專利名稱：化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及化學(xué)氣相沉積(CVD)反應(yīng)器，例如用于III-V族半導(dǎo)體外延的CVD反應(yīng)器。更特別地，本發(fā)明涉及被配置來(lái)提供低熱對(duì)流生長(zhǎng)條件和高產(chǎn)量的CVD反應(yīng)器。
背景技術(shù)：
III-V族化合物的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)是利用周期表III族有機(jī)金屬與周期表V族氫化物之間的化學(xué)反應(yīng)的薄膜沉積工藝。III族有機(jī)金屬和V族氫化物的各種組合是可能的。
此工藝一般用于半導(dǎo)體器件例如發(fā)光二極管(LED)的制造。該工藝通常在化學(xué)氣相沉積(CVD)反應(yīng)器中進(jìn)行。CVD反應(yīng)器設(shè)計(jì)在獲得半導(dǎo)體制造所需的高質(zhì)量膜方面是關(guān)鍵因素。
通常，高質(zhì)量膜沉積的氣流動(dòng)力學(xué)優(yōu)選層流。與對(duì)流不同，需要層流來(lái)實(shí)現(xiàn)高生長(zhǎng)效率和均勻性。商業(yè)上可得到若干反應(yīng)器設(shè)計(jì)以提供大規(guī)模即高產(chǎn)量的層生長(zhǎng)條件。這些設(shè)計(jì)包括轉(zhuǎn)盤反應(yīng)器(RDR)、行星式旋轉(zhuǎn)反應(yīng)器(PRR)、以及緊耦合噴嘴(close-coupled showerhead，CCS)。
然而，這些現(xiàn)有反應(yīng)器具有本質(zhì)缺點(diǎn)，使得它們的總體滿意度降低，尤其對(duì)于高壓和/或高溫CVD工藝。這些現(xiàn)有反應(yīng)器通常在低壓和較低溫度(例如30托和700℃)運(yùn)轉(zhuǎn)良好。因此，它們通常適于生長(zhǎng)GaAs、InP基化合物。
然而，當(dāng)生長(zhǎng)III族氮化物基化合物(例如GaN、AlN、InN、AlGaN、以及InGaN)時(shí)，有些因素在使用這些現(xiàn)有反應(yīng)器時(shí)變得重要。與GaAs或InP基材料不同，III族氮化物優(yōu)選地在顯著更高的壓強(qiáng)和溫度(通常大于500托且大于1000℃)生長(zhǎng)。當(dāng)在高壓強(qiáng)和溫度的條件下使用前述反應(yīng)器設(shè)計(jì)時(shí)，大量熱對(duì)流自然地發(fā)生。這樣的熱對(duì)流不利地干擾生長(zhǎng)工藝，從而降低效率和產(chǎn)量。
當(dāng)氣體相(gas phase)為大多數(shù)氨時(shí)該情況變得更糟。在III族氮化物MOCVD工藝中氨通常用作氮源。氨比氫粘滯得多。當(dāng)環(huán)境氣體含有高百分比的氨時(shí)，與用于GaAs或InP基MOCVD生長(zhǎng)的環(huán)境氣體大多數(shù)是氫時(shí)的情況相比，更容易發(fā)生熱對(duì)流。熱對(duì)流對(duì)生長(zhǎng)高質(zhì)量的薄膜是有害的，因?yàn)榉磻?yīng)氣體在生長(zhǎng)腔中延長(zhǎng)的存在時(shí)間導(dǎo)致發(fā)生難以控制的復(fù)雜化學(xué)反應(yīng)。這自然導(dǎo)致生長(zhǎng)效率的降低以及差的膜均勻性。
根據(jù)當(dāng)前的實(shí)踐，為抑制不合需要的熱對(duì)流，通常利用大的氣體流速。在III族氮化物的生長(zhǎng)中，這通過(guò)增加環(huán)境氣體流速實(shí)現(xiàn)，其中氣體通常為氨與氫或者氮的混合物。因此，導(dǎo)致氨的高消耗，尤其在高生長(zhǎng)壓強(qiáng)的條件下。氨的高消耗導(dǎo)致相應(yīng)的高成本。
氣體相的源化學(xué)藥品之間的反應(yīng)是用于生長(zhǎng)GaN的現(xiàn)有MOCVD工藝中的另一重要問(wèn)題。此反應(yīng)還發(fā)生在其他III族氮化物例如AlGaN和InGaN的生長(zhǎng)中。氣體相反應(yīng)通常是不期望的。然而，由于反應(yīng)劇烈且迅速，所以它在III族氮化物MOCVD工藝中是不可避免的。
當(dāng)III族烷基(alkyl)(例如三甲基鎵(trimethylgallium)、三甲基銦(trimethylindium)、三甲基鋁(trimethylaluminum))遇到氨時(shí)，反應(yīng)幾乎立即發(fā)生，導(dǎo)致不期望的加合物(adduct)的形成。
通常，當(dāng)這些反應(yīng)發(fā)生在所有源氣體進(jìn)入生長(zhǎng)腔之后時(shí)，產(chǎn)生的加合物將參與實(shí)際的生長(zhǎng)過(guò)程。然而，如果反應(yīng)發(fā)生在之前或生長(zhǎng)腔的氣體入口附近時(shí)，產(chǎn)生的加合物將有機(jī)會(huì)粘附到固體表面。如果發(fā)生這種情況，則粘附到表面的加合物將充當(dāng)聚集中心(gathering center)且越來(lái)越多的加合物將因此趨于累積。該過(guò)程最終將耗盡源，從而使生長(zhǎng)工藝不期望地在周期之間變化，和/或?qū)⒆枞麣怏w入口。
用于III族氮化物生長(zhǎng)的有效反應(yīng)器設(shè)計(jì)不避免氣體相反應(yīng)，而是控制反應(yīng)使得它不產(chǎn)生這些不期望的情形。
因?yàn)榻陙?lái)對(duì)GaN基藍(lán)和綠LED的需求顯著增加，所以生產(chǎn)反應(yīng)器(production reactor)的產(chǎn)量需求變得重要。提高產(chǎn)量的現(xiàn)有方法通常是建造更大的反應(yīng)器。在目前可得到的商業(yè)反應(yīng)器中，每個(gè)周期期間制造的晶片的數(shù)目已經(jīng)從6個(gè)晶片增加到超過(guò)20個(gè)晶片，同時(shí)保持每天相同數(shù)目的周期。
然而，當(dāng)反應(yīng)器這樣擴(kuò)大時(shí)，出現(xiàn)若干新的問(wèn)題。因?yàn)闊釋?duì)流在較大反應(yīng)器內(nèi)與在較小反應(yīng)器內(nèi)一樣嚴(yán)重(或者甚至更嚴(yán)重)，所以膜均勻性、以及晶片之間的一致性沒(méi)有任何好轉(zhuǎn)(并且可能差很多)。此外，在更高的生長(zhǎng)壓強(qiáng)下，需要非常高的氣體流速來(lái)抑制熱對(duì)流。所需的氣流的量是如此之高，使得對(duì)氣體輸送系統(tǒng)需要改動(dòng)和特別考慮。
另外，由于高溫要求，這樣的擴(kuò)大的(更大的)反應(yīng)器的更大機(jī)械部件自然處于更高的熱應(yīng)力下，因而趨于過(guò)早地破裂。在幾乎全部反應(yīng)器構(gòu)造中，不銹鋼、石墨和石英是最經(jīng)常使用的材料。由于所使用的金屬的氫化(使它們變得易碎)且由于在高溫下石墨通過(guò)氨的蝕刻，較大的金屬和石墨部件與較小的反應(yīng)器的相應(yīng)部件相比傾向于更快地破裂。較大的石英部件由于較高的熱應(yīng)力也變得更易于破裂。
與大尺寸反應(yīng)器相關(guān)的另一問(wèn)題是難于保持高溫均勻性。厚度和成分均勻性能立即受到晶片承載器表面(wafer carrier surface)的溫度均勻性的影響。在大尺寸反應(yīng)器中，溫度均勻性通過(guò)使用設(shè)計(jì)復(fù)雜的多區(qū)加熱配置來(lái)實(shí)現(xiàn)。由于前面提到的高熱應(yīng)力和氨老化，加熱組件的可靠性通常較差。這些工藝矛盾和大規(guī)模硬件維護(hù)的問(wèn)題對(duì)產(chǎn)量進(jìn)而產(chǎn)品成本有巨大的影響。
現(xiàn)在參照?qǐng)D1，示意性示出用于GaN外延的現(xiàn)有RDR反應(yīng)器的示例。反應(yīng)腔具有雙壁水冷圓筒(cylinder)11；流法蘭(flow flang)12，所有的反應(yīng)或源氣體在該處分配或傳送到腔13中；旋轉(zhuǎn)組件14，其以每分鐘數(shù)百轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)晶片承載器16；加熱器17組件，其在旋轉(zhuǎn)的晶片承載器16下面且被配置來(lái)加熱晶片10至所需的工藝溫度；通道18，其便于晶片承載器轉(zhuǎn)移進(jìn)出腔13；以及排氣裝置19，其在腔13的底側(cè)的中央。外部驅(qū)動(dòng)的心軸(spindle)21實(shí)現(xiàn)晶片承載器16的旋轉(zhuǎn)。晶片承載器16包括多個(gè)凹處(pocket)，其每個(gè)被配置來(lái)收納晶片10。
加熱器17包括兩組加熱元件。內(nèi)組加熱元件41加熱晶片承載器17的中央部分，外組加熱元件42加熱晶片承載器16的外圍。因?yàn)榧訜崞?7在腔13內(nèi)，所以它暴露于反應(yīng)氣體的有害影響下。
心軸在500和1000rpm之間旋轉(zhuǎn)晶片承載器。
如前所述，此設(shè)計(jì)在較低的壓強(qiáng)和溫度下運(yùn)行良好，尤其當(dāng)環(huán)境氣體為低粘性時(shí)。然而，當(dāng)在大量氨的環(huán)境氣體中在高壓和高溫下生長(zhǎng)GaN時(shí)，則發(fā)生熱對(duì)流且氣流傾向于不期望地為湍動(dòng)的。
現(xiàn)在參照?qǐng)D2，示出簡(jiǎn)化的氣體流線(streamline)從而說(shuō)明該湍流。清楚看出，隨著腔的尺寸和/或晶片承載器與腔的頂部之間的距離增加，湍流增加。當(dāng)圖1的設(shè)計(jì)為了更高產(chǎn)量而擴(kuò)大時(shí)，腔13以及晶片承載器16被放大以支承和收納更多晶片。
當(dāng)環(huán)境氣體中存在湍流時(shí)，傾向于形成氣體再循環(huán)單元(recirculationcell)50。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，這樣的再循環(huán)是不期望的，因?yàn)樗鼘?dǎo)致反應(yīng)物濃度和溫度的不期望的變化。另外，這樣的再循環(huán)通常由于反應(yīng)氣體的低效使用而導(dǎo)致降低的生長(zhǎng)效率。
另外，在更大的反應(yīng)器中需要更多的加熱區(qū)。這當(dāng)然使這樣的更大的反應(yīng)器的構(gòu)建復(fù)雜化且增加了其成本。
現(xiàn)在參照?qǐng)D3A和3B，可以容易地進(jìn)行7″六凹處晶片承載器16a(其如圖3A所示地支承六個(gè)晶片)與12″二十凹處晶片承載器16b(其如圖3b所示地支承二十個(gè)晶片)之間的比較。每個(gè)凹處22支承單個(gè)2″圓晶片。從此比較可以清楚，反應(yīng)器的這樣擴(kuò)大以容納更多晶片大大增加了其尺寸特別是其體積。反應(yīng)器尺寸上的增加導(dǎo)致不期望的熱對(duì)流的影響以及上述額外的構(gòu)建復(fù)雜度。
鑒于前述，期望提供一種反應(yīng)器，其不受不期望的熱對(duì)流效應(yīng)的顯著影響且能夠容易和經(jīng)濟(jì)地?cái)U(kuò)大從而增加產(chǎn)量。還期望提供一種反應(yīng)器，其具有提高的生長(zhǎng)效率(例如通過(guò)提供非常接近晶片生長(zhǎng)區(qū)域的反應(yīng)氣體混合以及通過(guò)確保反應(yīng)氣體與生長(zhǎng)區(qū)域的密切接觸)。還期望提供一種反應(yīng)器，其中加熱器在其腔的外部，因此不受反應(yīng)氣體的有害影響。

發(fā)明內(nèi)容
盡管為了語(yǔ)法流暢所述設(shè)備和方法已經(jīng)或?qū)⒁ㄟ^(guò)功能性說(shuō)明來(lái)描述，但是應(yīng)清楚理解，除非根據(jù)35 USC 112明確表達(dá)，權(quán)利要求不應(yīng)被理解為用“裝置”或“步驟”限制以任何方式必然地限定，而是在等價(jià)物的司法原則下符合權(quán)利要求提供的定義的意義和等價(jià)物的全部范圍，在權(quán)利要求根據(jù)35 USC 112明確表達(dá)的情況下，將符合35 USC 112規(guī)定的全部法定等價(jià)物。
本發(fā)明具體針對(duì)并減輕上述與現(xiàn)有技術(shù)有關(guān)的缺點(diǎn)。更特別地，根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括可轉(zhuǎn)動(dòng)的晶片承載器，該晶片承載器與反應(yīng)器的腔配合從而促進(jìn)腔內(nèi)反應(yīng)氣體的層流。
根據(jù)另一方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器，該晶片承載器在其周邊被密封到所述反應(yīng)器的腔從而促進(jìn)所述腔內(nèi)的層流。
根據(jù)另一方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括腔和設(shè)置在所述腔內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器，配置該晶片承載器從而增強(qiáng)所述腔內(nèi)的反應(yīng)氣體的向外流動(dòng)。
根據(jù)另一方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器和反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔的底部基本由所述晶片承載器定義。
根據(jù)另一方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括腔、設(shè)置在所述腔內(nèi)的晶片承載器、以及設(shè)置在所述腔外的加熱器，該加熱器被配置來(lái)加熱該晶片承載器。
根據(jù)另一方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括多個(gè)腔、以及公共反應(yīng)物氣體供應(yīng)系統(tǒng)和公共氣體排放系統(tǒng)中的至少一種。
根據(jù)另一方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括晶片承載器，配置該晶片承載器使得反應(yīng)物氣體基本不在該晶片承載器下面流動(dòng)。
根據(jù)另一方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括腔、晶片承載器、基本位于該腔內(nèi)中央的氣體入口、以及形成在該腔內(nèi)完全在該晶片承載器的上表面之上從而增強(qiáng)通過(guò)該腔的層氣流的至少一個(gè)氣體出口。
本發(fā)明的這些以及其它優(yōu)點(diǎn)將從下面的說(shuō)明和附圖變得更加明顯。應(yīng)理解，在權(quán)利要求的范圍內(nèi)可做出所顯示和描述的具體結(jié)構(gòu)的變化而不偏離本發(fā)明的精神。


通過(guò)參考下面作為權(quán)利要求中定義的本發(fā)明的示例給出的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述，現(xiàn)在能更好地理解本發(fā)明及其各種實(shí)施例。應(yīng)清楚理解，權(quán)利要求定義的本發(fā)明可比下面描述的示例性實(shí)施例更寬泛。
圖1是現(xiàn)有反應(yīng)器的半示意性橫截面?zhèn)纫晥D，示出反應(yīng)氣體經(jīng)流法蘭以分散方式被引入到其中，且示出氣體通過(guò)設(shè)置在晶片承載器下面的氣體出口被從腔排出；圖2是現(xiàn)有反應(yīng)器的半示意性橫截面?zhèn)纫晥D，示出腔內(nèi)不期望的對(duì)流導(dǎo)致的反應(yīng)氣體再循環(huán)，其中腔的頂部與晶片承載器之間較大的距離促進(jìn)了該再循環(huán)；圖3A是配置來(lái)在反應(yīng)器內(nèi)支承六個(gè)晶片的晶片承載器的半示意性俯視圖；圖3B是配置來(lái)在反應(yīng)器內(nèi)支承二十個(gè)晶片的晶片承載器的半示意性俯視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)器的半示意性橫截面?zhèn)纫晥D，該反應(yīng)器在腔的頂部與晶片承載器之間具有較小的距離，且具有相對(duì)于晶片承載器基本設(shè)置在中央的單個(gè)較小的氣體入口；圖5是根據(jù)本發(fā)明的圖4的反應(yīng)器的供選配置的半示意性橫截面?zhèn)纫晥D，其具有完全設(shè)置在晶片承載器的上表面之上且與環(huán)形擴(kuò)散器流體連通從而增強(qiáng)層氣流的多個(gè)反應(yīng)氣體出口，具有設(shè)置在晶片承載器與腔之間的密封器，且具有加熱器，其與加熱器氣體凈化器一起設(shè)置在腔的外部從而減輕反應(yīng)氣體對(duì)加熱器的影響；圖6A是圖5的反應(yīng)器的半示意性橫截面俯視圖，示出三凹處晶片承載器、晶片承載器與腔之間的密封器、擴(kuò)散器、以及反應(yīng)氣體出口；圖6B是圖5和6A的擴(kuò)散器的半示意性透視側(cè)視圖，示出形成在其內(nèi)表面和外表面的多個(gè)孔；圖7是圖5的反應(yīng)器的供選配置的半示意性橫截面?zhèn)纫晥D，其具有向載運(yùn)氣體提供反應(yīng)氣體的單獨(dú)的烷基入口和單獨(dú)的氨入口；圖8是圖5的反應(yīng)器的供選配置的半示意性橫截面?zhèn)纫晥D，其具有在烷基/載運(yùn)氣體入口內(nèi)基本設(shè)置在中央的氨入口；圖9是較大的、擴(kuò)大了的RDR反應(yīng)器的半示意性透視側(cè)視圖，其具有二十一個(gè)晶片的容量且具有多個(gè)反應(yīng)氣體入口；以及圖10是反應(yīng)器系統(tǒng)的半示意性透視側(cè)視圖，其具有三個(gè)較小的反應(yīng)器(其每個(gè)具有七個(gè)晶片的容量使得總?cè)萘康扔趫D9的較大反應(yīng)器的容量)，它們共享共同反應(yīng)氣體供應(yīng)系統(tǒng)和共同反應(yīng)氣體排放系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式
在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行很多變化和修改。因此，必須理解，所示實(shí)施例僅是為了示例目的而提出且不應(yīng)理解為限制權(quán)利要求所定義的發(fā)明。例如，盡管權(quán)利要求的要素在下面以特定組合提出，但是必須清楚理解，本發(fā)明包括上面公開(kāi)的要素的更少、更多或不同要素的其它組合，即使最初沒(méi)有以這樣的組合要求權(quán)利。
本說(shuō)明書(shū)中用來(lái)描述本發(fā)明及其各種實(shí)施例的用語(yǔ)不僅要在它們一般定義的意義上理解，而且通過(guò)本說(shuō)明書(shū)中的特殊定義包括超出一般定義的意義之外的結(jié)構(gòu)、材料或行為。因此，如果一要素在本說(shuō)明書(shū)的上下文中能被理解為包括多于一個(gè)含義，則其在權(quán)利要求中的使用必須理解為對(duì)于說(shuō)明書(shū)和該用語(yǔ)本身所支持的所有可能含義而言是非特殊的。
因此，所附權(quán)利要求中的用語(yǔ)或要素的定義在本說(shuō)明書(shū)中定義為不僅包括字面上表達(dá)的要素的組合，而且包括用于以基本相同的方式執(zhí)行基本相同的功能從而獲得基本相同的結(jié)果的所有等價(jià)結(jié)構(gòu)、材料或行為。因此，在該意義上預(yù)期，對(duì)所附權(quán)利要求中的要素的任何一個(gè)可進(jìn)行兩個(gè)或更多要素的等價(jià)替換，或者單個(gè)要素可以替換權(quán)利要求中的兩個(gè)或更多要素。盡管要素可以描述為以特定組合起作用且甚至最初如此要求權(quán)利，但應(yīng)清楚理解，來(lái)自所要求權(quán)利的組合的一個(gè)或更多要素在某些情況下可以從該組合中去除，且所要求權(quán)利的組合可以涉及子組合或者子組合的變化。
現(xiàn)在已知的或者以后做出的本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)為的從要求權(quán)利的主題的非實(shí)質(zhì)性改變清楚地預(yù)期為在權(quán)利要求范圍內(nèi)是等價(jià)的。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員現(xiàn)在或以后公知的顯然的替代定義為在所定義要素的范圍內(nèi)。
因此，權(quán)利要求將被理解為包括上面所明確示出和描述的、概念上等價(jià)的、可以顯然替代的以及本質(zhì)上包括了本發(fā)明的實(shí)質(zhì)思想的。
因此，下面參照附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述意圖作為本發(fā)明的當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例的說(shuō)明而不是意圖代表可以構(gòu)建或利用本發(fā)明的僅有形式。該說(shuō)明結(jié)合所示實(shí)施例闡述了用于構(gòu)建和操作本發(fā)明的步驟的功能和順序。然而，將理解，相同或等價(jià)的功能可以通過(guò)仍包括在本發(fā)明的精神內(nèi)的不同實(shí)施例來(lái)完成。
根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器，該晶片承載器與反應(yīng)器的腔配合從而促進(jìn)腔內(nèi)反應(yīng)氣體的層流。
根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器，該晶片承載器在其周邊密封到反應(yīng)器的腔從而促進(jìn)腔內(nèi)的層流。
根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括腔和設(shè)置在腔內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器，配置該晶片承載器從而增強(qiáng)腔內(nèi)反應(yīng)氣體的向外流動(dòng)。
根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器和反應(yīng)腔，反應(yīng)腔的底部基本由晶片承載器定義。
根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括腔、設(shè)置在腔內(nèi)的晶片承載器、以及設(shè)置在腔外的加熱器，該加熱器被配置來(lái)加熱該晶片承載器。
根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括多個(gè)腔、以及公共反應(yīng)物氣體供應(yīng)系統(tǒng)和公共氣體排放系統(tǒng)中的至少一種。
根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括晶片承載器，配置該晶片承載器使得反應(yīng)物氣體基本不在該晶片承載器下面流動(dòng)。
根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括腔、晶片承載器、基本位于腔內(nèi)中央的氣體入口、以及形成在腔內(nèi)完全在晶片承載器的上表面之上從而增強(qiáng)通過(guò)腔的層氣流的至少一個(gè)氣體出口。
根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括腔、設(shè)置在腔內(nèi)且與腔的一部分(例如頂部)配合從而定義流動(dòng)通道(flow channel)的晶片承載器、以及用于旋轉(zhuǎn)晶片承載器的軸(shaft)。晶片承載器與腔的該部分之間的距離足夠小從而實(shí)現(xiàn)通過(guò)該流動(dòng)通道的氣體的基本層流。
優(yōu)選地，晶片承載器與腔的該部分之間的距離對(duì)于晶片承載器的旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致的離心力而言足夠小從而實(shí)現(xiàn)腔內(nèi)氣體的向外移動(dòng)。優(yōu)選地，晶片承載器與腔的該部分之間的距離足夠小使得反應(yīng)氣體中反應(yīng)物的實(shí)質(zhì)部分(substantial portion)在離開(kāi)腔之前接觸晶片的表面。優(yōu)選地，晶片承載器與腔的該部分之間的距離足夠小使得反應(yīng)氣體中反應(yīng)物的大多數(shù)在離開(kāi)腔之前接觸晶片的表面。優(yōu)選地，晶片承載器與腔的該部分之間的距離足夠小從而減輕腔與晶片承載器之間的熱對(duì)流。
優(yōu)選地，晶片承載器與腔的該部分之間的距離小于約2英寸。優(yōu)選地，晶片承載器與腔的該部分之間的距離在約0.5英寸與約1.5英寸之間。優(yōu)選地，晶片承載器與腔的該部分之間的距離為約0.75英寸。
優(yōu)選地，氣體入口形成在晶片承載器之上且相對(duì)于晶片承載器基本在中央。
優(yōu)選地，腔由圓筒定義。優(yōu)選地，腔由圓筒定義，該圓筒具有定義該腔的頂部的一個(gè)基本平坦的壁且反應(yīng)氣體入口基本位于該腔的該頂部的中央。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，該腔可以供選地由任何其它所需要的幾何形狀定義。例如，該腔可以供選地由立方、盒、球、或者橢球來(lái)定義。
優(yōu)選地，該化學(xué)氣相該晶片承載器被配置為繞其軸旋轉(zhuǎn)且反應(yīng)氣體入口相對(duì)于晶片承載器的該軸基本共軸地設(shè)置。
優(yōu)選地，反應(yīng)氣體入口具有比腔的直徑的1/5小的直徑。優(yōu)選地，反應(yīng)氣體入口具有小于約2英寸的直徑。優(yōu)選地，反應(yīng)氣體入口具有在約0.25英寸和約1.5英寸之間的直徑。
因此，調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體入口的尺寸從而使反應(yīng)氣體基本從晶片承載器的中心向其周邊以基本上導(dǎo)致反應(yīng)氣體層流的方式流動(dòng)。以這種方式，對(duì)流氣流被減少且反應(yīng)效率被提高。
優(yōu)選地，限制反應(yīng)氣體在腔內(nèi)基本水平地流動(dòng)。優(yōu)選地，限制反應(yīng)氣體穿過(guò)通道基本水平地流動(dòng)。優(yōu)選地，至少部分通過(guò)旋轉(zhuǎn)的晶片承載器使反應(yīng)氣體向外流動(dòng)。
優(yōu)選地，至少一個(gè)反應(yīng)氣體出口形成在腔中晶片承載器之上。優(yōu)選地，多個(gè)反應(yīng)氣體出口形成在腔中完全在晶片承載器的上表面之上。增加反應(yīng)氣體出口的數(shù)目通過(guò)促進(jìn)反應(yīng)氣體的徑向流動(dòng)(通過(guò)提供用于從晶片承載器的中心到其周邊的氣體流動(dòng)的更多直線路徑)而提高了反應(yīng)氣體的層流，特別是在晶片承載器的周邊。完全在晶片承載器的上表面之上形成反應(yīng)氣體出口減少了越過(guò)晶片承載器的邊緣流動(dòng)的反應(yīng)氣體導(dǎo)致的反應(yīng)氣流中不期望的湍流。
因此，至少一個(gè)反應(yīng)氣體出口優(yōu)選形成在腔中晶片承載器之上且在腔的頂部之下。
化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器優(yōu)選包括基本形成在腔內(nèi)中心的反應(yīng)氣體入口以及形成在腔內(nèi)的至少一個(gè)反應(yīng)氣體出口。晶片承載器設(shè)置在腔內(nèi)氣體出口之下從而定義腔頂部與晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體經(jīng)反應(yīng)氣體入口流入腔，經(jīng)流動(dòng)通道流過(guò)腔，且經(jīng)反應(yīng)氣體出口流出腔。
環(huán)形擴(kuò)散器優(yōu)選接近晶片承載器的周邊設(shè)置且被配置從而增強(qiáng)從反應(yīng)氣體入口至反應(yīng)氣體出口的層流。晶片承載器設(shè)置在腔內(nèi)氣體出口之下從而定義腔頂部與晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體經(jīng)反應(yīng)氣體入口流入腔中，經(jīng)流動(dòng)通道流過(guò)腔，且經(jīng)反應(yīng)氣體出口流出腔。
環(huán)形擴(kuò)散器優(yōu)選包括基本中空的環(huán)狀物(annulus)，其具有內(nèi)表面和外表面，多個(gè)開(kāi)口形成在內(nèi)表面中，且多個(gè)開(kāi)口形成在外表面中。內(nèi)表面中的開(kāi)口提高晶片承載器之上反應(yīng)氣流的均勻性。
內(nèi)表面中的開(kāi)口優(yōu)選配置為對(duì)穿過(guò)它的反應(yīng)氣流產(chǎn)生足夠的限制從而提高晶片承載器之上的反應(yīng)氣流的均勻性。
環(huán)形擴(kuò)散器優(yōu)選包括對(duì)加熱的氨引起的損壞有抵抗力的材料。例如，環(huán)形擴(kuò)散器可以由SiC涂覆的石墨、SiC、石英、或鉬形成。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，環(huán)形密封器(seal)設(shè)置在晶片承載器與腔之間。配置環(huán)形密封器從而減少?gòu)姆磻?yīng)氣體出口之外離開(kāi)腔的反應(yīng)氣流。環(huán)形密封器優(yōu)選包括石墨、石英或SiC。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，加熱器組件設(shè)置在腔的外部且接近晶片承載器。加熱器可以是感應(yīng)加熱器、輻射加熱器或任何其它所需類型的加熱器。優(yōu)選地，配置加熱器凈化系統(tǒng)從而減少反應(yīng)氣體與加熱器的接觸。
通常，配置氣流控制器從而控制經(jīng)氣體入口引入到腔中的反應(yīng)物氣體的量。
優(yōu)選地配置晶片承載器從而支承至少三個(gè)2英寸圓晶片。然而，晶片承載器可以供選地配置為支承任何所需數(shù)目的晶片、任何所需尺寸的晶片、以及任何所需形狀的晶片。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，配置晶片承載器從而促進(jìn)反應(yīng)氣體由于離心力的向外流動(dòng)。因此，晶片承載器優(yōu)選地包括旋轉(zhuǎn)的晶片承載器。晶片承載器優(yōu)選地配置為以大于約500rpm旋轉(zhuǎn)。晶片承載器配置為在約100rpm與約1500rpm之間旋轉(zhuǎn)。晶片承載器優(yōu)選地配置為以約800rpm旋轉(zhuǎn)。
本發(fā)明的設(shè)備和方法可以用于形成晶片，各種不同的半導(dǎo)體器件可以由所述晶片形成。例如，所述晶片可用于形成LED由其制造的芯片(die)。
本發(fā)明示于圖1-10，其描繪了本發(fā)明的當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例。本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積(CVD)反應(yīng)器和適于增大的產(chǎn)量的集成多反應(yīng)器系統(tǒng)。該反應(yīng)器采用基本抑制熱對(duì)流的幾何構(gòu)型、提供非常高的氣體速度從而避免加合物附著到表面的氣體注入方案、以及限制的生長(zhǎng)區(qū)從而提高生長(zhǎng)效率(通過(guò)減少源氣體消耗)。
對(duì)于高產(chǎn)量配置，可以集成所述反應(yīng)器的多個(gè)單元。多單元配置中的每個(gè)反應(yīng)器可以在尺寸上相對(duì)較小，使得機(jī)械構(gòu)造可以簡(jiǎn)單且可靠。所有反應(yīng)器共享公共氣體輸送、排出和控制系統(tǒng)，從而成本類似于具有相同產(chǎn)量的較大傳統(tǒng)反應(yīng)器。
產(chǎn)量擴(kuò)大(scaling up)的思想相對(duì)于反應(yīng)器設(shè)計(jì)是獨(dú)立的且還能應(yīng)用于各種其它反應(yīng)器設(shè)計(jì)。理論上，多少反應(yīng)器可集成在一個(gè)系統(tǒng)中沒(méi)有限制。但作為實(shí)際情況，所集成的反應(yīng)器的最大數(shù)目實(shí)質(zhì)上受到如何配置氣體輸送系統(tǒng)的限制。反應(yīng)器設(shè)計(jì)和該擴(kuò)大思想也可以應(yīng)用于各種不同材料的生長(zhǎng)，因而包括但不限于III族氮化物、所有其它III-V族化合物、氧化物、氮化物、以及V族外延(epitaxy)。
現(xiàn)在參照?qǐng)D4，反應(yīng)器100具有位于反應(yīng)器圓筒111的頂部且在中央的窄的氣體入口112。圓筒111為雙壁水冷式，類似于圖1所示的反應(yīng)器。水的溫度可以變化從而控制腔113的溫度。由晶片承載器116和反應(yīng)器100的頂部131定義的窄的氣體通道130將氣體向外導(dǎo)出。
形成在晶片承載器116中的凹處被配置來(lái)接收且支承晶片110，例如適用于LED的制造的2英寸晶片。
旋轉(zhuǎn)的晶片承載器116通過(guò)其離心力輔助氣體向外流動(dòng)。旋轉(zhuǎn)的晶片承載器116優(yōu)選在10與1500rpm之間旋轉(zhuǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，晶片承載器116的更高轉(zhuǎn)速通常導(dǎo)致更大的離心力施加到反應(yīng)氣體。
通過(guò)從中心引入氣體，迫使氣體基本水平地在窄通道130中流動(dòng)，使生長(zhǎng)工藝在某種程度上模擬水平反應(yīng)器。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，水平反應(yīng)器的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其高的生長(zhǎng)效率。這是因?yàn)樵谒椒磻?yīng)器中所有的反應(yīng)物被限制到很窄的體積，因此使反應(yīng)物在其與生長(zhǎng)表面的接觸方面更有效。
優(yōu)選地，反應(yīng)氣體入口具有直徑尺寸A，其小于腔的直徑的1/5。優(yōu)選地，反應(yīng)氣體入口具有小于約2英寸的直徑。優(yōu)選地，反應(yīng)氣體入口具有約0.25英寸和約1.5英寸之間的直徑。
與利用額外氣流抑制垂直型反應(yīng)器例如圖2所示的RDR中的熱對(duì)流不同，熱對(duì)流的抑制通過(guò)利用窄的流動(dòng)通道130實(shí)現(xiàn)，從而迫使氣流沿所期望的方向。
晶片承載器116的上表面與腔111的頂部之間的距離指定為尺寸B。尺寸B優(yōu)選小于約2英寸。尺寸B優(yōu)選在約0.5英寸與約1.5英寸之間。尺寸B優(yōu)選為約0.75英寸。
然而，公知地，耗盡效應(yīng)(depletion effect)是水平反應(yīng)器中的一個(gè)主要缺點(diǎn)。隨著載運(yùn)氣體中的反應(yīng)物從中心向旋轉(zhuǎn)盤的周邊行進(jìn)，反應(yīng)物的量沿途消耗，使得所沉積的薄膜在晶片上沿徑向變得越來(lái)越薄。
減小耗盡效應(yīng)的一個(gè)現(xiàn)有方法是使用高的氣體流速?gòu)亩鴾p小沿徑向的濃度梯度。該方法的缺點(diǎn)是生長(zhǎng)效率的固有降低。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)利用較高的晶片承載器轉(zhuǎn)速，使得晶片承載器的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力提高晶片上方的氣體速度而沒(méi)有使用較高的氣體流速，來(lái)提高生長(zhǎng)效率。
現(xiàn)在參照?qǐng)D5，通過(guò)形成反應(yīng)氣體出口使得它們完全在晶片承載器的上表面之上，可以減小氣流阻力從而產(chǎn)生更高程度的層流。通過(guò)完全在晶片承載器116的上表面之上形成氣體出口，提供用于反應(yīng)氣體從氣體入口112至氣體出口119的更直接的路徑(因此更少扭曲)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，反應(yīng)氣體的路徑越直接和越少扭曲，其流動(dòng)將越少湍流(且更多層流)。
通過(guò)圍繞旋轉(zhuǎn)的晶片承載器116增加環(huán)形密封器132來(lái)橋接排放氣流的流動(dòng)通道130，流動(dòng)阻力被減小且層流顯著增強(qiáng)。這是因?yàn)樵诰休d器邊緣的氣流方向的改變被消除。環(huán)形密封器132可以由石英、石墨、SiC或適于反應(yīng)器環(huán)境的其它耐用材料制成。
為了實(shí)現(xiàn)排放氣體的均勻泵送(pumping)(且因此更多的層流)，可以使用環(huán)形擴(kuò)散器(diffuser)133(圖6A和6B中更好地示出)。環(huán)形擴(kuò)散器133有效地使接近晶片承載器的周邊132的幾乎反應(yīng)器的全部周邊成為一個(gè)基本連續(xù)的氣體出口。
加熱器117設(shè)置在腔(其為反應(yīng)氣體在其中容易地流動(dòng)的反應(yīng)器部分)外。加熱器設(shè)置在晶片承載器116的下面。因?yàn)榄h(huán)形密封器132減少了晶片承載器116下面的反應(yīng)氣流，所以加熱器基本上不暴露于反應(yīng)氣體且因此基本上不因此而損壞。
優(yōu)選地，設(shè)置加熱器凈化器146從而清除通過(guò)環(huán)形密封器132泄漏到晶片承載器下面的區(qū)域中的任何反應(yīng)氣體。
現(xiàn)在參考圖6A，四個(gè)泵送口(pumping port)或氣體出口119與擴(kuò)散器133流體連通。所有的氣體出口119優(yōu)選連接到共同泵。
如上所述，環(huán)形密封器132橋跨晶片承載器116與腔111之間的間隙，從而促進(jìn)反應(yīng)氣體的層流。
現(xiàn)在參照?qǐng)D6B，擴(kuò)散器133包括多個(gè)內(nèi)孔136和多個(gè)外孔137。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，內(nèi)孔136的數(shù)目越大，則內(nèi)孔越近似單個(gè)連續(xù)的開(kāi)口。當(dāng)然，內(nèi)孔越近似單個(gè)連續(xù)的開(kāi)口，則通過(guò)腔的氣流越是層流。
擴(kuò)散器133優(yōu)選包括至少與氣體出口(例如，圖5A示出有四個(gè)氣體出口119)一樣多的外孔。
擴(kuò)散器133優(yōu)選由石墨、SiC涂覆的石墨、固體SiC、石英、鉬、或耐熱氨的其它材料制成。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解多種材料是合適的。
擴(kuò)散器133中的孔的尺寸可以制得足夠小從而對(duì)氣流產(chǎn)生稍微的限制，使得能夠?qū)崿F(xiàn)至排氣口的更均勻的分布。然而，孔尺寸不應(yīng)制得如此小以致可能發(fā)生堵塞，因?yàn)榉磻?yīng)產(chǎn)物包括可能粘附到或凝結(jié)在擴(kuò)散器孔上的氣體和固體顆粒。
現(xiàn)在參照?qǐng)D7和8，可以修改反應(yīng)物氣體注入配置從而改善氣體相反應(yīng)。根據(jù)這些修改的配置，如圖7所示烷基(alkyl)和氨在被引入到反應(yīng)腔中之前大部分分開(kāi)，如圖8所示在進(jìn)入反應(yīng)腔之前完全分開(kāi)。在這兩種情況中，反應(yīng)物恰在到達(dá)晶片所處的生長(zhǎng)區(qū)之前混合。氣體相反應(yīng)僅發(fā)生在氣體參與生長(zhǎng)過(guò)程之前很短的時(shí)間內(nèi)。
特別參照?qǐng)D7，烷基入口141與氨入口142分開(kāi)。烷基入口141和氨入口142恰在這些氣體進(jìn)入腔111之前向載運(yùn)氣體入口112提供反應(yīng)氣體。
特別參照?qǐng)D8，烷基入口141與圖7中幾乎相同地向載運(yùn)入口112提供反應(yīng)氣體。氨入口151包括設(shè)置在載運(yùn)入口112內(nèi)的管。氨入口優(yōu)選在載運(yùn)入口112內(nèi)基本同心地設(shè)置。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，烷基入口141、氨入口151、以及載運(yùn)入口112的各種其它配置同樣適合。
管嘴(nozzle)161傾向于均勻地分散氨越過(guò)晶片承載器116從而提供增強(qiáng)的反應(yīng)效率。
圖7和圖8的反應(yīng)氣體入口配置減少了反應(yīng)氣體接觸晶片之前不期望的氣體相反應(yīng)。
如上所述，圖5、7和8所示的反應(yīng)器配置的優(yōu)點(diǎn)在于加熱器117上的不利沉積的顯著減少。加熱器組件可以是輻射加熱器或射頻(RF)感應(yīng)加熱器。通過(guò)在反應(yīng)器111的下部提供加熱器凈化器146，可以有效地防止反應(yīng)氣體進(jìn)入加熱器區(qū)域。因此，通過(guò)環(huán)形密封器132泄漏的任何反應(yīng)氣體從加熱器區(qū)域被快速清除，使得由其引起的加熱器117的損壞被減輕。
根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明包括擴(kuò)大金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)系統(tǒng)等的產(chǎn)量的方法。與通過(guò)增加反應(yīng)腔的尺寸來(lái)擴(kuò)大MOCVD反應(yīng)器的現(xiàn)有嘗試不同，本發(fā)明集成數(shù)個(gè)較小的反應(yīng)器模塊從而實(shí)現(xiàn)相同的晶片產(chǎn)量。
現(xiàn)在參照?qǐng)D9，示出二十一個(gè)晶片的反應(yīng)器900。由于反應(yīng)器900的大尺寸，氣體通常通過(guò)多個(gè)口901-903引入從而提供其均勻分布。氣流控制器902便于控制向腔提供的反應(yīng)氣體的量和反應(yīng)氣體的成分的量。
氣體供應(yīng)系統(tǒng)940向口901-903提供反應(yīng)氣體。氣體排放系統(tǒng)950從反應(yīng)器111移除用過(guò)的反應(yīng)氣體。
現(xiàn)在參照?qǐng)D10，示出本發(fā)明的集成三腔反應(yīng)器。每個(gè)腔951-953是較小的腔，每個(gè)定義例如七晶片反應(yīng)器。所有反應(yīng)器共享相同的氣體入口系統(tǒng)960和氣體排放系統(tǒng)970。
圖9的配置和圖10的配置都產(chǎn)生相同的二十一晶片產(chǎn)量。然而，如圖10所示，與圖9所示反應(yīng)器相比，本發(fā)明具有顯著優(yōu)點(diǎn)。較小的反應(yīng)器具有更好的硬件可靠性，特別是對(duì)于III族氮化物生長(zhǎng)，因?yàn)檩^小的機(jī)械部件在高溫下具有較低的熱應(yīng)力。
另外，用較小的反應(yīng)器更好地實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)一致性，因?yàn)榕c在較大的反應(yīng)器中相比，維持溫度和流體動(dòng)力學(xué)要容易得多。另外，由于較小反應(yīng)器的構(gòu)建與較大反應(yīng)器相比簡(jiǎn)單得多，所以較小反應(yīng)器的維護(hù)簡(jiǎn)單得多且耗費(fèi)更少時(shí)間。因此，較小反應(yīng)器通常具有更多正常運(yùn)行時(shí)間以及更少頻率和更便宜的部件維修。
所有這些因素導(dǎo)致小反應(yīng)器的低得多的擁有成本，因?yàn)閷?shí)際晶片產(chǎn)量較高且維護(hù)成本較低。由于建造反應(yīng)器的成本僅是整個(gè)MOCVD系統(tǒng)的大約2-5％，所以在系統(tǒng)中增加多個(gè)反應(yīng)器不會(huì)顯著增加總成本。本發(fā)明的效益比附加反應(yīng)器的成本大得多。
應(yīng)理解，這里描述且圖中示出的用于化學(xué)氣相沉積的示例性方法和設(shè)備僅代表本發(fā)明的當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例。實(shí)際上，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種修改和增加而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。例如，應(yīng)理解，本發(fā)明的設(shè)備和方法可以用于與金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積不同的應(yīng)用。事實(shí)上，本發(fā)明可適于與半導(dǎo)體器件的制造完全無(wú)關(guān)的應(yīng)用。
因此，這些和其它修改和增加對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見(jiàn)的且可以被實(shí)施從而使本發(fā)明適用于各種不同的應(yīng)用。
權(quán)利要求
1.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器，該晶片承載器與所述反應(yīng)器的腔配合從而促進(jìn)所述腔內(nèi)反應(yīng)氣體的層流。
2.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器，該晶片承載器在其周邊密封至所述反應(yīng)器的腔，使得所述腔內(nèi)的層流被促進(jìn)。
3.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括腔和設(shè)置在所述腔內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器，配置該晶片承載器從而增強(qiáng)所述腔內(nèi)反應(yīng)氣體的向外流動(dòng)。
4.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器和反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔的底部基本由所述晶片承載器定義。
5.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括腔、設(shè)置在所述腔內(nèi)的晶片承載器、以及設(shè)置在所述腔外的加熱器，該加熱器被配置來(lái)加熱該晶片承載器。
6.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括多個(gè)腔、以及公共反應(yīng)物氣體供應(yīng)系統(tǒng)和公共氣體排放系統(tǒng)中的至少一種。
7.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括晶片承載器，該晶片承載器被配置為使得反應(yīng)物氣體基本不在該晶片承載器下面流動(dòng)。
8.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包括腔、晶片承載器、在該腔內(nèi)基本在中心地定位的氣體入口、以及形成在該腔內(nèi)完全在該晶片承載器的上表面之上從而增強(qiáng)通過(guò)該腔的層氣流的至少一個(gè)氣體出口。
9.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，其包括導(dǎo)通反應(yīng)物氣體通過(guò)反應(yīng)器腔，使得該反應(yīng)氣體中的反應(yīng)物的大部分在離開(kāi)該腔之前接觸晶片的表面。
10.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，其包括導(dǎo)通反應(yīng)氣體經(jīng)形成在腔與軸驅(qū)動(dòng)的晶片承載器之間的通道通過(guò)該反應(yīng)器腔，其中該腔與該晶片承載器之間的距離足夠小從而減少該腔與該晶片承載器之間的熱對(duì)流。
11.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，其包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流。
12.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，其包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流，該徑向?qū)恿髦辽俨糠滞ㄟ^(guò)旋轉(zhuǎn)的晶片承載器實(shí)現(xiàn)。
13.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，其包括通過(guò)離心力至少部分地實(shí)現(xiàn)反應(yīng)器內(nèi)反應(yīng)氣體的基本徑向流動(dòng)。
14.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，其包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流，該徑向?qū)恿鞑糠滞ㄟ^(guò)在該腔內(nèi)基本在中心地設(shè)置的氣體入口和在該腔內(nèi)基本在周邊地設(shè)置的至少一個(gè)氣體出口來(lái)實(shí)現(xiàn)且部分通過(guò)晶片承載器的旋轉(zhuǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
15.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，其包括通過(guò)經(jīng)中心定位的反應(yīng)氣體入口向反應(yīng)器的腔提供反應(yīng)氣體且通過(guò)經(jīng)完全設(shè)置在晶片承載器的上表面之上的至少一個(gè)位于周邊的反應(yīng)氣體出口從所述腔排出反應(yīng)氣體，在所述反應(yīng)器內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流。
16.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，其包括向多個(gè)腔提供來(lái)自公共氣體供應(yīng)源的反應(yīng)物氣體。
17.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，其包括經(jīng)公共氣體排放系統(tǒng)從腔移除氣體。
18.一種用于化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的方法，其包括在晶片承載器之上流動(dòng)反應(yīng)物氣體而基本不在該晶片承載器之下流動(dòng)反應(yīng)物氣體。
19.一種用于化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的方法，其包括流動(dòng)反應(yīng)氣體經(jīng)過(guò)腔且離開(kāi)形成在該腔內(nèi)完全在晶片承載器的上表面之上的氣體出口，使得層氣流被增強(qiáng)。
20.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，包括腔；晶片承載器，其設(shè)置在該腔內(nèi)且與該腔的一部分配合從而定義流動(dòng)通道；軸，其用于旋轉(zhuǎn)該晶片承載器，且其中該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離足夠小從而基本實(shí)現(xiàn)經(jīng)過(guò)該流動(dòng)通道的氣體的層流。
21.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離對(duì)于該晶片承載器的旋轉(zhuǎn)引起的離心力而言足夠小從而實(shí)現(xiàn)該通道內(nèi)氣體的向外移動(dòng)。
22.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中反應(yīng)氣體包括反應(yīng)物且該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離足夠小從而該反應(yīng)氣體中所述反應(yīng)物的實(shí)質(zhì)部分在離開(kāi)該腔之前接觸晶片的表面。
23.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中反應(yīng)氣體包括反應(yīng)物且該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離足夠小從而該反應(yīng)氣體中所述反應(yīng)物的大部分在離開(kāi)該腔之前接觸晶片的表面。
24.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離足夠小從而減少該腔與該晶片承載器之間的熱對(duì)流。
25.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離小于約2英寸。
26.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離在約0.5英寸與約1.5英寸之間。
27.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離為約0.75英寸。
28.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括氣體入口，其形成在該晶片承載器之上且相對(duì)于該晶片承載器基本在中心。
29.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該腔由圓筒定義。
30.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該腔由圓筒定義，該圓筒具有定義該腔的頂部的其一個(gè)基本平坦的壁，且反應(yīng)氣體入口基本位于該腔的所述頂部的中心。
31.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶體承載器配置為繞其軸旋轉(zhuǎn)；且反應(yīng)氣體入口相對(duì)于該晶片承載器的所述軸基本共軸地設(shè)置。
32.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中反應(yīng)氣體入口具有比該腔的直徑的1/5小的直徑。
33.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中反應(yīng)氣體入口具有小于約2英寸的直徑。
34.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中反應(yīng)氣體入口具有約0.25英寸與約1.5英寸之間的直徑。
35.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中反應(yīng)氣體被限制為在該腔內(nèi)基本水平地流動(dòng)。
36.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中反應(yīng)氣體被限制為通過(guò)所述通道基本水平地流動(dòng)。
37.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中至少部分地通過(guò)旋轉(zhuǎn)的晶片承載器使反應(yīng)氣體向外流動(dòng)。
38.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括形成在該腔中在晶片承載器之上的至少一個(gè)反應(yīng)氣體出口。
39.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括形成在該腔中在晶片承載器之上且在該腔的頂部之下的至少一個(gè)反應(yīng)氣體出口。
40.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括反應(yīng)氣體入口，其在該腔內(nèi)基本在中心地形成；至少一個(gè)反應(yīng)氣體出口，其形成在該腔中，且其中該晶片承載器設(shè)置在該腔內(nèi)在該氣體出口之下從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流入該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔。
41.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括反應(yīng)氣體入口，其在該腔內(nèi)基本在中心地形成；至少一個(gè)反應(yīng)氣體出口，其形成在該腔中；環(huán)形擴(kuò)散器，其接近該晶片承載器的周邊設(shè)置且被配置從而增強(qiáng)從該反應(yīng)氣體入口到該反應(yīng)氣體出口的層流，且其中該晶片承載器設(shè)置在該腔內(nèi)在該氣體出口之下從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流入該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔。
42.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括反應(yīng)氣體入口，其在該腔內(nèi)基本在中心地形成；多個(gè)反應(yīng)氣體出口，其形成在該腔中；環(huán)形擴(kuò)散器，其接近該晶片承載器的周邊設(shè)置且被配置從而增強(qiáng)從該反應(yīng)氣體入口到該反應(yīng)氣體出口的層流，該環(huán)形擴(kuò)散器包括基本中空的環(huán)狀物，其具有內(nèi)表面和外表面；形成在該內(nèi)表面中的多個(gè)開(kāi)口；形成在該外表面中的多個(gè)開(kāi)口，且其中該內(nèi)表面中的開(kāi)口提高該晶片承載器之上的反應(yīng)氣流的均勻性；且其中該晶片承載器設(shè)置在該腔內(nèi)在該氣體出口之下從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流人該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔。
43.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括反應(yīng)氣體入口，其在該腔內(nèi)基本在中心地形成；多個(gè)反應(yīng)氣體出口，其形成在該腔中在晶片承載器之上；環(huán)形擴(kuò)散器，其接近該晶片承載器的周邊設(shè)置且被配置從而增強(qiáng)從該反應(yīng)氣體入口到該反應(yīng)氣體出口的層流，該環(huán)形擴(kuò)散器包括基本中空的環(huán)狀物，其具有內(nèi)表面和外表面；形成在該內(nèi)表面中的多個(gè)開(kāi)口；形成在該外表面中的多個(gè)開(kāi)口，其中該內(nèi)表面中的開(kāi)口被配置來(lái)對(duì)通過(guò)它的反應(yīng)氣流產(chǎn)生足夠的限制從而提高該晶片承載器之上的反應(yīng)氣流的均勻性；且其中該晶片承載器設(shè)置在該腔內(nèi)在該氣體出口之下從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流入該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔。
44.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括反應(yīng)氣體入口，其在該腔內(nèi)基本在中心地形成；多個(gè)反應(yīng)氣體出口，其形成在該腔中在晶片承載器之上；環(huán)形擴(kuò)散器，其接近該晶片承載器的周邊設(shè)置且被配置從而增強(qiáng)從該反應(yīng)氣體入口到該反應(yīng)氣體出口的層流，該環(huán)形擴(kuò)散器包括對(duì)加熱的氨導(dǎo)致的退化有抵抗力的材料；且其中該晶片承載器設(shè)置在該腔內(nèi)在該氣體出口之下從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流入該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔。
45.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括反應(yīng)氣體入口，其在該腔內(nèi)基本在中心地形成；多個(gè)反應(yīng)氣體出口，其形成在該腔中在晶片承載器之上；環(huán)形擴(kuò)散器，其接近該晶片承載器的周邊設(shè)置且被配置從而增強(qiáng)從該反應(yīng)氣體入口到該反應(yīng)氣體出口的層流，該環(huán)形擴(kuò)散器包括石墨、SiC涂覆的石墨、SiC、石英、或鉬中的至少一種；且其中該晶片承載器設(shè)置在該腔內(nèi)在該氣體出口之下從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流入該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔。
46.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括設(shè)置在該晶片承載器與該腔中間的密封器，該密封器被配置來(lái)減少?gòu)脑摲磻?yīng)氣體出口之外離開(kāi)該腔的反應(yīng)氣流。
47.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括設(shè)置在該晶片承載器與該腔中間的環(huán)形密封器，該環(huán)形密封器被配置來(lái)減少?gòu)脑摲磻?yīng)氣體出口之外離開(kāi)該腔的反應(yīng)氣流。
48.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括設(shè)置在該晶片承載器與該腔中間的環(huán)形密封器，該環(huán)形密封器被配置來(lái)減少?gòu)脑摲磻?yīng)氣體出口之外離開(kāi)該腔的反應(yīng)氣流，該環(huán)形密封器包括石墨、石英和SiC中的至少一種。
49.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括設(shè)置在該腔的外部且接近該晶片承載器的加熱器組件。
50.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括設(shè)置在該腔的外部且接近該晶片承載器的感應(yīng)加熱器組件。
51.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括設(shè)置在該腔的外部且接近該晶片承載器的輻射加熱器組件。
52.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括加熱器組件，其設(shè)置在該腔的外部且接近該晶片承載器；以及加熱器凈化系統(tǒng)，其被配置來(lái)減少反應(yīng)氣體與該加熱器的接觸。
53.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括氣流控制器，其被配置來(lái)控制經(jīng)該氣體入口引入該腔中的反應(yīng)物氣體的量。
54.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括載運(yùn)氣體入口，其與反應(yīng)氣體入口流體連通；烷基入口，其與該載運(yùn)氣體入口流體連通；以及氨入口，其與該載運(yùn)氣體入口流體連通。
55.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括載運(yùn)氣體入口，其與反應(yīng)氣體入口流體連通；烷基入口，其與該載運(yùn)氣體入口流體連通；氨入口，其與該載運(yùn)氣體入口流體連通；且其中該烷基入口與該氨入口接近該腔設(shè)置從而增強(qiáng)烷基和氨在它們被引入該腔中之前的分離。
56.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括烷基入口，其與反應(yīng)氣體入口流體連通；氨導(dǎo)管，其穿過(guò)該反應(yīng)氣體入口；且其中氨導(dǎo)管被配置來(lái)保持烷基與氨在它們被引入該腔中之前的分離。
57.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括烷基入口，其與反應(yīng)氣體入口流體連通；氨導(dǎo)管，其穿過(guò)該反應(yīng)氣體入口從而定義內(nèi)部氨流體導(dǎo)管和外部烷基流體導(dǎo)管；且其中該內(nèi)部氨導(dǎo)管和該外部烷基導(dǎo)管被配置來(lái)保持烷基和氨在它們被引入該腔中之前的分離。
58.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括氨入口，其與反應(yīng)氣體入口流體連通；烷基導(dǎo)管，其穿過(guò)該反應(yīng)氣體入口從而定義內(nèi)部烷基流體導(dǎo)管和外部氨流體導(dǎo)管；且其中該內(nèi)部烷基導(dǎo)管和外部氨導(dǎo)管被配置來(lái)保持烷基與氨在它們被引入該腔中之前的分離。
59.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括外部管，其與反應(yīng)氣體入口流體連通；內(nèi)部管，其至少部分地設(shè)置在該外部管內(nèi)且與該反應(yīng)氣體入口流體連通；且其中該外部管與該內(nèi)部管被配置來(lái)增強(qiáng)烷基與氨在它們被引入該腔中之前的分離。
60.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括外部管，其與反應(yīng)氣體入口流體連通；內(nèi)部管，其至少部分地設(shè)置在該外部管內(nèi)且與該反應(yīng)氣體入口流體連通；且其中該外部管和該內(nèi)部管相對(duì)于彼此基本同心地配置，從而增強(qiáng)烷基與氨在它們被引入該腔中之前的分離且從而增強(qiáng)烷基與氨在它們被引入該腔中之后的混合。
61.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶片承載器被配置來(lái)支承至少三個(gè)2英寸圓晶片；且還包括多個(gè)氣體入口，每個(gè)氣體入口被配置從而通常向該晶片承載器的不同部分提供反應(yīng)氣體。
62.如權(quán)利要求20所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶片承載器被配置來(lái)支承至少三個(gè)2英寸圓晶片；還包括多個(gè)氣體入口，每個(gè)氣體入口被配置從而一般向該晶片承載器的不同部分提供反應(yīng)氣體；以及氣流控制器，其被配置來(lái)控制經(jīng)每個(gè)氣體入口引入到該腔中的反應(yīng)物氣體的量。
63.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，該方法包括提供容納晶片承載器的腔；用心軸旋轉(zhuǎn)該晶片承載器；基本實(shí)現(xiàn)在該腔的一部分與該晶片承載器之間的氣體的層流。
64.如權(quán)利要求63所述的方法，其中該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離對(duì)于該晶片承載器的旋轉(zhuǎn)引起的離心力而言足夠小從而實(shí)現(xiàn)該通道內(nèi)氣體的向外移動(dòng)。
65.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體包括反應(yīng)物且該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離足夠小使得該反應(yīng)氣體中該反應(yīng)物的實(shí)質(zhì)部分在離開(kāi)該腔之前接觸晶片的表面。
66.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體包括反應(yīng)物且該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離足夠小使得該反應(yīng)氣體中該反應(yīng)物的大部分在離開(kāi)該腔之前接觸晶片的表面。
67.如權(quán)利要求63所述的方法，其中該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離足夠小從而減少該腔與該晶片承載器之間的熱對(duì)流。
68.如權(quán)利要求63所述的方法，其中該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離小于約2英寸。
69.如權(quán)利要求63所述的方法，其中該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離在約0.5英寸與約1.5英寸之間。
70.如權(quán)利要求63所述的方法，其中該晶片承載器與該腔的所述部分之間的距離為約0.75英寸。
71.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括氣體入口，其在該晶片承載器之上且相對(duì)于該晶片承載器基本在中心地形成。
72.如權(quán)利要求63所述的方法，其中該腔由圓筒定義。
73.如權(quán)利要求63所述的方法，其中該腔由圓筒定義，該圓筒具有定義該腔的頂部的其一個(gè)基本平坦的壁，且反應(yīng)氣體入口形成在該腔的該頂部的基本中心處。
74.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括經(jīng)反應(yīng)氣體入口將氣體引入該腔中，該反應(yīng)氣體入口相對(duì)于該晶片承載器的軸基本共軸地設(shè)置。
75.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體經(jīng)氣體入口被引入該腔中，該氣體入口具有比該腔的直徑的1/5小的直徑。
76.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體經(jīng)氣體入口被引入該腔中，該氣體入口具有小于約2英寸的直徑。
77.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體經(jīng)氣體入口被引入該腔中，該氣體入口具有約0.25英寸與約1.5英寸之間的直徑。
78.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體被限制為基本水平地流動(dòng)。
79.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體被限制為通過(guò)通道基本水平地流動(dòng)，該通道通過(guò)該腔與晶片承載器的配合來(lái)定義。
80.如權(quán)利要求63所述的方法，其中至少部分地通過(guò)旋轉(zhuǎn)的晶片承載器使反應(yīng)氣體向外流動(dòng)。
81.如權(quán)利要求63所述的方法，其中至少一反應(yīng)氣體經(jīng)形成在該腔中在晶片承載器之上的出口流出該腔。
82.如權(quán)利要求63所述的方法，其中至少一個(gè)反應(yīng)氣體出口形成在該腔中在晶片承載器之上且在該腔的頂部之下。
83.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體入口在該腔內(nèi)基本在中心地形成；至少一個(gè)反應(yīng)氣體出口形成在該腔中；且該晶片承載器設(shè)置在該腔內(nèi)在該氣體出口之下從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流入該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔。
84.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體入口在該腔內(nèi)基本在中心地形成；多個(gè)反應(yīng)氣體出口形成在該腔中；該晶片承載器設(shè)置在該腔內(nèi)在該氣體出口之下從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得該反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流入該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔；且接近該晶片承載器的周邊設(shè)置的環(huán)形擴(kuò)散器增強(qiáng)從該反應(yīng)氣體入口到該反應(yīng)氣體出口的層流。
85.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體入口在該腔內(nèi)基本在中心地形成；多個(gè)反應(yīng)氣體出口形成在該腔中；該晶片承載器設(shè)置在該腔內(nèi)在該氣體出口之下從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得該反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流入該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔；接近該晶片承載器的周邊設(shè)置的環(huán)形擴(kuò)散器增強(qiáng)從該反應(yīng)氣體入口到該反應(yīng)氣體出口的層流，該環(huán)形擴(kuò)散器包括基本中空的環(huán)狀物，其具有內(nèi)表面和外表面；形成在該內(nèi)表面中的多個(gè)開(kāi)口；形成在該內(nèi)表面中的多個(gè)開(kāi)口；且其中該內(nèi)表面中的開(kāi)口提高該晶片承載器之上的反應(yīng)氣流的均勻性。
86.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體入口在該腔內(nèi)基本在中心地形成；多個(gè)反應(yīng)氣體出口形成在該腔中在晶片承載器之上；該晶片承載器設(shè)置在該腔中從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流入該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔；接近該晶片承載器的周邊設(shè)置的環(huán)形擴(kuò)散器增強(qiáng)從該反應(yīng)氣體入口到該反應(yīng)氣體出口的層流，該環(huán)形擴(kuò)散器包括基本中空的環(huán)狀物，其具有內(nèi)表面和外表面；形成在該內(nèi)表面中的多個(gè)開(kāi)口；形成在該內(nèi)表面中的多個(gè)開(kāi)口；且其中該內(nèi)表面中的開(kāi)口被配置來(lái)對(duì)通過(guò)它的反應(yīng)氣流產(chǎn)生足夠的限制從而提高該晶片承載器之上反應(yīng)氣流的均勻性。
87.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體入口在該腔內(nèi)基本在中心地形成；多個(gè)反應(yīng)氣體出口形成在該腔中在晶片承載器之上；該晶片承載器設(shè)置在該腔內(nèi)從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流入該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔；且接近該晶片承載器的周邊設(shè)置的環(huán)形擴(kuò)散器增強(qiáng)從該反應(yīng)氣體入口到該反應(yīng)氣體出口的層流，該環(huán)形擴(kuò)散器包括對(duì)加熱了的氨引起的退化具有抵抗力的材料。
88.如權(quán)利要求63所述的方法，其中反應(yīng)氣體入口在該腔內(nèi)基本在中心地形成；多個(gè)反應(yīng)氣體出口形成在該腔中在晶片承載器之上；該晶片承載器設(shè)置在該腔內(nèi)從而定義該腔的頂部與該晶片承載器之間的流動(dòng)通道，使得反應(yīng)氣體通過(guò)該反應(yīng)氣體入口流入該腔，經(jīng)該流動(dòng)通道流過(guò)該腔，且經(jīng)該反應(yīng)氣體出口流出該腔；且接近該晶片承載器的周邊設(shè)置的環(huán)形擴(kuò)散器增強(qiáng)從該反應(yīng)氣體入口到該反應(yīng)氣體出口的層流，該環(huán)形擴(kuò)散器包括石墨、SiC涂覆的石墨、SiC、石英、或鉬中的至少一種。
89.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)該晶片承載器支承多個(gè)晶片；以及通過(guò)設(shè)置在該晶片承載器與該腔之間的密封器，減少?gòu)脑摲磻?yīng)氣體出口之外離開(kāi)該腔的反應(yīng)氣流。
90.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)該晶片承載器支承多個(gè)晶片；以及通過(guò)設(shè)置在該晶片承載器與該腔之間的環(huán)形密封器，減少?gòu)脑摲磻?yīng)氣體出口之外離開(kāi)該腔的反應(yīng)氣流。
91.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)該晶片承載器支承多個(gè)晶片；以及通過(guò)設(shè)置在該晶片承載器與該腔之間的環(huán)形密封器，減少?gòu)脑摲磻?yīng)氣體出口之外離開(kāi)該腔的反應(yīng)氣流，該環(huán)形密封器被配置，該環(huán)形密封器包括石墨、石英和SiC中的至少一種。
92.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)設(shè)置在該腔的外部且接近該晶片承載器的加熱器組件加熱設(shè)置在該腔內(nèi)的至少一個(gè)晶片。
93.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)設(shè)置在該腔的外部且接近該晶片承載器的感應(yīng)加熱器組件加熱設(shè)置在該腔內(nèi)的至少一個(gè)晶片。
94.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)設(shè)置在該腔的外部且接近該晶片承載器的輻射加熱器組件加熱設(shè)置在該腔內(nèi)的至少一個(gè)晶片。
95.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)設(shè)置在該腔的外部且接近該晶片承載器的加熱器組件加熱設(shè)置在該腔內(nèi)的至少一個(gè)晶片；以及通過(guò)加熱器凈化系統(tǒng)減少反應(yīng)氣體與該加熱器的接觸。
96.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)氣流控制器控制引入該腔中的反應(yīng)物氣體的量。
97.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)與反應(yīng)氣體入口流體連通的載運(yùn)氣體入口向該腔提供載運(yùn)氣體；通過(guò)與該載運(yùn)氣體入口流體連通的烷基入口向該腔提供烷基；以及通過(guò)與該載運(yùn)氣體入口流體連通的氨入口向該腔提供氨。
98.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)與反應(yīng)氣體入口流體連通的載運(yùn)氣體入口向該腔提供載運(yùn)氣體；通過(guò)與該載運(yùn)氣體入口流體連通的烷基入口向該腔提供烷基；通過(guò)與該載運(yùn)氣體入口流體連通的氨入口向該腔提供氨；且其中該烷基入口和該氨入口接近該腔設(shè)置從而增強(qiáng)烷基和氨在它們被引入該腔中之前的分離。
99.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)與反應(yīng)氣體入口流體連通的烷基導(dǎo)管向該腔提供烷基；通過(guò)穿過(guò)該反應(yīng)氣體入口的氨導(dǎo)管向該腔提供氨；且其中該氨導(dǎo)管被配置來(lái)保持烷基與氨在它們被引入該腔中之前的分離。
100.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)與反應(yīng)氣體入口流體連通的烷基導(dǎo)管向該腔提供烷基；通過(guò)穿過(guò)該反應(yīng)氣體入口的氨導(dǎo)管向該腔提供氨；且其中該內(nèi)部氨導(dǎo)管和該外部烷基導(dǎo)管被配置來(lái)保持烷基與氨在它們被引入該腔中之前的分離。
101.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)與反應(yīng)氣體入口流體連通的烷基導(dǎo)管向該腔提供烷基；通過(guò)穿過(guò)該反應(yīng)氣體入口的氨導(dǎo)管向該腔提供氨；且其中該內(nèi)部烷基導(dǎo)管和該外部氨導(dǎo)管被配置來(lái)保持烷基與氨在它們被引入該腔中之前的分離。
102.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)外部管向該腔提供第一氣體；通過(guò)至少部分地設(shè)置在該外部管內(nèi)的內(nèi)部管向該腔提供第二氣體；且其中該外部管和該內(nèi)部管被配置來(lái)增強(qiáng)第一和第二氣體在它們被引入該腔中之前的分離。
103.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括通過(guò)外部管向該腔提供第一氣體；通過(guò)至少部分地設(shè)置在該外部管內(nèi)的內(nèi)部管向該腔提供第二氣體；且其中該外部管和該內(nèi)部管相對(duì)于彼此基本同心地配置，從而增強(qiáng)烷基與氨在它們被引入該腔中之前的分離且從而增強(qiáng)烷基與氨在它們被引入該腔中之后的混合。
104.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，包括腔；以及晶片承載器，其設(shè)置在該腔內(nèi)，該晶片承載器被配置來(lái)促進(jìn)反應(yīng)氣體由于離心力的向外流動(dòng)。
105.如權(quán)利要求104所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶片承載器包括旋轉(zhuǎn)的晶片承載器。
106.如權(quán)利要求104所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶片承載器被配置來(lái)優(yōu)選地以大于約500rpm旋轉(zhuǎn)。
107.如權(quán)利要求104所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶片承載器被配置來(lái)在約100rpm與約1500rpm之間旋轉(zhuǎn)。
108.如權(quán)利要求104所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中該晶片承載器被配置來(lái)以約800rpm旋轉(zhuǎn)。
109.如權(quán)利要求104所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中配置氣體供應(yīng)從而維持該反應(yīng)氣體彼此分離直到該氣體處于該腔的內(nèi)部。
110.如權(quán)利要求104所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括外部流體導(dǎo)管，其被配置來(lái)向該腔提供至少一種反應(yīng)氣體；至少一個(gè)內(nèi)部流體導(dǎo)管，其設(shè)置在該外部流體導(dǎo)管內(nèi)且被配置來(lái)向該腔提供至少另一種反應(yīng)氣體；且其中該內(nèi)部和外部流體導(dǎo)管促進(jìn)該反應(yīng)氣體的分離。
111.如權(quán)利要求104所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括外部流體導(dǎo)管，其被配置來(lái)向該腔提供至少一種反應(yīng)氣體；至少一個(gè)內(nèi)部流體導(dǎo)管，其同心地設(shè)置在該外部流體導(dǎo)管內(nèi)且被配置來(lái)向該腔提供至少另一種反應(yīng)氣體；且其中該內(nèi)部和外部流體導(dǎo)管促進(jìn)該反應(yīng)氣體的分離。
112.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，該方法包括提供反應(yīng)腔；提供設(shè)置在該腔內(nèi)的晶片承載器；旋轉(zhuǎn)該晶片承載器從而促進(jìn)反應(yīng)氣體由于離心力的向外流動(dòng)。
113.如權(quán)利要求112所述的方法，其中旋轉(zhuǎn)該晶片承載器包括以大于約500rpm旋轉(zhuǎn)該晶片承載器。
114.如權(quán)利要求112所述的方法，其中旋轉(zhuǎn)該晶片承載器包括在約100rpm與約1500rpm之間旋轉(zhuǎn)該晶片承載器。
115.如權(quán)利要求112所述的方法，其中旋轉(zhuǎn)該晶片承載器包括以約800rpm旋轉(zhuǎn)該晶片承載器。
116.如權(quán)利要求112所述的方法，其中維持反應(yīng)氣體彼此分離直到該氣體處于所述腔的內(nèi)部。
117.如權(quán)利要求112所述的方法，還包括通過(guò)外部流體導(dǎo)管向該腔輸送第一反應(yīng)氣體；通過(guò)設(shè)置在該外部流體導(dǎo)管內(nèi)的至少一個(gè)內(nèi)部流體導(dǎo)管向該腔輸送第二反應(yīng)氣體；且其中該內(nèi)部和外部流體導(dǎo)管促進(jìn)該反應(yīng)氣體的分離。
118.如權(quán)利要求112所述的方法，還包括通過(guò)外部流體導(dǎo)管向該腔輸送第一反應(yīng)氣體；通過(guò)設(shè)置在該外部流體導(dǎo)管內(nèi)的至少一個(gè)內(nèi)部流體導(dǎo)管向該腔輸送第二反應(yīng)氣體；且其中該內(nèi)部和外部流體導(dǎo)管相對(duì)于彼此基本同心且促進(jìn)該反應(yīng)氣體的分離。
119.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，包括反應(yīng)器腔，其被配置來(lái)容納至少一個(gè)晶片；以及加熱器，其設(shè)置在該腔的外部且被配置來(lái)加熱所述晶片。
120.如權(quán)利要求119所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括被配置來(lái)支承至少一個(gè)晶片的晶片承載器。
121.如權(quán)利要求119所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括被配置來(lái)在該腔內(nèi)旋轉(zhuǎn)且支承多個(gè)晶片的晶片承載器。
122.如權(quán)利要求119所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括定義該腔的底部且被配置來(lái)在該腔內(nèi)旋轉(zhuǎn)并支承多個(gè)晶片的晶片承載器。
123.如權(quán)利要求119所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，還包括晶片承載器，其定義該腔的底部且其被配置來(lái)在該腔內(nèi)旋轉(zhuǎn)并支承多個(gè)晶片；以及環(huán)形密封器，其被配置來(lái)減少該晶片承載器與該腔的側(cè)部分之間的氣體流動(dòng)。
124.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，該方法包括提供反應(yīng)器腔，其容納至少一個(gè)晶片；以及通過(guò)設(shè)置在該腔的外部的加熱器加熱該晶片。
125.如權(quán)利要求124所述的方法，還包括用晶片承載器支承所述晶片。
126.如權(quán)利要求124所述的方法，還包括在該腔內(nèi)旋轉(zhuǎn)晶片承載器。
127.如權(quán)利要求124所述的方法，還包括用晶片承載器定義該腔的底部，該晶片承載器被配置來(lái)在該腔內(nèi)旋轉(zhuǎn)且支承多個(gè)晶片。
128.如權(quán)利要求124所述的方法，還包括用晶片承載器定義該腔的底部，該晶片承載器被配置來(lái)在該腔內(nèi)旋轉(zhuǎn)且支承多個(gè)晶片；以及用環(huán)形密封器減少該晶片承載器與該腔的側(cè)部分之間的氣體的流動(dòng)。
129.一種化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，包括多個(gè)反應(yīng)器腔；公共氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其被配置來(lái)向所述腔提供反應(yīng)氣體；以及公共氣體排放系統(tǒng)，其被配置來(lái)從所述腔去除氣體。
130.如權(quán)利要求129所述的化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，還包括設(shè)置在每個(gè)腔內(nèi)的晶片承載器，所述晶片承載器被配置來(lái)每個(gè)支承少于十二個(gè)晶片。
131.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，該方法包括提供多個(gè)反應(yīng)器腔；通過(guò)公共氣體供應(yīng)系統(tǒng)向所述腔提供反應(yīng)氣體；以及通過(guò)公共氣體排放系統(tǒng)從所述腔去除氣體。
132.如權(quán)利要求131所述的方法，還包括在設(shè)置于每個(gè)腔內(nèi)的晶片承載器上支承少于十二個(gè)晶片。
133.一種晶片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括輸送反應(yīng)氣體通過(guò)反應(yīng)器腔使得該反應(yīng)氣體中的反應(yīng)物的大部分在離開(kāi)該腔之前接觸晶片的表面。
134.一種晶片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括通過(guò)形成在反應(yīng)器腔與晶片承載器之間的通道輸送反應(yīng)氣體經(jīng)過(guò)該腔，其中該腔與該晶片承載器之間的距離足夠小從而減少該腔與該晶片承載器之間的熱對(duì)流。
135.一種晶片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流。
136.一種晶片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流，該徑向的層流至少部分地通過(guò)在該腔內(nèi)基本在中心地設(shè)置的氣體入口且通過(guò)在該腔內(nèi)基本在周邊地設(shè)置的至少一個(gè)氣體出口來(lái)實(shí)現(xiàn)。
137.一種晶片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流，該徑向的層流至少部分地通過(guò)旋轉(zhuǎn)的晶片承載器實(shí)現(xiàn)。
138.一種晶片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器內(nèi)通過(guò)離心力至少部分地實(shí)現(xiàn)反應(yīng)氣體的基本徑向的流動(dòng)。
139.一種晶片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括通過(guò)經(jīng)在中心定位的反應(yīng)氣體入口向反應(yīng)器的腔提供反應(yīng)氣體且通過(guò)經(jīng)至少一個(gè)在周邊定位的反應(yīng)氣體出口從該腔排放反應(yīng)氣體，在該反應(yīng)器內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流。
140.一種晶片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括維持至少兩種反應(yīng)物氣體相對(duì)于彼此基本分離以及以基本混合所述氣體且提供其基本徑向的流動(dòng)的方式將所述氣體引入到腔中。
141.一種晶片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括用設(shè)置在反應(yīng)器腔外部的至少一個(gè)加熱器來(lái)加熱設(shè)置在該反應(yīng)器腔內(nèi)的至少一個(gè)晶片。
142.一種芯片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括輸送反應(yīng)氣體通過(guò)反應(yīng)器腔使得該反應(yīng)氣體中的反應(yīng)物的大部分在離開(kāi)該腔之前接觸晶片的表面。
143.一種芯片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括通過(guò)形成在反應(yīng)器腔與晶片承載器之間的通道輸送反應(yīng)氣體經(jīng)過(guò)該腔，其中該腔與該晶片承載器之間的距離足夠小從而減少該腔與該晶片承載器之間的熱對(duì)流。
144.一種芯片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流。
145.一種芯片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流，該徑向的層流至少部分地通過(guò)在該腔內(nèi)基本在中心地設(shè)置的氣體入口且通過(guò)在該腔內(nèi)基本在周邊地設(shè)置的至少一個(gè)氣體出口來(lái)實(shí)現(xiàn)。
146.一種芯片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流，該徑向的層流至少部分地通過(guò)旋轉(zhuǎn)的晶片承載器實(shí)現(xiàn)。
147.一種芯片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器內(nèi)通過(guò)離心力至少部分地實(shí)現(xiàn)反應(yīng)氣體的基本徑向的流動(dòng)。
148.一種芯片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括通過(guò)經(jīng)在中心定位的反應(yīng)氣體入口向反應(yīng)器的腔提供反應(yīng)氣體且通過(guò)經(jīng)至少一個(gè)在周邊定位的反應(yīng)氣體出口從該腔排放反應(yīng)氣體，在該反應(yīng)器內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流。
149.一種芯片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括維持至少兩種反應(yīng)物氣體相對(duì)于彼此基本分離以及以基本混合所述氣體且提供其基本徑向的流動(dòng)的方式將所述氣體引入到腔中。
150.一種芯片，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括用設(shè)置在反應(yīng)器腔外部的至少一個(gè)加熱器來(lái)加熱設(shè)置在該反應(yīng)器腔內(nèi)的至少一個(gè)晶片。
151.一種LED，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括輸送反應(yīng)氣體通過(guò)反應(yīng)器腔使得該反應(yīng)氣體中的反應(yīng)物的大部分在離開(kāi)該腔之前接觸晶片的表面。
152.一種LED，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括通過(guò)形成在反應(yīng)器腔與晶片承載器之間的通道輸送反應(yīng)氣體經(jīng)過(guò)該腔，其中該腔與該晶片承載器之間的距離足夠小從而減少該腔與該晶片承載器之間的熱對(duì)流。
153.一種LED，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流。
154.一種LED，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流，該徑向的層流至少部分地通過(guò)在該腔內(nèi)基本在中心地設(shè)置的氣體入口且通過(guò)在該腔內(nèi)基本在周邊地設(shè)置的至少一個(gè)氣體出口來(lái)實(shí)現(xiàn)。
155.一種LED，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器的腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流，該徑向的層流至少部分地通過(guò)旋轉(zhuǎn)的晶片承載器實(shí)現(xiàn)。
156.一種LED，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括在反應(yīng)器內(nèi)通過(guò)離心力至少部分地實(shí)現(xiàn)反應(yīng)氣體的基本徑向的流動(dòng)。
157.一種LED，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括通過(guò)經(jīng)在中心定位的反應(yīng)氣體入口向反應(yīng)器的腔提供反應(yīng)氣體且通過(guò)經(jīng)至少一個(gè)在周邊定位的反應(yīng)氣體出口從該腔排放反應(yīng)氣體，在該反應(yīng)器內(nèi)實(shí)現(xiàn)基本徑向的層流。
158.一種LED，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括維持至少兩種反應(yīng)物氣體相對(duì)于彼此基本分離以及以基本混合所述氣體且提供其基本徑向的流動(dòng)的方式將所述氣體引入到腔中。
159.一種LED，其通過(guò)用于化學(xué)氣相沉積的方法制造，該方法包括用設(shè)置在反應(yīng)器腔外部的至少一個(gè)加熱器來(lái)加熱設(shè)置在該反應(yīng)器腔內(nèi)的至少一個(gè)晶片。
160.一種用于化學(xué)氣相沉積的方法，包括用設(shè)置在反應(yīng)器腔外部的至少一個(gè)加熱器來(lái)加熱設(shè)置在該反應(yīng)器腔內(nèi)的至少一個(gè)晶片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其具有可旋轉(zhuǎn)的晶片承載器，該晶片承載器與所述反應(yīng)器的腔配合從而促進(jìn)所述腔內(nèi)反應(yīng)氣體的層流。該化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器可用于LED等的制造。
文檔編號(hào)C23C16/00GK101036215SQ200480026159
公開(kāi)日2007年9月12日 申請(qǐng)日期2004年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月15日
發(fā)明者劉恒 申請(qǐng)人:布里奇勒科思股份有限公司