作沿與基板長邊平行方向的多條線352。
多條線352可以具有預定張力，用于以具有第一、第二、第三和第四邊354a、354b、354c和354d的支撐框架來支撐基板。例如，第一線352a可以連接到第二和第四邊354b和354d，而第二線352b可以連接到第一和第三邊354a和354c。當支撐框架具有預定厚度時，多條線352可以連接到支撐框架354的頂部、中間和底部部分中的一個。另外，支撐框架354的一個邊具有開口部分358以便其上具有基板“S”(圖3)的機械臂360(圖6A)可以移入和移出在基座330上方的支撐框架354。因此，開口部分358可以在鄰近槽閥346(圖3)的第四邊354d的中心部分形成。
在另一個實施例中，支撐框架354可以通過諸如螺釘和螺母的固定構(gòu)件直接連接到處理腔300(圖3)。在這個實施例中，支撐框架354放置在在處理腔300(圖3)的側(cè)壁上形成的支撐框架終端359上。例如，支撐框架終端359可以形成在除了對應于第四邊354d和槽閥346(圖3)的部分之外的對應于第一、第二和第三邊354a、354b和354c的側(cè)壁的三個部分上。
圖5為沿圖4的AV-V線截取的橫截面示意圖。
如圖5所示，多條線352安置在腔體314中的基座330上方，并且連接到基座330的邊界部分上方的支撐框架354上。支撐框架354接觸并且被放置在腔體314內(nèi)表面上形成的固定構(gòu)件359上。另外，邊緣框架362可以安置在支撐框架354和多條線352上方。邊緣框架362可以覆蓋基板“S”(圖3)并且可以放置在腔體314內(nèi)表面上形成的邊緣框架終端364上。
在另一個實施例中，可以形成支撐框架354不與基座330重疊。在這個此實施中，因為支撐框架354與基座330重疊，所以當基座330向上移動時，支撐框架354接觸基座330的邊界部分。因此，當其上具有基板“S”的基座330(圖3)與支撐框架354和多條線352一起向上和下移動時，支撐框架354被基座330所支撐。結(jié)果，在基座330向上移動之前，固定構(gòu)件359支撐所述支撐構(gòu)件354，并且防止當基座向下移動時支撐框架354繼續(xù)下降。
當基座330向上移動以支撐基板“S”(圖3)時，需要將基板“S”(圖3)水平放置在基座330上。當基板“S”(圖3)并沒有被水平放置在基座330上時，來自基座330中的加熱器的熱并沒有被均勻地傳遞到基板“S”(圖3)上，而形成在基板“S”(圖3)上的薄膜具有較差的均勻性。因此，基座330具有對應于多條線352的多個線凹槽332，以便基板“S”(圖3)可被水平放置在基座330上。多條線352可以完全地纏繞在多個線凹槽332中。
圖6A到6F為圖示根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例轉(zhuǎn)移等離子設(shè)備中的基板的方法的透視示意圖，而圖7A到7F為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例的轉(zhuǎn)移等離子設(shè)備中的基板的方法的橫截面示意圖。
在圖6A和圖7A中，在機械臂360上的基板“S”通過閥槽346(圖3)轉(zhuǎn)移到處理腔300(圖3)中。邊緣框架362、支撐框架354和基座330放置在處理腔300(圖3)中。邊緣框架362和支撐框架354分別通過邊緣框架終端364和支撐框架終端359連接到腔體314的側(cè)壁。
在圖6B和圖7B中，其上具有基板“S”的機械臂360移動并且被排列在對應于基座330的處理腔300(圖3)的中心部分。其上具有基板“S”的機械臂360放置在邊緣框架362與支撐框架354之間。因此，多條線352和支撐框架354與機械臂360的底表面和基座330的頂表面間隔開。接著，其上具有基板“S”的機械臂360向下移動。
在圖6C和圖7C中，由于支撐框架354具有開口部分358，所以其上具有基板“S”的機械臂360可以排列在支撐框架354中，而不與機械臂360和支撐框架354接觸。因為多條線352安置在機械臂360的外部，所以多條線352接觸基板“S”的后側(cè)。因此，基板“S”被多條線352支撐，并且機械臂360與基板“S”相分離。即使在多條線352支撐基板“S”之后，機械臂360繼續(xù)向下移動。
在圖6D和圖7D中，機械臂360在接觸基座330之前停止向下移動，并且移出處理腔300(圖3)。結(jié)果，基板“S”完全由連接到支撐框架354的多條線352支撐。另外，支撐框架354由固定在處理腔300(圖3)側(cè)壁上的支撐框架終端359支撐?；濉癝”和多條線352與基座330相分離。接著，基座330通過基座驅(qū)動部件344(圖3)向上移動。
在圖6E和圖7E中，多條線352接觸基座330的頂表面。因為基座330具有多個線凹槽332，所以多條線352完全纏繞在多個線凹槽332中，如果基座330不具有多個線凹槽332，那么多條線可以突出基座330，并且基板“S”可能不會被水平放置在基座330上。鄰近多條線352的基板“S”的部分不接觸基座330，而遠離多條線352的基板“S”的其它部分接觸基座330。因此，來自基座330中的加熱器(未圖示)的熱被不完全傳遞到基板“S”上，而熱的不完全傳遞會引起薄膜厚度的均勻性較差。在此實施例中，因為多條線352完全纏繞在多個線凹槽332中，所以基座330并并不具有其頂表面上的突出，并且基板“S”水平放置在基座330上。
如果形成支撐框架354即使在基座330向上移動之后也不與基座330接觸，那么支撐框架354可以通過多條線352而懸掛，并且很難獲得多條線352的恒定張力。因此，支撐框架354的外部底表面可以接觸支撐框架終端359的頂表面，并且當基座330向上移動時，支撐框架354的內(nèi)部底表面可以接觸基座330的頂表面。
在圖6F和7F中，基座330進一步向上移動。因為支撐框架354沒有固定在支撐框架終端359上，所以支撐框架354、基板“S”和多條線352與基座330一起向上移動。因此，支撐框架354與支撐框架終端359相分離，并且隨后邊緣框架362接觸基板“S”和基座330的邊界部分以防止源氣體泄漏。結(jié)果，支撐框架354可以在支撐框架終端359上方移動并且朝向處理腔300(圖3)的中心部分突出以接觸基座330。
接著，所述源氣體被激發(fā)成等離子態(tài)且被安置在所述基板“S”上以形成薄膜。在形成薄膜之后，通過與圖6A到6F和7A到7F中圖示的相反制程，其上具有薄膜的基板“S”被轉(zhuǎn)移出處理腔300(圖3)。在基板“S”上形成所述薄膜之后，其上具有基板“S”和支撐框架354的基座330向下移動且支撐框架354由支撐框架終端359來支撐。接著，當基座330進一步向下移動時，支撐框架354和多條線352與基座330相分離。結(jié)果，基板“S”由多條線352來支撐。接著，機械臂360移入處理腔300(圖3)且被安置在基板“S”與基座330之間。然后，機械臂360向上移動以接觸基板“S”且多條線352與基板“S”相分離。結(jié)果，基板“S”由所述機械臂支撐。然后，其上具有基板“S”的機械臂360移出處理腔300(圖3)。
在根據(jù)本發(fā)明此實施例的等離子設(shè)備中，使用多個線352替代多個頂升銷可轉(zhuǎn)移一個基板。多條線352內(nèi)插在薄膜制造過程中的多個線凹槽332中。在薄膜制造過程中，通過在基板330中的加熱器加熱所述基板“S”。在制造過程之后，一種包括氟(F)或氯(Cl)的清洗氣被注入處理腔300中(圖3)以排出剩余氣體。因此，多條線352可由具有高張力、高抗腐蝕性和高熱阻的金屬材料制成。例如，包括鉻(Cr)或鎳(Ni)、因康乃爾合金、蒙乃爾合金、哈司特合金、用于鋼琴的鋼和用于鋼琴的高碳鋼的不銹鋼中的一種可用作多條線352。
圖8為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的透視示意圖。在圖8中，與圖4B中的元件相同的元件具有與圖4B中的元件相同的元件符號，且省去對所述元件的說明。
在圖8中，一個基板支撐部件350包括多條線352、一個支撐框架354和一個支撐框架終端359。所述支撐框架354具有一個第一、第二、第三和第四邊354a、354b、354c和354d。對應于一個槽閥(未圖示)的第四側(cè)354d具有一個鋸齒狀中心上水平部分355a、一個邊界上水平部分355b、一個下水平部分355c和一個連接所述上水平部分355a和355b和所述下部水平部分355c的垂直部分355d。多條線352連接到所述上水平部分355a和355b。
圖9A和9B為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例的轉(zhuǎn)移等離子設(shè)備中基板的方法的透視示意圖。
在圖9A中，通過槽閥(未圖示)將機械臂360上的基板“S”移入處理腔(未圖示)。包括多條線352、一個支撐框架354、一個支撐框架終端359和一基座330的基板支撐部件350安置在所述處理腔內(nèi)。其上具有基板“S”的機械臂360移入所述處理腔且被安置在基板支撐部件350上。接著，機械臂360向下移動且基板“S”與多條線352a接觸。因此，基板“S”由多條線352a支撐。由于支撐框架354的第四邊354d具有一個由一個中心上水平部分355a、一個邊界上水平部分355b、一個下水平部分355c和一個連接所述上水平部分355a和355b和所述下水平部分355c的垂直部分355d組成的鋸齒狀部分，機械臂360可在不接觸支撐框架354的情況下向下移動。
在圖9B中，由于第四側(cè)354d的所要部分，機械臂360在不接觸支撐框架354的情況下移出處理腔。支撐框架354的所要部分在其它實施例中可具有不同形狀。
在圖10為根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例的等離子設(shè)備的橫截面示意圖，而圖11為根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的透視示意圖。
在圖10和圖11中，一個等離子設(shè)備具有一個處理腔300和一個通過槽閥346插入處理腔300的基板“S”。插入的基板“S”由基板支撐部件350的多條線352和多個頂升銷400支撐。多條線352和多個頂升銷400分別對應于基板“S”的中心部分和邊界部分。此外，多條線352沿與基板“S”平行的長邊方向安置，且多個頂升銷400彼此間隔開。多條線352連接到支撐框架354，所述支撐框架354具有第一、第二、第三和第四邊354a、354b、354c和354d，且第四邊354d具有一個由一個中心上水平部分355a、一個邊界上水平部分355b、一個下水平部分355c和一個連接上水平部分355a和355b和下水平部分355c的垂直部分355d組成的鋸齒狀部分，機械臂(未圖示)可在不接觸支撐框架354的情況下向下移動。多個頂升銷400可通過基座330的邊界部分安置。
在圖12A到12D為根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例的轉(zhuǎn)移等離子設(shè)備中基板的方法的橫截面示意圖。
在圖12A中，在基板“S”插入處理腔300前(圖10)，支撐框架354安置在基座330上，且多個頂升銷400在基座330的頂表面上突出。多條線352在支撐框架354中形成，且支撐框架354被放置在腔體314上形成的支撐框架終端359上。多條線352和多個頂升銷400具有大體相同的高度。
在圖12B中，其上具有基板“S”的機械臂360移入處理腔300(圖10)且被安置在基座330上方。多條線352和多個頂升銷400與基板“S”間隔開。
在圖12C中，其上具有基板“S”的機械臂360向下移動，且基板“S”安置在支撐框架350中。因此，所述基板與多條線352和多個頂升銷400接觸。由于支撐框架354具有一個開口部分358(圖11)，機械臂360可進一步在支撐框架354下方移動。因此，機械臂360與基板“S”相分離，且基板“S”由多條線352和多個頂升銷400支撐。多條線352對應于基板“S”的中心部分，且多個頂升銷400對應于基板“S”的邊界部分。接著，機械臂360通過槽閥346(圖10)移出處理腔300(圖10)。
在圖12D中，其上具有基板“S”的基座330通過一個基座驅(qū)動部件(未圖示)向上移動，且多條線352插入基座330的多條線凹槽332中。同時，多個頂升銷400通過在基座330中的多個頂升銷孔336相對向下移動。由此，基板“S”接觸基座330且被基座330支撐。每一個頂升銷400的頂部分402都可具有比每一個頂升銷400的其它部分更大的直徑，以防止每一個頂升銷400與基座330完全分離。類似地，每一個頂升銷孔336可具有與每一個頂升銷400對應的形狀。
接著，其上具有基板“S”的基座330進一步向上移動，且薄膜在基板“S”上形成。在基板“S”上形成薄膜后，基板“S”可通過與反向執(zhí)行圖12A到12D的制程被移出處理腔300(圖10)。
圖13是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實施例的等離子設(shè)備的橫截面示意圖。而圖14A和14B分別為圖示根據(jù)本發(fā)明另一示范性實施例的等離子設(shè)備中的一個基板支撐部件的平面透視示意圖。在圖13、14A和14B中，與圖3、4A和4B中的元件相同的元件具有與圖3、4A和4B中的元件相同的元件符號，且省去對所述元件的說明。
在圖13中，一個處理腔800包括一個蓋812和在蓋812下方的一個腔體814。穿過蓋812形成一個進氣管822，且包括一個墊板和一個噴頭820的氣體擴散部件安置在蓋812下。氣體擴散部件連接到一個高頻電源(例如射頻)供給部件824。一個基座830、一個基座支撐件834和一個基座驅(qū)動部件844安置在腔體814中，且一個槽閥846和一個排氣管846在腔體814中形成。明確地說，包括多條線852的基板支撐部件850(圖14A)安置在基板“S”與基座830之間。
在圖14A和14B中，基板支撐部件850包括多條線852，多個方向改變構(gòu)件854和多條線終端856和857。通過第一和第二線終端856和857，每一條線852的兩端分別固定到腔體814的側(cè)壁和腔體814的底表面。每一條線852水平安置在基座830上方，且由方向改變構(gòu)件854在基座830外延伸。方向改變構(gòu)件854可由方向改變構(gòu)件支撐件858支撐，且每一條線852和方向改變構(gòu)件支撐件858都可通過第二線終端857固定到腔體814的底表面。此外，一個張力控制部件859連接到每一條線852的一端以保持支撐基板“S”的最佳張力。張力控制部件859可為風箱式。此外，可單獨或同時操作張力控制部件859和基座驅(qū)動部件844。例如，當基座830上下移動時，通過收縮和擴張風箱式張力控制部件859，可調(diào)節(jié)每一條線852的張力。
多條線852可沿與基板“S”的長邊平行的方向安置，也可相對基座830的中心線在基座830的邊界部分對稱安置。此外，方向改變構(gòu)件854可將每一條線852的水平方向改變成垂直方向，或反之亦然。例如，滑輪可用作方向改變構(gòu)件854。另外，基座830可具有對應多條線852的多個線凹槽832。因此，多條線852可完全插入多個線凹槽832中，借此基板“S”水平接觸基座830。此外，由于基板支撐部件850不包括一個支撐框架，所以其上具有基板“S”的機械臂860可在無任何關(guān)于支撐框架的限制下自由移入或移出處理腔800。
結(jié)果，線852的第一端通過第一線終端856連接到相對于槽閥846的腔體814的側(cè)壁上，且所述線的第二端通過第二線終端857連接到腔體814的底表面。線852在基座830上方水平延伸，且通過方向改變構(gòu)件854在鄰近槽閥846的基座830的外部上部分處垂直延伸。張力控制部件859連接到線852的第二端以調(diào)節(jié)線852的張力。
圖15A和15B分別為圖示根據(jù)本發(fā)明另一示范性實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的平面透視示意圖。在圖14A和14B中，與圖3、4A和4B中的元件相同的元件具有與圖3、4A和4B中的元件相同的元件符號，且省去對所述元件的說明。
在圖15A和15B中，一個基板支撐部件850包括多條線852，多個第一方向改變構(gòu)件854，多個第二方向改變構(gòu)件856和多條線終端857。每一線852的兩端都通過線終端857連接到腔體814的底表面。線852從腔體814的底表面垂直延伸。線852的方向可通過第一方向改變構(gòu)件854而改變，且線852在基座830上方水平延伸。線852的方向可通過第二方向改變構(gòu)件855而再次改變，而線852垂直延伸到腔體814底表面。結(jié)果，第一和第二方向改變構(gòu)件854和855對應于一條線852。通過第一和第二方向改變構(gòu)件854和855，線852整體上具有U形狀，且線852的兩端連接到腔體814的底表面的兩個相對部分。
第一和第二方向改變構(gòu)件854和855可由方向改變構(gòu)件支撐件858支撐，且線852和方向改變構(gòu)件支撐件858可通過線終端857連接到腔體814的底表面。此外，張力控制部件859連接到線852的兩端以保持支撐基板“S”的最佳張力。例如，張力控制部件859可為風箱式。此外，可單獨或同時操作張力控制部件859和基座驅(qū)動部件844。例如，連接桿859可連接基座驅(qū)動部件844和張力控制部件859，以邊可同時操作基座驅(qū)動部件844和張力控制部件859。當基座830上下移動時，通過收縮和擴張風箱式張力控制部件852，可調(diào)節(jié)每一條線852的張力。另外，由于基座830具有對應于多條線852的多個線凹槽832，所以當基座830向上移動時，多條線852可完全插入多個線凹槽832中。
圖16A和16B為圖示根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的平面透視示意圖。
在圖16A和16B中，基板支撐部件850包括多條線852和多條線終端856。多條線852包括與基座830的長邊平行的第一線852a和與基座830的短邊平行的第二線852b。因此，第一和第二線852a和852b彼此交叉且水平安置在基座830上方。每一條線852都通過線終端856固定在腔體814的側(cè)壁上。
一個T型槽閥846在腔體814的側(cè)壁上形成。因此，槽閥846的上部分848a的寬度大于槽閥846的下部分848b的寬度，且兩個輔助側(cè)壁847在槽閥846的下部分848b處形成。由于其上具有基板“S”(圖17A)的機械臂860(圖17A)通過槽閥846的上部分848a移入或移出處理腔，所以上部分848a具有與基板“S”(圖17A)相對應的寬度。此外，由于只有機械臂860(圖17A)通過下部分848b上下移動，因此下部分可具有比基板“S”(圖17A)更窄的與機械臂860(圖17A)相對應的寬度。在另一實施例中，所述下部分可為三角形以使所述下部分的寬度沿向下的方向減少?？蓪⒌谝痪€852a的端部固定到輔助側(cè)壁847上以便可自動調(diào)節(jié)槽閥846和第一線852a之間的距離。
圖17A到17F是根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例的轉(zhuǎn)移等離子設(shè)備中基板的方法的橫截面示意圖。即使圖17A到17F對應圖13、14A和14B的基板支撐部件，轉(zhuǎn)移圖17A到17F基板的方法也可應用到圖15A、15B、16A和16B的基板支撐部件中。
在圖17A中，其上具有基板“S”的機械臂860通過槽閥846的上部分848a插入到處理腔。包括多條線852和基座830的基板支撐部件850在處理腔中形成。此外，多條線852通過腔體814的底部連接到張力控制部件859。
在圖17B中，其上具有基板“S”的機械臂860安置在基座830和基板支撐部件850的多條線852上方的處理腔的中心部分。多條線852與基板“S”和基座830相分離，接著，具有基板“S”的機械臂860向下移動。
在圖17C中，由于多條線852之間的間隙大于機械臂860，因此所述多條線852接觸基板“S”而不接觸機械臂860。隨著機械臂860進一步向下移動，機械臂860與所述基板“S”相分離且基板“S”由所述多條線852所支撐。
在圖17D中，所述機械臂860通過下部分848b從處理腔中移出。
在圖17E中，基座830向上移動以接觸多條線852。由于基座860包括多個線凹槽832，因此多條線852完全插入基座830的多個線凹槽832中。因此，基板“S”均勻接觸基座830從而被基座830所支撐。多條線852的張力不受張力控制部件859的調(diào)節(jié)直到基座830接觸基板“S”。
在圖17F中，其上具有基板“S”的基座830進一步向上移動。由于多個線凹槽832中的多條線852也隨著基座830向上移動，因此多條線852可被擴張以改變多條線852的張力。因此，張力控制部件859調(diào)節(jié)多條線852的張力以防止多條線852的破裂和由多條線852所造成的基板“S”的缺陷。例如，當其上具有基板“S”的基座830向上移動時，風箱型張力控制部件859可接觸以保持多條線852的最佳張力。大體上，所述處理腔中多條線852的長度增加。即使未在圖17F中圖示，但是可單獨或同時操作張力控制構(gòu)件859和基座830。
接著，將所述源氣體激發(fā)為等離子態(tài)并將其沉積在所述基板“S”上以形成薄膜。形成薄膜之后，通過與圖17A到17B圖示的制程相反的制程將其上具有薄膜的基板“S”移出所述處理腔。在所述基板“S”上形成薄膜之后，其上具有基板“S”的基座830向下移動，且所述張力控制構(gòu)件859調(diào)節(jié)多條線852的張力。例如，風箱型張力控制構(gòu)件859可擴張以保持多條線852的最佳張力，借此所述處理腔中多條線852的長度大體減小。接著，隨著基座830進一步向下移動，多條線852與基座830相分離以支撐基板“S”。接著，機械臂860通過槽閥846的下部分848b移入處理腔并安置在基板“S”與基座830之間。然后，機械臂860向上移動以接觸基板“S”，且多條線852與基板“S”相分離。結(jié)果，基板“S”由機械臂860所支撐。接著，其上具有基板“S”的機械臂860通過槽閥846的上部分848a移出所述處理腔。
圖18和19分別為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例的等離子設(shè)備中的基板支撐部件的橫截面平面示意圖。
在圖18和19中，基板支撐部件850包括一條跨越基座830中心部分的線852、一個方向改變構(gòu)件854、一個方向改變構(gòu)件支撐件858、一個第一線終端856、一個第二線終端857和多個頂升銷900。所述線852在基座830上方水平延伸。由于通過方向改變構(gòu)件854將線852的水平方向改變?yōu)榇怪狈较颍虼司€852垂直延伸到基座830外部。所述方向改變構(gòu)件854可由方向改變構(gòu)件支撐件858支撐。通過第一線終端856將線852的第一端連接到腔體814的側(cè)壁上，并通過第二線終端857將線852的第二端連接到張力控制部件859。
多個頂升銷900對應于基座930的邊界部分，而線852對應于基座830的中心部分。另外，所述線與基座830的長邊830a平行。因此，基板“S”是被基板“S”的邊界部分處的多個頂升銷900和基板“S”的中心部分處的線852所支撐。多個頂升銷900可由陶瓷或不繡鋼制成。
圖20A到圖20F為圖示轉(zhuǎn)移具有圖18和19中的基板支撐部件的等離子設(shè)備中的基板的方法的橫截面平面示意圖。
在圖20A中，其上具有基板“S”的機械臂860通過槽閥846的上部分848a插入所述處理腔中?；逯尾考?50包括線852，且多個頂升銷900和基座830在處理腔中形成。另外，線852通過腔體814的底部連接到張力控制部件859。即使未在圖20A中圖示，但是線852對應于基板“S”的中心部分，且多個頂升銷900對應于基板“S”的邊界部分。此外，線852具有與多個頂升銷900大體相同的高度。
在圖20B中，其上具有基板“S”的機械臂860安置在基座830、基板支撐部件850的多條線852和在基座830上方伸出的多個頂升銷900上方的處理腔中心部分。線852和多個頂升銷900與基板“S”相分離。接著，其上具有基板“S”的機械臂860向下移動。
在圖20C中，由于多個頂升銷900之間的間隙比機械臂860寬，因此多個頂升銷900在不接觸機械臂860下接觸基板“S”。隨著機械臂860進一步向下移動，機械臂860與所述基板“S”相分離且基板“S”被所述線852和多個頂升銷900所支撐。
在圖20D中，機械臂860通過槽閥846的下部分848b移出所述處理腔。
在圖20E中，基座830向上移動以接觸線852。由于基座860包括線凹槽832，因此將線852完全插入基座830的線凹槽832中。另外，多個頂升銷900通過基座830中的多個頂升銷孔(未圖示)相對向下移動。因此，所述基板“S”均勻接觸基座830且由基座830安全支撐。張力控制部件859不調(diào)節(jié)多條線852的張力，直到基座830接觸基板“S”。
在圖20F中，其上具有基板“S”的基座830進一步向上移動。由于線凹槽832中的線852也隨著基座830向上移動，因此可所述線852可被擴張以改變線852的張力。因此，張力控制部件859調(diào)節(jié)線852的張力以防止線852的破裂和由線852所造成的基板“S”的缺陷。例如，當其上具有基板“S”的基座830向上移動時，風箱型張力控制部件859可接觸以保持多條線852的最佳張力。大體上，所述處理腔中線852的長度增加。即使未在圖20F中圖示，但是可單獨或同時操作張力控制構(gòu)件859和基座830。多個頂升銷900與基座830一起向上移動。
接下來，將所述源氣體激發(fā)為等離子態(tài)并將其沉積在所述基板“S”上以形成薄膜。形成薄膜之后，通過與圖20A到20F圖示制程相反的制程而將其上具有薄膜的基板“S”移出所述處理腔。在基板“S”上形成薄膜之后，其上具有基板“S”的基座830向下移動，且所述張力控制構(gòu)件859調(diào)節(jié)線852的張力。例如，風箱型張力控制構(gòu)件859可擴張以保持線852的最佳張力，借此所述處理腔中線852的長度大體減小。接下來，隨著基座830進一步向下移動，線852與基座830相分離且多個頂升銷900在基座830上方突出以支撐基板“S”。接著，機械臂860通過槽閥846的下部分848b移入處理腔并安置在基板“S”與基座830之間。接著，機械臂860向上移動以接觸基板“S”，且線852和多個頂升銷900與基板“S”相分離。結(jié)果，基板“S”由機械臂860支撐。接著，其上具有基板“S”的機械臂860通過槽閥846的上部分848a移出所述處理腔。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子設(shè)備中，一個基板支撐部件包括多條線，而一個基座包括對應于多條線的多個線凹槽。當所述線具有與所述線凹槽相同的數(shù)目時，線凹槽在所述基座的預定區(qū)域中形成。所述基座的預定區(qū)域中的線凹槽可能致使薄膜厚度的均勻性較差。
圖21A為圖示根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例的等離子設(shè)備中的基座和基板的橫截面示意圖，而圖21B為圖示圖21A的基板上的薄膜厚度的圖示。
在圖21A中，將基板“S”放置在具有多個線凹槽832的基座830上，并將多條線852插入多個線凹槽832中。在多個線凹槽832區(qū)域中，基板“S”不接觸基座830且與基座830間隔開。在制造過程中，通過基座830中的一個加熱器(未圖示)加熱基板“S”。由于基板“S”并不完全接觸基座830，因此多個線凹槽832區(qū)域的熱傳遞與其它區(qū)域的熱傳遞不同，且熱量并不是均勻傳遞到基板“S”上。結(jié)果，基板“S”的溫度均勻性較差。
此外，基座830充當一個下電極以通過用氣體擴散部件(未圖示)作為上電極而產(chǎn)生等離子。由于導體電極的等位線與所述電極的外表面平行，因此基座830的等位線具有對應基座830頂表面的不平的形狀。因此，由基座830和氣體擴散部件所產(chǎn)生的電場是不均勻的，且所述電場的等離子密度也是不均勻的。
如圖21B中所示，基板“S”溫度與等離子密度的均勻性較差導致所述基板“S”上的薄膜“F1”的厚度差異。對應于多個線凹槽832(圖21A)的薄膜“F1”的厚度小于對應于其它區(qū)域的薄膜“F1”的厚度。
當所述薄膜“F1”的厚度差異為Δt1且平均厚度為tavg1時，薄膜“F1”的均勻性可定義為等式U(％)＝(Δt1/2tavg1)×100。
圖22和23為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的等離子設(shè)備的基座的平面示意圖。
在圖22和23中，基座930在其頂表面上具有多個線凹槽932、932a和932b，且多個線凹槽932、932a和932b的數(shù)目大于多條線(未圖示)。因此，將多條線插入多個線凹槽932、932a和932b中的一些中。多個線凹槽932、932a和932b彼此大體相等地間隔開，且在基座930的整個頂表面上形成。結(jié)果，多個線凹槽932、932a和932b在基座930的頂表面上均勻形成，借此改進所述薄膜的厚度均勻性。形成與圖22中的基座930的長邊平行的多個線凹槽932，而形成與基座930的長邊平行的多個第一線凹槽932a，且形成與基座930的短邊平行的第二線凹槽932b。
圖24A為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的等離子設(shè)備的基座和薄膜的橫截面示意圖，而圖24B為圖示圖24B基板上的薄膜厚度的圖示。
在圖24A中，基板“S”放置在具有多個線凹槽932的基座930上，且多條線952插入線凹槽932中的一些中。因此，其它多個線凹槽932可不包括多條線952。在多個線凹槽932區(qū)域中的基板“S”并不接觸基座930且與基座930間隔開，而在其它區(qū)域中的基板“S”接觸所述基座。多條線凹槽932彼此大體相等地間隔開，并在所述基座930的整個頂表面上形成。
在制造過程中，通過在基座930中的一個加熱器(未圖示)加熱基板“S”。盡管基板“S”并不全部接觸基座930，但是由于多個線凹槽932在基座930的整個表面上形成且彼此相等地間隔開，所以從所述加熱器到所述基板“S”的熱傳遞和等離子密度是均勻的。結(jié)果，薄膜“F2”的厚度均勻性得以改進。
如圖24B中所示，由于多個線凹槽932，所述薄膜“F2”具有多個凹陷部分。所述凹陷部分比線凹槽932寬，并且所述線凹槽932彼此間隔開以便多個凹陷可彼此重疊。因此，薄膜“F2”的厚度差異Δt2減小。結(jié)果，可改進薄膜“F2”的厚度均勻性(其被定義為U(％)＝(Δt2/2t avg2)×100等式)。當多個線凹槽932在所述基座930的整個表面上形成且彼此相等間隔開以便所述薄膜“F2”多個凹陷部分彼此重疊時，厚度均勻性可得以改進。每一個線凹槽932的寬度和在相鄰線凹槽之間的距離可根據(jù)基座尺寸和所述線凹槽的數(shù)目來定義。例如，每一條線的寬度可在從約1mm到約2mm的范圍之內(nèi)，且相鄰線凹槽932之間的距離可大于1mm。
另外，當多個線凹槽932多于多條線952時，存在其它優(yōu)勢。由于在制造過程中加熱基座930，基座930可收縮或澎脹。即使安置一個第一線凹槽以對應于一條第一線，但在基座930收縮或澎脹之后，所述第一線凹槽不再對應所述第一線。然而，由于多個線凹槽932多于多條線952，所以第一線可對應于鄰近第一線凹槽的第二線凹槽。因此，即使當基座930收縮或澎脹時，多條線952插入多條線凹槽中。
參考25A和25B說明具有改進形狀的多條線。圖25A和25B為圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示范實施例的等離子設(shè)備的基座中的多個線凹槽的橫截面示意圖。
在圖25A和25B中，多個線凹槽932在基座930的頂表面上形成。線凹槽932不具有矩形形狀但在橫截面上看其具有梯形或三角形形狀。由于線凹槽932的側(cè)壁傾斜，所以當線凹槽932由于基座930的收縮和澎脹而移位時，線952可滑入線凹槽932。因此，可改進線952與線凹槽932的未對準和線952不完全插入線凹槽932。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子設(shè)備中，一個基板支撐部件通過使用多條線或使用多條線和多個銷穩(wěn)定地支撐一個基板。因此，基板上的薄膜厚度均勻性得以改進。
所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應明了可對不脫離本發(fā)明精神和范圍的具有傳送器的設(shè)備做出各種修正和變化。因此，本發(fā)明欲涵蓋在隨附權(quán)利要求及其均等物范圍之內(nèi)的本發(fā)明修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種用于支撐一個基板的構(gòu)件，其包括一個座；一個在所述基座上方的支撐框架；和至少一條連接到所述支撐框架的線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的構(gòu)件，其進一步包括一個支撐所述支撐框架的支撐框架終端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的構(gòu)件，其中所述支撐框架包括一個開口部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的構(gòu)件，其中所述支撐框架包括一個凹陷部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的構(gòu)件，其中所述至少一條線為包括與所述基板的長邊平行的第一線和與所述基板的短邊平行的第二線的多條線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的構(gòu)件，其中所述基座包括在其頂表面上的至少一個線凹槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的構(gòu)件，其中至少一個線凹槽具有與至少一條線大體相同的數(shù)目。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的構(gòu)件，其中至少一個線凹槽的數(shù)目大于至少一條線的數(shù)目。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的構(gòu)件，其中至少一個線凹槽為彼此間隔開一段相等距離且安置在所述基座的整個表面上的多條線凹槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的構(gòu)件，其中至少一個線凹槽從橫截面上看具有矩形、梯形和三角形中的一種形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的構(gòu)件，其中至少一條線是由包括鉻(Cr)和鎳(Ni)、因康乃爾合金、蒙乃爾合金和哈司特合金、用于鋼琴的鋼和用于鋼琴的高碳鋼中的一種的不銹鋼中的一種形成。
12.一種設(shè)備，其包含一個用于處理一個基板的處理腔；一個在所述處理腔中的基座；一個在所述基座上方的支撐框架；和至少一條連接到所述支撐框架的線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其進一步包含一個在所述處理腔側(cè)壁上的支撐框架終端，所述支撐框架被放置在所述支撐框架終端。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述支撐框架包括一個開口部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述支撐框架包括一個鋸齒狀部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述基座包括在其頂表面上的至少一個線凹槽。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述至少一個線凹槽的數(shù)目大于所述至少一條線的數(shù)目。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述至少一個線凹槽是彼此間隔開大體相等的距離且被安置在所述基座的整個表面上的多個線凹槽。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述至少一個線凹槽具有在橫截面上看為矩形、梯形、和三角形中的一種形狀。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其進一步包括通過所述基座邊界部分的多個頂升銷。
21.一種設(shè)備，其包含一個用于處理一個基板的處理腔；一個在所述處理腔中的基座；在所述基座上方的多條線，所述多條線被連接到所述處理腔的一個側(cè)壁和一個底表面中的一個上；和一個連接到每一個線的一端的張力控制部件。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中所述基座包括在其頂表面上的多個線凹槽且所述多個線凹槽的數(shù)目大于所述多條線的數(shù)目。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其中所述多個線凹槽彼此間隔開大體相等的距離且被安置在所述基座的整個表面上。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中所述基座包括在其頂表面上的多個線凹槽且所述多個線凹槽具有在橫截面上看為矩形、梯形、和三角形中的一種形狀。
25.一種用于轉(zhuǎn)移一個在一個設(shè)備中的基板的方法，其包含a)一個具有使其上的所述基板進入所述設(shè)備的處理腔的機械臂，所述機械臂安置在一個支撐框架上方，多條線連接到所述支撐框架上，且一個基座在所述處理腔的所述支撐框架的下方；b)向下移動機械臂以便所述基板被多條線的支撐；c)將所述機械臂從所述處理腔中移出；和d)向上移動所述基座以便所述基板被所述基座所支撐。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其進一步包含e)向上移動其上具有所述基板的所述基座，以便一個邊緣框架覆蓋所述基板的邊界部分。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述步驟e)包括同時向上移動具有所述基座的所述支撐框架。
全文摘要
一種設(shè)備，其包括一個用于處理一個基板的處理腔、一個在所述處理腔中的基座、一個在所述基座上方的支撐框架和連接到所述支撐框架的至少一條線。
文檔編號C23C16/458GK1648725SQ20051000229
公開日2005年8月3日 申請日期2005年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月20日
發(fā)明者黃喆周, 李相道 申請人:周星工程股份有限公司